Массивы МОП-транзисторов - Поиск электронных компонентов - Лучший агент по электронным компонентам - ICGNT
+86 19168759373 info@chipsmt.ru
Английский

Массивы МОП-транзисторов(4365)

Сравнить Изображение Имя Производитель Цена (долл. США) Количество Вес (кг) Размер (ДхШхВ) Статус детали Ряд Установить Тип монтажа Рабочая температура Упаковка Уровень чувствительности к влаге (MSL) Максимальная рабочая температура Минимальная рабочая температура Режим работы Статус RoHS Опубликовано Техническая спецификация Текущий рейтинг Пакет/ключи Длина Высота Ширина Без свинца Количество окончаний Срок выполнения заказа на заводе Масса ДОСТИГНУТЬ СВХК Сопротивление Количество контактов Статус жизненного цикла Код Pbfree Толщина ECCN-код Дополнительная функция Контактное покрытие Радиационная закалка Достичь соответствия кода Код HTS Код JESD-609 Терминальные отделки Без галогенов Поверхностный монтаж Максимальная рассеиваемая мощность Положение терминала Терминальная форма Пиковая температура оплавления (Цел) Базовый номер детали Количество контактов Количество вариантов Конфигурация элемента Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) Рассеяние активности Количество элементов Подкатегория Статус квалификации Максимальный переход температуры (Tj) Код JESD-30 Поставщик пакета оборудования Входная емкость Включить время задержки Время подъема Осень (тип.) Время задержки отключения Непрерывный ток стока (ID) Напряжение от затвора до источника (Vgs) Материал транзисторного элемента Конфигурация Соединение корпуса Применение транзистора Полярность/Тип канала Напряжение стока к источнику (Vdss) DS Напряжение проба-мин. Технология полевых транзисторов Пороговое напряжение Мощность - Макс. Максимальный сток (Abs) (ID) Максимальный импульсный ток стока (IDM) Источник стока при максимальном сопротивлении Снижение сопротивления до источника Обратная связь Cap-Max (Crss) Рейтинг лавинной энергии (Eas) Напряжение проба стока к источнику Тип полярного транзистора Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds Номинальный объем Rds включено (макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс) @ Id Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs Особенность левого транзистора РДС на Максе
FDS4501H FDS4501H ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать PowerTrench® Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2001 г. /files/onsemiconductor-fds4501h-datasheets-7965.pdf 9,3А 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) 4,9 мм 1,575 мм 3,9 мм Без свинца 8 18 недель 187 мг Нет СВХК 18МОм 8 АКТИВНО (Последнее обновление: 1 день назад) да EAR99 Олово Нет е3 1 Вт ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 2,5 Вт 2 Другие транзисторы 15 нс 15нс 25 нс 40 нс 9,3А 8В КРЕМНИЙ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ 30В 20В МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 1,6 В -20В N и P-канал 1958 пФ при 10 В 18 мОм при 9,3 А, 10 В 3 В при 250 мкА 9,3 А 5,6 А 27 НК при 4,5 В Ворота логического уровня
UT6MA3TCR UT6MA3TCR РОМ Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Разрезанная лента (CT) 1 (без блокировки) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 /files/rohm-ut6ma3tcr-datasheets-0201.pdf 6-PowerUDFN 6 20 недель EAR99 не_совместимо ДА ДВОЙНОЙ НЕТ ЛИДЕСА НЕ УКАЗАН НЕ УКАЗАН 2 С-ПДСО-Н6 КРЕМНИЙ РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ 20 В 20 В МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 2 Вт 5,5 А 12А 0,042 Ом 2 мДж N и P-канал 460пФ при 10 В 59 мОм при 5 А, 4,5 В 1,5 В @ 1 мА 5А 5,5А 6,5 нк при 4,5 В
FDMS3604S ФДМС3604С ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать PowerTrench® Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 /files/onsemiconductor-fdms3604s-datasheets-8049.pdf 8-PowerTDFN 6 мм 1 мм 5 мм 6 13 недель 171 мг 8 АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) да EAR99 не_совместимо е3 Олово (Вс) 1 Вт НЕТ ЛИДЕСА НЕ УКАЗАН Одинокий НЕ УКАЗАН 2 Полевой транзистор общего назначения Не квалифицированный Р-ПДСО-Н6 13 нс 4,8 нс 3,4 нс 31 нс 23А 20 В КРЕМНИЙ ДРЕНАЖНЫЙ ИСТНИКОЧ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 13А 40А 40 мДж 30 В 2 N-канальных (двойных) асимметричных 1785пФ при 15В 8 мОм при 13 А, 10 В 2,7 В при 250 мкА 13А 23А 29 НК при 10 В Ворота логического уровня
BUK9K30-80EX БУК9К30-80ЕХ Нексперия США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Поверхностный монтаж -55°С~175°С ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) /files/nexperiausainc-buk9k3080ex-datasheets-0744.pdf СОТ-1205, 8-ЛФПАК56 12 недель совместимый 8 80В 53 Вт 2 N-канала (двойной) 2297пФ при 25 В 26 мОм при 5 А, 10 В 2,1 В @ 1 мА 17А Та 17,5 НК при 5 В Ворота логического уровня
SQJ980AEP-T1_GE3 SQJ980AEP-T1_GE3 Вишай Силиконикс
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® Поверхностный монтаж -55°С~175°С ТА Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 /files/vishaysiliconix-sqj980aept1ge3-datasheets-8013.pdf PowerPAK® SO-8 двойной 4 12 недель Неизвестный 41мОм 8 EAR99 ДА 34 Вт ОДИНОКИЙ КРЫЛО ЧАЙКИ НЕ УКАЗАН НЕ УКАЗАН 2 Р-ПССО-Г4 17А КРЕМНИЙ РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ОСУШАТЬ 75В 75В МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 2В 34 Вт Тс 10 мДж 2 N-канала (двойной) 790пФ при 35 В 50 мОм при 3,8 А, 10 В 2,5 В @ 250 мкА 17А Тк 21 НК при 10 В Стандартный
SQJ942EP-T1_GE3 SQJ942EP-T1_GE3 Вишай Силиконикс
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® Поверхностный монтаж -55°С~175°С ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Не соответствует требованиям RoHS /files/vishaysiliconix-sqj942ept1ge3-datasheets-7636.pdf ПауэрПАК® СО-8 4 12 недель EAR99 неизвестный ДА ОДИНОКИЙ КРЫЛО ЧАЙКИ НЕ УКАЗАН НЕ УКАЗАН 2 Р-ПССО-Г4 КРЕМНИЙ РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ОСУШАТЬ 40В 40В МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 17 Вт 48 Вт 15А 60А 0,022 Ом 18,5 мДж 2 N-канала (двойной) 809пФ при 20В 1451пФ при 20В 22 мОм при 7,8 А, 10 В, 11 м Ом при 10,1 А, 10 В 2,3 В @ 250 мкА 15А Ц 45А Ц 19,7 нк при 10 В, 33,8 нк при 10 В Стандартный
FDMS3600S ФДМС3600С ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) 150°С -55°С РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 /files/onsemiconductor-fdms3600s-datasheets-8063.pdf 5 мм 1,05 мм 6 мм 7 13 недель 171 мг Нет СВХК 8 АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) да EAR99 Нет е3 Олово (Вс) 1 Вт КВАД Двойной 2,5 Вт 2 Полевой транзистор общего назначения Р-PQFP-N7 1,68 нФ 5,3 нс 3,9 нс 38 нс 30А 20 В ДРЕНАЖНЫЙ ИСТНИКОЧ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ Н-КАНАЛЬНЫЙ 25 В МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 15А 1,6 мОм 90 пФ 25 В 1,8 В 5,6 мОм
CSD85302LT CSD85302LT Техасские инструменты
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать НексФЕТ™ Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 4-XFLGA 1,35 мм 1,35 мм Без свинца 4 6 недель Нет СВХК 4 АКТИВНО (Последнее обновление: 5 дней назад) да 200 мкм 1,7 Вт НИЖНИЙ НЕТ ЛИДЕСА CSD85302 2 37 нс 54нс 99 нс 173 нс 7А 10 В КРЕМНИЙ ОБЩИЙ СТОК, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ИСТОЧНИК ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 20 В МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 900 мВ 24мОм 79 пФ 2 N-канальных (двойных) с общим стоком 7,8 нк @ 4,5 В Стандартный
SI7904BDN-T1-GE3 SI7904BDN-T1-GE3 Вишай Силиконикс
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать ТренчFET® Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2014 год /files/vishaysiliconix-si7904bdnt1ge3-datasheets-7920.pdf PowerPAK® 1212-8 двойной 3,05 мм 1,04 мм 3,05 мм Без свинца 6 14 недель Неизвестный 30МОм 8 да EAR99 Олово Нет е3 2,5 Вт С ИЗГИБ 260 СИ7904 8 2 Двойной 40 2,5 Вт 2 Полномочия общего назначения FET S-XDSO-C6 5 нс 15нс 5 нс 25 нс 6А 8В КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ УСИЛИТЕЛЬ 20 В МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 1В 17,8 Вт 6А 20 В 2 N-канала (двойной) 860пФ при 10 В 30 мОм при 7,1 А, 4,5 В 1 В @ 250 мкА 24 НК при 8 В Ворота логического уровня
SQJB42EP-T1_GE3 SQJB42EP-T1_GE3 Вишай Силиконикс
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® Поверхностный монтаж -55°С~175°С ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 /files/vishaysiliconix-sqjb42ept1ge3-datasheets-7973.pdf PowerPAK® SO-8 двойной 4 14 недель неизвестный ДА ОДИНОКИЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 2 Р-ПССО-Г4 КРЕМНИЙ РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ОСУШАТЬ 40В 40В МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 48 Вт 30А 120А 0,0095Ом 31 мДж 2 N-канала (двойной) 1500пФ при 25В 9,5 мОм при 10 А, 10 В 3,5 В @ 250 мкА 30А Ц 30 НК при 10 В Стандартный
STL50DN6F7 СТЛ50ДН6Ф7 СТМикроэлектроника
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать СТРипФЕТ™ Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°С~175°С ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 /files/stmicroelectronics-stl50dn6f7-datasheets-7656.pdf 8-PowerVDFN Без свинца 6 8 АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) EAR99 не_совместимо е3 Матовый олово (Sn) 62,5 Вт ПЛОСКИЙ 260 СТЛ50 НЕ УКАЗАН 2 Р-ПДСО-Ф6 57А КРЕМНИЙ РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 60В 60В МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 0,011 Ом 2 N-канала (двойной) 1035пФ при 30В 11 мОм при 7,5 А, 10 В 4 В @ 250 мкА 57А Тк 17 НК при 10 В Стандартный
SQJ844AEP-T1_GE3 SQJ844AEP-T1_GE3 Вишай Силиконикс
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°С~175°С ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 2016 год /files/vishaysiliconix-sqj844aept1ge3-datasheets-7678.pdf PowerPAK® SO-8 двойной 12 недель EAR99 неизвестный 48 Вт НЕ УКАЗАН НЕ УКАЗАН 8А 30 В 48 Вт 2 N-канала (двойной) 1161пФ при 15 В 16,6 мОм при 7,6 А, 10 В 2,5 В @ 250 мкА 26 НК при 10 В Стандартный
SP8K33FRATB SP8K33FRATB РОМ Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Поверхностный монтаж 150°С Разрезанная лента (CT) 1 (без блокировки) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2015 год 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) 8 20 недель Неизвестный 8 EAR99 не_совместимо ДА 2 Вт КРЫЛО ЧАЙКИ НЕ УКАЗАН НЕ УКАЗАН 2 5А КРЕМНИЙ РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 60В 60В МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 2,5 В 5А 20А 0,056Ом 2 N-канала (двойной) 620пФ при 10 В 48 мОм при 5 А, 10 В 2,5 В при 1 мА 5А Та 12 НК при 5 В Стандартный
CSD86311W1723 CSD86311W1723 Техасские инструменты
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать НексФЕТ™ Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 12-УФБГА, ДСБГА 0 м 625 мкм 0 м Содержит свинец 12 6 недель Нет СВХК 12 АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) да 375 мкм EAR99 8541.29.00.95 е1 Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) 1,5 Вт НИЖНИЙ МЯЧ 260 CSD86311 12 Двойной НЕ УКАЗАН 1,5 Вт 2 Полевой транзистор общего назначения Не квалифицированный 5,4 нс 4,3 нс 2,9 нс 13,2 нс 4,5 А 10 В КРЕМНИЙ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 25 В МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 1В 0,051 Ом 13 пФ 25 В 2 N-канала (двойной) 585пФ при 12,5 В 1 В 39 мОм при 2 А, 8 В 1,4 В при 250 мкА 4нК при 4,5 В Ворота логического уровня
AON6998 АОН6998 Альфа и Омега Semiconductor Inc.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 2013 год 8-PowerWDFN 18 недель 8 да 3,1 Вт НЕ УКАЗАН НЕ УКАЗАН 26А 30 В 2 N-канальных (двойных) асимметричных 820пФ при 15 В 5,2 мОм при 20 А, 10 В 2,2 В @ 250 мкА 19А 26А 13 НК при 10 В Стандартный
SIZ320DT-T1-GE3 СИЗ320ДТ-Т1-GE3 Вишай Силиконикс
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать PowerPAIR®, TrenchFET® Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 2017 год /files/vishaysiliconix-siz320dtt1ge3-datasheets-7454.pdf 8-PowerWDFN 800 мкм 14 недель EAR99 неизвестный НЕ УКАЗАН 2 НЕ УКАЗАН 150°С 16,7 Вт 31 Вт 25 В 2 N-канала (двойной) 660 пФ при 12,5 В 1370 пФ при 12,5 В 8,3 мОм при 8 А, 10 В, 4,24 м Ом при 10 А, 10 В 2,4 В при 250 мкА 30А Ц 40А Ц 8,9 нк при 4,5 В, 11,9 нк при 4,5 В Стандартный
DMNH6022SSDQ-13 DMNH6022SSDQ-13 Диодс Инкорпорейтед
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°С~175°С ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2016 год /files/diodesincorporated-dmnh6022ssdq13-datasheets-7867.pdf 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) 8 18 недель EAR99 ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ е3 Матовый олово (Sn) 1,5 Вт КРЫЛО ЧАЙКИ НЕ УКАЗАН НЕ УКАЗАН 2 Р-ПДСО-G8 22,6А КРЕМНИЙ РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 60В 60В МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 7.1А 45А 0,03 Ом 24 мДж 2 N-канала (двойной) 2127пФ при 25 В 27 мОм при 5 А, 10 В 3 В при 250 мкА 7,1 А 22,6 А 32 НК при 30 В Стандартный
SQJB80EP-T1_GE3 SQJB80EP-T1_GE3 Вишай Силиконикс
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® Поверхностный монтаж -55°С~175°С ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 /files/vishaysiliconix-sqjb80ept1ge3-datasheets-7905.pdf PowerPAK® SO-8 двойной 1,267 мм 4 14 недель неизвестный ДА ОДИНОКИЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 2 48 Вт 2 175°С Р-ПССО-Г4 10 нс 23 нс 30А 20 В КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 84А 0,019 Ом 80В 2 N-канала (двойной) 1400пФ при 25В 19 мОм при 8 А, 10 В 2,5 В @ 250 мкА 30А Ц 32 НК при 10 В Стандартный
SH8K52GZETB Ш8К52ГЗЭТБ РОМ Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж 150°С, ТДж Разрезанная лента (CT) 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) 16 недель НЕ УКАЗАН НЕ УКАЗАН 100В 1,4 Вт Та 2 N-канала (двойной) 610пФ при 25 В 170 мОм при 3 А, 10 В 2,5 В при 1 мА 3А Та 8,5 НК при 5 В Стандартный
QH8M22TCR QH8M22TCR РОМ Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж 150°С, ТДж Разрезанная лента (CT) 1 (без блокировки) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 /files/rohmsemiconductor-qh8m22tcr-datasheets-7909.pdf 8-СМД, плоский вывод 8 16 недель EAR99 не_совместимо ДА ДВОЙНОЙ НЕ УКАЗАН НЕ УКАЗАН 2 Р-ПДСО-Ф8 КРЕМНИЙ РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ 40В 40В МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 1,1 Вт Та 4,5 А 18А 0,059 Ом 1,6 мДж N и P-канал 193пФ 450пФ при 20В 46 мОм при 4,5 А, 10 В, 190 м Ом при 2 А, 10 В 2,5 В @ 10 мкА, 3 В @ 1 мА 4,5 А Та 2 А Та 2,6 нк, 9,5 нк при 10 В Стандартный
EPC2110ENGRT EPC2110ENGRT EPC
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать ЭГАН® Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°С~150°С ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) 150°С -40°С Соответствует ROHS3 2015 год /files/epc-epc2110engrt-datasheets-7777.pdf Править 16 недель Править 80пФ 3,4А 120 В 2 N-канальных (двойных) с общим обвинением 80пФ при 60В 60 мОм при 4 А, 5 В 2,5 В @ 700 мкА 3,4А 0,8 нк при 5 В GaNFET (нитрид галлия) 60 мОм
SQJ914EP-T1_GE3 SQJ914EP-T1_GE3 Вишай Силиконикс
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® Поверхностный монтаж -55°С~175°С ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 2018 год /files/vishaysiliconix-sqj914ept1ge3-datasheets-7918.pdf PowerPAK® SO-8 двойной 12 недель PowerPAK® SO-8 двойной 30 В 27 Вт Тс 9,8 мОм 2 N-канала (двойной) 1110пФ при 15В 12 мОм при 4,5 А, 10 В 2,5 В @ 250 мкА 30А Ц 25 НК при 10 В Стандартный
QS8J1TR QS8J1TR РОМ Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж 150°С, ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2008 год /files/rohmsemiconductor-qs8j1tr-datasheets-7732.pdf 8-СМД, плоский вывод Без свинца 8 52 недели 8 да EAR99 Нет е2 ОЛОВО МЕДЬ 1,25 Вт 260 *J1 8 10 1,5 Вт 2 Другие транзисторы 12 нс 75нс 215 нс 390 нс 4,5 А 10 В КРЕМНИЙ РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 12 В МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 0,029 Ом -12В 2 P-канала (двойной) 2450пФ при 6В 29 мОм при 4,5 А, 4,5 В 1 В при 1 мА 31 НК при 4,5 В Ворота логического уровня
FDZ1323NZ FDZ1323NZ ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать PowerTrench® Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2011 г. /files/onsemiconductor-fdz1323nz-datasheets-7841.pdf 6-XFBGA, WLCSP 2,3 мм 150 мкм 1,3 мм 6 10 недель 50мг 6 АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) да EAR99 Нет е1 Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) 2 Вт НИЖНИЙ МЯЧ Одинокий 2 Вт 2 Полевой транзистор общего назначения 12 нс 13нс 13 нс 34 нс 10А 12 В КРЕМНИЙ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 20 В МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 500мВт 380 пФ 20 В 2 N-канальных (двойных) с общим стоком 2055пФ при 10 В 13 мОм при 1 А, 4,5 В 1,2 В @ 250 мкА 24 НК при 10 В Ворота логического уровня
TSM8588CS RLG TSM8588CS РЛГ Тайванская полупроводниковая корпорация
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 /files/taiwansemiconductorcorporation-tsm8588csrlg-datasheets-7764.pdf 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) 12 недель НЕ УКАЗАН НЕ УКАЗАН 60В 1,4 Вт Ta 5,7 Вт Tc Дополняющие N и P-каналы 527пФ при 30В 436пФ при 30В 103 мОм при 2,5 А, 10 В, 180 м Ом при 2 А, 10 В 2,5 В @ 250 мкА 2,5 А Та 5А Тс 2А Та 4А Тс 9,4 нк при 10 В, 9 нк при 10 В Стандартный
CSD87312Q3E CSD87312Q3E Техасские инструменты
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать НексФЕТ™ Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Разрезанная лента (CT) 1 (без блокировки) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 8-PowerTDFN 3,3 мм 3,3 мм Содержит свинец 7 6 недель 8 АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) да 900 мкм EAR99 ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ, СВЕРХНИЗКОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ Золото не_совместимо е4 2,5 Вт НЕТ ЛИДЕСА 260 CSD87312 Двойной НЕ УКАЗАН 2,5 Вт 2 Полномочия общего назначения FET 7,8 нс 16 нс 2,8 нс 17 нс 27А 10 В КРЕМНИЙ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 30 В МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 45А 16 пФ 30 В 2 N-канальных (двойных) с общим обвинением 1250пФ при 15В 33 мОм при 7 А, 8 В 1,3 В @ 250 мкА 8,2 нк @ 4,5 В Ворота логического уровня
EFC4K110NUZTDG EFC4K110NUZTDG ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Лента и катушка (TR) Непригодный Соответствует ROHS3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-efc4k110nuztdg-datasheets-7767.pdf 10-СМД, без свинца 13 недель да 24В 2,5 Вт 2 N-канальных (двойных) с общим стоком 25А 49 НК при 4,5 В Стандартный
DMN1250UFEL-7 ДМН1250УФЭЛ-7 Диодс Инкорпорейтед
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2015 год /files/diodesincorporated-dmn1250ufel7-datasheets-7575.pdf 12-UFQFN Открытая площадка 12 22 недели да EAR99 е3 Матовый олово (Sn) 660мВт КВАД НЕТ ЛИДЕСА 8 S-PQCC-N12 2А КРЕМНИЙ СЛОЖНЫЙ 12 В 12 В МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 660мВт 2А 0,45 Ом 13 пФ 8 N-каналов, общий затвор, общий источник 190пФ при 6В 450 мОм при 200 мА, 4,5 В 1 В @ 250 мкА 1,9 нк при 4,5 В Стандартный
ECH8668-TL-H ECH8668-TL-H ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж 150°С, ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2009 год /files/onsemiconductor-ech8668tlh-datasheets-6511.pdf 8-СМД, плоский вывод 2,9 мм 900 мкм 2,3 мм Без свинца 8 2 недели 8 АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) да EAR99 Нет е6 Олово/Висмут (Sn/Bi) Без галогенов ДА 1,5 Вт 8 Двойной 1,5 Вт 2 17,5 нс 68 нс 5А 10 В КРЕМНИЙ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ 20 В МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 40А 0,017Ом N и P-канал 1060пФ при 10В 17 мОм при 4 А, 4,5 В 7,5 А 5 А 10,8 нк при 4,5 В Ворота логического уровня
CTLDM304P-M832DS TR CTLDM304P-M832DS ТР Центральная полупроводниковая корпорация
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Разрезанная лента (CT) 1 (без блокировки) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ 2014 год /files/centralsemiconductorcorp-ctldm304pm832dstr-datasheets-7493.pdf 8-ТДФН Открытая площадка 8 6 недель EAR99 совместимый 8541.29.00.95 ДА НЕТ ЛИДЕСА 2 Р-ПДСО-Н8 КРЕМНИЙ РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ Н-КАНАЛЬНЫЙ 30 В 30 В МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 1,65 Вт 4,2А 0,07 Ом 2 P-канала (двойной) 760пФ при 15В 70 мОм при 4,2 А, 10 В 1,3 В @ 250 мкА 4,2А 6,4 нк при 4,5 В Стандартный
Нажмите Enter для поиска или ESC для закрытия.

В наличии

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Список запросов цен (0 позиций)