Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМассивы МОП-транзисторов(4365)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Толщина | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Максимальный переход температуры (Tj) | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Технология полевых транзисторов | Пороговое напряжение | Мощность - Макс. | Код JEDEC-95 | Максимальный сток (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Обратная связь Cap-Max (Crss) | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Номинальный объем | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора | РДС на Максе |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NTMD4840NR2G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/onsemiconductor-ntmd4840nr2g-datasheets-5899.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,5 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | 31 неделя | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | ДА | 800мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | NTMD4840N | 8 | Двойной | 1,95 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 7,6 нс | 5нс | 3 нс | 17 нс | 5,5 А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 680мВт | 4,5 А | 30 В | 2 N-канала (двойной) | 520пФ при 15В | 24 мОм при 6,9 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 4,5 А | 9,5 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EFC8811R-TF | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/onsemiconductor-efc8811rtf-datasheets-6279.pdf | 6-СМД, без свинца | Без свинца | 4 недели | АКТИВНО (последнее обновление: 4 дня назад) | да | 2,5 Вт | 2,3 мОм | 2 N-канальных (двойных) с общим стоком | Ворота логического уровня, привод 2,5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7306TR | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | /files/infineontechnologies-irf7306tr-datasheets-6364.pdf | -30В | -3,6А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Содержит свинец | 8 | EAR99 | СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ | е3 | Матовый олово (Sn) | 2 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | Не квалифицированный | Р-ПДСО-G8 | 3,6А | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 3А | 0,1 Ом | 2 P-канала (двойной) | 440пФ при 25В | 100 мОм при 1,8 А, 10 В | 1 В @ 250 мкА | 25 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI3590DV-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysiliconix-si3590dvt1e3-datasheets-5561.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 3,05 мм | 1,1 мм | 1,65 мм | Без свинца | 6 | 14 недель | 19,986414мг | Неизвестный | 170МОм | 6 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 830мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ3590 | 6 | 2 | 40 | 830мВт | 2 | Другие транзисторы | 150°С | 5 нс | 15нс | 15 нс | 20 нс | 2,5 А | 12 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 30 В | N и P-канал | 600 мВ | 77 мОм при 3 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 2,5 А 1,7 А | 4,5 нк @ 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| СП8К31ФРАТБ | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | 150°С | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2017 год | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 20 недель | Неизвестный | 8 | EAR99 | не_совместимо | ДА | 2 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | 3,5 А | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2,5 В | 14А | 0,15 Ом | 2 N-канала (двойной) | 250пФ при 10В | 120 мОм при 3,5 А, 10 В | 2,5 В при 1 мА | 3,5 А Та | 5,2 НК при 5 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМП3098ЛСД-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/diodesincorporated-dmp3098lsd13-datasheets-6151.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5,3 мм | 1,5 мм | 4,1 мм | 8 | 73,992255мг | Нет СВХК | 8 | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,8 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | 40 | 1,8 Вт | 2 | Другие транзисторы | 6 нс | 5нс | 5 нс | 17,6 нс | 4,4А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,065 Ом | 30 В | 2 P-канала (двойной) | 336пФ при 25В | 65 мОм при 5 А, 10 В | 2,1 В при 250 мкА | 7,8 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PMCM650CUNEZ | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2017 год | /files/nexperiausainc-pmcm650cunez-datasheets-6100.pdf | 6-XFBGA, WLCSP | 13 недель | 556мВт Та | 2 N-канальных (двойных) с общим стоком | 900 мВ при 250 мкА | 13 НК при 4,5 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| QS8J13TR | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2014 год | 8-СМД, плоский вывод | 8 | 20 недель | 15мОм | 8 | EAR99 | не_совместимо | 1,25 Вт | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | 5,5 А | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 12 В | 12 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,25 Вт | 2 P-канала (двойной) | 6300пФ при 6В | 22 мОм при 5,5 А, 4,5 В | 1 В при 1 мА | 60 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMC3025LSDQ-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/diodesincorporated-dmc3025lsdq13-datasheets-6081.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 19 недель | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 30 В | 1,2 Вт Та | N и P-канал | 501пФ 590пФ при 15В 25В | 20 мОм при 7,4 А, 10 В, 45 м Ом при 5,2 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 6,5 А Та 4,2 А Та | 4,6 нк, 5,1 нк при 4,5 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4286DY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysiliconix-si4286dyt1ge3-datasheets-5839.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 8 | 15 недель | 540,001716мг | Нет СВХК | 8 | EAR99 | Нет | 2,9 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | СИ4286 | 8 | Двойной | 1,9 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 9 нс | 11нс | 7 нс | 10 нс | 7А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 40В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2,5 В | 7А | 40В | 2 N-канала (двойной) | 375пФ при 20В | 32,5 мОм при 8 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 10,5 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HS8K11TB | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | 8-УДФН Открытая площадка | 8 | 20 недель | EAR99 | не_совместимо | 2 Вт | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | С-ПДСО-Н8 | 11А | КРЕМНИЙ | СЛОЖНЫЙ | ДРЕНАЖНЫЙ ИСТНИКОЧ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 7А | 28А | 0,0291Ом | 3,6 мДж | 2 N-канала (двойной) | 500пФ при 15В | 17,9 мОм при 7 А, 10 В | 2,5 В при 1 мА | 7А 11А | 11,1 нк при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TSM200N03DPQ33 РГГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Диги-Рил® | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-tsm200n03dpq33rgg-datasheets-5883.pdf | 8-PowerWDFN | 20 недель | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 30 В | 20 Вт | 2 N-канала (двойной) | 345пФ при 25В | 20 мОм при 10 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 20А Ц | 4нК при 4,5 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМН3015ЛСД-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/diodesincorporated-dmn3015lsd13-datasheets-5953.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 23 недели | 8 | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,2 Вт | 260 | 30 | 8,4А | 30 В | 2 N-канала (двойной) | 1415пФ при 15В | 15 мОм при 12 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 8.4А Та | 25,1 нк при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| VEC2315-TL-W | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-vec2315tlw-datasheets-6103.pdf | 8-СМД, плоский вывод | Без свинца | 8 недель | Нет СВХК | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 11 часов назад) | да | не_совместимо | 1 Вт | 2,5 А | 60В | -2,6 В | 1 Вт | 2 P-канала (двойной) | 420пФ при 20В | 137 мОм при 1,5 А, 10 В | 2,6 В @ 1 мА | 11 НК при 10 В | Ворота логического уровня, привод 4 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| QS8M31TR | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/rohmsemiconductor-qs8m31tr-datasheets-6115.pdf | 8-СМД, плоский вывод | 8 | 16 недель | EAR99 | ДА | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-ПДСО-Ф8 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 60В | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,1 Вт Та | 3А | 6А | 0,137Ом | 1,4 мДж | N и P-канал | 270пФ 750пФ при 10В | 112 мОм при 3 А, 10 В, 210 м Ом при 2 А, 10 В | 2,5 В @ 1 мА, 3 В @ 1 мА | 3А Та 2А Та | 4 нк, 7,2 нк при 5 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ZXMC3F31DN8TA | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/diodesincorporated-zxmc3f31dn8ta-datasheets-6109.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 17 недель | Нет СВХК | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,8 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | 40 | 2,1 Вт | 2 | Другие транзисторы | 1,9 нс | 3нс | 21 нс | 30 нс | 4,9А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 5,7А | -30В | N и P-канал | 608пФ при 15 В | 24 мОм при 7 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 6,8 А 4,9 А | 12,9 НК при 10 В | Ворота логического уровня, привод 4,5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМП3056ЛСД-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/diodesincorporated-dmp3056lsd13-datasheets-6056.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5,3 мм | 1,5 мм | 4,1 мм | Без свинца | 8 | 16 недель | 73,992255мг | Нет СВХК | 8 | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 2,5 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ДМП3056ЛСД | 8 | 40 | 2,5 Вт | 2 | Другие транзисторы | 6,4 нс | 5,3 нс | 14,7 нс | 26,5 нс | 6,9А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,045 Ом | 2 P-канала (двойной) | 722пФ при 25 В | 45 мОм при 6 А, 10 В | 2,1 В при 250 мкА | 13,7 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ZDM4306NTA | Диодс Инкорпорейтед | 1,20 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 1997 год | /files/diodesincorporated-zdm4306nta-datasheets-6098.pdf | 60В | 1,3А | СОТ-223-8 | Содержит свинец | 10 | EAR99 | неизвестный | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 3 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 2 | 10 | 3 Вт | 2 | Не квалифицированный | Р-ПДСО-G10 | 350пФ | 8 нс | 25нс | 16 нс | 30 нс | 2А | 20 В | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2А | 450мОм | 30 пФ | 60В | 330 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SQ3985EV-T1_GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | /files/vishaysiliconix-sq3985evt1ge3-datasheets-6138.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 6 | 12 недель | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-ПДСО-Г6 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | 20 В | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 3 Вт | МО-193АА | 3,9 А | 0,145 Ом | 57 пФ | 2 P-канала (двойной) | 350пФ при 10В | 145 мОм при 2,8 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 3,9 А Тс | 4,6 нк при 4,5 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4838 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/alphaomegasemiconductor-ao4838-datasheets-9862.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 18 недель | 8 | 2 Вт | Полевой транзистор общего назначения | 11А | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2 Вт | 2 N-канала (двойной) | 1300пФ при 15В | 9,6 мОм при 11 А, 10 В | 2,6 В при 250 мкА | 22 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4559ADY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysiliconix-si4559adyt1e3-datasheets-2899.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,55 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | 14 недель | 506,605978мг | 58МОм | 8 | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 3,4 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ4559 | 8 | 2 | 30 | 2 Вт | 2 | Другие транзисторы | 30 нс | 70нс | 30 нс | 40 нс | 4,5 А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 3,1 Вт 3,4 Вт | 4,3А | 6,1 мДж | 60В | N и P-канал | 665пФ при 15В | 58 мОм при 4,3 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 5,3 А 3,9 А | 20 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIS932EDN-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/vishaysiliconix-sis932ednt1ge3-datasheets-5907.pdf | PowerPAK® 1212-8 двойной | 1,17 мм | 14 недель | 2 | 2,6 Вт | 150°С | PowerPAK® 1212-8 двойной | 15 нс | 32 нс | 6А | 12 В | 30 В | 2,6 Вт Та 23 Вт Тс | 18мОм | 30 В | 2 N-канала (двойной) | 1000пФ при 15В | 22 мОм при 10 А, 4,5 В | 1,4 В при 250 мкА | 6А Тк | 14 НК при 4,5 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIA923AEDJ-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/vishaysiliconix-sia923aedjt1ge3-datasheets-5929.pdf | PowerPAK® SC-70-6 Двойной | 6 | 14 недель | 28,009329мг | Неизвестный | 6 | EAR99 | 7,8 Вт | НЕТ ЛИДЕСА | SIA923 | 2 | Двойной | 2 | 15 нс | 16 нс | 10 нс | 30 нс | 4,5 А | 8В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | -900мВ | 0,054 Ом | -20В | 2 P-канала (двойной) | 770пФ при 10 В | 54 мОм при 3,8 А, 4,5 В | 900 мВ при 250 мкА | 25 НК при 8 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| УС6К2ТР | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/rohmsemiconductor-us6k2tr-datasheets-5934.pdf | 30 В | 1,4 А | 6-SMD, плоские выводы | Без свинца | 6 | 16 недель | 380МОм | 6 | да | EAR99 | Нет | е2 | Олово/Медь (Sn/Cu) | 1 Вт | 260 | *К2 | 6 | Двойной | 10 | 1 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 6 нс | 6нс | 8 нс | 13 нс | 1,4 А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 30 В | 2 N-канала (двойной) | 70пФ при 10В | 240 мОм при 1,4 А, 10 В | 2,5 В при 1 мА | 2 НК при 5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIA923EDJ-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/vishaysiliconix-sia923edjt1ge3-datasheets-5895.pdf | PowerPAK® SC-70-6 Двойной | Без свинца | 6 | 14 недель | 28,009329мг | Неизвестный | 54мОм | 6 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 7,8 Вт | 260 | SIA923 | 6 | 2 | Двойной | 40 | 1,9 Вт | 2 | Другие транзисторы | 15 нс | 16 нс | 10 нс | 30 нс | 4,5 А | 8В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | -20В | 2 P-канала (двойной) | -500 мВ | 54 мОм при 3,8 А, 4,5 В | 1,4 В при 250 мкА | 25 НК при 8 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CSD88537ND | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НексФЕТ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 1,75 мм | 3,91 мм | Без свинца | 8 | 6 недель | 540,001716мг | Нет СВХК | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 4 дня назад) | да | 1,58 мм | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Золото | Нет | е4 | 2,1 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | CSD88537 | Двойной | 2,1 Вт | 2 | 6 нс | 15нс | 19 нс | 9 нс | 15А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 3В | 8А | 0,019 Ом | 60В | 2 N-канала (двойной) | 1400пФ при 30В | 15 мОм при 8 А, 10 В | 3,6 В при 250 мкА | 18 НК @ 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDG1024NZ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/onsemiconductor-fdg1024nz-datasheets-5758.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 2 мм | 1 мм | 1,25 мм | Без свинца | 6 | 10 недель | 28мг | Нет СВХК | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Олово | е3 | 360мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | Двойной | НЕ УКАЗАН | 360мВт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицированный | 3,7 нс | 1,7 нс | 1,5 нс | 11 нс | 1,2А | 8В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 800мВ | 300мВт | 0,175 Ом | 20 В | 2 N-канала (двойной) | 150пФ при 10В | 800 мВ | 175 мОм при 1,2 А, 4,5 В | 1 В @ 250 мкА | 2,6 нк @ 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMC4050SSD-13 | Диодс Инкорпорейтед | 0,29 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/diodesincorporated-dmc4050ssd13-datasheets-5753.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,95 мм | 1,5 мм | 3,95 мм | Без свинца | 8 | 17 недель | 73,992255мг | Нет СВХК | 8 | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | 2,14 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ДМС4050 | 8 | 2 | 40 | 2,14 Вт | 2 | Другие транзисторы | 8,08 нс | 15,14 нс | 5,27 нс | 24,29 нс | 5,8А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 40В | 40В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,8 Вт | 0,06 Ом | N и P-канал | 1790,8 пФ при 20 В | 45 мОм при 3 А, 10 В | 1,8 В @ 250 мкА | 5,3А | 37,56 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||
| SIA929DJ-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-sia929djt1ge3-datasheets-5811.pdf | PowerPAK® SC-70-6 Двойной | 6 | 14 недель | 28,009329мг | 6 | EAR99 | Нет | 1,9 Вт | 6 | 2 | Двойной | 1,9 Вт | 1 | Другие транзисторы | 5 нс | 10 нс | 10 нс | 22 нс | 4,3А | 12 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 7,8 Вт | 4,5 А | -30В | 2 P-канала (двойной) | 575пФ при 15В | 64 мОм при 3 А, 10 В | 1,1 В @ 250 мкА | 4,5 А Тс | 21 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIA975DJ-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/vishaysiliconix-sia975djt1ge3-datasheets-5566.pdf | PowerPAK® SC-70-6 Двойной | Без свинца | 6 | 14 недель | 28,009329мг | Неизвестный | 41мОм | 6 | EAR99 | Олово | Нет | 7,8 Вт | SIA975 | 6 | Двойной | 1,9 Вт | 2 | Другие транзисторы | 22 нс | 22нс | 15 нс | 32 нс | 4,5 А | 8В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 12 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | -400мВ | -12В | 2 P-канала (двойной) | 1500пФ при 6В | 41 мОм при 4,3 А, 4,5 В | 1 В @ 250 мкА | 26 НК при 8 В | Ворота логического уровня |
