Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМассивы МОП-транзисторов(4365)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Толщина | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Справочный стандарт | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Максимальный переход температуры (Tj) | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Технология полевых транзисторов | Пороговое напряжение | Мощность - Макс. | Максимальный сток (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Обратная связь Cap-Max (Crss) | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Номинальный объем | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| AONY36354 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 8-PowerSMD, плоские выводы | 18 недель | 30 В | 3,1 Вт Ta 21 Вт Tc 3,1 Вт Ta 31,5 Вт Tc | 2 N-канальных (двойных) асимметричных | 820пФ при 15В 1890пФ при 15В | 5,3 мОм при 20 А, 10 В, 2,6 м Ом при 20 А, 10 В | 2,1 В при 250 мкА, 1,9 В при 250 мкА | 18,5 А Та 49 А Тс 27 А Та 85 А Тс | 20 нк при 10 В, 40 нк при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDS9933A | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 1998 год | /files/onsemiconductor-fds9933a-datasheets-7400.pdf | -20В | -3,8А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,5 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | 10 недель | 187 мг | Нет СВХК | 75МОм | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 2 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | Двойной | 2 Вт | 2 | Другие транзисторы | 6 нс | 9нс | 28 нс | 31 нс | 3,8А | 8В | -20В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | -800мВ | 900мВт | -20В | 2 P-канала (двойной) | 600пФ при 10В | -800 мВ | 75 мОм при 3,8 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 10 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| QS8J4TR | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/rohmsemiconductor-qs8j4tr-datasheets-7606.pdf | 8-СМД, плоский вывод | Без свинца | 8 | 20 недель | 8 | да | EAR99 | Нет | е2 | Олово/Медь (Sn/Cu) | 550 мВт | 260 | 8 | 2 | 10 | 2 | Другие транзисторы | 8 нс | 20нс | 50 нс | 80 нс | 4А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 4А | 16А | 0,056Ом | -30В | 2 P-канала (двойной) | 800пФ при 10В | 56 мОм при 4 А, 10 В | 2,5 В при 1 мА | 13 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4611 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2010 год | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 18 недель | 8 | Нет | 2 Вт | 2 Вт | 2 | 20 В | 60В | N и P-канал | 2300пФ при 30 В | 25 мОм при 6,3 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 58 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФДМБ3800Н | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-fdmb3800n-datasheets-7365.pdf | 8-PowerWDFN | 3 мм | 750 мкм | 1,9 мм | Без свинца | 8 | 23 недели | 47мг | Нет СВХК | 40МОм | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е4 | Никель/Палладий/Золото/Серебро (Ni/Pd/Au/Ag) | 1,6 Вт | Двойной | 1,6 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 8 нс | 5нс | 5 нс | 21 нс | 4,8А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,9 В | 750 мВт | 60 пФ | 30 В | 2 N-канала (двойной) | 465пФ при 15В | 1,9 В | 40 мОм при 4,8 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 5,6 нк при 5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CSD87501L | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НексФЕТ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 10-XFLGA | 3,37 мм | 200 мкм | 1,47 мм | Без свинца | 10 | 12 недель | 10 | АКТИВНО (последнее обновление: 4 дня назад) | да | 200 мкм | EAR99 | 2,5 Вт | НИЖНИЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | CSD87501 | 2 | НЕ УКАЗАН | 2 | 164 нс | 260 нс | 712 нс | 709 нс | 14А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 6,6 мОм | 198 пФ | 2 N-канальных (двойных) с общим стоком | 2,3 В @ 250 мкА | 40 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ECH8668-TL-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/onsemiconductor-ech8668tlh-datasheets-6511.pdf | 8-СМД, плоский вывод | 2,9 мм | 900 мкм | 2,3 мм | Без свинца | 8 | 2 недели | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | Без галогенов | ДА | 1,5 Вт | 8 | Двойной | 1,5 Вт | 2 | 17,5 нс | 68 нс | 5А | 10 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 40А | 0,017Ом | N и P-канал | 1060пФ при 10В | 17 мОм при 4 А, 4,5 В | 7,5 А 5 А | 10,8 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CTLDM304P-M832DS ТР | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | 2014 год | /files/centralsemiconductorcorp-ctldm304pm832dstr-datasheets-7493.pdf | 8-ТДФН Открытая площадка | 8 | 6 недель | EAR99 | совместимый | 8541.29.00.95 | ДА | НЕТ ЛИДЕСА | 2 | Р-ПДСО-Н8 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 30 В | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,65 Вт | 4,2А | 0,07 Ом | 2 P-канала (двойной) | 760пФ при 15В | 70 мОм при 4,2 А, 10 В | 1,3 В @ 250 мкА | 4,2А | 6,4 нк при 4,5 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDS9953A | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/onsemiconductor-fds9953a-datasheets-7549.pdf | -30В | -2,9А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,5 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | 10 недель | 230,4 мг | Нет СВХК | 130МОм | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 2 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | Двойной | 2 Вт | 2 | Другие транзисторы | 4,5 нс | 13нс | 2 нс | 11 нс | 2,9 мА | 25 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | -1,8 В | 900мВт | 10А | -30В | 2 P-канала (двойной) | 185пФ при 15В | 1,8 В | 130 мОм при 1 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 2,9 А | 3,5 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIS990DN-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-sis990dnt1ge3-datasheets-7450.pdf | PowerPAK® 1212-8 двойной | 6 | 14 недель | EAR99 | Нет | 25 Вт | С ИЗГИБ | 2 | Двойной | 2 | Полномочия общего назначения FET | С-ПДСО-С6 | 8 нс | 8нс | 6 нс | 8 нс | 12,1А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,085Ом | 100В | 2 N-канала (двойной) | 250пФ при 50В | 85 мОм при 8 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 8 нк @ 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7228DN-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-si7228dnt1ge3-datasheets-7581.pdf | PowerPAK® 1212-8 двойной | 3,05 мм | 1,04 мм | 3,05 мм | Без свинца | 6 | 13 недель | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 23 Вт | С ИЗГИБ | 260 | СИ7228 | 8 | Двойной | 30 | 2,6 Вт | 2 | Полномочия общего назначения FET | S-XDSO-C6 | 5 нс | 10 нс | 10 нс | 15 нс | 8,8А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 35А | 30 В | 2 N-канала (двойной) | 480пФ при 15В | 20 мОм при 8,8 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 26А | 13 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDS6892A | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/onsemiconductor-fds6892a-datasheets-7538.pdf | 20 В | 7,5 А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,5 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | 10 недель | 187 мг | Нет СВХК | 18МОм | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 2 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | Двойной | 2 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 8 нс | 15нс | 9 нс | 26 нс | 7,5 А | 12 В | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 900 мВ | 900мВт | 30А | 20 В | 2 N-канала (двойной) | 1333пФ при 10 В | 900 мВ | 18 мОм при 7,5 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 17 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDMC7200S | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-fdmc7200s-datasheets-7240.pdf | 8-PowerWDFN | 8 | 23 недели | 186 мг | 8 | АКТИВНО (Последнее обновление: 5 дней назад) | да | EAR99 | е4 | Никель/Палладий/Золото/Серебро (Ni/Pd/Au/Ag) | 1 Вт | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 2 | Двойной | НЕ УКАЗАН | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 13А | 20 В | КРЕМНИЙ | ДРЕНАЖНЫЙ ИСТНИКОЧ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 700мВт 1Вт | 7А | 30 пФ | 2 N-канала (двойной) | 660пФ при 15 В | 22 мОм при 6 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 7А 13А | 10 нк @ 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI3590DV-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-si3590dvt1e3-datasheets-5561.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | Без свинца | 6 | 14 недель | 19,986414мг | Нет СВХК | 6 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 830мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ3590 | 6 | 2 | 30 | 830мВт | 2 | Другие транзисторы | 5 нс | 2А | 12 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,5 В | 0,077Ом | 30 В | N и P-канал | 1,5 В | 77 мОм при 3 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 2,5 А 1,7 А | 4,5 нк @ 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СИЗ342ДТ-Т1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysiliconix-siz342dtt1ge3-datasheets-7370.pdf | 8-PowerWDFN | 8 | 14 недель | EAR99 | неизвестный | ДА | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | С-ПДСО-Н8 | КРЕМНИЙ | ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОЕ ПОДКЛЮЧЕНИЕ, ЦЕНТРАЛЬНЫЙ ОТВЕТВИТЕЛЬ, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ДРЕНАЖНЫЙ ИСТНИКОЧ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 3,6 Вт 4,3 Вт | 26,5А | 100А | 0,0115Ом | 5 мДж | 2 N-канала (двойной) | 650пФ при 15В | 11,5 мОм при 14 А, 10 В | 2,4 В при 250 мкА | 15,7 А Та 100 А Тс | 20 НК при 10 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FW4604-TL-2W | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-fw4604tl2w-datasheets-7245.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 4 недели | 540,001716мг | 8 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 5 дней назад) | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | ДА | 1,8 Вт | 8 | 2 | Двойной | Другие транзисторы | 7,5 нс | 42нс | 40 нс | 43 нс | 4,5 А | 20 В | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 6А | -30В | N и P-канал | 490пФ при 10 В | 39 мОм при 6 А, 10 В | 6А 4,5А | 9,1 нк при 10 В | Ворота логического уровня, привод 4,5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SQJ956EP-T1_GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | /files/vishaysiliconix-sqj956ept1ge3-datasheets-7384.pdf | PowerPAK® SO-8 двойной | 12 недель | PowerPAK® SO-8 двойной | 60В | 34 Вт | 2 N-канала (двойной) | 1395пФ при 30 В | 26,7 мОм при 5,2 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 23А Тк | 30 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMC4050SSDQ-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/diodesincorporated-dmc4050ssdq13-datasheets-7407.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 15 недель | 8 | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,8 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | 5,3А | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 40В | 40В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,8 Вт | 4,2А | 0,06 Ом | Дополняющие N и P-каналы | 1790,8 пФ при 20 В | 45 мОм при 3 А, 10 В | 1,8 В @ 250 мкА | 37,56 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| QS8J2TR | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | 8-СМД, плоский вывод | Без свинца | 8 | 20 недель | 8 | да | EAR99 | Нет | 550 мВт | 8 | 2 | Двойной | 2 | Другие транзисторы | 10 нс | 60нс | 180 нс | 300 нс | 4А | 10 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 12 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 4А | 0,036Ом | -12В | 2 P-канала (двойной) | 1940пФ при 6В | 36 мОм при 4 А, 4,5 В | 1 В при 1 мА | 20 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня, привод 1,5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SQ4532AEY-T1_GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | /files/vishaysiliconix-sq4532aeyt1ge3-datasheets-7201.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 1,75 мм | 8 | 12 недель | EAR99 | неизвестный | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 2 | НЕ УКАЗАН | 3,3 Вт | 2 | 175°С | Р-ПДСО-G8 | 20 В | КРЕМНИЙ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 30 В | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 7,3А | 0,031 Ом | 53 пФ | N и P-канал | 535пФ при 15В 528пФ при 15В | 31 мОм при 4,9 А, 10 В, 70 м Ом при 3,5 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 7,3 А Тс 5,3 А Тс | 7,8 нк при 10 В, 10,2 нк при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMG6898LSDQ-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/diodesincorporated-dmg6898lsdq13-datasheets-7254.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 16 недель | 8 | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | е3 | Матовый олово (Sn) | АЭК-Q101 | 1,28 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 40 | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 9,5А | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,28 Вт | 30А | 0,016Ом | 2 N-канала (двойной) | 1149пФ при 10 В | 16 мОм при 9,4 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 26 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ZXMN3AMCTA | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/diodesincorporated-zxmn3amcta-datasheets-7278.pdf | 8-ВДФН Открытая площадка | Без свинца | 8 | 36 недель | Нет СВХК | 8 | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 1,7 Вт | 260 | 8 | Двойной | 40 | 2,45 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 1,7 нс | 2,3 нс | 2,9 нс | 6,6 нс | 3,7А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 13А | 30 В | 2 N-канала (двойной) | 190пФ при 25В | 120 мОм при 2,5 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 3,7А Та | 2,3 нк @ 4,5 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| QS8K21TR | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | 8-СМД, плоский вывод | Без свинца | 8 | 20 недель | 8 | да | EAR99 | Нет | е2 | Олово/Медь (Sn/Cu) | 550 мВт | 260 | 8 | 1 | 10 | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 9 нс | 25нс | 7 нс | 30 нс | 4А | 20 В | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 45В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 4А | 0,075 Ом | 45В | 2 N-канала (двойной) | 460пФ при 10 В | 53 мОм при 4 А, 10 В | 2,5 В при 1 мА | 5,4 нк при 5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FC8J33040L | Электронные компоненты Panasonic | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/panasonicelectroniccomComponents-fc8j33040l-datasheets-7214.pdf | 8-СМД, плоский вывод | 2,9 мм | 830 мкм | 2,4 мм | 8 | 10 недель | 8 | EAR99 | неизвестный | 1 Вт | НЕ УКАЗАН | FC8J3304 | Двойной | НЕ УКАЗАН | 2 | 7 нс | 15 нс | 5А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 33В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 5А | 24В | 2 N-канала (двойной) | 220пФ при 10В | 38 мОм при 2,5 А, 10 В | 2,5 В @ 260 мкА | 2,8 нк @ 4,5 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SQJB70EP-T1_GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/vishaysiliconix-sqjb70ept1ge3-datasheets-7304.pdf | PowerPAK® SO-8 двойной | 1,267 мм | 12 недель | 2 | 27 Вт | 175°С | PowerPAK® SO-8 двойной | 9 нс | 13 нс | 11,3А | 20 В | 100В | 27 Вт Тс | 78мОм | 100В | 2 N-канала (двойной) | 220пФ при 25В | 95 мОм при 4 А, 10 В | 3,5 В @ 250 мкА | 11,3 А Тс | 7 нк @ 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Ш8К5ТБ1 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/rohmsemiconductor-sh8k5tb1-datasheets-6862.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 20 недель | 8 | 2 Вт | *К5 | 2 Вт | 3,5 А | 30 В | 30 В | 2 N-канала (двойной) | 140пФ при 10В | 83 мОм при 3,5 А, 10 В | 2,5 В при 1 мА | 3,5 НК при 5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CSD87503Q3E | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НексФЕТ™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 8-PowerVDFN | 3,3 мм | 3,3 мм | 6 | 6 недель | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 4 дня назад) | да | 1 мм | EAR99 | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | ДА | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | CSD87503 | НЕ УКАЗАН | 2 | КРЕМНИЙ | ОБЩИЙ ИСТОЧНИК, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 15,6 Вт | 10А | 194 пФ | 2 N-канальных (двойных) с общим обвинением | 1020пФ при 15В | 13,5 мОм при 6 А, 10 В | 2,1 В при 250 мкА | 10А Та | 17,4 НК при 4,5 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FW297-TL-2W | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/onsemiconductor-fw297tl2w-datasheets-7343.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 2 недели | АКТИВНО (Последнее обновление: 5 дней назад) | да | 1,8 Вт | 4,5 А | 60В | 1,8 Вт | 2 N-канала (двойной) | 750пФ при 20В | 58 мОм при 4,5 А, 10 В | 2,6 В @ 1 мА | 14 НК @ 10 В | Ворота логического уровня, привод 4 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMC2041UFDB-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/diodesincorporated-dmc2041ufdb7-datasheets-6673.pdf | 6-УДФН Открытая площадка | 6 | 16 недель | EAR99 | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 1,4 Вт | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | С-ПДСО-Н6 | 3,2А | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 20 В | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 4,7А | 0,04 Ом | N и P-канал | 713пФ при 10 В | 40 мОм при 4,2 А, 4,5 В | 1,4 В при 250 мкА | 4,7 А 3,2 А | 15 НК при 8 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| QH8JA1TCR | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 8-СМД, плоский вывод | 8 | 20 недель | EAR99 | не_совместимо | ДА | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-ПДСО-Ф8 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,5 Вт | 5А | 18А | 0,048Ом | 8,9 мДж | 2 P-канала (двойной) | 720пФ при 10 В | 38 мОм при 5 А, 4,5 В | 1,2 В при 1 мА | 5А | 10,2 нк при 4,5 В |
