Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМассивы МОП-транзисторов(4365)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Технология полевых транзисторов | Пороговое напряжение | Мощность - Макс. | Время восстановления | Максимальный сток (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Номинальный объем | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора | РДС на Максе |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ECH8659-TL-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/onsemiconductor-ech8659tlw-datasheets-0049.pdf | 8-СМД, плоский вывод | Без свинца | 24мОм | 8 | да | EAR99 | Нет | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | Без галогенов | 1,5 Вт | 8 | Двойной | 1,3 Вт | 10 нс | 25нс | 25 нс | 43 нс | 7А | 20 В | 30 В | 30 В | 2 N-канала (двойной) | 710пФ при 10 В | 24 мОм при 3,5 А, 10 В | 11,8 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7905DN-T1-E3 | Вишай Силиконикс | $6,19 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -50°С | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/vishaysiliconix-si7905dnt1ge3-datasheets-5421.pdf | PowerPAK® 1212-8 двойной | 3,05 мм | 1,04 мм | 3,05 мм | Без свинца | 15 недель | 60мОм | 8 | Нет | 20,8 Вт | СИ7905 | 2 | Двойной | PowerPAK® 1212-8 двойной | 880пФ | 6 нс | 13нс | 10 нс | 26 нс | 5А | 20 В | 40В | 20,8 Вт | 60мОм | -40В | 2 P-канала (двойной) | 880пФ при 20 В | 60 мОм при 5 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 6А | 30 НК при 10 В | Стандартный | 60 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7909DN-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-si7909dnt1e3-datasheets-2419.pdf | PowerPAK® 1212-8 двойной | PowerPAK® 1212-8 двойной | 12 В | 1,3 Вт | 2 P-канала (двойной) | 37 мОм при 7,7 А, 4,5 В | 1 В @ 700 мкА | 5,3А | 24 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ECH8602M-TL-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/onsemiconductor-ech8602mtlh-datasheets-2423.pdf | 8-СМД, плоский вывод | Без свинца | 8 | да | EAR99 | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | Без галогенов | ДА | 1,5 Вт | 8 | Двойной | Полномочия общего назначения FET | 6А | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 6А | 30 В | 2 N-канала (двойной) | 30 мОм при 3 А, 4,5 В | 7,5 нк @ 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7925DN-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-si7925dnt1e3-datasheets-2425.pdf | PowerPAK® 1212-8 двойной | 1,3 Вт | Двойной | 1,3 Вт | PowerPAK® 1212-8 двойной | 50 нс | 50 нс | 70 нс | 4,8А | 8В | 12 В | 1,3 Вт | 42мОм | 12 В | 2 P-канала (двойной) | 42 мОм при 6,5 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 4,8А | 12 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | 42 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI6983DQ-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-si6983dqt1e3-datasheets-4706.pdf | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 3 мм | 1 мм | 4,4 мм | 157,991892мг | 24мОм | 8 | 830мВт | СИ6983 | 2 | Двойной | 8-ЦСОП | 40 нс | 55нс | 52 нс | 135 нс | -5,4А | 8В | 20 В | 830мВт | 24мОм | 2 P-канала (двойной) | 24 мОм при 5,4 А, 4,5 В | 1 В при 400 мкА | 4,6А | 30 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | 24 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI6966EDQ-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-si6966edqt1e3-datasheets-2342.pdf | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 3 мм | 1 мм | 4,4 мм | 157,991892мг | 8 | 1,25 Вт | СИ6966 | 2 | Двойной | 1,25 Вт | 2 | 8-ЦСОП | 100 нс | 130 нс | 220 нс | 420 нс | 5,2А | 12 В | 20 В | 1,25 Вт | 30мОм | 20 В | 2 N-канала (двойной) | 30 мОм при 5,2 А, 4,5 В | 600 мВ при 250 мкА (мин) | 25 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | 30 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI6967DQ-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-si6967dqt1e3-datasheets-2348.pdf | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 3 мм | 1 мм | 4,4 мм | 8 | 157,991892мг | 8 | EAR99 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 1,1 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | 2 | Двойной | 40 | 1,1 Вт | 2 | Не квалифицирован | 20 нс | 30 нс | 30 нс | 85 нс | 5А | 8В | КРЕМНИЙ | 8В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 5А | 30А | 0,03 Ом | 2 P-канала (двойной) | 30 мОм при 5 А, 4,5 В | 450 мВ при 250 мкА (мин) | 40 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7901EDN-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-si7901ednt1e3-datasheets-2349.pdf | PowerPAK® 1212-8 двойной | 3,05 мм | 1,04 мм | 3,05 мм | 8 | 1,3 Вт | 2 | Двойной | PowerPAK® 1212-8 двойной | 2,5 мкс | 4 мкс | 4 мкс | 15 мкс | 4,3А | 12 В | 20 В | 1,3 Вт | 48мОм | -20В | 2 P-канала (двойной) | 48 мОм при 6,3 А, 4,5 В | 1 В @ 800 мкА | 4,3А | 18 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | 48 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7214DN-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/vishaysiliconix-si7214dnt1e3-datasheets-4713.pdf | PowerPAK® 1212-8 двойной | 3,05 мм | 1,04 мм | 3,05 мм | 6 | Неизвестный | 8 | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 1,3 Вт | С ИЗГИБ | 260 | СИ7214 | 8 | Двойной | 30 | 1,3 Вт | 2 | Полномочия общего назначения FET | Р-XDSO-C6 | 7 нс | 10 нс | 6 нс | 19 нс | 5,9А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 3В | 4,6А | 0,04 Ом | 30 В | 2 N-канала (двойной) | 40 мОм при 6,4 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 4,6А | 6,5 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||
| SI6969BDQ-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/vishaysiliconix-si6969bdqt1e3-datasheets-4682.pdf | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 3 мм | 1 мм | 4,4 мм | 157,991892мг | 30мОм | 8 | 830мВт | СИ6969 | 2 | Двойной | 8-ЦСОП | 20 нс | 35 нс | 35 нс | 110 нс | -4,6А | 8В | 12 В | 830мВт | 30мОм | -12В | 2 P-канала (двойной) | 30 мОм при 4,6 А, 4,5 В | 800 мВ при 250 мкА | 4А | 25 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | 30 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI6993DQ-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/vishaysiliconix-si6993dqt1e3-datasheets-4694.pdf | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 8 | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 830мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | СИ6993 | 8 | Двойной | 830мВт | 2 | Другие транзисторы | 13 нс | 14нс | 14 нс | 52 нс | -4,7А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 3,6А | 0,031 Ом | 2 P-канала (двойной) | 31 мОм при 4,7 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 3,6А | 20 нк @ 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7236DP-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-si7236dpt1ge3-datasheets-1565.pdf | PowerPAK® SO-8 двойной | 6 | 506,605978мг | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 46 Вт | С ИЗГИБ | 260 | СИ7236 | 8 | 2 | Двойной | 30 | 2 | Полевой транзистор общего назначения | Р-XDSO-C6 | 10 нс | 15 нс | 10 нс | 60 нс | 20,7А | 12 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 60А | 80А | 20 В | 2 N-канала (двойной) | 4000пФ при 10В | 5,2 мОм при 20,7 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 60А | 105 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||
| SI6967DQ-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-si6967dqt1e3-datasheets-2348.pdf | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 3 мм | 1 мм | 4,4 мм | 157,991892мг | 30мОм | 8 | 1,1 Вт | 2 | Двойной | 8-ЦСОП | 20 нс | 30 нс | 50 нс | 85 нс | 5А | 8В | 8В | 1,1 Вт | 30мОм | 2 P-канала (двойной) | 30 мОм при 5 А, 4,5 В | 450 мВ при 250 мкА (мин) | 40 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | 30 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI6973DQ-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysiliconix-si6973dqt1ge3-datasheets-2343.pdf | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 8 | Нет | 830мВт | Двойной | 830мВт | 2 | 8-ЦСОП | 27 нс | 27нс | 27 нс | 93 нс | -4,1А | 8В | 20 В | 830мВт | 30мОм | 20 В | 2 P-канала (двойной) | 30 мОм при 4,8 А, 4,5 В | 450 мВ при 250 мкА (мин) | 4,1А | 30 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | 30 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7901EDN-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-si7901ednt1e3-datasheets-2349.pdf | PowerPAK® 1212-8 двойной | 3,05 мм | 1,04 мм | 3,05 мм | 48мОм | е3 | Чистая матовая банка | 1,3 Вт | 260 | 2 | Двойной | 30 | Другие транзисторы | 2,5 мкс | 4 мкс | 12 мкс | 15 мкс | 4,3А | 12 В | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | -20В | 2 P-канала (двойной) | 48 мОм при 6,3 А, 4,5 В | 1 В @ 800 мкА | 18 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7872DP-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МАЛЕНЬКАЯ НОГА® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-si7872dpt1e3-datasheets-4752.pdf | PowerPAK® SO-8 двойной | 6 | 15 недель | 506,605978мг | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,4 Вт | С ИЗГИБ | 260 | СИ7872 | 8 | Двойной | 40 | 1,4 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | Р-XDSO-C6 | 9 нс | 10 нс | 9 нс | 10А | 12 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 6,4А | 30А | 2 Н-канала (полумост) | 22 мОм при 7,5 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 6,4А | 11 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7218DN-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/vishaysiliconix-si7218dnt1e3-datasheets-0762.pdf | PowerPAK® 1212-8 двойной | 3,05 мм | 1,04 мм | 3,05 мм | 6 | 15 недель | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 23 Вт | С ИЗГИБ | 260 | СИ7218 | 8 | Двойной | 40 | 2,6 Вт | 2 | Полномочия общего назначения FET | S-XDSO-C6 | 15 нс | 12нс | 10 нс | 10 нс | 8А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 8А | 35А | 5 мДж | 30 В | 2 N-канала (двойной) | 700пФ при 15В | 25 мОм при 8 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 24А | 17 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||
| SI4834CDY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-si4834cdyt1e3-datasheets-2250.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 15 недель | 506,605978мг | 8 | EAR99 | Нет | е3 | Чистая матовая банка | 2,9 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ4834 | 8 | 2 | Двойной | 30 | 2 | 17 нс | 12нс | 10 нс | 7,5 А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2 N-канала (двойной) | 950пФ при 15 В | 20 мОм при 8 А, 10 В | 3 В @ 1 мА | 8А | 25 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4567DY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-si4567dyt1e3-datasheets-4470.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Чистая матовая банка | 2,95 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ4567 | 8 | Двойной | 30 | 2 | Другие транзисторы | 4,4А | 16 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2,75 Вт 2,95 Вт | 4,1А | 0,06 Ом | 40В | N и P-канал | 355пФ при 20 В | 60 мОм при 4,1 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 5А 4,4А | 12 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFHS9351TR2PBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/infineontechnologies-irfhs9351trpbf-datasheets-6693.pdf | 6-PowerVDFN | 2,1 мм | 950 мкм | 2,1 мм | Нет СВХК | 6 | Нет | 1,4 Вт | IRFHS9351PBF | Двойной | 1,4 Вт | 6-PQFN двойной (2х2) | 160пФ | 8,3 нс | 30 нс | 7,9 нс | 6,3 нс | -2,3А | 20 В | 30 В | -1,8 В | 1,4 Вт | 30 нс | 170мОм | -30В | 2 P-канала (двойной) | 160пФ при 25В | -1,8 В | 170 мОм при 3,1 А, 10 В | 2,4 В при 10 мкА | 2,3А | 3,7 НК при 10 В | Ворота логического уровня | 53 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI6969DQ-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/vishaysiliconix-si6969dqt1e3-datasheets-2341.pdf | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 3 мм | 1 мм | 4,4 мм | 157,991892мг | 8 | 1,1 Вт | СИ6969 | 2 | Двойной | 8-ЦСОП | 25 нс | 35 нс | 40 нс | 80 нс | 4,6А | 8В | 12 В | 1,1 Вт | 34мОм | -12В | 2 P-канала (двойной) | 34 мОм при 4,6 А, 4,5 В | 450 мВ при 250 мкА (мин) | 40 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | 34 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI6943BDQ-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/vishaysiliconix-si6943bdqt1e3-datasheets-4688.pdf | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 8 | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 800мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ6943 | 8 | Двойной | 40 | 800мВт | 2 | Другие транзисторы | 15 нс | 35 нс | 30 нс | 35 нс | -2,5 А | 8В | КРЕМНИЙ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 12 В | 2 P-канала (двойной) | 80 мОм при 2,5 А, 4,5 В | 800 мВ при 250 мкА | 2,3А | 10 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI6955ADQ-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-si6955adqt1ge3-datasheets-2330.pdf | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 157,991892мг | 8 | 830мВт | 2 | Двойной | 830мВт | 2 | 8-ЦСОП | 8 нс | 9нс | 9 нс | 21 нс | 2,5 А | 20 В | 30 В | 830мВт | 80мОм | -30В | 2 P-канала (двойной) | 80 мОм при 2,9 А, 10 В | 1 В @ 250 мкА (мин) | 2,5 А | 8 НК при 5 В | Ворота логического уровня | 80 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI6966DQ-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-si6966dqt1ge3-datasheets-2331.pdf | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 3 мм | 1 мм | 4,4 мм | 157,991892мг | 8 | 830мВт | СИ6966 | 2 | Двойной | 830мВт | 2 | 8-ЦСОП | 11 нс | 9нс | 11 нс | 36 нс | 4,5 А | 12 В | 20 В | 830мВт | 30мОм | 2 N-канала (двойной) | 30 мОм при 4,5 А, 4,5 В | 1,4 В при 250 мкА | 4А | 20 нк @ 4,5 В | Ворота логического уровня | 30 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI5915DC-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si5915dct1e3-datasheets-2322.pdf | 8-СМД, плоский вывод | 1,1 Вт | СИ5915 | 1206-8 ЧипFET™ | 3,4А | 8В | 1,1 Вт | 2 P-канала (двойной) | 70 мОм при 3,4 А, 4,5 В | 450 мВ при 250 мкА (мин) | 3,4А | 9 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | 70 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI6933DQ-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/vishaysiliconix-si6933dqt1e3-datasheets-2333.pdf | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 3 мм | 1 мм | 4,4 мм | Без свинца | 8 | 157,991892мг | 45мОм | 8 | EAR99 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 1 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | Двойной | 40 | 1 Вт | 2 | Не квалифицирован | 13 нс | 10 нс | 10 нс | 33 нс | -2,3А | 20 В | КРЕМНИЙ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 3,5 А | -30В | 2 P-канала (двойной) | 45 мОм при 3,5 А, 10 В | 1 В @ 250 мкА (мин) | 30 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI6933DQ-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-si6933dqt1e3-datasheets-2333.pdf | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 3 мм | 1 мм | 4,4 мм | 157,991892мг | 8 | 1 Вт | 2 | Двойной | 1 Вт | 2 | 8-ЦСОП | 13 нс | 10 нс | 10 нс | 33 нс | 3,5 А | 20 В | 30 В | 1 Вт | 45мОм | 2 P-канала (двойной) | 45 мОм при 3,5 А, 10 В | 1 В @ 250 мкА (мин) | 30 НК при 10 В | Ворота логического уровня | 45 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI5947DU-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si5947dut1e3-datasheets-4650.pdf | PowerPAK® ChipFET™ двойной | Без свинца | 6 | 58МОм | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 10,4 Вт | С ИЗГИБ | 260 | СИ5947 | 8 | Двойной | 40 | 2,3 Вт | 2 | Другие транзисторы | Р-XDSO-C6 | 15 нс | 10 нс | 25 нс | -6А | 12 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 5А | -20В | 2 P-канала (двойной) | 480пФ при 10В | 58 мОм при 3,6 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 6А | 17 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||
| SI5933CDC-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysiliconix-si5933cdct1ge3-datasheets-1970.pdf | 8-СМД, плоский вывод | 3,05 мм | 1,1 мм | 1,65 мм | 8 | 15 недель | 84,99187мг | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Чистая матовая банка | 2,8 Вт | С ИЗГИБ | 260 | СИ5933 | 8 | 2 | Двойной | 30 | 2 | Другие транзисторы | 1 нс | 34 нс | 34 нс | 22 нс | -3,7А | 8В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 10А | 0,144 Ом | 2 P-канала (двойной) | 276пФ при 10 В | 144 мОм при 2,5 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 3,7А | 6,8 НК при 5 В | Стандартный |
