Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМассивы МОП-транзисторов(4365)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Справочный стандарт | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Технология полевых транзисторов | Пороговое напряжение | Мощность - Макс. | Код JEDEC-95 | Время восстановления | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Обратная связь Cap-Max (Crss) | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Номинальный объем | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора | РДС на Максе |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FW906-TL-E | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/onsemiconductor-fw906tle-datasheets-2562.pdf | 8-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) | 2,5 Вт | 6А | 30В | N и P-канал | 690пФ при 10 В | 24 мОм при 8 А, 10 В | 8А 6А | 12 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFHM792TR2PBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/infineontechnologies-irfhm792trpbf-datasheets-1984.pdf | 8-PowerVDFN | Нет СВХК | 8 | 2,3 Вт | IRFHM792PBF | Двойной | 2,3 Вт | 8-PQFN (3,3х3,3), Мощность33 | 251пФ | 4,7 нс | 2,6 нс | 5,2 нс | 2,3А | 20 В | 100В | 3В | 2,3 Вт | 23 нс | 195мОм | 100В | 2 N-канала (двойной) | 251пФ при 25В | 3 В | 195 мОм при 2,9 А, 10 В | 4 В @ 10 мкА | 2,3А | 6,3 НК при 10 В | Стандартный | 195 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTC60HM83FT2G | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2012 год | Модуль | 22 недели | 22 | EAR99 | Нет | 250 Вт | 250 Вт | 4 | Полевой транзистор общего назначения | 21 нс | 30 нс | 52 нс | 240 нс | 36А | 20 В | 600В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 20А | 2 Н-канала (полумост) | 7290пФ при 25 В | 83 мОм при 18 А, 10 В | 5 В при 3 мА | 255 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FW282-TL-E | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/onsemiconductor-fw282tle-datasheets-2574.pdf | 8-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) | 2,2 Вт | 6А | 35В | 2,2 Вт | 2 N-канала (двойной) | 470пФ при 20В | 37 мОм при 6 А, 10 В | 10 нк @ 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FW811-TL-E | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fw811tle-datasheets-2575.pdf | 8-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) | Без свинца | да | 2,2 Вт | 8А | 35В | 2,2 Вт | 2 N-канала (двойной) | 660пФ при 20 В | 24 мОм при 8 А, 10 В | 2,6 В @ 1 мА | 13 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6934 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/alphaomegasemiconductorinc-aon6934-datasheets-2505.pdf | 8-PowerVDFN | 16 недель | 8 | 4,3 Вт | 30А | 30В | 3,6 Вт 4,3 Вт | 2 Н-канала (полумост) | 1037пФ при 15В | 5,2 мОм при 20 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 22А 30А | 22 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4924 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СРФЕТ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2011 г. | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | неизвестный | 2 Вт | 30В | 2 N-канала (двойной) | 1885пФ при 15В | 15,8 мОм при 9 А, 10 В | 2,4 В при 250 мкА | 31 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6932 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | 8-PowerVDFN | 16 недель | 8 | 4,3 Вт | 36А | 30В | 3,6 Вт 4,3 Вт | 2 Н-канала (полумост) | 1037пФ при 15В | 5 м Ом при 20 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 22А 36А | 22 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCH6604-TL-E | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mch6604tle-datasheets-2581.pdf | 6-SMD, плоские выводы | Без свинца | 6 | ПОЖИЗНЕННЫЙ (Последнее обновление: 11 часов назад) | да | EAR99 | Нет | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | ДА | 800мВт | 6 | Двойной | 800мВт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 18 нс | 42нс | 105 нс | 190 нс | 250 мА | 10 В | 50В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 50В | 2 N-канала (двойной) | 6,6 пФ при 10 В | 7,8 Ом при 50 мА, 4 В | 1,57 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FW812-TL-E | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/onsemiconductor-fw812tle-datasheets-2522.pdf | 8-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) | 2,5 Вт | 10А | 35В | 2,5 Вт | 2 N-канала (двойной) | 960пФ при 20 В | 17 мОм при 10 А, 10 В | 2,6 В @ 1 мА | 19 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| VEC2415-TL-E | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2013 год | /files/onsemiconductor-vec2415tlw-datasheets-6085.pdf | 8-СМД, плоский вывод | 2,9 мм | 750 мкм | 2,3 мм | Без свинца | 8 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | 1 Вт | 8 | Двойной | 7,3 нс | 41 нс | 3А | 20 В | 60В | 2 N-канала (двойной) | 505пФ при 20В | 80 мОм при 1,5 А, 10 В | 2,6 В @ 1 мА | 10 нк @ 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6924 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | 8-WDFN Открытая площадка | 16 недель | 8 | 2,2 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 28А | 30В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2 Вт 2,2 Вт | 2 Н-канала (полумост) | 1560пФ при 15В | 5,2 мОм при 20 А, 10 В | 2,3 В @ 250 мкА | 15А 28А | 21 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTC60AM242G | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2012 год | Модуль | 22 недели | 18 | EAR99 | 462 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 21 нс | 30 нс | 45 нс | 100 нс | 95А | 20 В | 600В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2 Н-канала (полумост) | 14400пФ при 25В | 24 мОм при 47,5 А, 10 В | 3,9 В @ 5 мА | 300 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7964DP-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | 1,47 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si7964dpt1e3-datasheets-4803.pdf | PowerPAK® SO-8 двойной | 6 | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Чистая матовая банка | 1,4 Вт | С ИЗГИБ | 260 | СИ7964 | 8 | Двойной | 30 | 1,4 Вт | 2 | Полномочия общего назначения FET | Р-XDSO-C6 | 20 нс | 15нс | 15 нс | 50 нс | 6,1А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 40А | 0,023Ом | 31 мДж | 60В | 2 N-канала (двойной) | 23 мОм при 9,6 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 65 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СИЗ910ДТ-Т1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/vishaysiliconix-siz910dtt1ge3-datasheets-2518.pdf | 8-PowerWDFN | 6 мм | 750 мкм | 5 мм | 6 | 8 | EAR99 | Нет | 100 Вт | СИЗ910 | 8 | 2 | Двойной | 2 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПДСО-Н6 | 35 нс | 12 нс | 40А | 20 В | КРЕМНИЙ | ДРЕНАЖНЫЙ ИСТНИКОЧ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 48 Вт 100 Вт | 100А | 0,0075Ом | 31 мДж | 30В | 2 Н-канала (полумост) | 1500пФ при 15В | 5,8 мОм при 20 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 40 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СИЗ700ДТ-Т1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/vishaysiliconix-siz700dtt1ge3-datasheets-2485.pdf | 6-PowerPair™ | 6 мм | 750 мкм | 3,73 мм | 6 | Неизвестный | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 2,8 Вт | С ИЗГИБ | 260 | 6 | 2 | Двойной | 40 | 2,8 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | Р-XDSO-C6 | 12 нс | 8нс | 10 нс | 47 нс | 16А | 16 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2,2 В | 2,36 Вт 2,8 Вт | 13,1А | 60А | 20 В | 2 Н-канала (полумост) | 1300пФ при 10 В | 8,6 мОм при 15 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 35 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SMMB911DK-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-smmb911dkt1ge3-datasheets-2487.pdf | PowerPAK® SC-75-6L двойной | 6 | Нет СВХК | 6 | да | EAR99 | Нет | 3,1 Вт | С ИЗГИБ | 260 | 6 | 40 | 3,1 Вт | 2 | Другие транзисторы | 12 нс | 45нс | 31 нс | 10 нс | 2,6А | 8В | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | -1В | 1,5 А | 0,295 Ом | 2 P-канала (двойной) | 115пФ при 10В | 295 мОм при 1,5 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 4нК@8В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EMH2408-TL-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/onsemiconductor-emh2408tlh-datasheets-2488.pdf | 8-СМД, плоский вывод | 2 мм | 750 мкм | 1,7 мм | Без свинца | 2 недели | 8 | ПОЖИЗНЕННО (Последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | Без галогенов | 1,2 Вт | 8 | Двойной | 9,2 нс | 60нс | 38 нс | 30 нс | 4А | 12 В | 20 В | 2 N-канала (двойной) | 345пФ при 10В | 45 мОм при 4 А, 4,5 В | 4,7 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTJC120AM13VCT1AG | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | Модуль | 24 недели | EAR99 | неизвестный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4967DY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si4967dyt1e3-datasheets-2305.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | да | Нет | е3 | Чистая матовая банка | 2 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | Двойной | 30 | 2 | Другие транзисторы | Р-ПДСО-G8 | 25 нс | 95 нс | 210 нс | 7,5 А | 8В | КРЕМНИЙ | 12 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | МС-012АА | 30А | 0,023Ом | -12В | 2 P-канала (двойной) | 23 мОм при 7,5 А, 4,5 В | 450 мВ при 250 мкА (мин) | 55 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EMH2409-TL-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/onsemiconductor-emh2409tlh-datasheets-2492.pdf | 8-СМД, плоский вывод | Без свинца | 8 | да | EAR99 | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | Без галогенов | 1,2 Вт | 8 | Двойной | 1,2 Вт | 4А | 20 В | 30В | 30В | 2 N-канала (двойной) | 240пФ при 10В | 59 мОм при 2 А, 10 В | 4,4 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FW813-TL-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/onsemiconductor-fw813tlh-datasheets-2494.pdf | 8-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) | Без свинца | 8 | да | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | 2,3 Вт | 2,5 Вт | 2 | 5А | 20 В | 60В | 2 N-канала (двойной) | 725 пФ при 20 В | 49 мОм при 5 А, 10 В | 15 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FW707-TL-E | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fw707tle-datasheets-2495.pdf | 8-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | 2,5 Вт | Другие транзисторы | 8А | 30В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2,5 Вт | 8А | 2 P-канала (двойной) | 900пФ при 10 В | 26 мОм при 8 А, 10 В | 18 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4965DY-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-si4965dyt1ge3-datasheets-2286.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,55 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | 186,993455мг | 21мОм | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 2 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | 2 | Двойной | 40 | 2 Вт | 2 | Другие транзисторы | 35 нс | 45нс | 90 нс | 170 нс | 8А | 8В | КРЕМНИЙ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 8А | 30А | -8В | 2 P-канала (двойной) | 21 мОм при 8 А, 4,5 В | 450 мВ при 250 мкА (мин) | 55 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BSL308CL6327HTSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Оптимос™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/infineontechnologies-bsl308cl6327htsa1-datasheets-2501.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 6 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | АЭК-Q101 | 500мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 2 | Р-ПДСО-Г6 | 2А | 20 В | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 30В | 30В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2,3А | 0,057Ом | 17 пФ | N и P-канал | 275пФ при 15В | 80 мОм при 2 А, 10 В | 2 В при 11 мкА | 2,3 А 2 А | 500 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7925DN-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-si7925dnt1e3-datasheets-2425.pdf | PowerPAK® 1212-8 двойной | 3,05 мм | 1,04 мм | 3,05 мм | 42мОм | 1,3 Вт | 2 | Двойной | PowerPAK® 1212-8 двойной | 20 нс | 50 нс | 50 нс | 70 нс | 4,8А | 8В | 12 В | 1,3 Вт | 42мОм | 2 P-канала (двойной) | 42 мОм при 6,5 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 4,8А | 12 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | 42 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TPCL4203(TE85L,Ф) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/toshibasemiconductorandstorage-ssm6n7002bfelm-datasheets-0834.pdf | 4-XFLGA | 4 | Нет | 500мВт | 85нс | 210 нс | 12 В | 2 Н-канала (полумост) | 685пФ при 10 В | 1,2 В @ 200 мкА | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7909DN-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-si7909dnt1e3-datasheets-2419.pdf | PowerPAK® 1212-8 двойной | 3,05 мм | 1,04 мм | 3,05 мм | 37мОм | 1,3 Вт | 2 | Двойной | PowerPAK® 1212-8 двойной | 25 нс | 45нс | 85 нс | 90 нс | 5,3А | 8В | 12 В | 1,3 Вт | 37мОм | 2 P-канала (двойной) | 37 мОм при 7,7 А, 4,5 В | 1 В @ 700 мкА | 5,3А | 24 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | 37 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI9936BDY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-si9936bdyt1ge3-datasheets-2479.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 186,993455мг | Неизвестный | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,1 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 250 | СИ9936 | 8 | 2 | Двойной | 40 | 2 | Полномочия общего назначения FET | 10 нс | 15нс | 10 нс | 25 нс | 4,5 А | 20 В | КРЕМНИЙ | 30В | 30В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1В | 0,035 Ом | 2 N-канала (двойной) | 35 мОм при 6 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 13 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTLJD3119CTAG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | µCool™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/onsemiconductor-ntljd3119ctbg-datasheets-6132.pdf | 6-WDFN Открытая площадка | Без свинца | 6 | Нет СВХК | 6 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 6 дней назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | ДА | 710мВт | NTLJD3119C | 6 | Двойной | 710мВт | 2 | Другие транзисторы | 13,2 нс | 13,2 нс | 13,7 нс | 4,6А | 8В | 20 В | КРЕМНИЙ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 700мВ | 3,8А | 18А | -20В | N и P-канал | 271пФ при 10 В | 700 мВ | 65 мОм при 3,8 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 2,6 А 2,3 А | 3,7 нК @ 4,5 В | Ворота логического уровня |
