Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМассивы МОП-транзисторов(4365)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Текущий | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Напряжение | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Технология полевых транзисторов | Пороговое напряжение | Мощность - Макс. | Максимальный сток (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Номинальный объем | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора | РДС на Максе |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SI6933DQ-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/vishaysiliconix-si6933dqt1e3-datasheets-2333.pdf | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 3 мм | 1 мм | 4,4 мм | Без свинца | 8 | 157,991892мг | 45мОм | 8 | EAR99 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 1 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | Двойной | 40 | 1 Вт | 2 | Не квалифицирован | 13 нс | 10 нс | 10 нс | 33 нс | -2,3А | 20 В | КРЕМНИЙ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 3,5 А | -30В | 2 P-канала (двойной) | 45 мОм при 3,5 А, 10 В | 1 В @ 250 мкА (мин) | 30 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI6933DQ-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-si6933dqt1e3-datasheets-2333.pdf | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 3 мм | 1 мм | 4,4 мм | 157,991892мг | 8 | 1 Вт | 2 | Двойной | 1 Вт | 2 | 8-ЦСОП | 13 нс | 10 нс | 10 нс | 33 нс | 3,5 А | 20 В | 30 В | 1 Вт | 45мОм | 2 P-канала (двойной) | 45 мОм при 3,5 А, 10 В | 1 В @ 250 мкА (мин) | 30 НК при 10 В | Ворота логического уровня | 45 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI5947DU-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si5947dut1e3-datasheets-4650.pdf | PowerPAK® ChipFET™ двойной | Без свинца | 6 | 58МОм | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 10,4 Вт | С ИЗГИБ | 260 | СИ5947 | 8 | Двойной | 40 | 2,3 Вт | 2 | Другие транзисторы | Р-XDSO-C6 | 15 нс | 10 нс | 25 нс | -6А | 12 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 5А | -20В | 2 P-канала (двойной) | 480пФ при 10В | 58 мОм при 3,6 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 6А | 17 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI5933CDC-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysiliconix-si5933cdct1ge3-datasheets-1970.pdf | 8-СМД, плоский вывод | 3,05 мм | 1,1 мм | 1,65 мм | 8 | 15 недель | 84,99187мг | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Чистая матовая банка | 2,8 Вт | С ИЗГИБ | 260 | СИ5933 | 8 | 2 | Двойной | 30 | 2 | Другие транзисторы | 1 нс | 34 нс | 34 нс | 22 нс | -3,7А | 8В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 10А | 0,144 Ом | 2 P-канала (двойной) | 276пФ при 10 В | 144 мОм при 2,5 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 3,7А | 6,8 НК при 5 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||
| SI5943DU-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-si5943dut1e3-datasheets-4651.pdf | PowerPAK® ChipFET™ двойной | 3 мм | 750 мкм | 1,9 мм | Без свинца | 64мОм | 8,3 Вт | СИ5943 | 2 | Двойной | PowerPAK® ChipFet, двойной | 460пФ | 5 нс | 15 нс | 7 нс | 23 нс | -6А | 8В | 12 В | 8,3 Вт | 64мОм | 2 P-канала (двойной) | 460пФ при 6В | 64 мОм при 3,6 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 6А | 15 НК при 8 В | Ворота логического уровня | 64 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI6966DQ-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/vishaysiliconix-si6966dqt1ge3-datasheets-2331.pdf | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 3 мм | 1 мм | 4,4 мм | Без свинца | 8 | 157,991892мг | 8 | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 830мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ6966 | 8 | Двойной | 40 | 830мВт | 2 | 11 нс | 9нс | 9 нс | 36 нс | 4,5 А | 12 В | КРЕМНИЙ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 4А | 0,03 Ом | 20 В | 2 N-канала (двойной) | 30 мОм при 4,5 А, 4,5 В | 1,4 В при 250 мкА | 4А | 20 нк @ 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4940DY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-si4940dyt1e3-datasheets-2267.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 506,605978мг | 8 | 1,1 Вт | 2 | Двойной | 8-СО | 4,2А | 20 В | 40В | 1,1 Вт | 36мОм | 2 N-канала (двойной) | 36 мОм при 5,7 А, 10 В | 1 В @ 250 мкА (мин) | 4,2А | 14 НК при 10 В | Ворота логического уровня | 36 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI5915DC-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/vishaysiliconix-si5915dct1e3-datasheets-2322.pdf | 8-СМД, плоский вывод | 3,05 мм | 1,1 мм | 1,65 мм | Без свинца | 84,99187мг | 8 | Нет | 1,1 Вт | СИ5915 | 2 | Двойной | 2,1 Вт | 1206-8 ЧипFET™ | 20 нс | 70нс | 70 нс | 35 нс | -3,4А | 8В | 8В | 1,1 Вт | 70мОм | 2 P-канала (двойной) | 70 мОм при 3,4 А, 4,5 В | 450 мВ при 250 мкА (мин) | 3,4А | 9 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | 70 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI5935DC-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-si5935dct1e3-datasheets-4636.pdf | 8-СМД, плоский вывод | 1,1 Вт | СИ5935 | 1206-8 ЧипFET™ | 3А | 20 В | 1,1 Вт | 2 P-канала (двойной) | 86 мОм при 3 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 3А | 8,5 нк @ 4,5 В | Ворота логического уровня | 86 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI5933DC-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-si5933dct1e3-datasheets-4639.pdf | 8-СМД, плоский вывод | 1,1 Вт | СИ5933 | 1206-8 ЧипFET™ | 2,7А | 20 В | 1,1 Вт | 2 P-канала (двойной) | 110 мОм при 2,7 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 2,7А | 7,7 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | 110 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI5975DC-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-si5975dct1ge3-datasheets-2325.pdf | 8-СМД, плоский вывод | 1,1 Вт | 1206-8 ЧипFET™ | 3,1А | 12 В | 1,1 Вт | 2 P-канала (двойной) | 86 мОм при 3,1 А, 4,5 В | 450 мВ при 1 мА (мин) | 3,1А | 9 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | 86 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4944DY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/vishaysiliconix-si4944dyt1e3-datasheets-4563.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 8 | Неизвестный | 9,5 мОм | 8 | да | EAR99 | Нет | 75А | е3 | Матовый олово (Sn) | 30 В | 1,3 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ4944 | 8 | Двойной | 40 | 1,3 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 10 нс | 10 нс | 12 нс | 40 нс | 12,2А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 3В | 30 В | 2 N-канала (двойной) | 9,5 мОм при 12,2 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 9,3А | 21 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI5944DU-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si5944dut1e3-datasheets-4655.pdf | PowerPAK® ChipFET™ двойной | 3 мм | 750 мкм | 1,9 мм | 6 | 8 | EAR99 | Нет | 10 Вт | СИ5944 | 8 | Двойной | 2 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | Р-XDSO-N6 | 4 нс | 30 нс | 6 нс | 10 нс | 6А | 20 В | 40В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 6А | 2 N-канала (двойной) | 210пФ при 20В | 112 мОм при 3,3 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 6,6 нк при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4967DY-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/vishaysiliconix-si4967dyt1e3-datasheets-2305.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,55 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | 186,993455мг | 23мОм | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 2 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | Двойной | 40 | 2 Вт | 2 | Другие транзисторы | 25 нс | 40 нс | 95 нс | 210 нс | 7,5 А | 8В | КРЕМНИЙ | 12 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 30А | -12В | 2 P-канала (двойной) | 23 мОм при 7,5 А, 4,5 В | 450 мВ при 250 мкА (мин) | 55 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI5905BDC-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si5905bdct1ge3-datasheets-2307.pdf | 8-СМД, плоский вывод | 3,1 Вт | СИ5905 | 1206-8 ЧипFET™ | 350пФ | 4А | 8В | 3,1 Вт | 2 P-канала (двойной) | 350пФ при 4В | 80 мОм при 3,3 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 4А | 11 НК при 8 В | Ворота логического уровня | 80 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMS3019SSD-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/diodesincorporated-dms3019ssd13-datasheets-2135.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 16 недель | 73,992255мг | Нет СВХК | 8 | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | НПН | 1,19 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | 2 | Двойной | 40 | 1,19 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 7А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 9А | 0,015 Ом | 30 В | 2 N-канала (двойной) | 1932пФ при 15В | 2,4 В | 15 мОм при 9 А, 10 В | 2,4 В при 250 мкА | 7А 5,7А | 42 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4966DY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-si4966dyt1ge3-datasheets-2310.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,55 мм | 4 мм | 186,993455мг | 8 | Нет | 2 Вт | СИ4966 | 2 | Двойной | 2 Вт | 2 | 8-СО | 40 нс | 40 нс | 40 нс | 90 нс | 7.1А | 12 В | 20 В | 2 Вт | 25мОм | 2 N-канала (двойной) | 25 мОм при 7,1 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 50 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | 25 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI5513DC-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-si5513dct1e3-datasheets-4604.pdf | 8-СМД, плоский вывод | 8 | 8 | да | EAR99 | е3 | Чистая матовая банка | 1,1 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | СИ5513 | 8 | 30 | 2 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | 2,1А | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 20 В | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 3,1А | 0,075 Ом | N и P-канал | 75 мОм при 3,1 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 3,1 А 2,1 А | 6 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI5915BDC-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/vishaysiliconix-si5915bdct1e3-datasheets-2313.pdf | 8-СМД, плоский вывод | 8 | 8 | EAR99 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 3,1 Вт | С ИЗГИБ | 260 | СИ5915 | 8 | Двойной | 40 | 1,7 Вт | 2 | Не квалифицирован | 12нс | 12 нс | 20 нс | 4А | 8В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 3,1 Вт | 4А | 10А | 0,07 Ом | 8В | 2 P-канала (двойной) | 420пФ при 4В | 70 мОм при 3,3 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 14 НК при 8 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI5905BDC-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/vishaysiliconix-si5905bdct1ge3-datasheets-2307.pdf | 8-СМД, плоский вывод | 3,05 мм | 1,1 мм | 1,65 мм | 84,99187мг | 8 | 3,1 Вт | СИ5905 | 2 | Двойной | 1206-8 ЧипFET™ | 350пФ | 5 нс | 10 нс | 10 нс | 17 нс | 4А | 8В | 8В | 3,1 Вт | 80мОм | -8В | 2 P-канала (двойной) | 350пФ при 4В | 80 мОм при 3,3 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 4А | 11 НК при 8 В | Ворота логического уровня | 80 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI5915BDC-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si5915bdct1e3-datasheets-2313.pdf | 8-СМД, плоский вывод | 3,1 Вт | СИ5915 | 1206-8 ЧипFET™ | 420пФ | 4А | 8В | 3,1 Вт | 2 P-канала (двойной) | 420пФ при 4В | 70 мОм при 3,3 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 4А | 14 НК при 8 В | Ворота логического уровня | 70 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI5515DC-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | 0,51 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si5515dct1e3-datasheets-4608.pdf | 8-СМД, плоский вывод | 15 недель | 8 | Нет | 1,1 Вт | СИ5515 | 1206-8 ЧипFET™ | 3А | 8В | 20 В | 1,1 Вт | N и P-канал | 40 мОм при 4,4 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 4,4 А 3 А | 7,5 нк @ 4,5 В | Ворота логического уровня | 40 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4973DY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/vishaysiliconix-si4973dyt1e3-datasheets-4561.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 8 | 23МОм | да | EAR99 | Нет | е3 | Чистая матовая банка | 1,1 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ4973 | 8 | Двойной | 30 | 1,1 Вт | 2 | Другие транзисторы | Р-ПДСО-Г8 | 10 нс | 15 нс | 90 нс | 115 нс | 5,8А | 25В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 30 В | 2 P-канала (двойной) | 23 мОм при 7,6 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 56 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4920DY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysiliconix-si4920dyt1ge3-datasheets-2296.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | Неизвестный | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Чистая матовая банка | 2 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ4920 | 8 | Двойной | 30 | 2 Вт | 2 | Полномочия общего назначения FET | 12 нс | 10 нс | 15 нс | 60 нс | 6,9А | 20 В | КРЕМНИЙ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1В | 40А | 30 В | 2 N-канала (двойной) | 25 мОм при 6,9 А, 10 В | 1 В @ 250 мкА (мин) | 23 НК при 5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI5905DC-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/vishaysiliconix-si5905dct1ge3-datasheets-2292.pdf | 8-СМД, плоский вывод | Без свинца | 8 | 90мОм | 8 | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 1,1 Вт | С ИЗГИБ | 260 | СИ5905 | 8 | Двойной | 40 | 1,1 Вт | 2 | 10 нс | 45нс | 45 нс | 30 нс | 3А | 8В | КРЕМНИЙ | 8В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 3А | 2 P-канала (двойной) | 90 мОм при 3 А, 4,5 В | 450 мВ при 250 мкА (мин) | 9 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4933DY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-si4933dyt1e3-datasheets-4569.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Чистая матовая банка | 1,1 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ4933 | 8 | Двойной | 30 | 1,1 Вт | 2 | Другие транзисторы | 35 нс | 47нс | 260 нс | 320 нс | -7,4А | 8В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,014 Ом | 12 В | 2 P-канала (двойной) | 14 мОм при 9,8 А, 4,5 В | 1 В при 500 мкА | 7,4А | 70 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4972DY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/vishaysiliconix-si4972dyt1e3-datasheets-4612.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,5 мм | 4 мм | 506,605978мг | 8 | 2,5 Вт | СИ4972 | 2 | Двойной | 8-СО | 1,08 нФ | 108 нс | 130 нс | 26 нс | 22 нс | 7,2А | 20 В | 30 В | 3,1 Вт 2,5 Вт | 26,5 мОм | 30 В | 2 N-канала (двойной) | 1080пФ при 15В | 14,5 мОм при 6 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 10,8 А 7,2 А | 28 НК при 10 В | Стандартный | 14,5 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI5509DC-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysiliconix-si5509dct1e3-datasheets-4581.pdf | 8-СМД, плоский вывод | 8 | 8 | да | EAR99 | Нет | Чистая матовая банка (Sn) | 4,5 Вт | ДВОЙНОЙ | 260 | СИ5509 | 8 | 30 | 1 | 4,8А | 12 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 20 В | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 5А | 10А | 0,052 Ом | N и P-канал | 455пФ при 10 В | 52 мОм при 5 А, 4,5 В | 2 В @ 250 мкА | 6,1 А 4,8 А | 6,6 нк при 5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4914BDY-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МАЛЕНЬКАЯ НОГА® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-si4914bdyt1ge3-datasheets-1944.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,5 мм | 4 мм | 15 недель | 506,605978мг | 8 | Нет | 3,1 Вт | СИ4914 | 2 | 2 | 8-СО | 10 нс | 9нс | 9 нс | 16 нс | 7,4А | 20 В | 30 В | 2,7 Вт 3,1 Вт | 23мОм | 30 В | 2 Н-канала (полумост) | 21 мОм при 8 А, 10 В | 2,7 В при 250 мкА | 8,4А 8А | 10,5 нк при 4,5 В | Стандартный | 21 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4816DY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МАЛЕНЬКАЯ НОГА® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-si4816dyt1ge3-datasheets-2280.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 8 | да | EAR99 | Нет | ЧИСТЫЙ МАТОВЫЙ ТИН (SN) | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ4816 | 8 | 30 | 1,25 Вт | 2 | Полномочия общего назначения FET | 5нс | 7,7А | 20 В | КРЕМНИЙ | СЛОЖНЫЙ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1 Вт 1,25 Вт | 5,3А | 0,022 Ом | 30 В | 2 Н-канала (полумост) | 22 мОм при 6,3 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 5,3 А 7,7 А | 12 НК при 5 В | Ворота логического уровня |
