Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМассивы МОП-транзисторов(4365)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Технология полевых транзисторов | Пороговое напряжение | Мощность - Макс. | Код JEDEC-95 | Время восстановления | Максимальный сток (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Номинальный объем | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора | РДС на Максе |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRF6723M2DTRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/infineontechnologies-irf6723m2dtrpbf-datasheets-1659.pdf | DirectFET™ Изометрический МА | 6,35 мм | 596 мкм | 5,05 мм | 4 | 3 | EAR99 | Нет | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 2,7 Вт | НИЖНИЙ | 260 | ИРФ6723М2ДПБФ | Двойной | 30 | 2,7 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | Р-XBCC-N4 | 14 нс | 41нс | 20 нс | 15 нс | 15А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 47А | 0,0066Ом | 71 мДж | 30 В | 2 N-канала (двойной) | 1380пФ при 15В | 6,6 мОм при 15 А, 10 В | 2,35 В @ 25 мкА | 14 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI9945AEY-T1 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-si9945aeyt1-datasheets-1667.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,55 мм | 4 мм | 186,993455мг | 8 | 2,4 Вт | СИ9945 | 2 | Двойной | 2,4 Вт | 2 | 8-СО | 9 нс | 10 нс | 8 нс | 21 нс | 3,7А | 20 В | 60В | 2,4 Вт | 80мОм | 60В | 2 N-канала (двойной) | 80 мОм при 3,7 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 3,7А | 20 НК при 10 В | Ворота логического уровня | 80 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF8910GTRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2005 г. | /files/infineontechnologies-irf8910gtrpbf-datasheets-1623.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9784 мм | 1,4986 мм | 3,9878 мм | 8 | 8 | EAR99 | Нет | 2 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | IRF8910GPBF | Одинокий | 2 Вт | 1 | 6,2 нс | 10 нс | 4,1 нс | 9,7 нс | 10А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | МС-012АА | 0,0134Ом | 19 мДж | 20 В | 2 N-канала (двойной) | 960пФ при 10 В | 13,4 мОм при 10 А, 10 В | 2,55 В @ 250 мкА | 11 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН7804_101 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | /files/alphaomegasemiconductorinc-aon7804101-datasheets-1685.pdf | 8-PowerSMD, плоские выводы | 30 В | 3,1 Вт Ta 17 Вт Tc | 2 N-канала (двойной) | 888пФ при 15 В | 21 мОм при 8 А, 10 В | 2,4 В при 250 мкА | 9А Та 22А Ц | 18 НК @ 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFH7911TR2PBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 2 (1 год) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-irfh7911trpbf-datasheets-0368.pdf | 18-PowerVQFN | 5,9944 мм | 939,8 мкм | 5 мм | Нет СВХК | 18 | Нет | 3,4 Вт | IRFH7911PBF | Двойной | 3,4 Вт | 2 | ПКФН (5х6) | 1,06 нФ | 35 нс | 14 нс | 28 нс | 28А | 20 В | 30 В | 2,35 В | 2,4 Вт 3,4 Вт | 20 нс | 3мОм | 30 В | 2 N-канала (двойной) | 1060пФ при 15В | 2,35 В | 8,6 мОм при 12 А, 10 В | 2,35 В @ 25 мкА | 13А 28А | 12 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | 8,6 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИРФ6723М2ДТР1П | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/infineontechnologies-irf6723m2dtrpbf-datasheets-1659.pdf | DirectFET™ Изометрический МА | совместимый | ДА | ИРФ6723М2ДПБФ | Полевой транзистор общего назначения | 25 Вт | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2,7 Вт | 47А | 2 N-канала (двойной) | 1380пФ при 15В | 6,6 мОм при 15 А, 10 В | 2,35 В @ 25 мкА | 15А | 14 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АЛД1115МАЛ | Advanced Linear Devices Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/advancedlineardeviceinc-ald1115pal-datasheets-5981.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 10 недель | да | неизвестный | 500мВт | Двойной | 500мВт | -2мА | 13,2 В | 10,6 В | -12В | Дополняющие N и P-каналы | 3пФ @ 5В | 1800 Ом при 5 В | 1 В @ 1 мкА | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF8910GPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/infineontechnologies-irf8910gtrpbf-datasheets-1623.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 1,4986 мм | 3,9878 мм | 8 | Нет | 2 Вт | IRF8910GPBF | Двойной | 2 Вт | 2 | 8-СО | 960пФ | 6,2 нс | 10 нс | 4,1 нс | 9,7 нс | 10А | 20 В | 20 В | 2 Вт | 18,3 мОм | 20 В | 2 N-канала (двойной) | 960пФ при 10 В | 13,4 мОм при 10 А, 10 В | 2,55 В @ 250 мкА | 10А | 11 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | 13,4 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФМП26-02П | IXYS / Литтльфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Полар™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/ixys-fmp2602p-datasheets-1731.pdf | i4-Pac™-5 | 5 | 5 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ, ПРИЗНАННЫЙ УЛ | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 125 Вт | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 5 | НЕ УКАЗАН | 125 Вт | 2 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | 17А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОЕ ПОДКЛЮЧЕНИЕ, ЦЕНТРАЛЬНЫЙ ОТВЕТ, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 26А | 120А | 0,06 Ом | 1000 мДж | 200В | N и P-канал | 2720пФ при 25В | 60 мОм при 25 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 26А 17А | 70 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7338TRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2004 г. | /files/infineon-irf7338trpbf-datasheets-1238.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 8 | 2 Вт | IRF7338PBF | 2 Вт | 2 | 8-СО | 640пФ | 3А | 8В | 12 В | 2 Вт | 34мОм | 12 В | N и P-канал | 640пФ при 9В | 34 мОм при 6 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 6,3А 3А | 8,6 нк @ 4,5 В | Ворота логического уровня | 34 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CSD75211W1723 | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НексФЕТ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/texasinstruments-csd75211w1723-datasheets-1546.pdf | 12-УФБГА, ДСБГА | Содержит свинец | 12 | Нет СВХК | 12 | нет | EAR99 | Нет | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,5 Вт | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | CSD75211 | 12 | Двойной | 1,5 Вт | 2 | Другие транзисторы | 3,7 нс | 4,1 нс | 1,6 нс | 9,1 нс | 4,5 А | 8В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | -700мВ | 0,07 Ом | 20 В | 2 P-канала (двойной) | 600пФ при 10 В | -700 мВ | 40 мОм при 2 А, 4,5 В | 1,1 В @ 250 мкА | 5,9 нк @ 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF9362PBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/infineontechnologies-irf9362trpbf-datasheets-5058.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9784 мм | 1,4986 мм | 3,9878 мм | Без свинца | 8 | Нет СВХК | 8 | EAR99 | Олово | Нет | 2 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | IRF9362PBF | Двойной | 2 Вт | 2 | Другие транзисторы | 5,2 нс | 5,9 нс | 53 нс | 115 нс | -8А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | -1,8 В | 48 нс | 8А | 64А | 94 мДж | -30В | 2 P-канала (двойной) | 1300пФ при 25В | -1,8 В | 21 мОм при 8 А, 10 В | 2,4 В @ 25 мкА | 8А | 39 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF8852TRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/infineontechnologies-irf8852trpbf-datasheets-1595.pdf | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 3,0988 мм | 8 | 8 | СВЕРХНИЗКОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ | Нет | 1 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | IRF8852PBF | Двойной | 1 Вт | 2 | 11,4 нс | 10,9 нс | 28,9 нс | 70,8 нс | 7,8А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 25В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | МО-153АА | 0,0113Ом | 25В | 2 N-канала (двойной) | 1151пФ при 20 В | 11,3 мОм при 7,8 А, 10 В | 2,35 В @ 25 мкА | 9,5 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СИ9936ДИ,518 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 1997 год | /files/nxpusainc-si9936dy518-datasheets-1633.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | EAR99 | е4 | НИКЕЛЬ ПАЛЛАДИЙ ЗОЛОТО | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | СИ9936 | 8 | 2 | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Г8 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 900мВт | МС-012АА | 5А | 40А | 0,05 Ом | 2 N-канала (двойной) | 50 мОм при 5 А, 10 В | 1 В при 250 мкА | 5А | 35 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СИ1553ДЛ-Т1 | Вишай Силиконикс | 0,68 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-si1553dlt1e3-datasheets-4314.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 2 мм | 1 мм | 1,25 мм | 7,512624 мг | 6 | 270мВт | СИ1553 | 2 | 300мВт | 2 | СК-70-6 (СОТ-363) | 7,5 нс | 20нс | 20 нс | 8,5 нс | 660 мА | 12 В | 20 В | 270мВт | 385мОм | 20 В | N и P-канал | 385 мОм при 660 мА, 4,5 В | 600 мВ при 250 мкА (мин) | 660 мА 410 мА | 1,2 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | 385 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7314PBF | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/rochesterelectronicsllc-irf7319pbf-datasheets-9549.pdf | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NX7002AKS/ZLX | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | /files/nexperiausainc-nx7002aks115-datasheets-7861.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 60В | 1,06 Вт | 2 N-канала (двойной) | 17пФ при 10В | 4,5 Ом при 100 мА, 10 В | 2,1 В при 250 мкА | 170 мА Та | 0,43 нк при 4,5 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EMH2412-TL-H | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/rochesterelectronicsllc-emh2412tlh-datasheets-1531.pdf | 8-СМД, плоский вывод | 8-ЭМГ | 24В | 1,4 Вт | 2 N-канала (двойной) | 27 мОм при 3 А, 4,5 В | 6А | 6,3 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| УПА2390Т1П-Е4-А | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FW276-TL-2H | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/rochesterelectronicsllc-fw276tl2h-datasheets-1533.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8-СОИК | 450В | 1,6 Вт | 2 N-канала (двойной) | 55пФ при 20В | 12,1 Ом при 350 мА, 10 В | 4,5 В @ 1 мА | 700 мА | 3,7 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOSD32338C | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 30 В | 2 Вт Та | 2 N-канала (двойной) | 310пФ при 15В | 30 мОм при 6 А, 10 В | 2,4 В при 250 мкА | 6А Та | 6,3 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| UPA2383T1P-E1-A#YK1 | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| УПА2324Т1П-Е1-А | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7309PBF | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/rochesterelectronicsllc-irf7309pbf-datasheets-1540.pdf | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N7002DW-7-G | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2013 год | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF8313PBF | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/rochesterelectronicsllc-irf8313pbf-datasheets-1541.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8-СО | 30 В | 2 Вт | 2 N-канала (двойной) | 760пФ при 15В | 15,5 мОм при 9,7 А, 10 В | 2,35 В @ 25 мкА | 9,7А | 90 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RJK4034DJE-00#Z0 | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПГ20Н06С3Л-23 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Оптимос™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/infineontechnologies-ipg20n06s3l23-datasheets-1559.pdf | 8-PowerVDFN | 6 | 8 | EAR99 | СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 45 Вт | ПЛОСКИЙ | 260 | *PG20N06 | 8 | Двойной | 40 | 45 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Ф6 | 35 нс | 75 нс | 40 нс | 20А | 16 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | 55В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 33А | 0,023Ом | 110 мДж | 55В | 2 N-канала (двойной) | 2950пФ при 25В | 23 мОм при 16 А, 10 В | 2,2 В @ 20 мкА | 42 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMN3012LFG-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/diodesincorporated-dmn3012lfg13-datasheets-1260.pdf | 8-PowerLDFN | 21 неделя | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 30 В | 2,2 Вт | 2 N-канала (двойной) | 850пФ при 15В 1480пФ при 15В | 12 мОм при 15 А, 5 В, 6 м Ом при 15 А, 5 В | 2,1 В при 250 мкА, 1,15 В при 250 мкА | 20А Ц | 6,1 нк при 4,5 В, 12,6 нк при 4,5 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПГ20Н06С3Л-35 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Оптимос™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipg20n06s3l35-datasheets-1565.pdf | 8-PowerVDFN | 6 | 8 | EAR99 | СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 30 Вт | ПЛОСКИЙ | 260 | *PG20N06 | 8 | 40 | 2 | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Ф6 | 20А | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | 55В | 55В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 30 Вт | 0,035 Ом | 55 мДж | 2 N-канала (двойной) | 1730пФ при 25В | 35 мОм при 11 А, 10 В | 2,2 В @ 15 мкА | 23 НК при 10 В | Ворота логического уровня |
