Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМассивы МОП-транзисторов(4365)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Количество окончаний | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Рабочая температура (макс.) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Максимальное двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Технология полевых транзисторов | Мощность - Макс. | Максимальный сток (Abs) (ID) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SIA907EDJ-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК9МХХ-65ПНН,518 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчПЛЮС | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/nexperia-buk9mhh65pnn518-datasheets-1186.pdf | 20-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 20 | 65В | 5 Вт Тс | 2 N-канала (двойной) | 3643пФ при 25 В | 10,6 мОм при 10 А, 10 В | 2 В @ 1 мА | 15А Ц | 44,6 НК при 5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| УПА2351Т1П-Е4-А | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 4-XFLGA | 4 | совместимый | ДА | НИЖНИЙ | МЯЧ | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 2 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Не квалифицированный | С-ПБГА-Б4 | КРЕМНИЙ | ОБЩИЙ СТОК, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1,3 Вт | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,3 Вт Та | 2 N-канальных (двойных) с общим стоком | 523пФ при 10 В | 40 мОм при 3 А, 4,5 В | 1,5 В при 1 мА | 5,7А Та | 7,1 НК при 4 В | Ворота логического уровня, привод 2,5 В | ||||||||||||||||||
| GWS4621L | Ренесас Электроникс Америка Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamericainc-gws4621l-datasheets-1402.pdf | 4-XFLGA, КСП | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 20 В | 3,6 Вт Та | 2 N-канальных (двойных) с общим стоком | 1125пФ при 10В | 9,8 мОм при 3 А, 4,5 В | 1,5 В при 1 мА | 10.1А Та | 11 НК при 4 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDG6321C-F169 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Непригодный | Соответствует RoHS | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fdg6321cf169-datasheets-1403.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | 25 В | 300мВт | N и P-канал | 50пФ при 10В 62пФ при 10В | 450 м Ом при 500 мА, 4,5 В, 1,1 Ом при 410 мА, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 500 мА Та 410 мА Та | 2,3 нк при 4,5 В, 1,5 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4813Л | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,43 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 30 В | 2 Вт | 2 P-канала (двойной) | 1573пФ при 15 В | 25 мОм при 7,1 А, 10 В | 2,7 В @ 250 мкА | 7.1А Та | 30,9 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6912АЛС_102 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 8-PowerVDFN | 30 В | 1,9 Вт Ta 22 Вт Tc 2,1 Вт Ta 30 Вт Tc | 2 N-канальных (двойных) асимметричных | 910пФ при 15В 1300пФ при 15В | 13,7 мОм при 10 А, 10 В, 7,3 м Ом при 20 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 10А Та 34А Тс 13,8А Та 52А Тс | 17 нк при 10 В, 20 нк при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ECH8654-TL-HX | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Непригодный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AO4616L_103 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 30 В | 2 Вт | N и P-канал | 1250пФ при 15В 1573пФ при 15В | 20 м Ом при 8,1 А, 10 В, 25 м Ом при 7,1 А, 10 В | 3 В при 250 мкА, 2,7 В при 250 мкА | 8,1 А Та 7,1 А Та | 19,2 нк при 10 В, 30,9 нк при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК9MJJ-65PLL,518 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчПЛЮС | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/nexperia-buk9mjj65pll518-datasheets-1171.pdf | 20-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 20 | 65В | 4,4 Вт Тс | 2 N-канала (двойной) | 2660пФ при 25В | 15,5 мОм при 10 А, 10 В | 2 В @ 1 мА | 11,6 А Тс | 30,8 НК при 5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| УПА1981ТЕ-Т1-А | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 3 (168 часов) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/renesaselectronicsamerica-upa1981tet1a-datasheets-1413.pdf | 6 | да | EAR99 | е6 | ОЛОВО ВИСМУТ | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 6 | 150°С | НЕ УКАЗАН | 2 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Г6 | КРЕМНИЙ | СЛОЖНЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 1 Вт | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2,8А | 0,07 Ом | ||||||||||||||||||||||
| ФДГ6303Н-Ф169 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 1999 год | /files/onsemiconductor-fdg6303nd87z-datasheets-4037.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | 25 В | 300мВт Та | 2 N-канала (двойной) | 50пФ при 10В | 450 мОм при 500 мА, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 500 мА Та | 2,3 нк @ 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ECH8661-TL-HX | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Непригодный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК9МТТ-65ПББ,518 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчПЛЮС | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/nexperia-buk9mtt65pbb518-datasheets-1174.pdf | 20-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 20 | 65В | 3,15 Вт Тс | 2 N-канала (двойной) | 535пФ при 25В | 90,4 мОм при 3 А, 10 В | 2 В @ 1 мА | 3,8 А Тс | 6,3 нк при 5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIA922EDJ-T4-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysiliconix-sia922edjt4ge3-datasheets-1416.pdf | PowerPAK® SC-70-6 Двойной | 30 В | 1,9 Вт Ta 7,8 Вт Tc | 2 N-канала (двойной) | 64 мОм при 3 А, 4,5 В | 1,4 В при 250 мкА | 4,4 А Та 4,5 А Тс | 12 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК9МФФ-65ПСС,518 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчПЛЮС | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/nexperia-buk9mff65pss518-datasheets-1176.pdf | 20-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 20 | 65В | 4,75 Вт Тс | 2 N-канала (двойной) | 3052пФ при 25 В | 12,3 мОм при 10 А, 10 В | 2 В @ 1 мА | 13,6 А Тс | 40,2 НК при 5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| УПА2372Т1П-Е4-А | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | Поставщик не определен | Соответствует ROHS3 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФДМД8430 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-fdmd8430-datasheets-1379.pdf | 8-PowerWDFN | да | совместимый | 30 В | 2,1 Вт Та 29 Вт Тс | 2 N-канальных (двойных) с общим обвинением | 5035пФ при 15В | 2,12 мОм при 28 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 28А Та 95А Ц | 90 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| CTLDM303N-M832DS БК | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без блокировки) | /files/centralsemiconductorcorp-ctldm303nm832dsbk-datasheets-1419.pdf | 8-ТДФН Открытая площадка | 30 В | 1,65 Вт | 2 N-канала (двойной) | 590пФ при 10 В | 40 мОм при 1,8 А, 4,5 В | 1,25 В @ 250 мкА | 3,6А Та | 13 НК при 4,5 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| УПА1764Г(0)-Е1-АЗ | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | Поставщик не определен | Соответствует ROHS3 | /files/renesaselectronicsamerica-upa1764g0e1az-datasheets-1382.pdf | ДА | НЕ УКАЗАН | 8 | 150°С | НЕ УКАЗАН | Мощность полевого транзистора общего назначения | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 2 Вт | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 7А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| UPA2381T1P-E1-A#YW | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН7934_101 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | /files/alphaomegasemiconductorinc-aon7934101-datasheets-1384.pdf | 8-WDFN Открытая площадка | 30 В | 2,5 Вт Ta 23 Вт Tc 2,5 Вт Ta 25 Вт Tc | 2 N-канала (двойной) | 485пФ при 15В 807пФ при 15В | 10,2 мОм при 13 А, 10 В, 7,7 м Ом при 15 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 13А Та 16А Ц 15А Та 18А Ц | 11 нк при 10 В, 17,5 нк при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIA907EDJ-T4-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CTLDM8120-M832DS ТР | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | /files/centralsemiconductorcorp-ctldm8120m832dstr-datasheets-1388.pdf | 8-ТДФН Открытая площадка | совместимый | ДА | Другие транзисторы | 1,65 Вт | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,65 Вт | 0,86А | 2 P-канала (двойной) | 200пФ при 16В | 150 м Ом @ 950 мА, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 860 мА Та | 3,56 НК при 4,5 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||
| АОС3870 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 10-СМД, без свинца | 12 В | 2,2 Вт Та | 2 N-канальных (двойных) с общим стоком | 2,8 мОм при 5 А, 4,5 В | 1,1 В @ 250 мкА | 25А Та | 32 НК при 4,5 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК9МРР-65ПКК,518 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчПЛЮС | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/nexperia-buk9mrr65pkk518-datasheets-1178.pdf | 20-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 20 | 65В | 3,2 Вт Тс | 2 N-канала (двойной) | 712пФ при 25 В | 60,7 мОм при 3 А, 10 В | 2 В @ 1 мА | 4,8 А Тс | 8,8 НК при 5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDG6332C-F085P | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-fdg6332cf085-datasheets-1394.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 6 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 3 дня назад) | да | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 2 | Р-ПДСО-Г6 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 0,3 Вт | 20 В | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 300мВт Та | 0,7 А | 0,3 Ом | N и P-канал | 113пФ при 10В 114пФ при 10В | 300 мОм при 700 мА, 4,5 В, 420 мОм при 600 мА, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 700 мА Та 600 мА Та | 1,5 нк при 4,5 В, 2 нк при 4,5 В | Стандартный | ||||||||||||||||
| CTLDM8120-M832DS БК | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | 1 (без блокировки) | /files/centralsemiconductorcorp-ctldm8120m832dstr-datasheets-1388.pdf | 8-ТДФН Открытая площадка | 20 В | 1,65 Вт | 2 P-канала (двойной) | 200пФ при 16В | 150 м Ом @ 950 мА, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 860 мА Та | 3,56 НК при 4,5 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4600CL | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CTLDM7120-M832DS БК | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | /files/centralsemiconductorcorp-ctldm7120m832dsbk-datasheets-1360.pdf | 8-ТДФН Открытая площадка | совместимый | ДА | Мощность полевого транзистора общего назначения | 1,65 Вт | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,65 Вт | 1А | 2 N-канала (двойной) | 220пФ при 10В | 100 мОм при 500 мА, 4,5 В | 1,2 В @ 1 мА | 1А Та | 2,4 нк @ 4,5 В | Ворота логического уровня |
