Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМассивы МОП-транзисторов(4365)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Справочный стандарт | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Максимальное двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Технология полевых транзисторов | Мощность - Макс. | Максимальный сток (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Обратная связь Cap-Max (Crss) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| АО4600CL | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CTLDM7120-M832DS БК | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | /files/centralsemiconductorcorp-ctldm7120m832dsbk-datasheets-1360.pdf | 8-ТДФН Открытая площадка | совместимый | ДА | Полевой транзистор общего назначения | 1,65 Вт | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,65 Вт | 1А | 2 N-канала (двойной) | 220пФ при 10В | 100 мОм при 500 мА, 4,5 В | 1,2 В при 1 мА | 1А Та | 2,4 нк @ 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMC3016LDV-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/diodesincorporated-dmc3016ldv13-datasheets-2902.pdf | 8-PowerVDFN | 21 неделя | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 30 В | 900мВт Та | Дополняющие N и P-каналы | 1184пФ при 15В 1188пФ при 15В | 12 мОм при 7 А, 10 В, 25 м Ом при 7 А, 10 В | 2,4 В при 250 мкА | 21А Тк 15А Тк | 9,5 нк при 4,5 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК9МГП-55ПТС,518 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчПЛЮС | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 20-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 20 | 55В | 5,2 Вт Тс 3,9 Вт Тс | 2 N-канала (двойной) | 5178пФ при 25В 2315пФ при 25В | 9 мОм при 10 А, 10 В, 22,6 м Ом при 5 А, 10 В | 2 В при 1 мА | 16,9 А Тс 9,16 А Тс | 54 нк при 5 В, 23 нк при 5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМП2160УФДБ-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/diodesincorporated-dmp2160ufdb7-datasheets-1303.pdf | 6-УДФН Открытая площадка | 2 мм | 750 мкм | 2 мм | Без свинца | 6 | 6 недель | Нет СВВК | 6 | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 1,4 Вт | 260 | 6 | Двойной | 40 | 1,4 Вт | 2 | Другие транзисторы | 11,51 нс | 12,09 нс | 12,09 нс | 55,34 нс | 3,8А | 12 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 13А | 0,07 Ом | -20В | 2 P-канала (двойной) | 536пФ при 10 В | 70 мОм при 2,8 А, 4,5 В | 900 мВ при 250 мкА | 6,5 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4214DY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysiliconix-si4214dyt1ge3-datasheets-1312.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 8 | 15 недель | 186,993455мг | 23,5 мОм | 8 | EAR99 | Нет | е3 | Чистая матовая банка | 3,1 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | 30 | 2 Вт | 2 | 13 нс | 11нс | 9 нс | 18 нс | 6,8А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 30 В | 2 N-канала (двойной) | 785пФ при 15 В | 23,5 мОм при 7 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 8,5 А | 23 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AO4614BL_201 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 40В | 2 Вт | N и P-канал | 650пФ при 20В 1175пФ при 20В | 30 мОм при 6 А, 10 В, 45 м Ом при 5 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 6А Та 5А Та | 10,8 нк при 10 В, 22 нк при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4612Л | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 2012 год | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | совместимый | 60В | 2 Вт | N и P-канал | 540 пФ при 30 В 1120 пФ при 30 В | 56 мОм при 4,5 А, 10 В, 105 м Ом при 3,2 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 4,5 А Та 3,2 А Та | 10,5 нк при 10 В, 20 нк при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SQJ500EPTR | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4840Л | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2011 г. | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 40В | 2 Вт | 2 N-канала (двойной) | 404пФ при 20В | 31 мОм при 6 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 6А Та | 8,3 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EFC4630R-TR | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Масса | Непригодный | Соответствует RoHS | 4-XFBGA | да | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 24В | 1,6 Вт | 2 N-канальных (двойных) с общим стоком | 45 мОм при 3 А, 4,5 В | 1,3 В при 1 мА | 6А Та | 7 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня, привод 2,5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КГФ16Н05Д-400 | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 20-УФЛГА, ЦСП | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 5,5 В | 2,5 Вт Та | 2 N-канальных (двойных) с общим обвинением | 600пФ при 5В | 0,95 мОм при 8 А, 4,5 В | 0,9 В @ 250 мкА | 16А Та | 5,5 нк @ 4,5 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIA915DJ-T4-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysiliconix-sia915djt4ge3-datasheets-1344.pdf | PowerPAK® SC-70-6 Двойной | PowerPAK® SC-70-6 Двойной | 30 В | 1,9 Вт Ta 6,5 Вт Tc | 2 P-канала (двойной) | 275пФ при 15В | 87 мОм при 2,9 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 3,7 А Та 4,5 А Тс | 9 нк @ 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО6800Л | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,18 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | СК-74, СОТ-457 | 30 В | 1,15 Вт | 2 N-канала (двойной) | 235пФ при 15В | 60 мОм при 3,4 А, 10 В | 1,5 В @ 250 мкА | 3,4А Та | 10 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4818BL | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 30 В | 2 Вт | 2 N-канала (двойной) | 888пФ при 15 В | 19 мОм при 8 А, 10 В | 2,4 В при 250 мкА | 8А Та | 18 НК @ 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ECH8651R-R-TL-HX | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Непригодный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDG6304P-X | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Непригодный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EMH2604-TL-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/onsemiconductor-emh2604tlh-datasheets-1238.pdf | 8-СМД, плоский вывод | 2 мм | 750 мкм | 1,7 мм | Без свинца | 4 недели | 8 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | Без галогенов | 1,2 Вт | 8 | Двойной | 1,2 Вт | 2 | 9,2 нс | 30 нс | 3А | 10 В | 20 В | N и P-канал | 345пФ при 10В | 45 мОм при 4 А, 4,5 В | 4А 3А | 4,7 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТМК120HR11CT3AG | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/microsemicorporation-aptmc120hr11ct3ag-datasheets-1242.pdf | Модуль | SP3 | 1200В 1,2кВ | 125 Вт | 2 N-канала (двойной) | 950пФ при 1000В | 98 мОм при 20 А, 20 В | 3 В @ 5 мА | 26А Тк | 62 НК при 20 В | Карбид кремния (SiC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EFC8822R-TF | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CPH6635-TL-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2013 год | /files/onsemiconductor-cph6635tlh-datasheets-1240.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | Без свинца | 4 недели | 6 | ПОЖИЗНЕННО (Последнее обновление: 5 дней назад) | да | EAR99 | Олово | е6 | Без галогенов | ДА | 800мВт | 6 | Двойной | Другие транзисторы | 5,3 нс | 65нс | 120 нс | 155 нс | 1,5 А | 10 В | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 30В 20В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 30 В | N и P-канал | 7пФ @ 10В | 3,7 Ом при 80 мА, 4 В | 400 мА 1,5 А | 1,58 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDG6303N_G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | Непригодный | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 25В | 300мВт | 2 N-канала (двойной) | 50пФ при 10В | 450 мОм при 500 мА, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 500 мА | 2,3 нк @ 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BSL806NH6327XTSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Оптимос™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/infineontechnologies-bsl806nh6327xtsa1-datasheets-1248.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | Без свинца | 6 | 12 недель | 6 | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е3 | Олово (Вс) | АЭК-Q101 | Без галогенов | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | 20 В | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 500мВт | 2,3А | 0,057Ом | 2 N-канала (двойной) | 259пФ при 10 В | 57 мОм при 2,3 А, 2,5 В | 750 мВ при 11 мкА | 2,3А Та | 1,7 НК при 2,5 В | Ворота логического уровня, привод 1,8 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BSL306NH6327XTSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, OptiMOS™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/infineontechnologies-bsl306nh6327xtsa1-datasheets-1219.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 2,9 мм | 1 мм | 1,6 мм | Без свинца | 12 недель | 6 | да | EAR99 | Без галогенов | 500мВт | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 4,4 нс | 2,3 нс | 1,4 нс | 8,3 нс | 2,3А | 20 В | 30 В | 500мВт | 2 N-канала (двойной) | 275пФ при 15В | 57 мОм при 2,3 А, 10 В | 2 В при 11 мкА | 1,6 НК при 5 В | Ворота логического уровня, привод 4,5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DF23MR12W1M1B11BOMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolSiC™+ | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Поднос | Непригодный | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/infineontechnologies-df23mr12w1m1b11boma1-datasheets-1257.pdf | Модуль | Модуль | 1200В 1,2кВ | 20мВт | 45мОм | 2 N-канала (двойной) | 2000пФ при 800В | 45 мОм при 25 А, 15 В | 5,5 В @ 10 мА | 25А | 620 НК при 15 В | Карбид кремния (SiC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMN3012LFG-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/diodesincorporated-dmn3012lfg13-datasheets-1260.pdf | 8-PowerLDFN | 21 неделя | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 30 В | 2,2 Вт | 2 N-канала (двойной) | 850пФ при 15В 1480пФ при 15В | 12 мОм при 15 А, 5 В, 6 м Ом при 15 А, 5 В | 2,1 В при 250 мкА, 1,15 В при 250 мкА | 20А Ц | 6,1 нк при 4,5 В, 12,6 нк при 4,5 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDPC1002S | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Непригодный | 150°С | -55°С | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-fdpc1002s-datasheets-1262.pdf | 8 | 207,716956мг | EAR99 | ДА | 2 Вт | НЕТ ЛИДЕСА | 2 | Двойной | 2 | С-ПДСО-Н8 | 13 нс | 5нс | 4 нс | 38 нс | 12А | 12 В | ИСТОЧНИК | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 25В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 13А | 40А | 7,3 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EFC6618R-A-TF | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1539DDL-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | /files/vishaysiliconix-si1539ddlt1ge3-datasheets-1271.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 6 | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-ПДСО-Г6 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 30 В | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 340мВт | 0,7 А | 0,388Ом | 888 пФ | N и P-канал | 28пФ при 15В 21пФ при 15В | 388 мОм при 600 мА, 10 В, 1,07 Ом при 400 мА, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА, 3 В @ 250 мкА | 700 мА Тс 460 мА Тс | 1,1 нк при 4,5 В, 1,2 нк при 4,5 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDG6301N-F085P | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-fdg6301nf085p-datasheets-1273.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 6 | 36 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-ПДСО-Г6 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | 25В | 25В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 300мВт | 0,22 А | 4Ом | 2 N-канала (двойной) | 9,5 пФ при 10 В | 4 Ом при 220 мА, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 220 мА Та | 0,4 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня |
