Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактВыпрямительная диодная матрица (12345)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Тип монтажа | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Количество окончаний | ECCN-код | Дополнительная функция | Код HTS | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Рабочая температура (макс.) | Количество элементов | Подкатегория | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Приложение | Скорость | Материал диодного элемента | Rep Pk Обратное напряжение-Макс. | Обратный ток-Макс. | Код JEDEC-95 | Обратное время восстановления | Тип диода | Неповторяющийся Pk Прямой ток-макс. | Количество фаз | Выходной ток-Макс. | Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Ток – средний выпрямленный (Io) | Рабочая температура - соединение | Конфигурация диода |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MBR1560CTHC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-mbr15100ctc0g-datasheets-4609.pdf | ТО-220-3 | ТО-220АБ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 60В | 300 мкА при 60 В | 750 мВ при 7,5 А | 15А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||
| MBRS2045CT МНГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-mbrs2045cthmng-datasheets-4881.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | ТО-263АБ (Д2ПАК) | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 45В | 100 мкА при 45 В | 840 мВ при 20 А | 20А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||
| MBR15100CTHC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-mbr15100ctc0g-datasheets-4609.pdf | ТО-220-3 | ТО-220АБ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 100 В | 100 мкА при 100 В | 920 мВ при 7,5 А | 15А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||
| ГЕРФ1603G C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-herf1605gc0g-datasheets-1500.pdf | ТО-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | ИТО-220АБ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 50 нс | Стандартный | 200В | 10 мкА при 200 В | 1 В при 8 А | 16А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||
| МБР10Л100КТ C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-mbr10l100ctc0g-datasheets-4445.pdf | ТО-220-3 | ТО-220АБ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 100 В | 20 мкА при 100 В | 850 мВ при 10 А | 10А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||
| MBR1550CTHC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-mbr15100ctc0g-datasheets-4609.pdf | ТО-220-3 | ТО-220АБ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 50В | 300 мкА при 50 В | 750 мВ при 7,5 А | 15А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||
| GP1004HC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-gp1004c0g-datasheets-4568.pdf | ТО-220-3 | ТО-220АБ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | Стандартный | 400В | 5 мкА при 400 В | 1,1 В при 5 А | 10А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||
| HERF1006G C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-herf1005gc0g-datasheets-4431.pdf | ТО-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | ИТО-220АБ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 80нс | Стандартный | 600В | 10 мкА при 600 В | 1,7 В при 10 А | 10А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||
| HERF1606G C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-herf1605gc0g-datasheets-1500.pdf | ТО-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | ИТО-220АБ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 80нс | Стандартный | 600В | 10 мкА при 600 В | 1,7 В при 8 А | 16А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||
| GP1603HC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-gp1603c0g-datasheets-4526.pdf | ТО-220-3 | ТО-220АБ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | Стандартный | 200В | 10 мкА при 200 В | 1,1 В при 8 А | 16А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||
| MBR10L100CTHC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-mbr10l100ctc0g-datasheets-4445.pdf | ТО-220-3 | ТО-220АБ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 100 В | 20 мкА при 100 В | 850 мВ при 10 А | 10А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||
| MBRS1535CT МНГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-mbrs1545cthmng-datasheets-4812.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | ТО-263АБ (Д2ПАК) | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 35В | 100 мкА при 35 В | 840 мВ при 15 А | 15А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||
| MBR1050CTHC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-mbr10h150ctc0g-datasheets-0143.pdf | ТО-220-3 | ТО-220АБ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 50В | 100 мкА при 50 В | 900 мВ при 10 А | 10А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||
| HER1607PT C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-her1603ptc0g-datasheets-3370.pdf | ТО-247-3 | ТО-247АД (ТО-3П) | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 80нс | Стандартный | 800В | 10 мкА при 800 В | 1,7 В при 8 А | 16А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||
| MBR1535CT C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-mbr15100ctc0g-datasheets-4609.pdf | ТО-220-3 | ТО-220АБ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 35В | 500 мкА при 35 В | 840 мВ при 15 А | 15А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||
| HER1606G C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-her1604gc0g-datasheets-4466.pdf | ТО-220-3 | ТО-220АБ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 80нс | Стандартный | 600В | 10 мкА при 600 В | 1,7 В при 8 А | 16А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||
| HERF1003G C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-herf1005gc0g-datasheets-4431.pdf | ТО-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | ИТО-220АБ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 50 нс | Стандартный | 200В | 10 мкА при 200 В | 1 В при 10 А | 10А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||
| HER1001G C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-her1004gc0g-datasheets-4400.pdf | ТО-220-3 | ТО-220АБ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 50 нс | Стандартный | 50В | 10 мкА при 50 В | 1 В при 5 А | 10А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||
| МБР1060CT C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-mbr10h150ctc0g-datasheets-0143.pdf | ТО-220-3 | ТО-220АБ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 60В | 100 мкА при 60 В | 900 мВ при 10 А | 10А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||||
| GP1604HC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-gp1603c0g-datasheets-4526.pdf | ТО-220-3 | ТО-220АБ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | Стандартный | 400В | 10 мкА при 400 В | 1,1 В при 8 А | 16А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||
| MBR10150CTHC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-mbr10h150ctc0g-datasheets-0143.pdf | ТО-220-3 | ТО-220АБ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 150 В | 100 мкА при 150 В | 900 мВ при 10 А | 10А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||
| HERF1002G C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-herf1005gc0g-datasheets-4431.pdf | ТО-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | ИТО-220АБ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 50 нс | Стандартный | 100 В | 10 мкА при 100 В | 1 В при 10 А | 10А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||
| HERF1607G C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-herf1605gc0g-datasheets-1500.pdf | ТО-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | ИТО-220АБ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 80нс | Стандартный | 800В | 10 мкА при 800 В | 1,7 В при 8 А | 16А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||
| HER3001PT C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | ТО-247-3 | ТО-247АД (ТО-3П) | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 50 нс | Стандартный | 50В | 10 мкА при 50 В | 1 В при 15 А | 30А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||
| MBR1535CTHC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-mbr15100ctc0g-datasheets-4609.pdf | ТО-220-3 | ТО-220АБ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 35В | 500 мкА при 35 В | 840 мВ при 15 А | 15А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||
| GP1606HC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-gp1603c0g-datasheets-4526.pdf | ТО-220-3 | ТО-220АБ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | Стандартный | 800В | 10 мкА при 800 В | 1,1 В при 8 А | 16А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||
| HER1003G C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-her1004gc0g-datasheets-4400.pdf | ТО-220-3 | ТО-220АБ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 50 нс | Стандартный | 200В | 10 мкА при 200 В | 1 В при 5 А | 10А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||
| HER1607G C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-her1604gc0g-datasheets-4466.pdf | ТО-220-3 | ТО-220АБ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 80нс | Стандартный | 800В | 10 мкА при 800 В | 1,7 В при 8 А | 16А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||
| MBRS1090CT МНГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-mbrs1035ctmng-datasheets-4451.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | ТО-263АБ (Д2ПАК) | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 90В | 100 мкА при 90 В | 950 мВ при 10 А | 10А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||
| МБР1090CT C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-mbr10h150ctc0g-datasheets-0143.pdf | ТО-220-3 | 3 | EAR99 | НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЖНОСТИ | 8541.10.00.80 | НЕТ | ОДИНОКИЙ | 150°С | 2 | Выпрямительные диоды | Р-ПСФМ-Т3 | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 90В | 100 мкА | ТО-220АБ | Шоттки | 120А | 1 | 5А | 90В | 100 мкА при 90 В | 950 мВ при 10 А | 10А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом |
