| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Тип монтажа | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Поставщик пакета оборудования | Скорость | Обратное время восстановления | Тип диода | Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Ток – средний выпрямленный (Io) | Рабочая температура - соединение | Конфигурация диода |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| HER1605PT C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-her1603ptc0g-datasheets-3370.pdf | ТО-247-3 | ТО-247АД (ТО-3П) | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 50 нс | Стандартный | 400В | 10 мкА при 400 В | 1,3 В при 8 А | 16А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||
| HERF1001G C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-herf1005gc0g-datasheets-4431.pdf | ТО-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | ИТО-220АБ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 50 нс | Стандартный | 50В | 10 мкА при 50 В | 1 В при 10 А | 10А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||
| ГП1605 К0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-gp1603c0g-datasheets-4526.pdf | ТО-220-3 | ТО-220АБ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | Стандартный | 10 мкА при 1000 В | 1,1 В при 8 А | 16А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||||
| HER1605G C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-her1604gc0g-datasheets-4466.pdf | ТО-220-3 | ТО-220АБ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 50 нс | Стандартный | 400В | 10 мкА при 400 В | 1,3 В при 8 А | 16А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||
| ГП2Д060А120У | ПолуQ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Усилитель+™ | Сквозное отверстие | Трубка | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/semiq-gp2d060a120u-datasheets-4388.pdf | ТО-247-3 | ТО-247-3 | Нет времени восстановления > 500 мА (Io) | Карбид кремния Шоттки | 1200В | 500 мкА при 1200 В | 1,8 В при 30 А | 94А постоянного тока | -55°К~175°К | 1 пара с общим катодом | ||||||
| HER1002G C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-her1004gc0g-datasheets-4400.pdf | ТО-220-3 | ТО-220АБ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 50 нс | Стандартный | 100 В | 10 мкА при 100 В | 1 В при 5 А | 10А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||
| HER1607PT C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-her1603ptc0g-datasheets-3370.pdf | ТО-247-3 | ТО-247АД (ТО-3П) | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 80нс | Стандартный | 800В | 10 мкА при 800 В | 1,7 В при 8 А | 16А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||
| MBR1535CT C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-mbr15100ctc0g-datasheets-4609.pdf | ТО-220-3 | ТО-220АБ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 35В | 500 мкА при 35 В | 840 мВ при 15 А | 15А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | |||||
| ГП1005 C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-gp1004c0g-datasheets-4568.pdf | ТО-220-3 | ТО-220АБ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | Стандартный | 600В | 2 мкА при 600 В | 1,1 В при 5 А | 10А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | |||||
| ГП1606 К0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-gp1603c0g-datasheets-4526.pdf | ТО-220-3 | ТО-220АБ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | Стандартный | 800В | 10 мкА при 800 В | 1,1 В при 8 А | 16А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | |||||
| ГП1006 C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-gp1004c0g-datasheets-4568.pdf | ТО-220-3 | ТО-220АБ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | Стандартный | 800В | 2 мкА при 800 В | 1,1 В при 5 А | 10А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | |||||
| GP1607HC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-gp1603c0g-datasheets-4526.pdf | ТО-220-3 | ТО-220АБ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | Стандартный | 10 мкА при 1000 В | 1,1 В при 8 А | 16А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | |||||
| SRS1650HMNG | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-srs1620hmng-datasheets-4222.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | ТО-263АБ (Д2ПАК) | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 50В | 500 мкА при 50 В | 700 мВ при 8 А | 16А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | |||||
| СРС20150ХМНГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-srs2030hmng-datasheets-4236.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | ТО-263АБ (Д2ПАК) | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Стандартный | 150 В | 100 мкА при 150 В | 550 мВ при 10 А | 20А | -55°К~125°К | 1 пара с общим катодом | |||||
| БАС40-06Т-7-Ф-36 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СОТ-523 | СОТ-523 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 5нс | Шоттки | 40В | 200 нА при 30 В | 1 В при 40 мА | 200 мА постоянного тока | -55°К~125°К | 1 пара последовательного подключения | |||||||
| СРС2060ХМНГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-srs2030hmng-datasheets-4236.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | ТО-263АБ (Д2ПАК) | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Стандартный | 60В | 500 мкА при 60 В | 700 мВ при 10 А | 20А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | |||||
| ГП1601 C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-gp1603c0g-datasheets-4526.pdf | ТО-220-3 | ТО-220АБ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | Стандартный | 50В | 10 мкА при 50 В | 1,1 В при 8 А | 16А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | |||||
| HER1602G C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-her1604gc0g-datasheets-4466.pdf | ТО-220-3 | ТО-220АБ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 50 нс | Стандартный | 100 В | 10 мкА при 100 В | 1 В при 8 А | 16А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||
| HER1602PT C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-her1603ptc0g-datasheets-3370.pdf | ТО-247-3 | ТО-247АД (ТО-3П) | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 50 нс | Стандартный | 100 В | 10 мкА при 100 В | 1 В при 8 А | 16А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||
| SRS1690HMNG | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-srs1620hmng-datasheets-4222.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | ТО-263АБ (Д2ПАК) | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 90В | 100 мкА при 90 В | 900 мВ при 8 А | 16А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | |||||
| HER3002PT C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | ТО-247-3 | ТО-247АД (ТО-3П) | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 50 нс | Стандартный | 100 В | 10 мкА при 100 В | 1 В при 15 А | 30А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | |||||
| GP1005HC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-gp1004c0g-datasheets-4568.pdf | ТО-220-3 | ТО-220АБ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | Стандартный | 600В | 5 мкА при 600 В | 1,1 В при 5 А | 10А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||
| HER1601PT C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-her1603ptc0g-datasheets-3370.pdf | ТО-247-3 | ТО-247АД (ТО-3П) | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 50 нс | Стандартный | 50В | 10 мкА при 50 В | 1 В при 8 А | 16А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||
| СРС2040 МНГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-srs2030hmng-datasheets-4236.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | ТО-263АБ (Д2ПАК) | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Стандартный | 40В | 500 мкА при 40 В | 550 мВ при 10 А | 20А | -55°К~125°К | 1 пара с общим катодом | ||||||
| ГП1602 К0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-gp1603c0g-datasheets-4526.pdf | ТО-220-3 | ТО-220АБ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | Стандартный | 100 В | 10 мкА при 100 В | 1,1 В при 8 А | 16А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | |||||
| GP1601HC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-gp1603c0g-datasheets-4526.pdf | ТО-220-3 | ТО-220АБ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | Стандартный | 50В | 10 мкА при 50 В | 1,1 В при 8 А | 16А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||
| GP1006HC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-gp1004c0g-datasheets-4568.pdf | ТО-220-3 | ТО-220АБ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | Стандартный | 800В | 5 мкА при 800 В | 1,1 В при 5 А | 10А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||
| GP1007HC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-gp1004c0g-datasheets-4568.pdf | ТО-220-3 | ТО-220АБ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | Стандартный | 5 мкА при 1000 В | 1,1 В при 5 А | 10А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | |||||
| GP1605HC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-gp1603c0g-datasheets-4526.pdf | ТО-220-3 | ТО-220АБ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | Стандартный | 600В | 10 мкА при 600 В | 1,1 В при 8 А | 16А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||
| ГП1003 C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-gp1004c0g-datasheets-4568.pdf | ТО-220-3 | ТО-220АБ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | Стандартный | 200В | 2 мкА при 200 В | 1,1 В при 5 А | 10А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.