| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Эмкость | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Достичь соответствия кода | Код HTS | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Рабочая температура (макс.) | Рабочая температура (мин) | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Прямой ток | Прямое напряжение | Максимальный импульсный ток | Максимальный обратный ток утечки | Соединение корпуса | Приложение | Скорость | Материал диодного элемента | Максимальный прямой импульсный ток (Ifsm) | Пиковый обратный ток | Максимальное повторяющееся обратное напряжение (Vrrm) | Пиковый неповторяющийся импульсный ток | Обратное напряжение | Обратное время восстановления | Время восстановления | Тип диода | Макс. обратное напряжение (постоянный ток) | Средний выпрямленный ток | Неповторяющийся Pk Прямой ток-макс. | Количество фаз | Выходной ток-Макс. | Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Ток – средний выпрямленный (Io) | Рабочая температура - соединение | Конфигурация диода |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ВСКДЖ320-20 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vskc25008-datasheets-8894.pdf | 3-МАГН-А-ПАК™ | КДЖ320 | Общий анод | МАГН-А-ПАК® | 10,58 кА | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 50 мА | 2кВ | Стандартный | 2кВ | 320А | 2000В | 50 при мА 2000 В | 320А | 1 пара общего анода | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 25CTQ040 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-25ctq045-datasheets-8897.pdf | ТО-220-3 | Без свинца | 3 | Общий катод | ТО-220АБ | 990А | 1,75 мА | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 40В | 15А | 40В | 1,75 мА при 40 В | 560 мВ при 15 А | 15А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 12CTQ040 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-12ctq040-datasheets-9052.pdf | 40В | 12А | ТО-220-3 | 400пФ | Содержит свинец | 3 | Общий катод | ТО-220АБ | 730 мВ | 690А | 800 мкА | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 690А | Шоттки | 40В | 6А | 40В | 800 мкА при 40 В | 600 мВ при 6 А | 6А | -55°К~175°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 151CMQ040 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Радиальное, сквозное отверстие | Крепление на шасси | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-151cmq035-datasheets-9005.pdf | 40В | 150А | ТО-249АА (Модифицированный), Д-60 | Без свинца | 9 | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | неизвестный | 8541.10.00.80 | ОДИНОКИЙ | 9 | 175°С | Общий катод | 2 | Не квалифицированный | Р-ПСФМ-Т9 | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | Шоттки | 40В | 150А | 9200А | 1 | 5 при мА 40 В | 920 мВ при 150 А | -55°К~175°К | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| HFA140MD60D | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ГЕКСФРЕД® | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 1999 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-hfa140md60d-datasheets-9059.pdf | 600В | 140А | ТО-244АБ | Без свинца | 3 | нет | неизвестный | 8541.10.00.80 | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | НЕ УКАЗАН | ХФА140 | 150°С | -55°С | НЕ УКАЗАН | 2 | Не квалифицированный | Р-ПУФМ-Х3 | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 140 нс | Стандартный | 600В | 99А | 1 | 15 мкА при 600 В | 1,7 В при 70 А | 99А постоянного тока | 1 пара последовательного подключения | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 30CTQ040 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-30ctq035-datasheets-8698.pdf | ТО-220-3 | 3 | Общий катод | ТО-220АБ | 1,06 кА | 2мА | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 40В | 15А | 40В | 2 при мА 40 В | 620 мВ при 15 А | 15А | -55°К~175°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 153CNQ100 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Радиальное, сквозное отверстие | Крепление на шасси | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 1997 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-153cnq100-datasheets-9064.pdf | 100В | 150А | ТО-249АА (Модифицированный), Д-60 | Без свинца | Общий катод | Д-60 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 100В | 150А | 100В | 1,5 мА при 100 В | 1,19 В при 150 А | 150А | -55°К~175°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 203DMQ100 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-203dmq100-datasheets-9066.pdf | 100В | 200А | ТО-244АБ | Без свинца | 3 | ТО-244АБ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 100В | 200А | 100В | 3 при мА 100 В | 1,03 В при 200 А | 200А | -55°К~175°К | 1 пара последовательного подключения | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 203CMQ080 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-203cmq080-datasheets-9067.pdf | ТО-244АБ | Без свинца | 3 | 3 | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | неизвестный | 8541.10.00.80 | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 3 | 175°С | Общий катод | 2 | Не квалифицированный | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | Шоттки | 80В | 100А | 16000А | 1 | 3 при мА 80 В | 860 мВ при 100 А | -55°К~175°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 201CMQ045 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-201cmq045-datasheets-9068.pdf | ТО-244АБ | Без свинца | 3 | Общий катод | ТО-244АБ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 45В | 100А | 45В | 10 при мА 45 В | 670 мВ при 100 А | 100А | -55°К~175°К | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 20CTQ035 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-20ctq045-datasheets-8585.pdf | 35В | 20А | ТО-220-3 | 900пФ | Содержит свинец | 3 | 20CTQ035 | Общий катод | ТО-220АБ | 1,06 кА | 2мА | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 35В | 10А | 35В | 2 при мА 35 В | 640 мВ при 10 А | 10А | -55°К~175°К | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 15CTQ045 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-15ctq045-datasheets-9073.pdf | 45В | 15А | ТО-220-3 | 400пФ | Содержит свинец | 3 | 15CTQ045 | Общий катод | ТО-220АБ | 550 мВ | 810А | 800 мкА | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 45В | 7,5 А | 45В | 800 мкА при 45 В | 550 мВ при 7,5 А | 7,5 А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HFA200MD40C | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ГЕКСФРЕД® | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 1999 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-hfa200md40c-datasheets-9040.pdf | 400В | 200А | ТО-244АБ | Без свинца | 3 | 3 | нет | неизвестный | 8541.10.00.80 | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | НЕ УКАЗАН | 150°С | -55°С | Общий катод | НЕ УКАЗАН | 2 | Не квалифицированный | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 120 нс | Стандартный | 400В | 172А | 1 | 12 мкА при 400 В | 1,2 В при 100 А | 172А постоянного тока | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||||||||||
| MURD620CT | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Трубка | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-murd620ct-datasheets-9077.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 3 | MURD620CT | Общий катод | Д-Пак | 1,2 В | 50А | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 50А | 5 мкА | 50А | 200В | 35 нс | 35 нс | Стандартный | 200В | 6А | 200В | 5 мкА при 200 В | 1,2 В при 6 А | 6А | -65°К~175°К | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 20CJQ100 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Трубка | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-20cjq100-datasheets-9041.pdf | ТО-261-4, ТО-261АА | 4 | 4 | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД | неизвестный | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | Общий катод | НЕ УКАЗАН | 2 | Выпрямительные диоды | Не квалифицированный | 890мВ | 380А | 100 мкА | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 380А | Шоттки | 100В | 1А | 1 | 2А | 100 мкА при 1000 В | 790 мВ при 1 А | -55°К~175°К | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||||||||
| 201CNQ045 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-201cnq045-datasheets-9079.pdf | ТО-244АБ | 3 | 201CNQ* | Общий катод | ТО-244АБ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 45В | 200А | 45В | 10 при мА 45 В | 670 мВ при 100 А | 200А | -55°К~175°К | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 150CMQ045 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Радиальное, сквозное отверстие | Крепление на шасси | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 1997 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-150cmq040-datasheets-9013.pdf | ТО-249АА (Модифицированный), Д-60 | Общий катод | Д-60 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 45В | 150А | 45В | 5 при мА 45 В | 870 мВ при 150 А | 150А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HFA60MB60C | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ГЕКСФРЕД® | Радиальное, сквозное отверстие | Крепление на шасси | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 1999 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-hfa60mb60c-datasheets-9080.pdf | ТО-249АА (Модифицированный), Д-60 | 9 | нет | неизвестный | 8541.10.00.80 | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 150°С | Общий катод | НЕ УКАЗАН | 2 | Не квалифицированный | Р-ПСФМ-Т9 | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 100 нс | Стандартный | 600В | 50А | 1 | 60А | 10 мкА при 600 В | 1,5 В при 30 А | 50 А постоянного тока | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВСКД600-16 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vskd60020-datasheets-8943.pdf | 3-МАГН-А-ПАК™ | 3 | КД600 | МАГН-А-ПАК® | 20,1 кА | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 50 мА | 1,6 кВ | Стандартный | 1,6 кВ | 600А | 1600В | 50 при мА 1600 В | 1,24 В при 1800 А | 600А | 1 пара последовательного подключения | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 20CTQ045S | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Трубка | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-20ctq035s-datasheets-9015.pdf | 45В | 20А | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 900пФ | 10,67 мм | 4,83 мм | 9,65 мм | Содержит свинец | 2 | 3 | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | неизвестный | 8541.10.00.80 | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 225 | 3 | Общий катод | НЕ УКАЗАН | 2 | Выпрямительные диоды | Не квалифицированный | Р-ПССО-Г2 | 20А | 1,06 кА | 2мА | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 1,06 кА | 2мА | 45В | Шоттки | 45В | 10А | 1 | 2 при мА 45 В | 640 мВ при 10 А | -55°К~175°К | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||
| 12CTQ045S | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Трубка | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-12ctq035s-datasheets-8998.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 2 | 3 | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | неизвестный | 8541.10.00.80 | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 12CTQ045 | 3 | Общий катод | НЕ УКАЗАН | 2 | Выпрямительные диоды | Не квалифицированный | Р-ПССО-Г2 | 690А | 800 мкА | ВЫСОКАЯ МОЩНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | Шоттки | 45В | 15А | 1 | 6А | 1,75 мА при 45 В | 560 мВ при 15 А | -55°К~175°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||||||||
| HFA16PA120C | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ГЕКСФРЕД® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | 1,2 кВ | 16А | ТО-247-3 | 20пФ | Содержит свинец | 3 | Общий катод | ТО-247АС | 3,4 В | 130А | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 10 мкА | 130А | 1,2 кВ | 95 нс | 95 нс | Стандартный | 1,2 кВ | 8А | 1200В | 10 мкА при 1200 В | 3,3 В при 8 А | 8А постоянного тока | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HFA160MD40C | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ГЕКСФРЕД® | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 1999 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-hfa160md40c-datasheets-9023.pdf | 400В | 160А | ТО-244АБ | Без свинца | 3 | нет | неизвестный | 8541.10.00.80 | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | НЕ УКАЗАН | HFA160 | 150°С | -55°С | Общий катод | НЕ УКАЗАН | 2 | Не квалифицированный | Р-ПУФМ-Х3 | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 110 нс | Стандартный | 400В | 142А | 1 | 9 мкА при 400 В | 1,2 В при 80 А | 142А постоянного тока | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||||||||
| HFA75MC40C | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ГЕКСФРЕД® | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 1997 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-hfa75mc40c-datasheets-9024.pdf | ТО-249АА | 3 | 3 | нет | неизвестный | 8541.10.00.80 | ОДИНОКИЙ | НАКОНЕЧНИК ДЛЯ ПАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 150°С | -55°С | Общий катод | НЕ УКАЗАН | 2 | Не квалифицированный | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 100 нс | Стандартный | 400В | 75А | 1 | 3 мкА при 400 В | 1,5 В при 75 А | 75А постоянного тока | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| 6CWQ03FN | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -40°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-6cwq03fn-datasheets-9025.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 3 | 6CWQ03 | Общий катод | Д-Пак | 520 мВ | 535А | 2мА | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 535А | Шоттки | 30 В | 3,5 А | 30 В | 2 при мА 30 В | 450 мВ при 3 А | 3,5 А | -40°К~150°К | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 30CTQ050 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-30ctq060s-datasheets-8640.pdf | ТО-220-3 | Без свинца | Общий катод | ТО-220АБ | 1кА | 800 мкА | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 50В | 15А | 50В | 800 мкА при 50 В | 620 мВ при 15 А | 15А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HFA140NJ60C | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ГЕКСФРЕД® | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 1999 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-hfa140nj60c-datasheets-9032.pdf | 600В | 140А | Изолированная вкладка ТО-244АБ | 250пФ | Содержит свинец | ХФА140 | Общий катод | ТО-244АБ (изолированный) | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 120 нс | Стандартный | 600В | 126А | 600В | 20 мкА при 600 В | 1,5 В при 70 А | 126А постоянного тока | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВСКК270-12 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vskc25008-datasheets-8894.pdf | 3-МАГН-А-ПАК™ | Общий катод | МАГН-А-ПАК® | 9,34 кА | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 50 мА | 1,2 кВ | Стандартный | 1,2 кВ | 270А | 1200В | 50 при мА 1200 В | 270А | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HFA280NJ60C | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ГЕКСФРЕД® | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 1999 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-hfa280nj60c-datasheets-9004.pdf | 600В | 280А | ТО-244АБ | Без свинца | Общий катод | ТО-244АБ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 140 нс | Стандартный | 600В | 222А | 600В | 40 мкА при 600 В | 1,6 В при 140 А | 222А постоянного тока | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HFA320NJ40D | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ГЕКСФРЕД® | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 1999 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-hfa320nj40d-datasheets-9034.pdf | 400В | 320А | Изолированная вкладка ТО-244АБ | Без свинца | ТО-244АБ (изолированный) | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 140 нс | Стандартный | 400В | 321А | 400В | 12 мкА при 400 В | 1,55 В при 320 А | 321А постоянного тока | 1 пара последовательного подключения |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.