Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактВыпрямительная диодная матрица (12345)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Эмкость | Без свинца | Количество окончаний | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Достичь соответствия кода | Код HTS | Терминальные отделки | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Рабочая температура (макс.) | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Прямое напряжение | Среднеквадратичный ток (Irms) | Максимальный импульсный ток | Соединение корпуса | Приложение | Скорость | Материал диодного элемента | Максимальный прямой импульсный ток (Ifsm) | Пиковый обратный ток | Пиковый неповторяющийся импульсный ток | Обратное напряжение | Код JEDEC-95 | Прямое напряжение-Макс. | Обратное время восстановления | Время восстановления | Тип диода | Макс. обратное напряжение (постоянный ток) | Средний выпрямленный ток | Неповторяющийся Pk Прямой ток-макс. | Количество фаз | Выходной ток-Макс. | Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Ток – средний выпрямленный (Io) | Рабочая температура - соединение | Конфигурация диода |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ВСКД320-16 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vskc25008-datasheets-8894.pdf | 3-МАГН-А-ПАК™ | 3 | КД320 | МАГН-А-ПАК® | 1,28 В | 10,58 кА | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 50 мА | 10,58 кА | 1,6 кВ | Стандартный | 1,6 кВ | 320А | 1600В | 50 при мА 1600 В | 320А | 1 пара последовательного подключения | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HFA180MD60C | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 1999 год | 600В | 180А | ТО-244АБ | Без свинца | 3 | нет | EAR99 | неизвестный | 8541.10.00.80 | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | НЕ УКАЗАН | Общий катод | НЕ УКАЗАН | 2 | Не квалифицированный | Р-ПУФМ-Х3 | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 140 нс | Стандартный | 600В | 1 | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВСКДЖ320-16 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vskc25008-datasheets-8894.pdf | 3-МАГН-А-ПАК™ | КДЖ320 | Общий анод | МАГН-А-ПАК® | 10,58 кА | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 50 мА | 1,6 кВ | Стандартный | 1,6 кВ | 320А | 1600В | 50 при мА 1600 В | 320А | 1 пара общего анода | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HFA160NJ40C | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ГЕКСФРЕД® | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 1999 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-hfa160nj40c-datasheets-8971.pdf | 400В | 160А | Изолированная вкладка ТО-244АБ | Без свинца | HFA160 | Общий катод | ТО-244АБ (изолированный) | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 140 нс | Стандартный | 400В | 170А | 400В | 6 мкА при 400 В | 1,3 В при 80 А | 170 А постоянного тока | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВСКДЖ320-08 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vskc25008-datasheets-8894.pdf | 3-МАГН-А-ПАК™ | КДЖ320 | Общий анод | МАГН-А-ПАК® | 10,58 кА | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 50 мА | 800В | Стандартный | 800В | 320А | 800В | 50 при мА 800 В | 320А | 1 пара общего анода | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRKJ71/04A | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-irkc5610a-datasheets-8789.pdf | АДД-А-ПАК (3) | 3 | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | неизвестный | 8541.10.00.80 | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 225 | 3 | 150°С | Общий анод | НЕ УКАЗАН | 2 | Выпрямительные диоды | Не квалифицированный | Р-XUFM-X3 | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ВЫСОКОЕ НАПРЯЖЕНИЕ МОЩНОСТИ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 1,5 В | Стандартный | 400В | 80А | 1870А | 1 | 10 при мА 400 В | 1 пара общего анода | ||||||||||||||||||||||||||||||
| HFA16PA60C | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ГЕКСФРЕД® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-hfa16pa60c-datasheets-8954.pdf | 600В | 16А | ТО-247-3 | 25пФ | Содержит свинец | 3 | Общий катод | ТО-247АС | 60А | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 5 мкА | 600В | 55 нс | 55 нс | Стандартный | 600В | 8А | 600В | 5 мкА при 600 В | 1,7 В при 8 А | 8А постоянного тока | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRKJ91/14А | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-irkj9112a-datasheets-8479.pdf | АДД-А-ПАК (2) | 3 | УЛ ПРИЗНАЛ | неизвестный | 8541.10.00.80 | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 3 | 150°С | Общий анод | 2 | Выпрямительные диоды | Не квалифицированный | Р-XUFM-X3 | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ВЫСОКОЕ НАПРЯЖЕНИЕ МОЩНОСТИ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | ТО-240АА | 1,45 В | Стандартный | 1,4 кВ | 100А | 2110А | 1 | 1400В | 10 при мА 1400 В | 1 пара общего анода | |||||||||||||||||||||||||||||||
| HFA70NC60CSL | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ГЕКСФРЕД® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 1999 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-hfa70nc60csl-datasheets-8956.pdf | Д-61-8-СЛ | 2 | нет | неизвестный | 8541.10.00.80 | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | HFA70NC60C | 150°С | Общий катод | НЕ УКАЗАН | 2 | Не квалифицированный | Р-ПССО-Г2 | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 110 нс | Стандартный | 600В | 56А | 1 | 70А | 10 мкА при 600 В | 1,5 В при 35 А | 56А постоянного тока | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||||||||
| IRKJ91/16А | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-irkj9112a-datasheets-8479.pdf | АДД-А-ПАК (2) | 3 | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | неизвестный | 8541.10.00.80 | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 3 | 150°С | Общий анод | 2 | Выпрямительные диоды | Не квалифицированный | Р-XUFM-X3 | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ВЫСОКОЕ НАПРЯЖЕНИЕ МОЩНОСТИ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | ТО-240АА | 1,45 В | Стандартный | 1,6 кВ | 100А | 2110А | 1 | 1600В | 10 при мА 1600 В | 1 пара общего анода | ||||||||||||||||||||||||||||||
| HFA70NC60C | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ГЕКСФРЕД® | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 1999 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-hfa70nc60c-datasheets-8958.pdf | 600В | 70А | Д-61-8 | 100пФ | Содержит свинец | 3 | 3 | нет | неизвестный | 8541.10.00.80 | ОДИНОКИЙ | ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ | НЕ УКАЗАН | HFA70NC60C | 150°С | Общий катод | НЕ УКАЗАН | 2 | Не квалифицированный | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 110 нс | Стандартный | 600В | 56А | 1 | 10 мкА при 600 В | 1,5 В при 35 А | 56А постоянного тока | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||||||
| ВСКДЛ240-06С10 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vskcl24010s10-datasheets-8775.pdf | 3-МАГН-А-ПАК™ | 3 | УЛ ПРИЗНАЛ | неизвестный | 8541.10.00.80 | Никель (Ni) | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | НЕ УКАЗАН | КДЛ240 | 3 | НЕ УКАЗАН | 2 | Выпрямительные диоды | Не квалифицированный | Р-XUFM-X3 | 8,4 кА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | БЫСТРОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ ВЫСОКАЯ МОЩНОСТЬ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 50 мА | 600В | 1 мкс | 1 мкс | Стандартный | 600В | 250А | 8400А | 1 | 50 при мА 600 В | 1,57 В при 800 А | 1 пара последовательного подключения | ||||||||||||||||||||||||
| МУР1620КТ | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ФРЕД Пт® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2003 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-mur1620ct-datasheets-8960.pdf | 200В | 16А | ТО-220-3 | Содержит свинец | 3 | МУР1620КТ | Общий катод | ТО-220АБ | 975мВ | 100А | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 100А | 5 мкА | 100А | 200В | 35 нс | 35 нс | Стандартный | 200В | 8А | 200В | 5 мкА при 200 В | 950 мВ при 8 А | 8А | -65°К~175°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||||||||||
| HFA80NC40C | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ГЕКСФРЕД® | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Не соответствует требованиям RoHS | 1999 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-hfa80nc40c-datasheets-8963.pdf | Д-61-8 | 3 | 3 | нет | неизвестный | 8541.10.00.80 | ОДИНОКИЙ | ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ | НЕ УКАЗАН | HFA80NC40C | Общий катод | НЕ УКАЗАН | 2 | Не квалифицированный | 1,5 В | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 300А | 100 нс | Стандартный | 400В | 85А | 1 | 80А | 3 мкА при 400 В | 1,5 В при 80 А | 85А постоянного тока | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||||||
| HFA120FA60 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ГЕКСФРЕД® | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-hfa120fa60-datasheets-8964.pdf | 600В | 60А | СОТ-227-4, миниБЛОК | 170пФ | Содержит свинец | 4 | СОТ-227 | 1,7 В | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 98 нс | Стандартный | 600В | 75А | 600В | 20 мкА при 600 В | 1,7 В при 60 А | 75А постоянного тока | 2 независимых | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВСКД320-08 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vskc25008-datasheets-8894.pdf | 3-МАГН-А-ПАК™ | КД320 | МАГН-А-ПАК® | 10,58 кА | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 50 мА | 800В | Стандартный | 800В | 320А | 800В | 50 при мА 800 В | 320А | 1 пара последовательного подключения | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВСКД600-12 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vskd60020-datasheets-8943.pdf | 3-МАГН-А-ПАК™ | Без свинца | 3 | КД600 | МАГН-А-ПАК® | 1,45 В | 942А | 20,1 кА | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 50 мА | 20,1 кА | 1,2 кВ | Стандартный | 1,2 кВ | 600А | 1200В | 50 при мА 1200 В | 1,24 В при 1800 А | 600А | 1 пара последовательного подключения | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИРКД91/16А | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-irkj9112a-datasheets-8479.pdf | 1,6 кВ | 100А | АДД-А-ПАК (3) | Содержит свинец | 3 | УЛ ПРИЗНАЛ | неизвестный | 8541.10.00.80 | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | КД91 | 3 | 150°С | 2 | Выпрямительные диоды | Не квалифицированный | Р-XUFM-X3 | 1,45 В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ВЫСОКОЕ НАПРЯЖЕНИЕ МОЩНОСТИ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | ТО-240АА | Стандартный | 1,6 кВ | 100А | 2110А | 1 | 1600В | 10 при мА 1600 В | 1 пара последовательного подключения | ||||||||||||||||||||||||||||
| ВСКДЖ250-08 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vskc25008-datasheets-8894.pdf | МАГН-А-ПАК | Общий анод | МАГН-А-ПАК® | 7345 кА | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 50 мА | 800В | Стандартный | 800В | 250А | 800В | 50 при мА 800 В | 250А | 1 пара общего анода | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВСКД320-12 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vskc25008-datasheets-8894.pdf | 3-МАГН-А-ПАК™ | 3 | КД320 | МАГН-А-ПАК® | 1,28 В | 10,58 кА | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 50 мА | 10,58 кА | 1,2 кВ | Стандартный | 1,2 кВ | 320А | 1200В | 50 при мА 1200 В | 320А | 1 пара последовательного подключения | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRKC166/16 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-irkc16604-datasheets-8851.pdf | ИНТ-А-ПАК (3) | Общий катод | Модуль | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | Стандартный | 1,6 кВ | 165А | 1600В | 20 при мА 1600 В | 165А | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВСКД250-08 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vskc25008-datasheets-8894.pdf | 3-МАГН-А-ПАК™ | КД250 | МАГН-А-ПАК® | 7345 кА | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 50 мА | 800В | Стандартный | 800В | 250А | 800В | 50 при мА 800 В | 250А | 1 пара последовательного подключения | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИРКД71/14А | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-irkc5610a-datasheets-8789.pdf | АДД-А-ПАК (3) | 3 | УЛ ПРИЗНАЛ | неизвестный | 8541.10.00.80 | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 225 | 3 | 150°С | НЕ УКАЗАН | 2 | Выпрямительные диоды | Не квалифицированный | Р-XUFM-X3 | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ВЫСОКОЕ НАПРЯЖЕНИЕ МОЩНОСТИ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 1,5 В | Стандартный | 1,4 кВ | 80А | 1870А | 1 | 1400В | 10 при мА 1400 В | 1 пара последовательного подключения | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ВСКДЖ250-16 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vskc25008-datasheets-8894.pdf | 3-МАГН-А-ПАК™ | Общий анод | МАГН-А-ПАК® | 7345 кА | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 50 мА | 1,6 кВ | Стандартный | 1,6 кВ | 250А | 1600В | 50 при мА 1600 В | 250А | 1 пара общего анода | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRKJ91/08A | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-irkj9112a-datasheets-8479.pdf | АДД-А-ПАК (3) | Общий анод | АДД-А-ПАК® | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | Стандартный | 800В | 100А | 800В | 10 при мА 800 В | 100А | 1 пара общего анода | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВСКД270-30 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vskc25008-datasheets-8894.pdf | 3-МАГН-А-ПАК™ | МАГН-А-ПАК® | 9,34 кА | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 50 мА | 3кВ | Стандартный | 3кВ | 270А | 3000В | 50 при мА 3000 В | 270А | 1 пара последовательного подключения | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВСКД250-16 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vskc25008-datasheets-8894.pdf | 3-МАГН-А-ПАК™ | КД250 | МАГН-А-ПАК® | 7345 кА | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 50 мА | 1,6 кВ | Стандартный | 1,6 кВ | 250А | 1600В | 50 при мА 1600 В | 250А | 1 пара последовательного подключения | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HFA08TA60CS | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ГЕКСФРЕД® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-hfa08ta60cs-datasheets-8940.pdf | 600В | 4А | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 8пФ | Содержит свинец | 3 | HFA08TA60C | Общий катод | Д2ПАК | 1,8 В | 25А | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 3 мкА | 600В | 42 нс | 42 нс | Стандартный | 600В | 4А | 600В | 3 мкА при 600 В | 1,8 В при 4 А | 4А постоянного тока | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ВСКК320-16 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-vskc25008-datasheets-8894.pdf | 3-МАГН-А-ПАК™ | КС320 | Общий катод | МАГН-А-ПАК® | 10,58 кА | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 50 мА | 1,6 кВ | Стандартный | 1,6 кВ | 320А | 1600В | 50 при мА 1600 В | 320А | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИРКД91/10А | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-irkj9112a-datasheets-8479.pdf | АДД-А-ПАК (3) | 3 | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | неизвестный | 8541.10.00.80 | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | КД91 | 3 | 150°С | 2 | Выпрямительные диоды | Не квалифицированный | Р-XUFM-X3 | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ВЫСОКОЕ НАПРЯЖЕНИЕ МОЩНОСТИ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | ТО-240АА | 1,45 В | Стандартный | 1кВ | 100А | 2110А | 1 | 1000В | 10 при мА 1000 В | 1 пара последовательного подключения |
