Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактВыпрямительная диодная матрица (12345)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Тип монтажа | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Эмкость | Без свинца | Количество окончаний | Количество контактов | ECCN-код | Дополнительная функция | Достичь соответствия кода | Код HTS | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Рабочая температура (макс.) | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Прямое напряжение | Максимальный импульсный ток | Максимальный обратный ток утечки | Соединение корпуса | Приложение | Скорость | Материал диодного элемента | Пиковый обратный ток | Пиковый неповторяющийся импульсный ток | Обратное напряжение | Код JEDEC-95 | Прямое напряжение-Макс. | Обратное время восстановления | Время восстановления | Тип диода | Макс. обратное напряжение (постоянный ток) | Средний выпрямленный ток | Неповторяющийся Pk Прямой ток-макс. | Количество фаз | Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Ток – средний выпрямленный (Io) | Рабочая температура - соединение | Конфигурация диода |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ВСКД600-20 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vskd60020-datasheets-8943.pdf | 3-МАГН-А-ПАК™ | 3 | КД600 | МАГН-А-ПАК® | 1,45 В | 20,1 кА | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 50 мА | 20,1 кА | 2кВ | Стандартный | 2кВ | 600А | 2000В | 50 при мА 2000 В | 1,24 В при 1800 А | 600А | 1 пара последовательного подключения | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВСКД600-08 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vskd60020-datasheets-8943.pdf | 3-МАГН-А-ПАК™ | КД600 | МАГН-А-ПАК® | 20,1 кА | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 50 мА | 800В | Стандартный | 800В | 600А | 800В | 50 при мА 800 В | 1,24 В при 1800 А | 600А | 1 пара последовательного подключения | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRKJ166/16 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-irkc16604-datasheets-8851.pdf | ИНТ-А-ПАК (3) | Общий анод | Модуль | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | Стандартный | 1,6 кВ | 165А | 1600В | 20 при мА 1600 В | 165А | 1 пара общего анода | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВСКДЖ270-12 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vskc25008-datasheets-8894.pdf | 3-МАГН-А-ПАК™ | Общий анод | МАГН-А-ПАК® | 9,34 кА | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 50 мА | 1,2 кВ | Стандартный | 1,2 кВ | 270А | 1200В | 50 при мА 1200 В | 270А | 1 пара общего анода | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВСКД320-04 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vskc25008-datasheets-8894.pdf | 3-МАГН-А-ПАК™ | 3 | КД320 | МАГН-А-ПАК® | 1,28 В | 10,58 кА | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 50 мА | 10,58 кА | 400В | Стандартный | 400В | 320А | 400В | 50 при мА 400 В | 320А | 1 пара последовательного подключения | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRKC166/08 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-irkc16604-datasheets-8851.pdf | ИНТ-А-ПАК (3) | 3 | Общий катод | Модуль | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | Стандартный | 800В | 165А | 800В | 20 при мА 800 В | 165А | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRKJ166/04 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-irkc16604-datasheets-8851.pdf | ИНТ-А-ПАК (3) | Общий анод | Модуль | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | Стандартный | 400В | 165А | 400В | 20 при мА 400 В | 165А | 1 пара общего анода | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRKC71/14A | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-irkc5610a-datasheets-8789.pdf | АДД-А-ПАК (3) | 3 | УЛ ПРИЗНАЛ | неизвестный | 8541.10.00.80 | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 225 | 3 | 150°С | Общий катод | НЕ УКАЗАН | 2 | Выпрямительные диоды | Не квалифицированный | Р-XUFM-X3 | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ВЫСОКОЕ НАПРЯЖЕНИЕ МОЩНОСТИ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 1,5 В | Стандартный | 1,4 кВ | 80А | 1870А | 1 | 1400В | 10 при мА 1400 В | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||||
| ВСКДЛ240-14С20 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vskcl24010s10-datasheets-8775.pdf | 3-МАГН-А-ПАК™ | 3 | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | неизвестный | 8541.10.00.80 | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | КДЛ240 | 3 | 2 | Не квалифицированный | Р-XUFM-X3 | 8,4 кА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | БЫСТРОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 50 мА | 1,4 кВ | 2 мкс | 2 мкс | Стандартный | 1,4 кВ | 250А | 8400А | 1 | 1400В | 50 при мА 1400 В | 1,57 В при 800 А | 1 пара последовательного подключения | |||||||||||||||||||||
| ВСКД270-12 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vskc25008-datasheets-8894.pdf | 3-МАГН-А-ПАК™ | МАГН-А-ПАК® | 9,34 кА | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 50 мА | 1,2 кВ | Стандартный | 1,2 кВ | 270А | 1200В | 50 при мА 1200 В | 270А | 1 пара последовательного подключения | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВСКД270-08 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vskc25008-datasheets-8894.pdf | 3-МАГН-А-ПАК™ | МАГН-А-ПАК® | 9,34 кА | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 50 мА | 800В | Стандартный | 800В | 270А | 800В | 50 при мА 800 В | 270А | 1 пара последовательного подключения | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRKJ56/06A | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-irkc5610a-datasheets-8789.pdf | АДД-А-ПАК (3) | 3 | УЛ ПРИЗНАЛ | неизвестный | 8541.10.00.80 | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 225 | KJ56 | 3 | 150°С | Общий анод | НЕ УКАЗАН | 2 | Выпрямительные диоды | Не квалифицированный | Р-XUFM-X3 | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ВЫСОКОЕ НАПРЯЖЕНИЕ МОЩНОСТИ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 1,51 В | Стандартный | 600В | 60А | 1680А | 1 | 10 при мА 600 В | 1 пара общего анода | |||||||||||||||||||||||||
| ВСКК320-04 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vskc25008-datasheets-8894.pdf | 3-МАГН-А-ПАК™ | КС320 | Общий катод | МАГН-А-ПАК® | 10,58 кА | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 50 мА | 400В | Стандартный | 400В | 320А | 400В | 50 при мА 400 В | 320А | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВСКД250-12 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vskc25008-datasheets-8894.pdf | 3-МАГН-А-ПАК™ | 3 | КД250 | МАГН-А-ПАК® | 1,29 В | 7345 кА | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 50 мА | 7345 кА | 1,2 кВ | Стандартный | 1,2 кВ | 250А | 1200В | 50 при мА 1200 В | 250А | 1 пара последовательного подключения | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRKD236/04 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-irkc16604-datasheets-8851.pdf | 400В | 230А | ИНТ-А-ПАК (3) | Содержит свинец | 3 | Модуль | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | Стандартный | 400В | 230А | 400В | 20 при мА 400 В | 230А | 1 пара последовательного подключения | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRKD236/08 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-irkc16604-datasheets-8851.pdf | ИНТ-А-ПАК (3) | 3 | Модуль | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | Стандартный | 800В | 230А | 800В | 20 при мА 800 В | 230А | 1 пара последовательного подключения | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВСКД250-20 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vskc25008-datasheets-8894.pdf | 3-МАГН-А-ПАК™ | КД250 | МАГН-А-ПАК® | 7345 кА | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 50 мА | 2кВ | Стандартный | 2кВ | 250А | 2000В | 50 при мА 2000 В | 250А | 1 пара последовательного подключения | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИРКД196/08 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-irkc16604-datasheets-8851.pdf | ИНТ-А-ПАК (3) | Модуль | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | Стандартный | 800В | 195А | 800В | 20 при мА 800 В | 195А | 1 пара последовательного подключения | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВСКД320-20 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vskc25008-datasheets-8894.pdf | 3-МАГН-А-ПАК™ | КД320 | МАГН-А-ПАК® | 10,58 кА | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 50 мА | 2кВ | Стандартный | 2кВ | 320А | 2000В | 50 при мА 2000 В | 320А | 1 пара последовательного подключения | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRKJ236/04 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-irkc16604-datasheets-8851.pdf | ИНТ-А-ПАК (3) | Общий анод | Модуль | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | Стандартный | 400В | 230А | 400В | 20 при мА 400 В | 230А | 1 пара общего анода | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИРКД71/12А | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-irkc5610a-datasheets-8789.pdf | АДД-А-ПАК (3) | 3 | 3 | УЛ ПРИЗНАЛ | неизвестный | 8541.10.00.80 | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 225 | 3 | 150°С | НЕ УКАЗАН | 2 | Выпрямительные диоды | Не квалифицированный | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ВЫСОКОЕ НАПРЯЖЕНИЕ МОЩНОСТИ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 1,5 В | Стандартный | 1,2 кВ | 80А | 1870А | 1 | 1200В | 10 при мА 1200 В | 1 пара последовательного подключения | ||||||||||||||||||||||||||
| ВСКК320-08 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vskc25008-datasheets-8894.pdf | 3-МАГН-А-ПАК™ | КС320 | Общий катод | МАГН-А-ПАК® | 10,58 кА | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 50 мА | 800В | Стандартный | 800В | 320А | 800В | 50 при мА 800 В | 320А | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 80CNQ045A | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2012 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-80cnq045asl-datasheets-8690.pdf | 45В | 80А | Д-61-8 | 2,6 нФ | Содержит свинец | 3 | 80CNQ045 | Общий катод | Д-61-8 | 5,8 кА | 5мА | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 45В | 40А | 45В | 5 при мА 45 В | 520 мВ при 40 А | 40А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||||||||||
| IRKC91/10А | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-irkj9112a-datasheets-8479.pdf | АДД-А-ПАК (3) | 3 | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | неизвестный | 8541.10.00.80 | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 3 | 150°С | Общий катод | 2 | Выпрямительные диоды | Не квалифицированный | Р-XUFM-X3 | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ВЫСОКОЕ НАПРЯЖЕНИЕ МОЩНОСТИ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | ТО-240АА | 1,45 В | Стандартный | 1кВ | 100А | 2110А | 1 | 1000В | 10 при мА 1000 В | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||||
| ВСКД270-16 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vskc25008-datasheets-8894.pdf | 3-МАГН-А-ПАК™ | МАГН-А-ПАК® | 9,34 кА | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 50 мА | 1,6 кВ | Стандартный | 1,6 кВ | 270А | 1600В | 50 при мА 1600 В | 270А | 1 пара последовательного подключения | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRKC56/14А | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-irkc5610a-datasheets-8789.pdf | АДД-А-ПАК (3) | 3 | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | неизвестный | 8541.10.00.80 | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 225 | 3 | 150°С | Общий катод | НЕ УКАЗАН | 2 | Выпрямительные диоды | Не квалифицированный | Р-XUFM-X3 | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ВЫСОКОЕ НАПРЯЖЕНИЕ МОЩНОСТИ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 1,51 В | Стандартный | 1,4 кВ | 60А | 1680А | 1 | 1400В | 10 при мА 1400 В | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||||
| ВСКК250-16 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vskc25008-datasheets-8894.pdf | 3-МАГН-А-ПАК™ | Общий катод | МАГН-А-ПАК® | 7345 кА | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 50 мА | 1,6 кВ | Стандартный | 1,6 кВ | 250А | 1600В | 50 при мА 1600 В | 250А | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRKJ236/12 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-irkc16604-datasheets-8851.pdf | ИНТ-А-ПАК (3) | Общий анод | Модуль | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | Стандартный | 1,2 кВ | 230А | 1200В | 20 при мА 1200 В | 230А | 1 пара общего анода | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВСКДЛ240-10С10 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vskcl24010s10-datasheets-8775.pdf | 3-МАГН-А-ПАК™ | КДЛ240 | МАГН-А-ПАК® | 8,4 кА | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 50 мА | 1кВ | 1 мкс | 1 мкс | Стандартный | 1кВ | 250А | 1000В | 50 при мА 1000 В | 1,57 В при 800 А | 250А | 1 пара последовательного подключения | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 25CTQ045 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-25ctq045-datasheets-8897.pdf | 40В | 30А | ТО-220-3 | Без свинца | 3 | 25CTQ045 | Общий катод | ТО-220АБ | 990А | 1,75 мА | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 45В | 15А | 45В | 1,75 мА при 45 В | 560 мВ при 15 А | 15А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом |
