Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактВыпрямительная диодная матрица (12345)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Тип монтажа | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Эмкость | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | ECCN-код | Дополнительная функция | Достичь соответствия кода | Код HTS | Номинальная мощность | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Рабочая температура (макс.) | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Прямой ток | Прямое напряжение | Максимальный импульсный ток | Максимальный обратный ток утечки | Соединение корпуса | Приложение | Скорость | Материал диодного элемента | Максимальный прямой импульсный ток (Ifsm) | Пиковый обратный ток | Максимальное повторяющееся обратное напряжение (Vrrm) | Пиковый неповторяющийся импульсный ток | Обратное напряжение | Код JEDEC-95 | Прямое напряжение-Макс. | Обратное испытательное напряжение | Обратное время восстановления | Время восстановления | Тип диода | Макс. обратное напряжение (постоянный ток) | Средний выпрямленный ток | Неповторяющийся Pk Прямой ток-макс. | Количество фаз | Выходной ток-Макс. | Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Ток – средний выпрямленный (Io) | Рабочая температура - соединение | Конфигурация диода |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRKD166/08 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-irkc16604-datasheets-8851.pdf | ИНТ-А-ПАК (3) | 3 | КД166 | Модуль | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | Стандартный | 800В | 165А | 800В | 20 при мА 800 В | 165А | 1 пара последовательного подключения | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВСКК250-12 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vskc25008-datasheets-8894.pdf | 3-МАГН-А-ПАК™ | Общий катод | МАГН-А-ПАК® | 7345 кА | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 50 мА | 1,2 кВ | Стандартный | 1,2 кВ | 250А | 1200В | 50 при мА 1200 В | 250А | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБР1535CT | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-mbr1545ct-datasheets-8175.pdf | ТО-220-3 | МБР1535CT | ТО-220АБ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 35В | 100 мкА при 35 В | 840 мВ при 15 А | 7,5 А | -65°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИРКДЖ91/10А | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-irkj9112a-datasheets-8479.pdf | АДД-А-ПАК (3) | 3 | УЛ ПРИЗНАЛ | неизвестный | 8541.10.00.80 | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 3 | 150°С | Общий анод | 2 | Выпрямительные диоды | Не квалифицирован | Р-XUFM-X3 | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ВЫСОКОЕ НАПРЯЖЕНИЕ МОЩНОСТИ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | ТО-240АА | 1,45 В | Стандартный | 1кВ | 100А | 2110А | 1 | 1000В | 10 при мА 1000 В | 1 пара общего анода | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИРКД166/16 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-irkc16604-datasheets-8851.pdf | 1,6 кВ | 165А | ИНТ-А-ПАК (3) | Содержит свинец | КД166 | Модуль | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | Стандартный | 1,6 кВ | 165А | 1600В | 20 при мА 1600 В | 165А | 1 пара последовательного подключения | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИРКД196/12 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-irkc16604-datasheets-8851.pdf | 1,2 кВ | 190А | ИНТ-А-ПАК (3) | Содержит свинец | Модуль | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | Стандартный | 1,2 кВ | 195А | 1200В | 20 при мА 1200 В | 195А | 1 пара последовательного подключения | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRKJ71/10А | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-irkc5610a-datasheets-8789.pdf | АДД-А-ПАК (2) | 3 | УЛ ПРИЗНАЛ | неизвестный | 8541.10.00.80 | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 225 | 3 | 150°С | Общий анод | НЕ УКАЗАН | 2 | Выпрямительные диоды | Не квалифицирован | Р-XUFM-X3 | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ВЫСОКОЕ НАПРЯЖЕНИЕ МОЩНОСТИ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 1,5 В | Стандартный | 1кВ | 80А | 1870А | 1 | 1000В | 10 при мА 1000 В | 1 пара общего анода | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВСКК320-12 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vskc25008-datasheets-8894.pdf | 3-МАГН-А-ПАК™ | КС320 | Общий катод | МАГН-А-ПАК® | 10,58 кА | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 50 мА | 1,2 кВ | Стандартный | 1,2 кВ | 320А | 1200В | 50 при мА 1200 В | 320А | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRKC196/04 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-irkc16604-datasheets-8851.pdf | ИНТ-А-ПАК (3) | 3 | Общий катод | Модуль | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | Стандартный | 400В | 195А | 400В | 20 при мА 400 В | 195А | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИРКД236/12 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-irkc16604-datasheets-8851.pdf | 1,2 кВ | 230А | ИНТ-А-ПАК (3) | Содержит свинец | 3 | Модуль | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | Стандартный | 1,2 кВ | 230А | 1200В | 20 при мА 1200 В | 230А | 1 пара последовательного подключения | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВСККЛ240-25С30 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vskcl24010s10-datasheets-8775.pdf | 3-МАГН-А-ПАК™ | 3 | УЛ ПРИЗНАЛ | неизвестный | 8541.10.00.80 | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | KCL240 | 3 | Общий катод | 2 | Не квалифицирован | Р-XUFM-X3 | 7,85 кА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | БЫСТРОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 50 мА | 2,5 кВ | 3 мкс | 3 мкс | Стандартный | 2,5 кВ | 240А | 7850А | 1 | 2500В | 50 при мА 2500 В | 1,75 В при 800 А | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRKD196/04 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-irkc16604-datasheets-8851.pdf | 400В | 190А | ИНТ-А-ПАК (3) | Содержит свинец | Модуль | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | Стандартный | 400В | 195А | 400В | 20 при мА 400 В | 195А | 1 пара последовательного подключения | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRKC166/12 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-irkc16604-datasheets-8851.pdf | ИНТ-А-ПАК (3) | Общий катод | Модуль | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | Стандартный | 1,2 кВ | 165А | 1200В | 20 при мА 1200 В | 165А | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВСККЛ240-14С20 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vskcl24010s10-datasheets-8775.pdf | 3-МАГН-А-ПАК™ | KCL240 | Общий катод | МАГН-А-ПАК® | 8,4 кА | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 50 мА | 1,4 кВ | 2 мкс | 2 мкс | Стандартный | 1,4 кВ | 250А | 1400В | 50 при мА 1400 В | 1,57 В при 800 А | 250А | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИРКД196/16 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-irkc16604-datasheets-8851.pdf | ИНТ-А-ПАК (3) | Модуль | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | Стандартный | 1,6 кВ | 195А | 1600В | 20 при мА 1600 В | 195А | 1 пара последовательного подключения | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRKC71/16А | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-irkc5610a-datasheets-8789.pdf | АДД-А-ПАК (3) | 3 | 3 | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | неизвестный | 8541.10.00.80 | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 225 | 3 | 150°С | Общий катод | НЕ УКАЗАН | 2 | Выпрямительные диоды | Не квалифицирован | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ВЫСОКОЕ НАПРЯЖЕНИЕ МОЩНОСТИ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 1,5 В | Стандартный | 1,6 кВ | 80А | 1870А | 1 | 1600В | 10 при мА 1600 В | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВСКК250-08 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vskc25008-datasheets-8894.pdf | 3-МАГН-А-ПАК™ | Общий катод | МАГН-А-ПАК® | 7345 кА | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 50 мА | 800В | Стандартный | 800В | 250А | 800В | 50 при мА 800 В | 250А | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRKJ236/12 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-irkc16604-datasheets-8851.pdf | ИНТ-А-ПАК (3) | Общий анод | Модуль | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | Стандартный | 1,2 кВ | 230А | 1200В | 20 при мА 1200 В | 230А | 1 пара общего анода | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БАТ54CDW-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | 125°С | -65°С | Не соответствует требованиям RoHS | /files/diodesincorporated-bat54sdw7f-datasheets-7219.pdf | 30 В | 200 мА | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 10пФ | 2,2 мм | 1 мм | 1,35 мм | Содержит свинец | 6 | 6,010099мг | 6 | EAR99 | БЫСТРОЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | не_совместимо | 8541.10.00.70 | 200мВт | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 235 | BAT54CDW | 6 | Общий катод | 10 | 4 | Сигнальные диоды | Не квалифицирован | 200 мА | 1В | Малый сигнал =< 200 мА (Io), любая скорость | КРЕМНИЙ | 600 мА | 2мкА | 30 В | 600 мА | 25 В | 5 нс | Шоттки | 30 В | 200 мА | 0,2 А | 2 мкА при 25 В | 1 В при 100 мА | 200 мА постоянного тока | -65°К~125°К | 2 пары с общим катодом | |||||||||||||||||||
| МБР3045CT | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2011 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-mbr3045ct-datasheets-8873.pdf | ТО-220-3 | Нет СВХК | 3 | МБР3045CT | Общий катод | ТО-220АБ | 760 мВ | 200А | 1 мА | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 1,02 кА | Шоттки | 45В | 15А | 45В | 1 при мА 45 В | 760 мВ при 30 А | 15А | -65°К~150°К | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRKJ91/06A | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-irkj9112a-datasheets-8479.pdf | АДД-А-ПАК (3) | 3 | УЛ ПРИЗНАЛ | неизвестный | 8541.10.00.80 | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 3 | 150°С | Общий анод | 2 | Выпрямительные диоды | Не квалифицирован | Р-XUFM-X3 | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ВЫСОКОЕ НАПРЯЖЕНИЕ МОЩНОСТИ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | ТО-240АА | 1,45 В | Стандартный | 600В | 100А | 2110А | 1 | 10 при мА 600 В | 1 пара общего анода | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММБД4448DW-7 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИРКД166/14 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-irkc16604-datasheets-8851.pdf | ИНТ-А-ПАК (3) | КД166 | Модуль | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | Стандартный | 1,4 кВ | 165А | 1400В | 20 при мА 1400 В | 165А | 1 пара последовательного подключения | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRKJ71/12A | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-irkc5610a-datasheets-8789.pdf | АДД-А-ПАК (3) | 3 | УЛ ПРИЗНАЛ | неизвестный | 8541.10.00.80 | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 225 | 3 | 150°С | Общий анод | НЕ УКАЗАН | 2 | Выпрямительные диоды | Не квалифицирован | Р-XUFM-X3 | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ВЫСОКОЕ НАПРЯЖЕНИЕ МОЩНОСТИ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 1,5 В | Стандартный | 1,2 кВ | 80А | 1870А | 1 | 1200В | 10 при мА 1200 В | 1 пара общего анода | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRKJ71/08A | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-irkc5610a-datasheets-8789.pdf | АДД-А-ПАК (3) | 3 | УЛ ПРИЗНАЛ | неизвестный | 8541.10.00.80 | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 225 | 3 | 150°С | Общий анод | НЕ УКАЗАН | 2 | Выпрямительные диоды | Не квалифицирован | Р-XUFM-X3 | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ВЫСОКОЕ НАПРЯЖЕНИЕ МОЩНОСТИ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 1,5 В | Стандартный | 800В | 80А | 1870А | 1 | 10 при мА 800 В | 1 пара общего анода | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRKJ71/14A | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-irkc5610a-datasheets-8789.pdf | АДД-А-ПАК (3) | 3 | УЛ ПРИЗНАЛ | неизвестный | 8541.10.00.80 | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 225 | 3 | 150°С | Общий анод | НЕ УКАЗАН | 2 | Выпрямительные диоды | Не квалифицирован | Р-XUFM-X3 | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ВЫСОКОЕ НАПРЯЖЕНИЕ МОЩНОСТИ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 1,5 В | Стандартный | 1,4 кВ | 80А | 1870А | 1 | 1400В | 10 при мА 1400 В | 1 пара общего анода | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRKC236/16 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-irkc16604-datasheets-8851.pdf | ИНТ-А-ПАК (3) | Общий катод | Модуль | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | Стандартный | 1,6 кВ | 230А | 1600В | 20 при мА 1600 В | 230А | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRKJ56/04A | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-irkc5610a-datasheets-8789.pdf | АДД-А-ПАК (2) | 3 | 3 | УЛ ПРИЗНАЛ | неизвестный | 8541.10.00.80 | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 225 | KJ56 | 3 | 150°С | Общий анод | НЕ УКАЗАН | 2 | Выпрямительные диоды | Не квалифицирован | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ВЫСОКОЕ НАПРЯЖЕНИЕ МОЩНОСТИ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 1,51 В | Стандартный | 400В | 60А | 1680А | 1 | 10 при мА 400 В | 1 пара общего анода | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRKC91/06A | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-irkj9112a-datasheets-8479.pdf | АДД-А-ПАК (3) | 3 | Общий катод | АДД-А-ПАК® | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | Стандартный | 600В | 100А | 600В | 10 при мА 600 В | 100А | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRKC236/04 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-irkc16604-datasheets-8851.pdf | ИНТ-А-ПАК (3) | Общий катод | Модуль | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | Стандартный | 400В | 230А | 400В | 20 при мА 400 В | 230А | 1 пара с общим катодом |
