Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактРФ БЮТ-транзисторы(1743)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Частота | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Макс. частота | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Прирост | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Выходная мощность | Продукт увеличения пропускной способности | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Непрерывный ток коллектора | Мощность - Макс. | Самый высокий частотный диапазон | Максимальное напряжение проба | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Частота перехода | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Базовое напряжение коллектора (VCBO) | Базовое напряжение эмиттера (VEBO) | hFE Мин. | Тип транзистора | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Макс. емкость коллектора-базы | Коэффициент шума (дБ, тип@f) | Частота – переход |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SD1731 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Винт, внешнее крепление | Поверхностный монтаж | 200°С ТДж | Поднос | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-sd1731-datasheets-4055.pdf | 110 В | 20А | М174 | 24,89 мм | 7,11 мм | 12,83 мм | Без свинца | 4 | 174 | EAR99 | Нет | Никель (Ni) | 233 Вт | РАДИАЛЬНЫЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | SD1731 | 4 | 1 | Другие транзисторы | 13 дБ | О-ПРФМ-Ф4 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | НПН | 20А | ВЫСОКАЯ ЧАСТОТА Б | 55В | 55В | 20А | 110 В | 4В | 15 | НПН | 15 @ 10А 6В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| KSC2755OMTF | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 2002 г. | /files/onsemiconductor-ksc2755omtf-datasheets-4056.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 20 дБ ~ 23 дБ | СОТ-23-3 (ТО-236) | 150 мВт | 30 В | 20 мА | НПН | 90 при 3 мА 10 В | 2 дБ @ 200 МГц | 600 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SD1405 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-sd1405-datasheets-4058.pdf | 36В | 20А | М174 | 24,89 мм | 7,11 мм | 12,83 мм | Содержит свинец | 4 | 174 | EAR99 | 270 Вт | РАДИАЛЬНЫЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | SD1405 | 4 | НЕ УКАЗАН | 1 | БИП РФ малый сигнал | 13 дБ | Не квалифицированный | О-ПРФМ-Ф4 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 20А | ВЫСОКАЯ ЧАСТОТА Б | 18В | 18В | 20А | 36В | 4В | 20 | НПН | 20 @ 5А 5В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BF240_D74Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | БФ240 | ТО-92-3 | 350 мВт | 40В | 50 мА | НПН | 65 @ 1 мА 10 В | 1,1 ГГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СС9018ФБУ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 1,1 ГГц | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/onsemiconductor-ss9018fbu-datasheets-4059.pdf | 30 В | 50 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | Без свинца | 3 | 2 недели | 179 мг | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 400мВт | НИЖНИЙ | Одинокий | 400мВт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 50 мА | 15 В | 15 В | 50 мА | 1100 МГц | 30 В | 5В | 28 | НПН | 54 @ 1 мА 5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| KST5179MTF | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 900 МГц | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/onsemiconductor-kst5179mtf-datasheets-4065.pdf | 12 В | 50 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 3 | 350 мВт | Одинокий | 350 мВт | 1 | 15 дБ | 900 МГц | 50 мА | 12 В | 12 В | 50 мА | 20 В | 2,5 В | 25 | НПН | 25 @ 3 мА 1 В | 4,5 дБ при 200 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FMMT5179TC | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/diodesincorporated-fmmt5179ta-datasheets-3400.pdf | 12 В | 50 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3,05 мм | 1 мм | 1,4 мм | Без свинца | 7,994566мг | 330мВт | ФММТ5179 | Одинокий | 15 дБ | 2 ГГц | 50 мА | 12 В | 12 В | 50 мА | 20 В | 2,5 В | 25 | НПН | 25 @ 3 мА 1 В | 4,5 дБ при 200 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BF240_ND74Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | БФ240 | ТО-92-3 | 350 мВт | 40В | 50 мА | НПН | 65 @ 1 мА 10 В | 1,1 ГГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BFS17HTC | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/diodesincorporated-bfs17ta-datasheets-3255.pdf | 15 В | 25 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 3 | EAR99 | неизвестный | 8541.21.00.75 | 330мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | БФС17 | Одинокий | 1 | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Г3 | 1,3 ГГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 25 мА | СВЕРХВЫСОКАЯ ЧАСТОТА Б | 15 В | 15 В | 25 мА | 1300 МГц | 25 В | 2,5 В | НПН | 70 при 2 мА 1 В | 1,5 пФ | 4,5 дБ при 500 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| KSC1730YTA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 2002 г. | /files/onsemiconductor-ksc1730yta-datasheets-4073.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | KSC1730 | ТО-92-3 | 250 мВт | 15 В | 50 мА | НПН | 120 @ 5 мА 10 В | 1,1 ГГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N5770_D74Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-2n5770-datasheets-3627.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 2Н5770 | 15 дБ | 350 мВт | 15 В | 50 мА | НПН | 50 при 8 мА 10 В | 6 дБ @ 60 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СД1274-01 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Винт, внешнее крепление | Поверхностный монтаж | Масса | 1 (без блокировки) | 200°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-sd127401-datasheets-4076.pdf | 36В | 8А | М113 | 24,89 мм | 7,11 мм | 6,48 мм | Без свинца | 4 | 113 | да | EAR99 | Нет | 70 Вт | РАДИАЛЬНЫЙ | ПЛОСКИЙ | SD1274 | 4 | 70 Вт | 1 | Другие транзисторы | 10 дБ | О-ПРФМ-Ф4 | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 8А | ОЧЕНЬ ВЫСОКАЯ ЧАСТОТА Б | 16 В | 16 В | 8А | 175 МГц | 36В | 4В | 20 | НПН | 20 @ 250 мА 5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| СД1275-01 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Винт, внешнее крепление | Поверхностный монтаж | Масса | 1 (без блокировки) | 200°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-sd127501-datasheets-4048.pdf | 36В | 8А | М113 | 24,89 мм | 7,11 мм | 6,48 мм | Без свинца | 4 | 4 | да | EAR99 | Нет | 70 Вт | РАДИАЛЬНЫЙ | ПЛОСКИЙ | SD1275 | 4 | 70 Вт | 1 | Другие транзисторы | 9 дБ | 40 Вт | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 8А | ОЧЕНЬ ВЫСОКАЯ ЧАСТОТА Б | 16 В | 16 В | 8А | 160 МГц | 36В | 4В | 20 | НПН | 20 @ 250 мА 5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| БФ494 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-bf494d74z-datasheets-4025.pdf | 20 В | 30 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | Без свинца | 3 | EAR99 | неизвестный | 350 мВт | Одинокий | 350 мВт | 1 | 20 В | 20 В | 30 мА | 30 В | 5В | 65 | НПН | 67 @ 1 мА 10 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SD1446 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-sd1446-datasheets-4049.pdf | 36В | 12А | М113 | 24,89 мм | 7,11 мм | 6,48 мм | Без свинца | 4 | 113 | EAR99 | 183 Вт | РАДИАЛЬНЫЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | SD1446 | 4 | НЕ УКАЗАН | 1 | БИП РФ малый сигнал | 10 дБ | Не квалифицированный | О-ПРФМ-Ф4 | 70 Вт | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 12А | СВЕРХВЫСОКАЯ ЧАСТОТА Б | 18В | 18В | 12А | 36В | 3,5 В | 10 | НПН | 10 @ 5А 5В | 300пФ | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| KSC1393OTA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | 700 МГц | Соответствует RoHS | 2002 г. | /files/onsemiconductor-ksc1393ota-datasheets-4078.pdf | 30 В | 20 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | Без свинца | 3 | Нет | 700 МГц | НПН | 250 мВт | KSC1393 | Одинокий | 250 мВт | 1 | 20 дБ ~ 24 дБ | ТО-92-3 | 700 МГц | 20 мА | 250 мВт | 30 В | 30 В | 20 мА | 30 В | 20 мА | 30 В | 4В | 60 | НПН | 60 при 2 мА 10 В | 2 дБ ~ 3 дБ при 200 МГц | 700 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NE677M04-A | CEL (Калифорнийские восточные лаборатории) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 1,8 ГГц | Соответствует RoHS | СОТ-343Ф | 4 | Нет | 205мВт | 205мВт | 1 | 16 дБ | 15 ГГц | 50 мА | 6В | 6В | 50 мА | 9В | 2В | НПН | 75 @ 20 мА 3 В | 1,7 дБ при 2 ГГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БФ199 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | 1,1 ГГц | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-bf199j35z-datasheets-7544.pdf | 25 В | 50 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | Без свинца | 202мг | Нет СВХК | 3 | 1,1 ГГц | НПН | 350 мВт | БФ199 | Одинокий | 350 мВт | 1 | ТО-92-3 | 1,1 ГГц | 50 мА | 350 мВт | 25 В | 25 В | 50 мА | 25 В | 50 мА | 40В | 4В | 38 | НПН | 38 @ 7 мА 10 В | 1,1 ГГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N5770_D27Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 1997 год | /files/onsemiconductor-2n5770-datasheets-3627.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 2Н5770 | 15 дБ | 350 мВт | 15 В | 50 мА | НПН | 50 при 8 мА 10 В | 6 дБ @ 60 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BF494_D74Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-bf494d74z-datasheets-4025.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | ТО-92-3 | 350 мВт | 20 В | 30 мА | НПН | 67 @ 1 мА 10 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NE85633-T1B | CEL (Калифорнийские восточные лаборатории) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 7 ГГц | Не соответствует требованиям RoHS | /files/cel-ne85633t1b-datasheets-3701.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | 3 | EAR99 | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | NE85633 | 3 | НЕ УКАЗАН | 200мВт | 1 | 9 дБ | Не квалифицированный | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 12 В | 7000 МГц | 100 мА | 20 В | 3В | НПН | 50 @ 20 мА 10 В | 1,4 дБ ~ 2 дБ на частоте 1 ГГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NE68133-А | CEL (Калифорнийские восточные лаборатории) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Полоска | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/cel-ne68133a-datasheets-4327.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 200,998119мг | 3 | 200мВт | NE68133 | Одинокий | 13 дБ | 200мВт | 65 мА | 10 В | 10 В | 65 мА | 1,5 В | НПН | 50 @ 20 мА 8 В | 1,2 дБ @ 1 ГГц | 9 ГГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NE85633-T1B-A | CEL (Калифорнийские восточные лаборатории) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 7 ГГц | Соответствует RoHS | /files/cel-ne85633t1ba-datasheets-4328.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 3 | 3 | EAR99 | Нет | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | NE85633 | 3 | 200мВт | 1 | 11,5 дБ | 200мВт | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 12 В | 100 мА | 7000 МГц | 100 мА | 20 В | 3В | НПН | 50 @ 20 мА 10 В | 1,1 дБ @ 1 ГГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N3663 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | 2,1 ГГц | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-2n3663-datasheets-4038.pdf | 12 В | 50 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | Без свинца | 3 | 2,1 ГГц | НПН | 350 мВт | 2N3663 | Одинокий | 350 мВт | 1 | 1,5 дБ | ТО-92-3 | 2,1 ГГц | 50 мА | 350 мВт | 12 В | 12 В | 50 мА | 12 В | 50 мА | 30 В | 3В | 20 | НПН | 20 при 8 мА 10 В | 6,5 дБ при 60 МГц | 2,1 ГГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БФП640FE6327 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 40 ГГц | Соответствует RoHS | 2005 г. | /files/infineontechnologies-bfp640fe6327-datasheets-3978.pdf | 4В | 50 мА | 4-SMD, плоские выводы | 1,4 мм | 550 мкм | 800 мкм | Без свинца | 4 | 200мВт | БФП640 | 23 дБ | 50 мА | 4,5 В | 4,5 В | 4В | 50 мА | 13В | 1,2 В | НПН | 110 @ 30 мА 3 В | 0,65 дБ ~ 1,2 дБ при 1,8 ГГц ~ 6 ГГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SD1728 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Винт, внешнее крепление | Поверхностный монтаж | 200°С ТДж | Масса | Непригодный | 13,56 МГц | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-sd1728-datasheets-4042.pdf | 110 В | 40А | М177 | 28,96 мм | 7,11 мм | 16,13 мм | Без свинца | 4 | 5 | EAR99 | Нет | 330 Вт | РАДИАЛЬНЫЙ | ПЛОСКИЙ | SD1728 | 4 | 330 Вт | 1 | Другие транзисторы | 15 дБ ~ 17 дБ | О-ПРФМ-Ф4 | 200 Вт | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 40А | 55В | 55В | 40А | 110 В | 4В | 15 | НПН | 23 @ 10 А 6 В | 360пФ | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| SD1488 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 200°С ТДж | Поднос | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-sd1488-datasheets-4044.pdf | 16 В | 8А | М111 | 24,89 мм | 7,11 мм | 21,97 мм | Без свинца | 6 | 111 | EAR99 | БАЛЛАСТНЫЕ РЕЗИСТОРЫ С ДИФФУЗНЫМ ЭМИТТЕРОМ | е4 | Золото (Ау) | 117 Вт | НЕУКАЗАНО | ПЛОСКИЙ | 260 | SD1488 | 6 | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | 5,8 дБ | Не квалифицированный | О-PXFM-F6 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 8А | СВЕРХВЫСОКАЯ ЧАСТОТА Б | 16 В | 16 В | 8А | 36В | 4В | 20 | НПН | 20 @ 1А 5В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ZTX325STOB | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°С~200°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 1997 год | /files/diodesincorporated-ztx325-datasheets-3226.pdf | E-Line-3, сформированные лиды | 3 | EAR99 | 8541.21.00.75 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | НЕТ | ОДИНОКИЙ | ПРОВОЛОКА | 260 | ZTX325 | 3 | 40 | 1 | 53 дБ | Не квалифицированный | Р-PSIP-W3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 350 мВт | СВЕРХВЫСОКАЯ ЧАСТОТА Б | 1300 МГц | 15 В | 50 мА | НПН | 25 @ 2 мА 1 В | 0,85пФ | 5 дБ @ 500 МГц | 1,3 ГГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SD1433 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Шасси, Шпилька | Шасси, Крепление на шпильке | 200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-sd1433-datasheets-4046.pdf | 16 В | 2,5 А | М122 | 6,99 мм | 16,26 мм | 6,99 мм | Без свинца | 4 | 122 | EAR99 | е4 | Золото (Ау) | 58 Вт | РАДИАЛЬНЫЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | SD1433 | 4 | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | 7 дБ | Не квалифицированный | О-ПРПМ-Ф4 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 2,5 А | СВЕРХВЫСОКАЯ ЧАСТОТА Б | 16 В | 16 В | 2,5 А | 36В | 4В | 10 | НПН | 10 @ 1А 5В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| NE97833-А | CEL (Калифорнийские восточные лаборатории) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Полоска | 1 (без блокировки) | 5,5 ГГц | Соответствует RoHS | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 200,998119мг | 3 | Нет | 200мВт | Одинокий | 200мВт | 1 | 10 дБ | 200мВт | -50 мА | 12 В | -12В | 50 мА | 50 мА | 20 В | -3В | 40 | ПНП | 20 при 15 мА 10 В | 2 дБ @ 1 ГГц |
