RF BJT-транзисторы - Поиск электронных компонентов - Лучший агент по электронным компонентам - ICGNT
Сравнить Изображение Имя Производитель Цена (долл. США) Количество Вес (кг) Размер (ДхШхВ) Статус детали Установить Тип монтажа Рабочая температура Упаковка Уровень чувствительности к влаге (MSL) Максимальная рабочая температура Минимальная рабочая температура Частота Статус RoHS Опубликовано Техническая спецификация Напряжение — номинальный постоянный ток Текущий рейтинг Пакет/ключи Длина Высота Ширина Рабочее напряжение питания Без свинца Количество окончаний Масса ДОСТИГНУТЬ СВХК Количество контактов Плотность Статус жизненного цикла Код Pbfree Количество портов ECCN-код Дополнительная функция Контактное покрытие Радиационная закалка Макс. частота Достичь соответствия кода Код HTS Код JESD-609 Терминальные отделки Полярность Поверхностный монтаж Максимальная рассеиваемая мощность Положение терминала Терминальная форма Пиковая температура оплавления (Цел) Базовый номер детали Количество контактов Рабочая температура (макс.) Конфигурация элемента Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) Рассеяние активности Количество элементов Подкатегория Прирост Статус квалификации Код JESD-30 Поставщик пакета оборудования Выходная мощность Продукт увеличения пропускной способности Материал транзисторного элемента Конфигурация Соединение корпуса Применение транзистора Полярность/Тип канала Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) Непрерывный ток коллектора Мощность - Макс. Самый высокий частотный диапазон Максимальное напряжение проба Напряжение пробоя коллектор-эмиттер Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) Макс. ток коллектора Частота перехода Ширина адресной Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) Ток-Коллектор (Ic) (Макс) Базовое напряжение коллектора (VCBO) Базовое напряжение эмиттера (VEBO) VCEsat-Макс hFE Мин. Тип транзистора Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce Макс. емкость коллектора-базы Коэффициент шума (дБ, тип@f) Частота – переход
SD1433 SD1433 СТМикроэлектроника
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Шасси, Шпилька Шасси, Крепление на шпильке 200°С ТДж Масса 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 /files/stmicroelectronics-sd1433-datasheets-4046.pdf 16 В 2,5 А М122 6,99 мм 16,26 мм 6,99 мм Без свинца 4 122 EAR99 е4 Золото (Ау) 58 Вт РАДИАЛЬНЫЙ ПЛОСКИЙ 260 SD1433 4 НЕ УКАЗАН 1 Другие транзисторы 7 дБ Не квалифицированный О-ПРПМ-Ф4 КРЕМНИЙ ОДИНОКИЙ УСИЛИТЕЛЬ НПН 2,5 А СВЕРХВЫСОКАЯ ЧАСТОТА Б 16 В 16 В 2,5 А 36В 10 НПН 10 @ 1А 5В
NE97833-A NE97833-А CEL (Калифорнийские восточные лаборатории)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж 150°С, ТДж Полоска 1 (без блокировки) 5,5 ГГц Соответствует RoHS ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 Без свинца 200,998119мг 3 Нет 200мВт Одинокий 200мВт 1 10 дБ 200мВт -50 мА 12 В -12В 50 мА 50 мА 20 В -3В 40 ПНП 20 при 15 мА 10 В 2 дБ @ 1 ГГц
ZTX325STZ ZTX325STZ Диодс Инкорпорейтед
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°С~200°С ТДж Лента и коробка (ТБ) 1 (без блокировки) 1,3 ГГц Соответствует RoHS 1997 год /files/diodesincorporated-ztx325-datasheets-3226.pdf 15 В 25 мА E-Line-3, сформированные лиды 4,77 мм 4,01 мм 2,41 мм Без свинца 3 453,59237мг EAR99 неизвестный 8541.21.00.75 е3 МАТОВАЯ ТУНКА 350 мВт ПРОВОЛОКА 260 ZTX325 3 Одинокий 40 1 53 дБ Не квалифицированный Р-PSIP-W3 1,3 ГГц КРЕМНИЙ УСИЛИТЕЛЬ НПН 50 мА 15 В 15 В 50 мА 1300 МГц 30 В 2,5 В НПН 25 @ 2 мА 1 В 0,85пФ 5 дБ @ 500 МГц
MPSH17G МПШ17Г ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Масса 1 (без блокировки) 800 МГц Соответствует RoHS 2006 г. /files/onsemiconductor-mpsh17rlrag-datasheets-7485.pdf 15 В 5мА ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) Без свинца 3 3 УСТАРЕЛО (последнее обновление: 1 неделю назад) да EAR99 е1 Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) 350 мВт НИЖНИЙ 260 МПШ17 3 Одинокий 40 350 мВт 1 Другие транзисторы 24 дБ Не квалифицированный 800 МГц КРЕМНИЙ УСИЛИТЕЛЬ НПН 15 В 500мВ 15 В 800 МГц 20 В 25 НПН 25 при 5 мА 10 В 0,9пФ 6 дБ @ 200 МГц
HFA3134IH96 HFA3134IH96 Ренесас Электроникс Америка
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж 150°С, ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) Не соответствует требованиям RoHS /files/renesaselectronicsamericainc-hfa3134ihz96-datasheets-3276.pdf СОТ-23-6 6 EAR99 НИЗКИЙ ШУМ ДА КРЫЛО ЧАЙКИ HFA3134 2 Р-ПДСО-Г6 КРЕМНИЙ РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2 ЭЛЕМЕНТА УСИЛИТЕЛЬ НПН СВЕРХВЫСОКАЯ ЧАСТОТА Б 8500 МГц 26 мА 0,25 В 2 НПН (двойной) 48 @ 10 мА 2 В 2,4 дБ @ 1 ГГц 8,5 ГГц
NE662M04-A НЕ662М04-А CEL (Калифорнийские восточные лаборатории)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж 150°С, ТДж Масса 1 (без блокировки) Соответствует RoHS СОТ-343Ф Без свинца 4 Нет 115 МВт NE662 18 дБ 115 МВт 3,3 В 35 мА 35 мА 15 В НПН 50 @ 5 мА 2 В 1,1 дБ @ 2 ГГц 25 ГГц
BFG135AE6327XT BFG135AE6327XT Инфинеон Технологии
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) 150°С -65°С 6 ГГц Соответствует ROHS3 2007 год ТО-261-4, ТО-261АА 4 НПН 1 Вт БФГ135 1 Вт 1 9 дБ ~ 14 дБ ПГ-СОТ223-4 1 Вт 15 В 15 В 150 мА 15 В 150 мА 25 В НПН 80 @ 100 мА 8 В 1,5 дБ ~ 2,6 дБ при 900 МГц ~ 1,8 ГГц 6 ГГц
AT-41486-BLK АТ-41486-БЛК Бродком
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж 150°С, ТДж Масса 1 (без блокировки) Не соответствует требованиям RoHS СОТ-86 4 EAR99 НИЗКИЙ ШУМ, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ совместимый 8541.21.00.75 е0 Оловянный свинец ДА РАДИАЛЬНЫЙ КРЫЛО ЧАЙКИ НЕ УКАЗАН АТ41486 НЕ УКАЗАН 1 Другие транзисторы 9 дБ ~ 18 дБ Не квалифицированный О-ПРДБ-Г4 КРЕМНИЙ ОДИНОКИЙ УСИЛИТЕЛЬ НПН 0,5 Вт 500мВт КБ 8000 МГц 12 В 60 мА НПН 30 @ 10 мА 8 В 1,4 дБ ~ 3 дБ при 1 ГГц ~ 4 ГГц 8 ГГц
AT-41511-TR1G АТ-41511-TR1G Бродком
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж 150°С, ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) 10 ГГц Соответствует RoHS 2005 г. /files/broadcomlimited-at41511tr1g-datasheets-3664.pdf 1,5 В 50 мА ТО-253-4, ТО-253АА Без свинца 4 Нет СВХК 4 EAR99 ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ Золото Нет е3 Матовый олово (Sn) 225 МВт ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 260 АТ41511 225 МВт 1 Другие транзисторы 11 дБ ~ 15,5 дБ КРЕМНИЙ ОДИНОКИЙ КОЛЛЕКЦИОНЕР УСИЛИТЕЛЬ НПН 50 мА 12 В 12 В 12 В 50 мА 10 ГГц 20 В 1,5 В 30 НПН 30 при 5 мА 5 В 1 дБ ~ 1,7 дБ при 900 МГц ~ 2,4 ГГц
UPA814T-T1-A УПА814Т-Т1-А CEL (Калифорнийские восточные лаборатории)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж 150°С, ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) Соответствует RoHS /files/cel-upa814tt1-datasheets-3525.pdf 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 Без свинца 6 НПН 200мВт УПА814 Одинокий 110мВт 6,5 дБ 6-СО 100 мА 200мВт 100 мА 100 мА 80 2 НПН (двойной) 80 при 3 мА 1 В 1,5 дБ @ 2 ГГц 9 ГГц
HFA3135IH96 HFA3135IH96 Ренесас Электроникс Америка
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж 150°С, ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) Не соответствует требованиям RoHS /files/renesaselectronicsamericainc-hfa3134ihz96-datasheets-3276.pdf СОТ-23-6 6 EAR99 НИЗКИЙ ШУМ ДА КРЫЛО ЧАЙКИ 2 Р-ПДСО-Г6 КРЕМНИЙ РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2 ЭЛЕМЕНТА УСИЛИТЕЛЬ ПНП СВЕРХВЫСОКАЯ ЧАСТОТА Б 7000 МГц 26 мА 0,25 В 2 ПНП (двойной) 15 @ 10 мА 2 В 5,2 дБ при 900 МГц 7 ГГц
NESG2101M05-A НЭСГ2101М05-А CEL (Калифорнийские восточные лаборатории)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж 150°С, ТДж Масса 1 (без блокировки) 150°С Соответствует ROHS3 /files/cel-nesg2101m05evpw24-datasheets-9641.pdf СОТ-343Ф Без свинца 4 НПН 500мВт НЭСГ2101 11 дБ ~ 19 дБ М05 500мВт 35 мА 500мВт 100 мА 100 мА 1,5 В НПН 130 @ 15 мА 2 В 0,6 дБ ~ 1,2 дБ при 1 ГГц ~ 2 ГГц 17 ГГц
2N5770_D75Z 2N5770_D75Z ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Лента и коробка (ТБ) 1 (без блокировки) 1997 год /files/onsemiconductor-2n5770-datasheets-3627.pdf ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) 2Н5770 15 дБ 350 мВт 15 В 50 мА НПН 50 при 8 мА 10 В 6 дБ @ 60 МГц
NE678M04-A NE678M04-A CEL (Калифорнийские восточные лаборатории)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж 150°С, ТДж Масса 1 (без блокировки) 1,8 ГГц Соответствует RoHS /files/cel-ne678m04a-datasheets-4312.pdf СОТ-343Ф 4 Нет 205мВт NE678 205мВт 1 13,5 дБ 100 мА 100 мА НПН 75 @ 30 мА 3 В 1,7 дБ при 2 ГГц 12 ГГц
2SC22950BL 2SC22950BL Электронные компоненты Panasonic
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж 150°С, ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) Соответствует RoHS 2003 г. /files/panasonicelectroniccomComponents-2sc22950bl-datasheets-3973.pdf 20 В 30 мА ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 Без свинца 200мВт 2SC2295 Мини3-G1 200мВт 20 В 20 В 30 мА 20 В 30 мА НПН 70 @ 1 мА 10 В 2,8 дБ ~ 4 дБ при 5 МГц 250 МГц
NE68833-A NE68833-А CEL (Калифорнийские восточные лаборатории)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж 150°С, ТДж Масса 1 (без блокировки) /files/cel-ne68819t1-datasheets-3507.pdf ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 200мВт 100 мА НПН 80 при 3 мА 1 В 1,7 дБ ~ 2,5 дБ при 2 ГГц 4,5 ГГц
MPS5179G MPS5179G ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие Масса 1 (без блокировки) 150°С -55°С 2 ГГц Соответствует RoHS 2006 г. /files/onsemiconductor-mps5179rlrag-datasheets-7476.pdf 12 В 50 мА ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) Без свинца 3 3 EAR99 е1 Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) 200мВт НИЖНИЙ 260 MPS5179 3 Одинокий 40 200 Вт 1 Другие транзисторы Не квалифицированный 2 ГГц УСИЛИТЕЛЬ НПН 12 В 400мВ 12 В 50 мА 900 МГц 20 В 2,5 В 25 НПН 25 @ 3 мА 1 В
AT-41533-TR1 АТ-41533-ТР1 Бродком
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж 150°С, ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) Не соответствует требованиям RoHS 2005 г. /files/broadcomlimited-at41511tr1-datasheets-3603.pdf ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 3 EAR99 ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ не_совместимо 8541.21.00.75 е0 Олово/Свинец (Sn/Pb) ДА ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ НЕ УКАЗАН АТ41533 НЕ УКАЗАН 1 Другие транзисторы 9 дБ ~ 14,5 дБ Не квалифицированный Р-ПДСО-Г3 КРЕМНИЙ ОДИНОКИЙ УСИЛИТЕЛЬ НПН 0,225 Вт 225 МВт СВЕРХВЫСОКАЯ ЧАСТОТА Б 10000 МГц 12 В 50 мА НПН 30 при 5 мА 5 В 1 дБ ~ 1,6 дБ при 900 МГц ~ 2,4 ГГц
MPS3563G MPS3563G ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Масса 1 (без блокировки) Соответствует RoHS 2006 г. /files/onsemiconductor-mps3563-datasheets-3544.pdf 12 В 50 мА ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) Без свинца 3 3 УСТАРЕЛО (последнее обновление: 1 день назад) да EAR99 8541.21.00.75 е1 Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) 350 Вт НИЖНИЙ 260 3 Одинокий 40 850мВт 1 Другие транзисторы 14 дБ при 200 МГц Не квалифицированный 1,5 ГГц КРЕМНИЙ УСИЛИТЕЛЬ НПН СВЕРХВЫСОКАЯ ЧАСТОТА Б 12 В 400мВ 12 В 50 мА 1500 МГц 30 В 20 НПН 20 при 8 мА 10 В 1,7пФ 6,5 дБ при 60 МГц
NE97733-A NE97733-А CEL (Калифорнийские восточные лаборатории)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж 150°С, ТДж Полоска 1 (без блокировки) 8,5 ГГц Соответствует RoHS /files/cel-ne97733a-datasheets-4314.pdf ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 Без свинца 200,998119мг 3 Нет 200мВт Одинокий 200мВт 1 12 дБ 200мВт -50 мА 12 В -12В 50 мА 50 мА 20 В -3В 40 ПНП 20 @ 20 мА 8 В 1,5 дБ @ 1 ГГц
AT-41532-TR1 АТ-41532-ТР1 Бродком
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж 150°С, ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) Не соответствует требованиям RoHS СК-70, СОТ-323 3 EAR99 ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ не_совместимо 8541.21.00.75 е0 Олово/Свинец (Sn/Pb) ДА ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ НЕ УКАЗАН АТ41532 НЕ УКАЗАН 1 Другие транзисторы 9 дБ ~ 15,5 дБ Не квалифицированный Р-ПДСО-Г3 КРЕМНИЙ ОДИНОКИЙ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ НПН 0,225 Вт 225 МВт СБ 12 В 50 мА НПН 30 при 5 мА 5 В 1 дБ ~ 1,9 дБ при 900 МГц ~ 2,4 ГГц
NE461M02-AZ NE461M02-AZ CEL (Калифорнийские восточные лаборатории)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж 150°С, ТДж Полоска 1 (без блокировки) 150°С -65°С 3 ГГц Соответствует RoHS /files/cel-ne461m02az-datasheets-4302.pdf ТО-243АА 4,5 мм 1,5 мм 2,45 мм Без свинца 4 Нет НПН 2 Вт NE461 Одинокий 8,3 дБ СОТ-89 2 Вт 250 мА 2 Вт 15 В 15 В 250 мА 15 В 250 мА 30 В 40 НПН 60 @ 50 мА 10 В 1,5 дБ ~ 2 дБ при 500 МГц ~ 1 ГГц
NE696M01-T1-A NE696M01-T1-A CEL (Калифорнийские восточные лаборатории)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж Разрезанная лента (CT) 1 (без блокировки) 150°С -65°С 14 ГГц Соответствует RoHS /files/cel-ne696m01t1-datasheets-4849.pdf 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 Без свинца 6 Нет 14 ГГц НПН 150 мВт NE696 Одинокий 150 мВт 1 СОТ-363 30 мА 150 мВт 30 мА 30 мА НПН 80 @ 10 мА 3 В 1,6 дБ при 2 ГГц 14 ГГц
NE68530-T1-A NE68530-T1-A CEL (Калифорнийские восточные лаборатории)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж 150°С, ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) 150°С -65°С 12 ГГц Соответствует RoHS /files/cel-ne68530t1-datasheets-3416.pdf СК-70, СОТ-323 3 НПН 150 мВт NE68530 Одинокий 150 мВт 1 7 дБ СОТ-323 150 мВт 30 мА 30 мА НПН 75 @ 10 мА 3 В 1,5 дБ ~ 2,5 дБ при 2 ГГц 12 ГГц
NE85639R-T1 NE85639R-T1 CEL (Калифорнийские восточные лаборатории)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж 150°С, ТДж Разрезанная лента (CT) 1 (без блокировки) Не соответствует требованиям RoHS /files/cel-ne85634t1rea-datasheets-8190.pdf СОТ-143Р 4 4 EAR99 200мВт ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ NE85639 Одинокий 200мВт 1 13,5 дБ Не квалифицированный КРЕМНИЙ КОЛЛЕКЦИОНЕР УСИЛИТЕЛЬ НПН 100 мА СВЕРХВЫСОКАЯ ЧАСТОТА Б 12 В 12 В 100 мА 9000 МГц НПН 50 @ 20 мА 10 В 0,9пФ 1,5 дБ ~ 2,1 дБ на частоте 1 ГГц 9 ГГц
AT-41533-TR1G АТ-41533-TR1G Бродком
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж 150°С, ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) Соответствует RoHS 2009 год /files/broadcomlimited-at41511tr1g-datasheets-3664.pdf ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 3 EAR99 ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ совместимый 8541.21.00.75 е3 Матовый олово (Sn) ДА ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 260 АТ41533 НЕ УКАЗАН 1 Другие транзисторы 9 дБ ~ 14,5 дБ Не квалифицированный Р-ПДСО-Г3 КРЕМНИЙ ОДИНОКИЙ УСИЛИТЕЛЬ НПН 0,225 Вт 225 МВт КБ 10000 МГц 12 В 50 мА НПН 30 при 5 мА 5 В 1 дБ ~ 1,6 дБ при 900 МГц ~ 2,4 ГГц
BFP650 БФП650 Инфинеон Технологии
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Масса 1 (без блокировки) Соответствует RoHS 2005 г. СК-82А, СОТ-343 4 да EAR99 ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ, НИЗКИЙ ШУМ совместимый е3 МАТОВАЯ ТУНКА ДА ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 260 БФП650 4 150°С 40 1 Другие транзисторы 10,5 дБ ~ 21,5 дБ Не квалифицированный Р-ПДСО-Г4 КРЕМНИЙ-ГЕРМАНСКИЙ ОДИНОКИЙ ЭМИТТЕР УСИЛИТЕЛЬ НПН 0,5 Вт 500мВт КБ 37000 МГц 4,5 В 150 мА НПН 110 @ 80 мА 3 В 0,4пФ 0,8 дБ ~ 1,9 дБ при 1,8 ГГц ~ 6 ГГц 37 ГГц
UPA800T-T1-A УПА800Т-Т1-А CEL (Калифорнийские восточные лаборатории)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж 150°С, ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) 150°С -65°С 8 ГГц Соответствует RoHS /files/cel-upa800tt1a-datasheets-4283.pdf 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 3,3 В Без свинца 6 4 Мб 4 Нет 8 ГГц НПН 200мВт УПА800 Одинокий 200мВт 2 7,5 дБ СОТ-363 200мВт 35 мА 200мВт 10 В 10 В 10 В 35 мА 17б 10 В 35 мА 20 В 1,5 В 2 НПН (двойной) 80 @ 5 мА 3 В 1,9 дБ при 2 ГГц 8 ГГц
NE94433-T1B-A NE94433-T1B-A CEL (Калифорнийские восточные лаборатории)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж Разрезанная лента (CT) 1 (без блокировки) 125°С -55°С 2 ГГц Соответствует RoHS /files/cel-ne94433t1b-datasheets-3489.pdf ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 3 2 ГГц НПН 150 мВт NE94433 Одинокий 150 мВт СОТ-23 50 мА 150 мВт 15 В 15 В 50 мА 15 В 50 мА НПН 50 при 5 мА 10 В 2 ГГц
UPA806T-T1-A УПА806Т-Т1-А CEL (Калифорнийские восточные лаборатории)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж 150°С, ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) 150°С -65°С Соответствует RoHS /files/cel-upa806tt1a-datasheets-4286.pdf 30 мА 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 Без свинца 6 Нет НПН 200мВт УПА806 Одинокий 8,5 дБ СОТ-363 200мВт 30 мА 200мВт 30 мА 30 мА 2 НПН (двойной) 75 @ 10 мА 3 В 1,5 дБ @ 2 ГГц 12 ГГц

В наличии

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.