| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Частота | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Без свинца | Количество окончаний | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Прирост | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Выходная мощность | Продукт увеличения пропускной способности | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Непрерывный ток коллектора | Мощность - Макс. | Самый высокий частотный диапазон | Максимальное напряжение проба | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Частота перехода | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Базовое напряжение коллектора (VCBO) | Базовое напряжение эмиттера (VEBO) | hFE Мин. | Тип транзистора | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Макс. емкость коллектора-базы | Коэффициент шума (дБ, тип@f) | Частота – переход |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ММБТХ81_D87Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-mpsh81d75z-datasheets-7587.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | ММБТХ81 | СОТ-23-3 (ТО-236) | 225 МВт | 20 В | 50 мА | ПНП | 60 при 5 мА 10 В | 600 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BFP196WE6327HTSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/infineontechnologies-bfp196wh6327xtsa1-datasheets-3435.pdf | СК-82А, СОТ-343 | 4 | 4 | да | EAR99 | Олово | неизвестный | е3 | 700мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | БФП196 | 40 | 1 | 12,5 дБ ~ 19 дБ | Не квалифицирован | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 700мВт | ФУНТ | 12 В | 12 В | 12 В | 150 мА | 7500 МГц | 20 В | НПН | 70 @ 50 мА 8 В | 1,3 дБ ~ 2,3 дБ при 900 МГц ~ 1,8 ГГц | 7,5 ГГц | |||||||||||||||||||||||||||||||
| МРФ5812GR2 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2004 г. | /files/microsemicorporation-mrf5812gr1-datasheets-7762.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | да | EAR99 | НИЗКИЙ ШУМ | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | MRF5812 | 8 | 40 | 1 | Другие транзисторы | 13 дБ ~ 15,5 дБ | Р-ПДСО-Г8 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 1,25 Вт | 1,25 Вт | СВЕРХВЫСОКАЯ ЧАСТОТА Б | 5000 МГц | 15 В | 200 мА | НПН | 50 @ 50 мА 5 В | 2пФ | 2 дБ ~ 3 дБ при 500 МГц | 5 ГГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МРФ555Т | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/microsemicorporation-mrf555t-datasheets-7767.pdf | Мощность макроса | 4 | 4 | УСТАРЕЛО (Последнее обновление: 1 месяц назад) | EAR99 | Нет | е0 | Оловянный свинец | 3 Вт | РАДИАЛЬНЫЙ | ПЛОСКИЙ | МРФ555 | 1 | 11 дБ ~ 12,5 дБ | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | НПН | 3 Вт | СВЕРХВЫСОКАЯ ЧАСТОТА Б | 16 В | 16 В | 500 мА | НПН | 50 @ 100 мА 5 В | 5,5 пФ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МРФ559Г | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует RoHS | 2004 г. | /files/microsemicorporation-mrf559g-datasheets-7773.pdf | Керамика Micro-X (84C) | Без свинца | 4 | УСТАРЕЛО (последнее обновление: 2 недели назад) | Нет | 2 Вт | 4 | Другие транзисторы | 9,5 дБ | 5 Вт | Одинокий | НПН | 16 В | 16 В | 150 мА | 36В | НПН | 30 @ 50 мА 10 В | 870 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БФП 405Ф Е6327 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/infineontechnologies-bfp405fe6327-datasheets-7677.pdf | 4-SMD, плоские выводы | EAR99 | ДА | БФП405 | Другие транзисторы | 22,5 дБ | Одинокий | НПН | 0,055 Вт | 55мВт | 18000 МГц | 5В | 12 мА | НПН | 60 при 5 мА 4 В | 1,25 дБ при 1,8 ГГц | 25 ГГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PN3563_D75Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-pn3563d74z-datasheets-7576.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 2N3563 | 14 дБ ~ 26 дБ | 350мВт | 15 В | 50 мА | НПН | 20 при 8 мА 10 В | 1,5 ГГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC3937G0L | Электронные компоненты Panasonic | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 2007 год | СК-85 | 2SC3937 | 13 дБ | 150 мВт | 10 В | 80 мА | НПН | 50 @ 20 мА 8 В | 1 дБ ~ 1,7 дБ при 800 МГц | 6 ГГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HFA3128RZ | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 175°С, ТиДжей | Трубка | 2 (1 год) | Соответствует ROHS3 | /files/renesaselectronicsamericainc-hfa3127bz-datasheets-3873.pdf | 16-VFQFN Открытая колодка | 16 | НИЗКИЙ ШУМ | ДА | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | HFA3128 | 16 | НЕ УКАЗАН | 5 | S-PQCC-N16 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 5 ЭЛЕМЕНТОВ | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 150 мВт | СВЕРХВЫСОКАЯ ЧАСТОТА Б | 5500 МГц | 15 В | 65 мА | 5 ПНП | 20 @ 10 мА 2 В | 3,5 дБ @ 1 ГГц | 5,5 ГГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НСВФ2250ВТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2009 год | 15 В | 50 мА | СК-70, СОТ-323 | Без свинца | 15 В | 50 мА | НПН | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PN5179_D75Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-mps5179d27z-datasheets-7518.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 2N5179 | 15 дБ | ТО-92-3 | 350мВт | 12 В | 50 мА | НПН | 25 @ 3 мА 1 В | 5 дБ @ 200 МГц | 2 ГГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BFP650E6327HTSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2011 г. | СК-82А, СОТ-343 | 4 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ, НИЗКИЙ ШУМ | 500мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | БФП650 | 1 | 10,5 дБ ~ 21,5 дБ | Р-ПДСО-Г4 | КРЕМНИЙ-ГЕРМАНСКИЙ | ОДИНОКИЙ | ЭМИТТЕР | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 500мВт | КБ | 4,5 В | 4,5 В | 150 мА | 37000 МГц | НПН | 110 @ 80 мА 3 В | 0,4пФ | 0,8 дБ ~ 1,9 дБ при 1,8 ГГц ~ 6 ГГц | 37 ГГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БФС 386L6 E6327 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | /files/infineontechnologies-bfs386l6e6327-datasheets-7627.pdf | 6-XFDFN | 10 дБ ~ 14,5 дБ | 210 МВт 380 МВт | 6В | 35 мА 80 мА | 2 НПН (двойной) | 60 @ 15 мА 3 В / 60 @ 40 мА 3 В | 1 дБ ~ 1,6 дБ при 1,8 ГГц ~ 3 ГГц | 14 ГГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BFP193WE6327HTSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/infineontechnologies-bfp193we6327htsa1-datasheets-7684.pdf | СК-82А, СОТ-343 | 4 | да | EAR99 | неизвестный | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 580мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | БФП193 | 40 | 1 | 13,5 дБ ~ 20,5 дБ | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г4 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 580мВт | ФУНТ | 12 В | 12 В | 80 мА | 8000 МГц | НПН | 70 @ 30 мА 8 В | 0,9 пФ | 1 дБ ~ 1,6 дБ при 900 МГц ~ 1,8 ГГц | 8 ГГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| BFR750L3RHE6327XTSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 37 ГГц | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/infineontechnologies-bfr750l3rhe6327xtsa1-datasheets-7629.pdf | СК-101, СОТ-883 | 3 | EAR99 | 360мВт | БФР750 | 360мВт | 1 | 21 дБ | 4,7 В | 4,7 В | 4В | 90 мА | 13В | 1,2 В | НПН | 160 @ 60 мА 3 В | 0,6 дБ ~ 1,1 дБ при 1,8 ГГц ~ 6 ГГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БФП 740F E6327 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2003 г. | 4-SMD, плоские выводы | EAR99 | ДА | БФП740 | Другие транзисторы | 27,5 дБ | Одинокий | НПН | 0,16 Вт | 160мВт | 4,7 В | 30 мА | НПН | 160 @ 25 мА 3 В | 0,5 дБ ~ 0,75 дБ при 1,8 ГГц ~ 6 ГГц | 42 ГГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MSC3930-BT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2005 г. | /files/onsemiconductor-msc3930bt1-datasheets-7474.pdf | 20 В | 30 мА | СК-70, СОТ-323 | Без свинца | 3 | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | 8541.21.00.75 | е3 | Олово (Вс) | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 200мВт | 20 В | 30 мА | 150 МГц | НПН | 70 @ 1 мА 10 В | 150 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АТ-42086-TR1G | Бродком | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2005 г. | /files/broadcomlimited-at42086tr1g-datasheets-7625.pdf | СОТ-86 | 4 | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ, НИЗКИЙ ШУМ | совместимый | 8541.21.00.75 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | РАДИАЛЬНЫЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | АТ42086 | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | 9 дБ ~ 13 дБ | Не квалифицирован | О-ПРДБ-Г4 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 0,5 Вт | 500мВт | КБ | 8000 МГц | 12 В | 80 мА | НПН | 30 @ 35 мА 8 В | 1,9 дБ ~ 3,5 дБ при 2 ГГц ~ 4 ГГц | 8 ГГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| МПШ17_Д27З | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | МПШ17 | 24 дБ | ТО-92-3 | 350мВт | 15 В | НПН | 25 при 5 мА 10 В | 6 дБ @ 200 МГц | 800 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BFP540E6327BTSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 2011 г. | СК-82А, СОТ-343 | БФП540 | 21,5 дБ | 250мВт | 5В | 80 мА | НПН | 50 @ 20 мА 3,5 В | 0,9 дБ ~ 1,4 дБ при 1,8 ГГц | 30 ГГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БФР 193W E6327 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/infineontechnologies-bfr193wh6327xtsa1-datasheets-3906.pdf | СК-70, СОТ-323 | 3 | EAR99 | совместимый | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | БФР193 | 40 | 1 | Другие транзисторы | 10,5 дБ ~ 16 дБ | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 0,58 Вт | 580мВт | СВЕРХВЫСОКАЯ ЧАСТОТА Б | 8000 МГц | 12 В | 80 мА | НПН | 70 @ 30 мА 8 В | 1пФ | 1 дБ ~ 1,6 дБ при 900 МГц ~ 1,8 ГГц | 8 ГГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БФП 420Ф Е6327 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/infineontechnologies-bfp420fe6327-datasheets-7649.pdf | 4-SMD, плоские выводы | EAR99 | ДА | БФП420 | Другие транзисторы | 19,5 дБ | Одинокий | НПН | 0,16 Вт | 160мВт | 18000 МГц | 5В | 35 мА | НПН | 60 при 5 мА 4 В | 1,1 дБ при 1,8 ГГц | 25 ГГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БФР 183W E6327 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/infineontechnologies-bfr183we6327-datasheets-7660.pdf | СК-70, СОТ-323 | 3 | EAR99 | совместимый | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | БФР183 | 40 | 1 | Другие транзисторы | 18,5 дБ | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 0,45 Вт | 450мВт | СВЕРХВЫСОКАЯ ЧАСТОТА Б | 8000 МГц | 12 В | 65 мА | НПН | 70 @ 15 мА 8 В | 0,7пФ | 0,9 дБ ~ 1,4 дБ при 900 МГц ~ 1,8 ГГц | 8 ГГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АТ-41500-ГП4 | Бродком | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 200°С ТДж | Поднос | 1 (без блокировки) | 8 ГГц | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/broadcomlimited-at41500gp4-datasheets-7663.pdf | Править | Без свинца | 2 | 2 | EAR99 | Нет | 500мВт | ВЕРХНИЙ | 500мВт | 1 | Другие транзисторы | 8 дБ ~ 17 дБ | 8 ГГц | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 60 мА | 12 В | 12 В | 60 мА | 8000 МГц | 20 В | 1,5 В | НПН | 30 @ 10 мА 8 В | 1,4 дБ ~ 3 дБ при 1 ГГц ~ 4 ГГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BFP183WE6327BTSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/infineontechnologies-bfp183wh6327xtsa1-datasheets-3920.pdf | СК-82А, СОТ-343 | 450мВт | БФП183 | 22 дБ | PG-SOT343-4 | 450мВт | 12 В | 12 В | 65 мА | 12 В | 65 мА | НПН | 70 @ 15 мА 8 В | 0,9 дБ ~ 1,4 дБ при 900 МГц ~ 1,8 ГГц | 8 ГГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МПШ11 | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | /files/rochesterelectronicsllc-mpsh11-datasheets-7579.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 3 | нет | НИЗКИЙ ШУМ | е0 | Оловянный свинец | НЕТ | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | КОММЕРЧЕСКИЙ | О-PBCY-T3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 350мВт | ОЧЕНЬ ВЫСОКАЯ ЧАСТОТА Б | 650 МГц | 25 В | 50 мА | НПН | 60 @ 4 мА 10 В | 0,7пФ | 650 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HFA3128BZ96 | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | /files/renesaselectronicsamericainc-hfa3127bz-datasheets-3873.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | HFA3128 | 150 мВт | 15 В | 65 мА | 5 ПНП | 20 @ 10 мА 2 В | 3,5 дБ @ 1 ГГц | 5,5 ГГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БФ959РЛ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2005 г. | /files/onsemiconductor-bf959g-datasheets-7435.pdf | 20 В | 100 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | Без свинца | 3 | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 6 дней назад) | да | EAR99 | ЕВРОПЕЙСКИЙ НОМЕР ЧАСТИ | неизвестный | 8541.21.00.75 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 625 МВт | НИЖНИЙ | 260 | БФ959 | 3 | Одинокий | 40 | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | 700 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | ОЧЕНЬ ВЫСОКАЯ ЧАСТОТА Б | 20 В | 1В | 20 В | 100 мА | 700 МГц | 30 В | 3В | 35 | НПН | 40 @ 20 мА 10 В | 3 дБ @ 200 МГц | |||||||||||||||||||||||||
| PN5179_D26Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-mps5179d27z-datasheets-7518.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 2N5179 | 15 дБ | ТО-92-3 | 350мВт | 12 В | 50 мА | НПН | 25 @ 3 мА 1 В | 5 дБ @ 200 МГц | 2 ГГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PN918_D74Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-pn918d74z-datasheets-7583.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 2Н918 | 15 дБ | 350мВт | 15 В | 50 мА | НПН | 20 @ 3 мА 1 В | 6 дБ @ 60 МГц | 600 МГц |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.