Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактРФ БЮТ-транзисторы(1743)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Частота | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Масса | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Справочный стандарт | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Прирост | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Продукт увеличения пропускной способности | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Непрерывный ток коллектора | Мощность - Макс. | Самый высокий частотный диапазон | Максимальное напряжение проба | Код JEDEC-95 | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Частота перехода | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Базовое напряжение коллектора (VCBO) | Базовое напряжение эмиттера (VEBO) | hFE Мин. | Тип транзистора | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Макс. емкость коллектора-базы | Коэффициент шума (дБ, тип@f) | Частота – переход |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| БФР 949L3 E6327 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/infineontechnologies-bfr949l3e6327-datasheets-7590.pdf | СК-101, СОТ-883 | EAR99 | неизвестный | ДА | Другие транзисторы | 21,5 дБ | Одинокий | НПН | 0,25 Вт | 250мВт | 7000 МГц | 10 В | 50 мА | НПН | 100 @ 5 мА 6 В | 1 дБ ~ 2,5 дБ на 1 ГГц | 9 ГГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БФП 650F E6327 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 2010 год | /files/infineontechnologies-bfp650fe6327-datasheets-7593.pdf | 4-SMD, плоские выводы | 4 | совместимый | ДА | ДВОЙНОЙ | БФП650 | 1 | 11 дБ ~ 21,5 дБ | Р-ПДСО-Ф4 | КРЕМНИЙ-ГЕРМАНСКИЙ | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 500мВт | ФУНТ | 42000 МГц | 4,5 В | 150 мА | НПН | 110 @ 80 мА 3 В | 0,8 дБ ~ 1,9 дБ при 1,8 ГГц ~ 6 ГГц | 42 ГГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PN5179_D27Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-mps5179d27z-datasheets-7518.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 2N5179 | 15 дБ | ТО-92-3 | 350мВт | 12 В | 50 мА | НПН | 25 @ 3 мА 1 В | 5 дБ @ 200 МГц | 2 ГГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PN3563_D26Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 2000 г. | /files/onsemiconductor-pn3563d74z-datasheets-7576.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 2N3563 | 14 дБ ~ 26 дБ | ТО-92-3 | 350мВт | 15 В | 50 мА | НПН | 20 при 8 мА 10 В | 1,5 ГГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БФР 181 E6780 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/infineontechnologies-bfr181e6327htsa1-datasheets-3951.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | EAR99 | совместимый | АЭК-Q101 | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | БФР181 | НЕ УКАЗАН | 1 | 18,5 дБ | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 175 МВт | ФУНТ | 8000 МГц | 12 В | 20 мА | НПН | 70 при 5 мА 8 В | 0,45пФ | 0,9 дБ ~ 1,2 дБ при 900 МГц ~ 1,8 ГГц | 8 ГГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HFA3128BZ | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Трубка | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | /files/renesaselectronicsamericainc-hfa3127bz-datasheets-3873.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 16 | НИЗКИЙ ШУМ | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | HFA3128 | 16 | НЕ УКАЗАН | 5 | Р-ПДСО-G16 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 5 ЭЛЕМЕНТОВ | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 150 мВт | СВЕРХВЫСОКАЯ ЧАСТОТА Б | МС-012АС | 5500 МГц | 15 В | 65 мА | 5 ПНП | 20 @ 10 мА 2 В | 3,5 дБ @ 1 ГГц | 5,5 ГГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БФР 182 B6663 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/infineontechnologies-bfr182b6663-datasheets-7574.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | БФР182 | 12 дБ ~ 18 дБ | СОТ-23-3 | 250мВт | 12 В | 35 мА | НПН | 70 @ 10 мА 8 В | 0,9 дБ ~ 1,3 дБ при 900 МГц ~ 1,8 ГГц | 8 ГГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МПШ81_Д27З | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 600 МГц | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-mpsh81d75z-datasheets-7587.pdf | 20 В | 50 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 3 | Нет | 350мВт | МПШ81 | Одинокий | 350мВт | 600 МГц | 50 мА | 20 В | 20 В | 50 мА | 20 В | 3В | 60 | ПНП | 60 при 5 мА 10 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PN3563_D74Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-pn3563d74z-datasheets-7576.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 2N3563 | 14 дБ ~ 26 дБ | ТО-92-3 | 350мВт | 15 В | 50 мА | НПН | 20 при 8 мА 10 В | 1,5 ГГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HFA3128RZ96 | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 175°С, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | Соответствует ROHS3 | /files/renesaselectronicsamericainc-hfa3127bz-datasheets-3873.pdf | 16-VFQFN Открытая колодка | HFA3128 | 150 мВт | 15 В | 65 мА | 5 ПНП | 20 @ 10 мА 2 В | 3,5 дБ @ 1 ГГц | 5,5 ГГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МПШ11_Д27З | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 2011 г. | /files/onsemiconductor-mpsh11d27z-datasheets-7577.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | ТО-92-3 | 350мВт | 25 В | 50 мА | НПН | 60 @ 4 мА 10 В | 650 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CA3127MZ | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Трубка | 2 (1 год) | Соответствует ROHS3 | /files/renesaselectronicsamemericainc-ca3127mz-datasheets-7612.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 27 дБ ~ 30 дБ | 85мВт | 15 В | 20 мА | 5 НПН | 35 @ 5 мА 6 В | 3,5 дБ при 100 МГц | 1,15 ГГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МПШ11 | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | /files/rochesterelectronicsllc-mpsh11-datasheets-7579.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 3 | нет | НИЗКИЙ ШУМ | е0 | Оловянный свинец | НЕТ | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | КОММЕРЧЕСКИЙ | О-PBCY-T3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 350мВт | ОЧЕНЬ ВЫСОКАЯ ЧАСТОТА Б | 650 МГц | 25 В | 50 мА | НПН | 60 @ 4 мА 10 В | 0,7пФ | 650 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HFA3128BZ96 | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | /files/renesaselectronicsamericainc-hfa3127bz-datasheets-3873.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | HFA3128 | 150 мВт | 15 В | 65 мА | 5 ПНП | 20 @ 10 мА 2 В | 3,5 дБ @ 1 ГГц | 5,5 ГГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БФ959РЛ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2005 г. | /files/onsemiconductor-bf959g-datasheets-7435.pdf | 20 В | 100 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | Без свинца | 3 | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 6 дней назад) | да | EAR99 | ЕВРОПЕЙСКИЙ НОМЕР ЧАСТИ | неизвестный | 8541.21.00.75 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 625 МВт | НИЖНИЙ | 260 | БФ959 | 3 | Одинокий | 40 | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | 700 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | ОЧЕНЬ ВЫСОКАЯ ЧАСТОТА Б | 20 В | 1В | 20 В | 100 мА | 700 МГц | 30 В | 3В | 35 | НПН | 40 @ 20 мА 10 В | 3 дБ @ 200 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||
| PN5179_D26Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-mps5179d27z-datasheets-7518.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 2N5179 | 15 дБ | ТО-92-3 | 350мВт | 12 В | 50 мА | НПН | 25 @ 3 мА 1 В | 5 дБ @ 200 МГц | 2 ГГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МПШ10-АП | Микрокоммерческие компоненты (MCC) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/microcommercialco-mpsh10ap-datasheets-7553.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) Сформированные заключения | 3 | да | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | О-PBCY-T3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | НПН | 350мВт | 650 МГц | 25 В | 50 мА | НПН | 60 @ 4 мА 10 В | 650 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МПШ10-БП | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MPS5179_D26Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-mps5179d27z-datasheets-7518.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | MPS5179 | 15 дБ | ТО-92-3 | 350мВт | 12 В | 50 мА | НПН | 25 @ 3 мА 1 В | 5 дБ @ 200 МГц | 2 ГГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МПШ10РЛРПГ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 650 МГц | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/onsemiconductor-mpsh10rlrpg-datasheets-7495.pdf | 25 В | 4мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | Без свинца | 3 | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 23 часа назад) | да | EAR99 | Нет | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕТ | 350 Вт | НИЖНИЙ | 260 | МПШ10 | 3 | Одинокий | 40 | 350 Вт | 1 | Другие транзисторы | 650 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 350мВт | 25 В | 500 мВ | 25 В | 650 МГц | 30 В | 3В | 60 | НПН | 60 @ 4 мА 10 В | 0,7пФ | |||||||||||||||||||||||||||||||
| BF240_J35Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | БФ240 | ТО-92-3 | 350мВт | 40В | 50 мА | НПН | 65 @ 1 мА 10 В | 1,1 ГГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЗУМЦ17ХТА | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 1999 год | /files/diodesincorporated-zumts17hta-datasheets-7500.pdf | 15 В | 25 мА | СК-70, СОТ-323 | 2,2 мм | 1 мм | 1,26 мм | Без свинца | 6,010099мг | 3 | Нет | НПН | 330мВт | ЗУМЦ17 | Одинокий | СОТ-323 | 1,3 ГГц | 25 мА | 330мВт | 15 В | 15 В | 15 В | 25 мА | 15 В | 25 мА | 25 В | 2,5 В | НПН | 70 при 2 мА 1 В | 4,5 дБ при 500 МГц | 1,3 ГГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БФП 540Ф Е6327 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2004 г. | /files/infineontechnologies-bfp540fe6327-datasheets-7503.pdf | 4-SMD, плоские выводы | неизвестный | ДА | БФП540 | Другие транзисторы | 20 дБ | Одинокий | НПН | 0,25 Вт | 250мВт | 21000 МГц | 5В | 80 мА | НПН | 50 @ 20 мА 3,5 В | 0,9 дБ ~ 1,4 дБ при 1,8 ГГц | 30 ГГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MPS5179_D27Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-mps5179d27z-datasheets-7518.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | MPS5179 | 15 дБ | ТО-92-3 | 350мВт | 12 В | 50 мА | НПН | 25 @ 3 мА 1 В | 5 дБ @ 200 МГц | 2 ГГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БФ959ЗЛ1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | /files/onsemiconductor-bf959g-datasheets-7435.pdf | 20 В | 100 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | Содержит свинец | 3 | 3 | УСТАРЕЛО (последнее обновление: 1 день назад) | нет | EAR99 | ЕВРОПЕЙСКИЙ НОМЕР ЧАСТИ | не_совместимо | 8541.21.00.75 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 625 МВт | НИЖНИЙ | 240 | БФ959 | 3 | Одинокий | 30 | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | 700 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | ОЧЕНЬ ВЫСОКАЯ ЧАСТОТА Б | 20 В | 1В | 20 В | 100 мА | 700 МГц | 30 В | 3В | 35 | НПН | 40 @ 20 мА 10 В | 3 дБ @ 200 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC3931GCL | Электронные компоненты Panasonic | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/panasonicelectroniccomComponents-2sc3931gcl-datasheets-7519.pdf | СК-85 | 85 | 150 мВт | 2SC3931 | 24 дБ | SMini3-F2 | 150 мВт | 20 В | 20 В | 15 мА | 20 В | 15 мА | НПН | 65 @ 1 мА 6 В | 3,3 дБ при 100 МГц | 650 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МПШ10_Д74З | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-mpsh10d26z-datasheets-7530.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | МПШ10 | ТО-92-3 | 350мВт | 25 В | 50 мА | НПН | 60 @ 4 мА 10 В | 650 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MPS5179_D75Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-mps5179d27z-datasheets-7518.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | MPS5179 | 15 дБ | ТО-92-3 | 350мВт | 12 В | 50 мА | НПН | 25 @ 3 мА 1 В | 5 дБ @ 200 МГц | 2 ГГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АТ-42036-TR1G | Бродком | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/broadcomlimited-at42036tr1g-datasheets-7566.pdf | 4-SMD (36 микро-Х) | 4 | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ, НИЗКИЙ ШУМ | совместимый | 8541.21.00.75 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | НЕУКАЗАНО | ПЛОСКИЙ | 260 | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | 10 дБ ~ 13,5 дБ | Не квалифицирован | О-CXMW-F4 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 0,6 Вт | 600мВт | КБ | 8000 МГц | 12 В | 80 мА | НПН | 30 @ 35 мА 8 В | 0,28пФ | 2 дБ ~ 3 дБ при 2 ГГц ~ 4 ГГц | 8 ГГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МПШ10_Д26З | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 2000 г. | /files/onsemiconductor-mpsh10d26z-datasheets-7530.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | МПШ10 | ТО-92-3 | 350мВт | 25 В | 50 мА | НПН | 60 @ 4 мА 10 В | 650 МГц |
