| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Макс. частота | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Рабочая температура (макс.) | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Подкатегория | Прирост | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Макс. ток коллектора (IC) | Макс. Коллектор-эмиттер напряжения | Непрерывный ток коллектора | Мощность - Макс. | Самый высокий частотный диапазон | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Частота перехода | Минимальное устройство постоянного тока (hFE) | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Базовое напряжение коллектора (VCBO) | Базовое напряжение эмиттера (VEBO) | hFE Мин. | Тип транзистора | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Макс. емкость коллектора-базы | Коэффициент шума (дБ, тип@f) | Частота – переход |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| МС2506 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CP617-CM4957-CM | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Править | 25 дБ | Править | 25 В | 30 мА | ПНП | 20 при 2 мА 10 В | 2,5 ГГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CP616-2N5160-WN | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Править | Править | 40В | 400 мА | ПНП | 10 @ 50 мА 5 В | 500 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СМ5583 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Соответствует RoHS | 2001 г. | ТО-205АД, ТО-39-3 Металлическая банка | Без свинца | 3 | нет | EAR99 | 8541.29.00.75 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | О-MBCY-W3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 1 Вт | 1 Вт | 1300 МГц | 30 В | 500 мА | ПНП | 25 @ 100 мА 2 В | 5пФ | 1,3 ГГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SD1015 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление шпильки | 200°С | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2003 г. | М135 | 4 | нет | EAR99 | С ЭМИТТЕРНЫМ БАЛЛАСТНЫМ РЕЗИСТОРОМ | совместимый | е0 | Оловянный свинец | НЕТ | РАДИАЛЬНЫЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | 10 дБ | Не квалифицирован | О-ПРПМ-Ф4 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ РЕЗИСТОРОМ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 40 Вт | 10 Вт | ОЧЕНЬ ВЫСОКАЯ ЧАСТОТА Б | 108 МГц | 18В | 1А | НПН | 35 @ 200 мА 5 В | 250пФ | 150 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||||
| CP681-MPSH81-CT20 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без блокировки) | /files/centralsemiconductorcorp-cp681mpsh81cm-datasheets-7260.pdf | Править | 20 В | 50 мА | ПНП | 60 при 5 мА 10 В | 600 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CP618-CM5583-WN | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Править | Править | 30 В | 500 мА | ПНП | 25 @ 100 мА 2 В | 1,3 ГГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MS3455 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CP616-2N5160-CT | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Править | Править | 40В | 400 мА | ПНП | 10 @ 50 мА 5 В | 500 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МСК86580 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CP229-2N5109-CM | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~200°С ТДж | Править | 11 дБ | Править | 20 В | 400 мА | НПН | 40 @ 50 мА 15 В | 3 дБ @ 200 МГц | 1,2 ГГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MSC1175MA | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | 250°С | Масса | 1 (без блокировки) | М218 | 8 дБ | М218 | 400 Вт | 65В | 12А | НПН | 15 @ 1А 5В | 1,025–1,15 ГГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CEN5503 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CP617-CM4957-CT20 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CP618-2N5583-WN | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MS1030DE | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N3866A ОЛОВО/СВИНЦОВЫЙ | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Не соответствует требованиям RoHS | ТО-205АД, ТО-39-3 Металлическая банка | не_совместимо | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 10 дБ | 5 Вт | 30 В | 400 мА | НПН | 25 @ 50 мА 5 В | 800 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СД1400-03 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | 3 | EAR99 | совместимый | е0 | Оловянный свинец | ДА | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 1 | Не квалифицирован | Р-ПДФМ-Ф3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 2А | 28В | СВЕРХВЫСОКАЯ ЧАСТОТА Б | 960 МГц | 18пФ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CP223-2N3866-WN | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Править | совместимый | 10 дБ | 30 В | 400 мА | НПН | 10 @ 50 мА 5 В | 500 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БЛС3135-65,114 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 200°С ТДж | Поднос | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 1999 год | /files/nxpusainc-bls313565114-datasheets-7309.pdf | СОТ-422А | 2 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ, С ЭМИТТЕРНЫМИ БАЛЛАСТИЧНЫМИ РЕЗИСТОРАМИ | ДА | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | БЛС3135 | 2 | 1 | 7 дБ | Не квалифицирован | Р-КДФМ-Ф2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | БАЗА | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 200 Вт | СБ | 75В | 8А | НПН | 40 @ 2А 5В | 3,5 ГГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CP229-2N5109-CT20 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~200°С ТДж | Править | 11 дБ | Править | 20 В | 400 мА | НПН | 40 @ 50 мА 15 В | 3 дБ @ 200 МГц | 1,2 ГГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БЛС3135-50,114 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 200°С ТДж | Поднос | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 1999 год | /files/nxpusainc-bls313550114-datasheets-7310.pdf | СОТ-422А | 2 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ, С ЭМИТТЕРНЫМИ БАЛЛАСТИЧНЫМИ РЕЗИСТОРАМИ | неизвестный | ДА | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | БЛС3135 | 2 | 1 | 8 дБ | Не квалифицирован | Р-КДФМ-Ф2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | БАЗА | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 80 Вт | СБ | 75В | 6А | НПН | 40 @ 1,5 А 5 В | 3,5 ГГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CP617-CEN1271-WN | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N3866 ЛОТОК | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | ТО-205АД, ТО-39-3 Металлическая банка | 10 дБ | ТО-39 | 5 Вт | 30 В | 400 мА | НПН | 10 @ 50 мА 5 В | 500 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BFS17PE6752HTSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 280мВт | 15 В | 25 мА | НПН | 40 при 2 мА 1 В | 3,5 дБ при 800 МГц | 1,4 ГГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БФВ16А | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Не соответствует требованиям RoHS | ТО-205АД, ТО-39-3 Металлическая банка | 3 | нет | не_совместимо | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕТ | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | 200°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | О-MBCY-W3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 1,5 Вт | 1,5 Вт | 1,2 МГц | 25 В | 150 мА | НПН | 25 @ 50 мА 5 В | 1,2 ГГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СМ5943 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Не соответствует требованиям RoHS | ТО-205АД, ТО-39-3 Металлическая банка | 3 | нет | EAR99 | не_совместимо | 8541.29.00.75 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕТ | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | 11,4 дБ | Не квалифицирован | O-XBCY-W3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 1 Вт | 2400 МГц | 30 В | 400 мА | НПН | 25 @ 50 мА 15 В | 2,5 пФ | 8 дБ @ 200 МГц | 2,4 ГГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2324-20 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | 200°С | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 1996 год | 55AW | 2 | нет | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | совместимый | е0 | Оловянный свинец | ДА | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | 2 | НЕ УКАЗАН | 1 | 7 дБ | Не квалифицирован | Р-КДФМ-Ф2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 58 Вт | СБ | 40В | 3А | 10 @ 160 мА 5 В | 2,3 ГГц~2,4 ГГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DSA9G01C0L | Электронные компоненты Panasonic | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/panasonicelectroniccomComponents-dsa9g01c0l-datasheets-7250.pdf | 1,6 мм | 600 мкм | 850 мкм | 3 | 3 | EAR99 | 300 МГц | 8541.21.00.75 | НПН | 125 МВт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | -30 мА | -100мВ | -20В | 30 мА | 300 МГц | 110 | -30В | -5В | 70 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SD1330-06H | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.