RF BJT-транзисторы - Поиск электронных компонентов - Лучший агент по электронным компонентам - ICGNT
+86 19168759373 info@chipsmt.ru
Английский

РФ БЮТ-транзисторы(1743)

Сравнить Изображение Имя Производитель Цена (долл. США) Количество Вес (кг) Размер (ДхШхВ) Статус детали Установить Тип монтажа Рабочая температура Упаковка Уровень чувствительности к влаге (MSL) Максимальная рабочая температура Минимальная рабочая температура Технология Частота Высота сидя (макс.) Статус RoHS Опубликовано Техническая спецификация Пакет/ключи Длина Высота Ширина Без свинца Количество окончаний Срок выполнения заказа на заводе Количество контактов Статус жизненного цикла Код Pbfree ECCN-код Дополнительная функция Контактное покрытие Радиационная закалка Макс. частота Достичь соответствия кода Код HTS Код JESD-609 Терминальные отделки Полярность Справочный стандарт Поверхностный монтаж Максимальная рассеиваемая мощность Положение терминала Терминальная форма Пиковая температура оплавления (Цел) Напряжение питания Терминал Питч Количество контактов Температурный класс Рабочая температура (макс.) Рабочая температура (мин) Напряжение питания-Макс (Vsup) Минимальное напряжение питания (Vsup) Конфигурация элемента Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) Рассеяние активности Количество элементов Подкатегория Прирост Статус квалификации Код JESD-30 Поставщик пакета оборудования Уровень скрининга Общая высота Тип оптоэлектронного устройства Угол обзора Материал транзисторного элемента Конфигурация Соединение корпуса Применение транзистора Полярность/Тип канала Непрерывный ток коллектора Тип ИБП/UCS/периферийных микросхем Мощность - Макс. Самый высокий частотный диапазон Максимальное напряжение проба Напряжение пробоя коллектор-эмиттер Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) Макс. ток коллектора Частота смены Пиковая длина волны Цвет@длина волн Выходная тактовая частота-Макс. Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) Ток-Коллектор (Ic) (Макс) Базовое напряжение коллектора (VCBO) Базовое напряжение эмиттера (VEBO) Тип транзистора Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce Макс. емкость коллектора-базы Коэффициент шума (дБ, тип@f) Частота – переход
48042 48042 Микросеми
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Непригодный
MRF8372GR1 МРФ8372GR1 Микросеми
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) 150°С -65°С Соответствует RoHS 2004 г. /files/microsemicorporation-mrf8372gr1-datasheets-6939.pdf 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) Без свинца 8 УСТАРЕЛО (Последнее обновление: 1 месяц назад) Нет НПН 2,2 Вт 2,2 Вт 1 8 дБ ~ 9,5 дБ 8-СО 2,2 Вт 16 В 16 В 200 мА 16 В 200 мА 30 В 3В НПН 30 @ 50 мА 5 В 870 МГц
46015 46015 Микросеми
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Непригодный совместимый Видимые светодиоды 21 мм ОДНОЦВЕТНЫЙ СВЕТОДИОД 30 градусов 635 нм Оранжево-красный
MRF5812 МРФ5812 Микросеми
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж Масса 1 (без блокировки) 5 ГГц Соответствует RoHS 2004 г. /files/microsemicorporation-mrf5812-datasheets-6941.pdf 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) 8 8 УСТАРЕЛО (последнее обновление: 2 недели назад) нет EAR99 Нет е0 Оловянный свинец 1,25 Вт ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 8 1,25 Вт 1 Другие транзисторы 13 дБ ~ 15,5 дБ КРЕМНИЙ ОДИНОКИЙ УСИЛИТЕЛЬ НПН 15 В 15 В 200 мА 5000 МГц 200 мА 30 В 2,5 В НПН 50 @ 50 мА 5 В 2пФ 2 дБ ~ 3 дБ при 500 МГц
60159 60159 Микросеми
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Непригодный
MRF4427GR2 МРФ4427ГР2 Микросеми
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Масса 1 (без блокировки) Соответствует RoHS 2004 г. 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) 1,5 Вт 20 дБ 8-СО 1,5 Вт 20 В 400 мА 20 В 400 мА НПН 10 @ 10 мА 5 В
44010 44010 Микросеми
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Непригодный
MRF553T МРФ553Т Микросеми
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Масса 1 (без блокировки) Соответствует RoHS 2004 г. /files/microsemicorporation-mrf553-datasheets-6920.pdf Мощность макроса 4 УСТАРЕЛО (последнее обновление: 3 недели назад) EAR99 неизвестный ДА РАДИАЛЬНЫЙ ПЛОСКИЙ 4 1 11,5 дБ Не квалифицированный О-ПРДБ-Ф4 КРЕМНИЙ ОДИНОКИЙ КОЛЛЕКЦИОНЕР УСИЛИТЕЛЬ НПН 3 Вт ОЧЕНЬ ВЫСОКАЯ ЧАСТОТА Б 16 В 500 мА НПН 30 @ 250 мА 5 В 20пФ 175 МГц
2SC5012-A 2SC5012-А CEL (Калифорнийские восточные лаборатории)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж 150°С ТДж Полоска 1 (без блокировки) Соответствует RoHS СК-82А, СОТ-343 150 мВт 15 дБ 150 мВт 10 В 65 мА 10 В 65 мА НПН 50 @ 20 мА 8 В 1,2 дБ @ 1 ГГц 9 ГГц
MRF559T МРФ559Т Микросеми
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать 1 (без блокировки) Соответствует RoHS 2004 г. УСТАРЕЛО (последнее обновление: 3 недели назад) 2 Вт 9,5 дБ 2 Вт 16 В 150 мА 16 В 150 мА НПН 30 @ 50 мА 10 В 870 МГц
MRF5812R1 МРФ5812Р1 Микросеми
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) Соответствует RoHS 2004 г. /files/microsemicorporation-mrf5812-datasheets-6941.pdf 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) 8 8 УСТАРЕЛО (Последнее обновление: 1 месяц назад) EAR99 Нет е0 Оловянный свинец 1,25 Вт ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 8 150°С 1 Другие транзисторы 13 дБ ~ 15,5 дБ КРЕМНИЙ ОДИНОКИЙ УСИЛИТЕЛЬ НПН 1,25 Вт СВЕРХВЫСОКАЯ ЧАСТОТА Б 15 В 15 В 200 мА 5000 МГц 30 В НПН 50 @ 50 мА 5 В 2пФ 2 дБ ~ 3 дБ при 500 МГц 5 ГГц
MRF559 МРФ559 Микросеми
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж Масса 1 (без блокировки) 150°С -65°С Соответствует RoHS 2004 г. /files/microsemicorporation-mrf559-datasheets-6949.pdf Макро-Х 4 4 УСТАРЕЛО (последнее обновление: 2 недели назад) нет EAR99 Нет е0 Олово/Свинец (Sn/Pb) 2 Вт РАДИАЛЬНЫЙ ПЛОСКИЙ 4 1 Другие транзисторы 9,5 дБ ОДИНОКИЙ КОЛЛЕКЦИОНЕР УСИЛИТЕЛЬ НПН СВЕРХВЫСОКАЯ ЧАСТОТА Б 16 В 16 В 150 мА 36В НПН 30 @ 50 мА 10 В 3пФ 870 МГц
MRF8372 МРФ8372 Микросеми
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж Масса 1 (без блокировки) 150°С -65°С Соответствует RoHS 2004 г. /files/microsemicorporation-mrf8372gr1-datasheets-6939.pdf 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) 8 8 УСТАРЕЛО (последнее обновление: 3 недели назад) нет EAR99 Нет е0 Олово/Свинец (Sn/Pb) 2,2 Вт ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 8 1 Другие транзисторы 8 дБ ~ 9,5 дБ Одинокий УСИЛИТЕЛЬ НПН СВЕРХВЫСОКАЯ ЧАСТОТА Б 16 В 16 В 200 мА 30 В НПН 30 @ 50 мА 5 В 2,75 пФ 870 МГц
MRF5812G MRF5812G Микросеми
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж Масса 1 (без блокировки) Соответствует RoHS 2004 г. /files/microsemicorporation-mrf5812-datasheets-6941.pdf 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) 8 8 УСТАРЕЛО (последнее обновление: 3 недели назад) да EAR99 Нет е3 МАТОВАЯ ТУНКА 1,25 Вт ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 260 8 40 1 Другие транзисторы 13 дБ ~ 15,5 дБ КРЕМНИЙ ОДИНОКИЙ УСИЛИТЕЛЬ НПН 1,25 Вт СВЕРХВЫСОКАЯ ЧАСТОТА Б 15 В 15 В 200 мА 5000 МГц 30 В НПН 50 @ 50 мА 5 В 2пФ 2 дБ ~ 3 дБ при 500 МГц 5 ГГц
MRF5812MR2 МРФ5812МР2 Микросеми
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки)
40033 40033 Микросеми
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Непригодный КМОП 0,9 мм Соответствует RoHS 5 мм 3,2 мм 32 EAR99 CLK/CRYSTAL FREQ-NOM ЗАМЕНЕНЫ НА ВНУТРЕННЫЕ ЧАСТОТЫ MEMS совместимый 8542.39.00.01 ДА КВАД НЕТ ЛИДЕСА 3,3 В 0,5 мм ДРУГОЙ 70°С -20°С 3,6 В 2,25 В Р-XQCC-N32 АЭК-Q100 ТАКТОВЫЙ ГЕНЕРАТОР, ДРУГОЕ 460 МГц
45005 45005 Микросеми
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Непригодный
MMBTH81_F080 ММБТХ81_F080 ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) Соответствует RoHS ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 СОТ-23 225 МВт 20 В 50 мА ПНП 60 при 5 мА 10 В 600 МГц
JANTX2N2857UB JANTX2N2857UB Микросеми
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -65°С~200°С ТДж Масса 1 (без блокировки) Не соответствует требованиям RoHS 2007 год /files/microsemicorporation-2n2857ub-datasheets-6829.pdf 3-СМД, без свинца 3 23 недели 3 EAR99 Нет 200мВт ДВОЙНОЙ 3 200мВт 1 21 дБ Квалифицированный КРЕМНИЙ ОДИНОКИЙ НПН СВЕРХВЫСОКАЯ ЧАСТОТА Б 15 В 40 мА 30 В 3В НПН 30 при 3 мА 1 В 4,5 дБ при 450 МГц
NE462M02-T1-AZ NE462M02-T1-AZ CEL (Калифорнийские восточные лаборатории)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж 150°С ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) 150°С -65°С Соответствует RoHS ТО-243АА 4 Олово 1,8 Вт 10 дБ 1,8 Вт 12 В 12 В 150 мА 12 В 150 мА 25 В 2,5 В НПН 50 @ 50 мА 5 В 3,5 дБ @ 1 ГГц 6 ГГц
2SC4227-A 2SC4227-А CEL (Калифорнийские восточные лаборатории)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж 150°С ТДж Полоска 1 (без блокировки) Соответствует RoHS СК-70, СОТ-323 150 мВт 12 дБ 10 В 65 мА 65 мА НПН 40 @ 7 мА 3 В 1,4 дБ @ 1 ГГц 7 ГГц
MRF4427R1 МРФ4427R1 Микросеми
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж Масса 1 (без блокировки) Соответствует RoHS 2002 г. /files/microsemicorporation-mrf4427r2-datasheets-6912.pdf 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) 8 8 УСТАРЕЛО (последнее обновление: 2 недели назад) нет EAR99 Нет е0 Олово/Свинец (Sn/Pb) 1,5 Вт ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 8 150°С Другие транзисторы 20 дБ КРЕМНИЙ Одинокий УСИЛИТЕЛЬ НПН 1,5 Вт ОЧЕНЬ ВЫСОКАЯ ЧАСТОТА Б 20 В 20 В 400 мА 1300 МГц 40В НПН 10 @ 10 мА 5 В 3,4 пФ
2SC5551AF-TD-E 2SC5551AF-ТД-Е ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж 150°С ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 2009 год /files/onsemiconductor-2sc5551aftde-datasheets-6889.pdf ТО-243АА 4,5 мм 1,5 мм 2,5 мм Без свинца 3 6 недель 3 АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) да EAR99 3,5 ГГц е6 Олово/Висмут (Sn/Bi) ДА 1,3 Вт ПЛОСКИЙ 3 Одинокий 1,3 Вт 1 Другие транзисторы КРЕМНИЙ КОЛЛЕКЦИОНЕР НПН 300 мА СБ 30 В 30 В 300мВ 30 В 300 мА 3500 МГц 40В 2В НПН 135 @ 50 мА 5 В 4пФ
JANTXV2N4957UB JANTXV2N4957UB Микросеми
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж -65°С~200°С ТДж Масса 1 (без блокировки) Не соответствует требованиям RoHS /files/microsemicorporation-jantx2n4957ub-datasheets-6839.pdf 3-СМД, без свинца 3 В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 6 месяцев назад) EAR99 НИЗКИЙ ШУМ 8541.21.00.95 е4 Золото (Au) - с никелевым (Ni) барьером МИЛ-19500/426 ДА ДВОЙНОЙ НЕ УКАЗАН 3 НЕ УКАЗАН 1 25 дБ Квалифицированный Р-ЦДСО-Н3 КРЕМНИЙ ОДИНОКИЙ УСИЛИТЕЛЬ ПНП 200мВт СВЕРХВЫСОКАЯ ЧАСТОТА Б 30 В 30 мА ПНП 30 при 5 мА 10 В 0,8пФ 3,5 дБ при 450 МГц
2SC5006-A 2SC5006-А CEL (Калифорнийские восточные лаборатории)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж 150°С ТДж Полоска 1 (без блокировки) Соответствует RoHS СОТ-523 125 МВт 9 дБ 12 В 100 мА 100 мА НПН 80 @ 7 мА 3 В 1,2 дБ @ 1 ГГц 4,5 ГГц
TAN350 ТАН350 Микросеми
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Крепление на раму, винт Крепление на шасси 230°С, ТиДжей Масса 1 (без блокировки) Соответствует RoHS 2005 г. /files/microsemicorporation-tan350-datasheets-6895.pdf 55СТ 2 22 недели 55 нет EAR99 Нет 1215 ГГц е0 Оловянный свинец 1,45 кВт ДВОЙНОЙ ПЛОСКИЙ 2 1 Другие транзисторы 7 дБ ~ 7,5 дБ Р-КДФМ-Ф2 КРЕМНИЙ ОДИНОКИЙ УСИЛИТЕЛЬ НПН 1450 Вт ФУНТ 65В 65В 40А НПН 10 @ 1А 5В 960 МГц~1215 ГГц
2SC5509-A 2SC5509-А CEL (Калифорнийские восточные лаборатории)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж 150°С ТДж Полоска 1 (без блокировки) Соответствует RoHS СОТ-343Ф 190мВт 14 дБ 3,3 В 100 мА 100 мА НПН 50 @ 10 мА 2 В 1,2 дБ @ 2 ГГц 15 ГГц
NE85639-T1-R27-A NE85639-T1-R27-A CEL (Калифорнийские восточные лаборатории)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж 150°С ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) Соответствует RoHS ТО-253-4, ТО-253АА 200мВт 13 дБ 12 В 100 мА 100 мА НПН 50 @ 20 мА 10 В 1,1 дБ @ 1 ГГц 9 ГГц
NE85634-T1-RF-A NE85634-T1-RF-A CEL (Калифорнийские восточные лаборатории)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж 150°С ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) Соответствует RoHS ТО-243АА 1,2 Вт 9 дБ 12 В 100 мА 100 мА НПН 125 @ 20 мА 10 В 1,1 дБ @ 1 ГГц 6,5 ГГц
MRF4427R2 МРФ4427R2 Микросеми
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж Масса 1 (без блокировки) Соответствует RoHS 2003 г. /files/microsemicorporation-mrf4427r2-datasheets-6912.pdf 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) 8 8 УСТАРЕЛО (последнее обновление: 3 недели назад) нет EAR99 Нет е0 Олово/Свинец (Sn/Pb) 1,5 Вт ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 8 150°С Другие транзисторы 20 дБ КРЕМНИЙ Одинокий УСИЛИТЕЛЬ НПН 1,5 Вт ОЧЕНЬ ВЫСОКАЯ ЧАСТОТА Б 20 В 20 В 400 мА 1300 МГц 40В НПН 10 @ 10 мА 5 В 3,4 пФ
Нажмите Enter для поиска или ESC для закрытия.

В наличии

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Список запросов цен (0 позиций)