Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные BJT-транзисторы(15763)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Частота | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Макс. частота | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Продукт увеличения пропускной способности | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Непрерывный ток коллектора | Мощность - Макс. | Максимальное напряжение проба | Код JEDEC-95 | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Частота перехода | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Рассеиваемая мощность, окружающая среда-Макс. | Базовое напряжение коллектора (VCBO) | Базовое напряжение эмиттера (VEBO) | VCEsat-Макс | hFE Мин. | Ток-отсечка коллектора (макс.) | Тип транзистора | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Макс. коллектор-базы | Частота – переход | Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CPH6123-TL-E | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | /files/onsemiconductor-cph6223tle-datasheets-1943.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 2,9 мм | 900 мкм | 1,6 мм | Без свинца | 6 | 11 недель | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | Олово | 390 МГц | не_совместимо | е6 | ДА | 1,3 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | CPH6123 | 6 | Одинокий | 1 | 390 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 50В | 50В | -240мВ | 50В | 3А | 390 МГц | -50В | -6В | 1 мкА ИКБО | ПНП | 200 @ 100 мА 2 В | 650 мВ при 100 мА, 2 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SB1182TLR | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/rohmsemiconductor-2sb1182tlq-datasheets-9076.pdf | -32В | -2А | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 2 | 3 | да | EAR99 | Медь, Олово | Нет | е2 | Олово/медь (Sn98Cu2) | 10 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 2СБ1182 | 3 | Одинокий | 10 | 1 | Другие транзисторы | Р-ПССО-Г2 | 100 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | -2А | 10 Вт | 32В | 32В | 32В | 2А | 100 МГц | -32В | 5В | 180 | 100на ИКБО | ПНП | 180 @ 500 мА 3 В | 800 мВ при 200 мА, 2 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SD2657КТ146 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | 330 МГц | Соответствует ROHS3 | 1998 год | 30В | 1,5 А | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,9 мм | 1 мм | 1,6 мм | Без свинца | 3 | 13 недель | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | Медь, Серебро, Олово | Нет | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 2SD2657 | 3 | Одинокий | 10 | 200мВт | 1 | Другие транзисторы | 330 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 1,5 А | 30В | 30В | 160 мВ | 30В | 1,5 А | 330 МГц | 30В | 6В | 270 | 100на ИКБО | НПН | 270 @ 100 мА 2 В | 350 мВ при 50 мА, 1 А | ||||||||||||||||||||||||||
| MCH6101-TL-E | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/onsemiconductor-mch6101tle-datasheets-2080.pdf | 6-SMD, плоские выводы | 2 мм | 830 мкм | 1,6 мм | Без свинца | 2 недели | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | 1 МГц | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | 1 Вт | НЕ УКАЗАН | 6 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 15 В | 15 В | -180мВ | -180мВ | 1,5 А | -15В | 5В | 200 | 100на ИКБО | ПНП | 200 @ 100 мА 2 В | 430 МГц | 180 мВ при 15 мА, 750 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ST13007 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-st13007-datasheets-1863.pdf | 400В | 8А | ТО-220-3 | Без свинца | 3 | 8 недель | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 80 Вт | ST13007 | 3 | Одинокий | 80 Вт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 400В | ТО-220АБ | 400В | 1В | 400В | 8А | 4 МГц | 9В | 3 В | 16 | 10 мкА | НПН | 5 @ 5А 5В | 3 В при 2 А, 8 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SCR346PT100P | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | ТО-243АА | 13 недель | EAR99 | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | 500мВт | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 500мВт | 400В | 400В | 300мВ | 100 мА | 10 мкА ИКБО | НПН | 82 @ 10 мА 10 В | 300 мВ при 2 мА, 20 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПБСС4420Д,115 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 100 МГц | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/nexperiausainc-pbss4420d115-datasheets-1872.pdf | СК-74, СОТ-457 | Без свинца | 6 | 4 недели | 6 | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 2,5 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ПБСС4420 | 6 | Одинокий | 30 | 2,5 Вт | 1 | 100 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 1,1 Вт | 20 В | 20 В | 20 В | 4А | 100 МГц | 20 В | 5В | 100нА | НПН | 250 @ 2А 2В | 1,1 В при 400 мА, 4 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC4518 | Санкен | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2001 г. | /files/sanken-2sc4518-datasheets-1880.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | Без свинца | 3 | 12 недель | да | неизвестный | 35 Вт | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 35 Вт | ТО-220АБ | 550В | 500мВ | 5А | 6 МГц | 100 мкА ИКБО | НПН | 10 @ 1,8 А 4 В | 6 МГц | 500 мВ при 360 мА, 1,8 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PBSS5350THR | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | 175°С, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2017 год | /files/nexperiausainc-pbss5350thr-datasheets-1870.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 4 недели | 3 | 1,44 Вт | 50В | 2А | 100на ИКБО | ПНП | 80 @ 3А 2В | 100 МГц | 390 мВ при 300 мА, 3 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N5210 ПББЕСПЛАТНО | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-2n5209pbfree-datasheets-0821.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | е3 | МАТОВЫЙ ТИН ПОВЕРХ НИКЕЛЯ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 350мВт | 50В | 50 мА | 50на ИКБО | НПН | 200 @ 100 мкА 5 В | 30 МГц | 700 мВ при 1 мА, 10 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SD2641 | Санкен | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2001 г. | /files/sanken-2sd2641-datasheets-1899.pdf | ТО-3П-3, СК-65-3 | Без свинца | 3 | 24 недели | да | EAR99 | неизвестный | 60 Вт | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицированный | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ДАРЛИНГТОН СО ВСТРОЕННЫМ РЕЗИСТОРОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 60 Вт | 110В | 2,5 В | 6А | 60 МГц | 100 мкА ИКБО | NPN – Дарлингтон | 5000 @ 5А 4В | 60 МГц | 2,5 В при 5 мА, 5 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2DB1714-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 200 МГц | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/diodesincorporated-2db171413-datasheets-1876.pdf | ТО-243АА | 4,5 мм | 1,4 мм | 2,5 мм | Без свинца | 3 | 9 недель | 51,993025мг | Нет СВХК | 4 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 900мВт | ПЛОСКИЙ | 260 | 3 | Одинокий | 40 | 2 Вт | 1 | Другие транзисторы | Р-ПССО-Ф3 | 200 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 900мВт | 30В | 30В | -370мВ | 30В | 2А | 200 МГц | 30В | 6В | 100на ИКБО | ПНП | 270 @ 200 мА 2 В | 370 мВ при 75 мА, 1,5 А | |||||||||||||||||||||||||||||
| 2SAR586D3TL1 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/rohmsemiconductor-2sar586d3tl1-datasheets-1905.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 13 недель | EAR99 | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 10 Вт | 80В | 5А | 1 мкА ИКБО | ПНП | 120 @ 500 мА 3 В | 200 МГц | 320 мВ при 100 мА, 2 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SCR586JFRGTLL | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 20 недель | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 40 Вт | 80В | 5А | 1 мкА ИКБО | НПН | 120 @ 500 мА 3 В | 200 МГц | 300 мВ при 100 мА, 2 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NJVMJB45H11T4G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/onsemiconductor-njvmjb44h11t4g-datasheets-1778.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | Без свинца | 7 недель | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 6 дней назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | ДА | 2 Вт | MJB45H11 | 3 | Другие транзисторы | Одинокий | ПНП | 2 Вт | 80В | 1В | 10А | 5В | 10 мкА | ПНП | 40 @ 4А 1В | 40 МГц | 1 В при 400 мА, 8 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CPH6223-TL-E | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | /files/onsemiconductor-cph6223tle-datasheets-1943.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 2,9 мм | 900 мкм | 1,6 мм | Без свинца | 6 | 4 недели | 6 | АКТИВНО (Последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | 380 МГц | не_совместимо | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | 1,3 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 6 | Одинокий | 1 | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 50В | 240 мВ | 50В | 3А | 380 МГц | 100В | -6В | 1 мкА ИКБО | НПН | 200 @ 100 мА 2 В | 380 МГц | 240 мВ при 100 мА, 2 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПБСС4220В,115 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 210 МГц | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/nexperiausainc-pbss4220v115-datasheets-1974.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | Без свинца | 6 | 4 недели | 6 | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 900мВт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | ПБСС4220 | 6 | Одинокий | 900мВт | 1 | 210 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 20 В | 20 В | 20 В | 2А | 210 МГц | 20 В | 5В | 100нА | НПН | 200 @ 1А 2В | 350 мВ при 200 мА, 2 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2СБ1197КТ146К | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/rohmsemiconductor-2sb1197kt146q-datasheets-1984.pdf | -32В | -800мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 3 | 13 недель | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | Медь, Серебро, Олово | Нет | 8541.21.00.75 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 2СБ1197 | 3 | Одинокий | 10 | 1 | Другие транзисторы | 200 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | -800мА | 200мВт | 32В | 32В | 500мВ | 800мА | 200 МГц | -40В | -5В | 0,5 В | 120 | 500нА ИКБО | ПНП | 120 @ 100 мА 3 В | 500 мВ при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||
| ДСС2515М-7Б | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/diodesincorporated-dss2515m7b-datasheets-1994.pdf | 3-УФДФН | Без свинца | 3 | 15 недель | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | Нет | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 250 мВт | НИЖНИЙ | 260 | ДСС2515М | 3 | Одинокий | 40 | 1 | Другие транзисторы | 250 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | НПН | 500 мА | 15 В | 15 В | 250 мВ | 15 В | 500 мА | 250 МГц | 15 В | 6В | 100на ИКБО | НПН | 150 @ 100 мА 2 В | 250 мВ при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММСТА28Т146 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/rohm-mmsta28t146-datasheets-1543.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 3 | 19 недель | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | Нет | 8541.21.00.75 | НПН | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СТА28 | 3 | Одинокий | 10 | 200мВт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | 80В | 80В | 80В | 300 мА | 200 МГц | 80В | 12 В | 1,5 В | 10000 | 500нА | NPN – Дарлингтон | 10000 @ 100мА 5В | 8пФ | 200 МГц | 1,5 В @ 100 мкА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| CJD122 TR13 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/centralsemiconductorcorp-cjd122tr13-datasheets-1860.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 2 | 5 недель | да | EAR99 | 8541.29.00.95 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 10 | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 20 Вт | 1,75 Вт | 4 МГц | 100В | 8А | 20 Вт | 4 В | 10 мкА | NPN – Дарлингтон | 1000 @ 4А 4В | 200пФ | 4 МГц | 4 В @ 80 мА, 8 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FJPF13009H2TU | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 4 МГц | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/onsemiconductor-fjpf13009h1tu-datasheets-7434.pdf | 400В | 12А | ТО-220-3 Полный пакет | Без свинца | 3 | 2 недели | 2,27 г | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 50 Вт | FJPF13009 | Одинокий | 50 Вт | 1 | Другие транзисторы | 4 МГц | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | ТО-220АБ | 400В | 1В | 400В | 12А | 4 МГц | 700В | 9В | 6 | НПН | 8 @ 5А 5В | 3 В при 3 А, 12 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУЛ1102ЕФП | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-bul1102efp-datasheets-1731.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | 3 | 8 недель | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 7 месяцев назад) | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 30 Вт | ОДИНОКИЙ | БУЛ1102 | 3 | 70 Вт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 30 Вт | ТО-220АБ | 450В | 450В | 4А | 12 В | 100 мкА | НПН | 12 @ 2А 5В | 1,5 В при 400 мА, 2 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STSA1805-AP | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 150 МГц | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stsa1805-datasheets-1706.pdf | 60В | 3А | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 3 | 8 недель | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 6 месяцев назад) | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,1 Вт | НИЖНИЙ | СТСА1805 | 3 | Одинокий | 1,1 Вт | 1 | Другие транзисторы | 150 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 60В | 60В | 200 мВ | 60В | 5А | 150 МГц | 150 В | 7В | 20 | 100на ИКБО | НПН | 200 @ 100 мА 2 В | 600 мВ при 200 мА, 5 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУЛ1102Е | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-bul1102efp-datasheets-1731.pdf | ТО-220-3 | 3 | 8 недель | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 70 Вт | ОДИНОКИЙ | БУЛ1102 | 3 | 70 Вт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | ТО-220АБ | 450В | 450В | 4А | 12 В | 100 мкА | НПН | 12 @ 2А 5В | 1,5 В при 400 мА, 2 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CJD31C TR13 PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-cjd31ctr13pbfree-datasheets-1750.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 22 недели | ДА | Другие транзисторы | Одинокий | НПН | 15 Вт | 1,56 Вт | 3 МГц | 100В | 3А | 50 мкА | НПН | 10 @ 3А 4В | 3 МГц | 1,2 В при 375 мА, 3 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N4923 ПББЕСПЛАТНО | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-2n4923pbfree-datasheets-1768.pdf | ТО-225АА, ТО-126-3 | 15 недель | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 30 Вт | 80В | 1А | НПН | 3 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2СБ1418АПА | Электронные компоненты Panasonic | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2003 г. | /files/panasonicelectroniccomComponents-2sb1418apa-datasheets-1453.pdf | -80В | -2А | 3-SIP | Без свинца | 3 | 2 Вт | 2СБ1418 | МТ-4-А1 | 2 Вт | 80В | 80В | 2,5 В | 2А | 80В | 2А | 100 мкА | PNP - Дарлингтон | 4000 @ 2А 4В | 20 МГц | 2,5 В при 8 мА, 2 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФЗТ968ТА | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 80 МГц | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/diodesincorporated-fzt968ta-datasheets-1667.pdf | -12В | -6А | ТО-261-4, ТО-261АА | 6,7 мм | 1,65 мм | 3,7 мм | Без свинца | 4 | 15 недель | 7,994566мг | Нет СВХК | 4 | нет | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 3 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ФЗТ968 | Одинокий | 40 | 3 Вт | 1 | Другие транзисторы | 80 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | -6А | 12 В | 12 В | -360мВ | 12 В | 6А | 80 МГц | 15 В | -6В | 10на ИКБО | ПНП | 300 @ 500 мА 1 В | 450 мВ при 250 мА, 6 А | |||||||||||||||||||||||||||
| CZTA92 TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-czta92trpbfree-datasheets-1799.pdf | ТО-261-4, ТО-261АА | 20 недель | ДА | Другие транзисторы | Одинокий | ПНП | 2 Вт | 2 Вт | 50 МГц | 300В | 500 мА | 250 на ИКБО | ПНП | 25 @ 30 мА 10 В | 50 МГц | 500 мВ при 2 мА, 20 мА |
