Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные BJT-транзисторы(15763)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Частота | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Макс. частота | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Справочный стандарт | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Продукт увеличения пропускной способности | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Непрерывный ток коллектора | Мощность - Макс. | Максимальное напряжение проба | Код JEDEC-95 | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Частота перехода | Минимальное устройство постоянного тока (hFE) | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Базовое напряжение коллектора (VCBO) | Базовое напряжение эмиттера (VEBO) | VCEsat-Макс | hFE Мин. | Ток-отсечка коллектора (макс.) | Тип транзистора | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Макс. коллектор-базы | Частота – переход | Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DSA7U01Q0L | Электронные компоненты Panasonic | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/panasonicelectroniccomComponents-dsa7u0100l-datasheets-0735.pdf | ТО-243АА | 4,5 мм | 1,5 мм | 2,5 мм | 3 | 10 недель | 3 | EAR99 | 120 МГц | 1 Вт | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | DSA7U01 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 100В | 100В | -600мВ | 600мВ | 500 мА | 120 МГц | -100В | -5В | 90 | ПНП | 90 @ 150 мА 10 В | 120 МГц | 600 мВ при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУДЖД203АД, 118 | ВеЭн Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 2 | EAR99 | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | МЭК-60134 | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | БУДЖД203А | 1 | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 80 Вт | 425В | 4А | 100 мкА | НПН | 11 @ 2А 5В | 1 В при 600 мА, 3 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PBSS4032PX,115 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/nexperiausainc-pbss4032px115-datasheets-0977.pdf | ТО-243АА | 4 недели | 4 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 2,5 Вт | PBSS4032P | 3 | Одинокий | 115 МГц | 2,5 Вт | 30В | 30В | 400мВ | 4,2А | 30В | -5В | 200 | 100нА | ПНП | 150 @ 2А 2В | 400 мВ при 200 мА, 4 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SD21840RA | Электронные компоненты Panasonic | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/panasonicelectroniccomComponents-2sd21840ra-datasheets-1006.pdf | 150 В | 1А | 3-SIP | Без свинца | 3 | 1 Вт | 2SD2184 | МТ-2-А1 | 1 Вт | 150 В | 150 В | 300мВ | 1А | 150 В | 1А | 100на ИКБО | НПН | 120 @ 100 мА 2 В | 90 МГц | 300 мВ при 25 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SB1216S-TL-E | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 180 МГц | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/onsemiconductor-2sb1216se-datasheets-7140.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,5 мм | 2,3 мм | 5,5 мм | Без свинца | 2 | 2 недели | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | не_совместимо | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | ДА | 1 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 2СБ1216 | 3 | Одинокий | 1 Вт | 1 | Другие транзисторы | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 100В | -500мВ | 100В | 4А | 130 МГц | 120 В | 6В | 70 | 1 мкА ИКБО | ПНП | 140 @ 500 мА 5 В | 130 МГц | 500 мВ при 200 мА, 2 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ZXTN19020DFFTA | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 160 МГц | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/diodesincorporated-zxtn19020dffta-datasheets-1021.pdf | SOT-23-3 Плоские выводы | 3 мм | 1 мм | 1,7 мм | Без свинца | 3 | 15 недель | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 2 Вт | ДВОЙНОЙ | 260 | ZXTN19020D | 3 | Одинокий | 40 | 2 Вт | 1 | Другие транзисторы | 160 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 1,5 Вт | 20 В | 20 В | 190 мВ | 20 В | 6,5 А | 160 МГц | 70В | 7В | 300 | 50на ИКБО | НПН | 300 @ 100 мА 2 В | 190 мВ при 180 мА, 6,5 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SD2138AQA | Электронные компоненты Panasonic | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/panasonicelectroniccomComponents-2sd2138aqa-datasheets-0874.pdf | 80В | 2А | 3-SIP | Содержит свинец | 3 | 15 Вт | 2SD2138 | МТ-4-А1 | 15 Вт | 80В | 80В | 2,5 В | 2А | 80В | 2А | 100 мкА | NPN – Дарлингтон | 2000 @ 2А 4В | 20 МГц | 2,5 В при 8 мА, 2 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N6036 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-2n6036-datasheets-0899.pdf | -80В | -4А | ТО-225АА, ТО-126-3 | 7,8 мм | 11,05 мм | 2,9 мм | Без свинца | 3 | 4.535924г | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | НПН | 40 Вт | 2Н60 | 3 | Одинокий | 40 Вт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 80В | 2В | 80В | 4А | 25 МГц | 80В | 5В | 3 В | 100 | 100 мкА | PNP - Дарлингтон | 750 @ 2А 3В | 200пФ | 3 В при 40 мА, 4 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FJD5553TM | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-fjd5553tm-datasheets-0890.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,73 мм | 2,39 мм | 6,22 мм | Без свинца | 2 | 4 недели | 260,37 мг | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 1,25 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | FJD5553 | Одинокий | 1,25 Вт | 1 | Другие транзисторы | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 400В | 400В | 500мВ | 400В | 3А | 1,05 кВ | 14 В | 30 | НПН | 30 @ 400 мА 3 В | 500 мВ при 200 мА, 1 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DSA7U01R0L | Электронные компоненты Panasonic | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/panasonicelectroniccomComponents-dsa7u0100l-datasheets-0735.pdf | ТО-243АА | 4,5 мм | 1,5 мм | 2,5 мм | 10 недель | 3 | 120 МГц | ПНП | 1 Вт | DSA7U01 | Одинокий | МиниП3-Ф2-Б | -500мА | 1 Вт | 100В | 100В | -600мВ | 600мВ | 500 мА | 100В | 500 мА | -100В | -5В | 90 | ПНП | 130 @ 150 мА 10 В | 120 МГц | 600 мВ при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТИП112ТУ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/onsemiconductor-tip112tu-datasheets-0929.pdf | 100В | 2А | ТО-220-3 | 10,67 мм | 16,51 мм | 4,83 мм | Без свинца | 3 | 6 недель | 1,214 г | Нет СВХК | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | НПН | 50 Вт | СОВЕТ112 | Одинокий | 2 Вт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | ТО-220АБ | 100В | 2,5 В | 100В | 2А | 100В | 5В | 500 | 2мА | NPN – Дарлингтон | 1000 @ 1А 4В | 2,5 В при 8 мА, 2 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC3649S-ТД-Е | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 120 МГц | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-2sc3649ttdh-datasheets-7230.pdf | ТО-243АА | Без свинца | 3 | 9 недель | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 6 дней назад) | да | EAR99 | Нет | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | ДА | 500мВт | ПЛОСКИЙ | 2SC3649 | 3 | Одинокий | 500мВт | 1 | 120 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | НПН | 160 В | 160 В | 130 мВ | 160 В | 1,5 А | 120 МГц | 180 В | 6В | 1 мкА ИКБО | НПН | 100 @ 100 мА 5 В | 450 мВ при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FCX1047ATA | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150 МГц | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/diodesincorporated-fcx1047ata-datasheets-6436.pdf | 10 В | 4А | ТО-243АА | 4,6 мм | 1,6 мм | 2,6 мм | Без свинца | 3 | 15 недель | 51,993025мг | Нет СВХК | 3 | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 2 Вт | ПЛОСКИЙ | 260 | FCX1047A | Одинокий | 30 | 2 Вт | 1 | 150 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 4А | 10 В | 10 В | 350 мВ | 10 В | 4А | 150 МГц | 35В | 5В | 10нА | НПН | 300 @ 1А 2В | 350 мВ при 25 мА, 5 А | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ФЗТ600БТА | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/diodesincorporated-fzt600ta-datasheets-8323.pdf | 140 В | 2А | ТО-261-4, ТО-261АА | 6,55 мм | 1,65 мм | 3,55 мм | Без свинца | 4 | 12 недель | 7,994566мг | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | НПН | 2 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ФЗТ600 | 4 | Одинокий | 40 | 1 | Р-ПДСО-Г4 | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 140 В | 140 В | 1,2 В | 140 В | 2А | 250 МГц | 160 В | 10 В | 10 мкА | NPN – Дарлингтон | 10000 @ 500мА 10В | 250 МГц | 1,2 В при 10 мА, 1 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SA1797T100P | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 200 МГц | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/rohmsemiconductor-2sa1797t100q-datasheets-9874.pdf | -50В | -3А | ТО-243АА | Без свинца | 3 | 4 | Медь, Олово | Нет | е2 | ОЛОВО МЕДЬ | 2 Вт | ПЛОСКИЙ | 260 | 2SA1797 | 3 | Одинокий | 10 | 2 Вт | 1 | Другие транзисторы | Р-ПССО-Ф3 | 200 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 50В | 50В | 50В | 3А | 200 МГц | 2А | 50В | -6В | 0,35 В | 82 | 100на ИКБО | ПНП | 82 @ 500 мА 2 В | 350 мВ при 50 мА, 1 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ZXTN19055DZTA | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 200 МГц | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/diodesincorporated-zxtn19055dzta-datasheets-0753.pdf | 55В | 6А | ТО-243АА | 4,6 мм | 1,6 мм | 2,6 мм | Без свинца | 6 | 15 недель | 51,993025мг | Нет СВХК | 4 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 2,1 Вт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | ZXTN19055 | 6 | Одинокий | 40 | 2,1 Вт | 1 | Р-ПДСО-Ф6 | 200 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 55В | 55В | 250 мВ | 55В | 6А | 200 МГц | 150 В | 7В | 50на ИКБО | НПН | 250 @ 10 мА 2 В | 250 мВ при 600 мА, 6 А | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SCR542PT100 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/rohmsemiconductor-2scr542pt100-datasheets-0568.pdf | ТО-243АА | Без свинца | 3 | 10 недель | да | EAR99 | не_совместимо | е2 | ОЛОВО МЕДЬ | 2 Вт | ОДИНОКИЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | 3 | 10 | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | Р-ПССО-Ф3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 2 Вт | 30В | 30В | 400мВ | 5А | 250 МГц | 1 мкА ИКБО | НПН | 200 @ 500 мА 2 В | 250 МГц | 400 мВ при 100 мА, 2 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N5209 ПББЕСПЛАТНО | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-2n5209pbfree-datasheets-0821.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 6 недель | е3 | МАТОВЫЙ ТИН ПОВЕРХ НИКЕЛЯ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 350мВт | 50В | 50 мА | 50на ИКБО | НПН | 100 @ 100 мкА 5 В | 30 МГц | 700 мВ при 1 мА, 10 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ZTX655 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | 30 МГц | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/diodesincorporated-ztx655-datasheets-0843.pdf | 150 В | 1А | ТО-92 | 4,77 мм | 4,01 мм | 2,41 мм | Содержит свинец | 3 | 453,59237мг | 3 | EAR99 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | НПН | 1 Вт | ПРОВОЛОКА | 260 | 3 | Одинокий | 40 | 1 Вт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | 30 МГц | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1А | 150 В | 500мВ | 150 В | 1А | 30 МГц | 20 | 150 В | 5В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DSA7U0100L | Электронные компоненты Panasonic | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/panasonicelectroniccomComponents-dsa7u0100l-datasheets-0735.pdf | ТО-243АА | 4,5 мм | 1,5 мм | 2,5 мм | 3 | 10 недель | 3 | EAR99 | 120 МГц | неизвестный | 1 Вт | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | DSA7U01 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 100В | 100В | -600мВ | 600мВ | 500 мА | 120 МГц | -100В | -5В | 90 | ПНП | 90 @ 150 мА 10 В | 120 МГц | 600 мВ при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MJD45H11TM | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 40 МГц | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-mjd45h11tm-datasheets-0867.pdf | -80В | -8А | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 2 | 15 недель | 260,37 мг | Нет СВХК | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 6 дней назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | ПНП, НПН | 1,75 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | MJD45H11 | Одинокий | 1,75 Вт | 1 | Другие транзисторы | Р-ПССО-Г2 | 40 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 80В | 80В | -1В | 80В | 8А | 40 МГц | -80В | -5В | 60 | 10 мкА | ПНП | 40 @ 4А 1В | 1 В при 400 мА, 8 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DSA700400L | Электронные компоненты Panasonic | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/panasonicelectroniccomComponents-dsa7004s0l-datasheets-5962.pdf | ТО-243АА | 4,5 мм | 1,5 мм | 2,5 мм | 3 | 10 недель | 3 | EAR99 | 120 МГц | неизвестный | 1 Вт | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | ДСА7004 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | -2А | 50В | 50В | -300мВ | 300мВ | 2А | 130 МГц | -60В | -5В | 120 | 100на ИКБО | ПНП | 120 @ 200 мА 2 В | 120 МГц | 300 мВ при 50 мА, 1 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ZTX857STZ | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~200°С ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 80 МГц | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/diodesincorporated-ztx857stz-datasheets-0625.pdf | 300В | 5А | E-Line-3, сформированные лиды | 4,77 мм | 4,01 мм | 2,41 мм | Без свинца | 3 | 15 недель | 453,59237мг | Нет СВХК | 3 | нет | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,2 Вт | ПРОВОЛОКА | 260 | ZTX857 | 3 | Одинокий | 40 | 1,2 Вт | 1 | 80 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 3А | 300В | 300В | 250 мВ | 300В | 3А | 80 МГц | 330В | 6В | 1 мкА ИКБО | НПН | 100 @ 500 мА 10 В | 250 мВ при 600 мА, 3 А | |||||||||||||||||||||||||||||||
| MJD47TF | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 10 МГц | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/onsemiconductor-mjd47tf-datasheets-0642.pdf | 250 В | 1А | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,73 мм | 2,38 мм | 6,22 мм | Без свинца | 2 | 4 недели | 260,37 мг | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 6 дней назад) | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Олово | Нет | е3 | 1,56 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | MJD47 | Одинокий | 1,56 Вт | 1 | Другие транзисторы | Р-ПССО-Г2 | 10 МГц | КРЕМНИЙ | НПН | 250 В | 250 В | 1В | 250 В | 1А | 10 МГц | 350В | 5В | 30 | 200 мкА | НПН | 30 @ 300 мА 10 В | 1 В при 200 мА, 1 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| PBSS4021NX,115 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 115 МГц | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/nexperiausainc-pbss4021nx115-datasheets-0676.pdf | ТО-243АА | 4 недели | 4 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 2,5 Вт | PBSS4021N | 3 | Одинокий | 2,5 Вт | 1 | 115 МГц | 20 В | 20 В | 20 В | 7А | 20 В | 5В | 300 | 100нА | НПН | 250 @ 4А 2В | 210 мВ при 350 мА, 7 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SA2040-TL-E | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/onsemiconductor-2sc5707tle-datasheets-7398.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,5 мм | 5,5 мм | 2,3 мм | Без свинца | 6 недель | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | Нет | 290 МГц | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | 1 Вт | 3 | Одинокий | 1 Вт | 1 | 290 МГц | 50В | 50В | -230мВ | 50В | 8А | 50В | -6В | 200 | 100на ИКБО | ПНП | 200 @ 500 мА 2 В | 400 мВ при 40 мА, 2 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PHPT61010PYX | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 175°С, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/nexperiausainc-phpt61010pyx-datasheets-0685.pdf | СК-100, СОТ-669 | 4 | 8 недель | АЭК-Q101; МЭК-60134 | 1,5 Вт | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 4 | 1 | Р-ПССО-Г4 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 1,5 Вт | 100В | МО-235 | 100В | 800мВ | 10А | 90 МГц | 100нА | ПНП | 180 @ 500 мА 2 В | 90 МГц | 800 мВ при 1 А, 10 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НСС1C300ET4G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-nss1c300et4g-datasheets-0593.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 2 | 8 недель | 350,003213мг | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 6 дней назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | ДА | 2,1 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3 | Одинокий | 1 | Другие транзисторы | Р-ПССО-Г2 | 100 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 3А | 100В | 100В | 400мВ | 100В | 3А | 100 МГц | 140 В | 6В | 100на ИКБО | ПНП | 120 @ 1А 2В | 400 мВ при 300 мА, 3 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2СБ1302Т-ТД-Е | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 320 МГц | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-2sb1302ttde-datasheets-0711.pdf | ТО-243АА | 4,5 мм | 1,5 мм | 2,5 мм | Без свинца | 3 | 2 недели | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 5 дней назад) | да | EAR99 | не_совместимо | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | ДА | 1,3 Вт | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1,3 Вт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 20 В | -500мВ | 10 В | 5А | 320 МГц | 5А | 25 В | 5В | 500нА ИКБО | ПНП | 100 @ 500 мА 2 В | 500 мВ при 60 мА, 3 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMUT2222A TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-cmut2222atrpbfree-datasheets-0725.pdf | СК-89, СОТ-490 | 20 недель | ДА | Другие транзисторы | Одинокий | НПН | 0,25 Вт | 250 мВт | 300 МГц | 40В | 600 мА | 10на ИКБО | НПН | 100 @ 150 мА 10 В | 300 МГц | 1 В @ 50 мА, 500 мА |
