Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные BJT-транзисторы(15763)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Частота | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Макс. частота | Текущий | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Напряжение | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Продукт увеличения пропускной способности | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Непрерывный ток коллектора | Мощность - Макс. | Максимальное напряжение проба | Код JEDEC-95 | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Частота перехода | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Выключить Тайм-Макс (toff) | Базовое напряжение коллектора (VCBO) | Базовое напряжение эмиттера (VEBO) | VCEsat-Макс | hFE Мин. | Ток-отсечка коллектора (макс.) | Тип транзистора | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Частота – переход | Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| БУЛ138 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-bul138-datasheets-1820.pdf | 400В | 5А | ТО-220-3 | 10,4 мм | 9,15 мм | 4,6 мм | Без свинца | 3 | 8 недель | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Олово | Нет | е3 | 80 Вт | БУЛ138 | 3 | Одинокий | 80 Вт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | ТО-220АБ | 400В | 1В | 400В | 5А | 800В | 9В | 1 В | 8 | 250 мкА | НПН | 8 @ 2А 5В | 700 мВ при 1 А, 5 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MJE180 PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-mje180pbfree-datasheets-1847.pdf | ТО-225АА, ТО-126-3 | 22 недели | е3 | МАТОВЫЙ ТИН ПОВЕРХ НИКЕЛЯ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1,5 Вт | 40В | 3А | 100на ИКБО | НПН | 50 @ 100 мА 1 В | 50 МГц | 1,7 В при 600 мА, 3 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SD2096T114E | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/rohmsemiconductor-2sd2096t114e-datasheets-1718.pdf | 60В | 3А | ЗГТ | Без свинца | 3 | да | е3/е2 | ОЛОВО/ ОЛОВО МЕДЬ | 1,8 Вт | ОДИНОКИЙ | 260 | 2SD2096 | 3 | 10 | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | Р-ПСИП-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 60В | 60В | 1В | 3А | 8 МГц | 10 мкА ИКБО | НПН | 100 @ 500 мА 5 В | 8 МГц | 1 В при 200 мА, 2 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FJPF13009H2TU | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 4 МГц | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/onsemiconductor-fjpf13009h1tu-datasheets-7434.pdf | 400В | 12А | ТО-220-3 Полный пакет | Без свинца | 3 | 2 недели | 2,27 г | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 50 Вт | FJPF13009 | Одинокий | 50 Вт | 1 | Другие транзисторы | 4 МГц | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | ТО-220АБ | 400В | 1В | 400В | 12А | 4 МГц | 700В | 9В | 6 | НПН | 8 @ 5А 5В | 3 В при 3 А, 12 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУЛ1102ЕФП | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-bul1102efp-datasheets-1731.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | 3 | 8 недель | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 7 месяцев назад) | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 30 Вт | ОДИНОКИЙ | БУЛ1102 | 3 | 70 Вт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 30 Вт | ТО-220АБ | 450В | 450В | 4А | 12 В | 100 мкА | НПН | 12 @ 2А 5В | 1,5 В при 400 мА, 2 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STSA1805-AP | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 150 МГц | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stsa1805-datasheets-1706.pdf | 60В | 3А | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 3 | 8 недель | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 6 месяцев назад) | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,1 Вт | НИЖНИЙ | СТСА1805 | 3 | Одинокий | 1,1 Вт | 1 | Другие транзисторы | 150 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 60В | 60В | 200 мВ | 60В | 5А | 150 МГц | 150 В | 7В | 20 | 100на ИКБО | НПН | 200 @ 100 мА 2 В | 600 мВ при 200 мА, 5 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУЛ1102Е | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-bul1102efp-datasheets-1731.pdf | ТО-220-3 | 3 | 8 недель | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 70 Вт | ОДИНОКИЙ | БУЛ1102 | 3 | 70 Вт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | ТО-220АБ | 450В | 450В | 4А | 12 В | 100 мкА | НПН | 12 @ 2А 5В | 1,5 В при 400 мА, 2 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУЛ381Д | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-bul381d-datasheets-1635.pdf | 400В | 5А | ТО-220-3 | 10,4 мм | 15,75 мм | 4,6 мм | Без свинца | 3 | 8 недель | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Олово | Нет | е3 | 70 Вт | БУЛ381 | 3 | Одинокий | 70 Вт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | ТО-220АБ | 400В | 1,1 В | 400В | 5А | 800В | 9В | 10 | 250 мкА | НПН | 8 @ 2А 5В | 1,1 В при 750 мА, 3 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТД1802Т4-А | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150 МГц | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-std1802t4a-datasheets-1640.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 2 | 8 недель | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 15 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СТД18 | 3 | Одинокий | 30 | 15 Вт | 1 | Другие транзисторы | Р-ПССО-Г2 | 150 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 60В | ТО-252АА | 60В | 60В | 3А | 150 МГц | 80В | 6В | 100на ИКБО | НПН | 200 @ 100 мА 2 В | 400 мВ при 150 мА, 3 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TIP42C-BP | Микрокоммерческие компоненты (MCC) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 1993 год | /files/microcommercialco-tip42cbp-datasheets-1651.pdf | ТО-220-3 | 3 | 12 недель | да | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | СОВЕТ42 | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицированный | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПНП | 2 Вт | ТО-220АБ | 3 МГц | 100В | 6А | 700 мкА | ПНП | 15 @ 3А 4В | 3 МГц | 1,5 В при 600 мА, 6 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SB1316TL | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | -100В | -2А | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,5 мм | 2,3 мм | 5,5 мм | Без свинца | 2 | 20 недель | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ | Медь, Олово | Нет | 2А | 8541.29.00.75 | е2 | Олово/медь (Sn98Cu2) | ПНП | 100В | 10 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 2СБ1316 | 3 | Одинокий | 10 | 1 Вт | 2 | Другие транзисторы | Р-ПССО-Г2 | 50 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УСИЛИТЕЛЬ | -2А | 100В | 100В | 1,5 В | 100В | 2А | 50 МГц | 100В | 8В | 1000 | 10 мкА ИКБО | PNP - Дарлингтон | 1000 @ 1А 2В | 1,5 В при 1 мА, 1 А | ||||||||||||||||||||||
| 2SC5103TLQ | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | Соответствует ROHS3 | 1997 год | /files/rohmsemiconductor-2sc5103tlq-datasheets-1644.pdf | 60В | 5А | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 2 | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | Медь, Олово | Нет | 8541.29.00.75 | е2 | Олово/медь (Sn98Cu2) | 1 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 2SC5103 | 3 | Одинокий | 10 | 1 Вт | 1 | Другие транзисторы | Р-ПССО-Г2 | 80 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 5А | 60В | 60В | 60В | 5А | 120 МГц | 1800 нс | 100В | 5В | 120 | 10 мкА ИКБО | НПН | 120 @ 1А 2В | 120 МГц | 500 мВ при 200 мА, 4 А | |||||||||||||||||||||||||||
| ZTX968 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 80 МГц | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/diodesincorporated-ztx968-datasheets-1683.pdf | -12В | -4,5А | Е-Линия-3 | 4,77 мм | 4,01 мм | 2,41 мм | 3 | 11 недель | 453,59237мг | Нет СВХК | 3 | нет | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,2 Вт | 260 | 3 | Одинокий | 40 | 1,2 Вт | 1 | Другие транзисторы | 80 МГц | КРЕМНИЙ | ПНП | -4,5А | 1,58 Вт | 12 В | -50мВ | 12 В | 4,5 А | 80 МГц | 15 В | -6В | 50на ИКБО | ПНП | 300 @ 500 мА 1 В | 300 мВ при 200 мА, 5 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SCR574D3TL1 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/rohmsemiconductor-2scr574d3tl1-datasheets-1327.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 13 недель | EAR99 | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 10 Вт | 80В | 2А | 1 мкА ИКБО | НПН | 120 @ 100 мА 3 В | 280 МГц | 300 мВ при 50 мА, 1 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STF817A | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | 50 МГц | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stf817a-datasheets-1638.pdf | -30В | -3А | ТО-243АА | 4,6 мм | 1,6 мм | 2,6 мм | Без свинца | 4 | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,4 Вт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | STF817 | 4 | Одинокий | 30 | 1,4 Вт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Ф4 | 50 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 80В | 80В | 500мВ | 80В | 1,5 А | 50 МГц | 80В | 5В | 140 | 1 мА | ПНП | 30 @ 1А 2В | 500 мВ при 100 мА, 1 А | ||||||||||||||||||||||||||
| 2SC3526H | Электронные компоненты Panasonic | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2003 г. | /files/panasonicelectroniccomComponents-2sc3526h-datasheets-1704.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 удлиненный кузов | 5,9 мм | 8,6 мм | 4,9 мм | Без свинца | 3 | 3 | да | EAR99 | 350 МГц | неизвестный | 8541.29.00.75 | ОЛОВО СЕРЕБРО ВИСМУТ МЕДЬ | 1 Вт | НИЖНИЙ | 260 | Одинокий | 10 | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 50В | 50В | 500мВ | 500мВ | 150 мА | 350 МГц | 110В | 3,5 В | 10 мкА | НПН | 20 @ 100 мА 5 В | 300 МГц | 500 мВ при 15 мА, 150 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТСА1805 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 150 МГц | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stsa1805-datasheets-1706.pdf | 60В | 3А | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | Без свинца | 3 | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 7 месяцев назад) | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,1 Вт | НИЖНИЙ | СТСА1805 | 3 | Одинокий | 1,1 Вт | 1 | Другие транзисторы | 150 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 60В | 200 мВ | 60В | 5А | 150 МГц | 150 В | 7В | 20 | 100на ИКБО | НПН | 200 @ 100 мА 2 В | 600 мВ при 200 мА, 5 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ZTX869 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 100 МГц | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/diodesincorporated-ztx869-datasheets-1713.pdf | 25 В | 5А | Е-Линия-3 | 4,77 мм | 4,01 мм | 2,41 мм | Без свинца | 3 | 453,59237мг | Нет СВХК | 3 | нет | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,2 Вт | ПРОВОЛОКА | 260 | 3 | Одинокий | 40 | 1,2 Вт | 1 | Другие транзисторы | 100 МГц | КРЕМНИЙ | НПН | 5А | 25 В | 180 мВ | 25 В | 5А | 100 МГц | 60В | 6В | 50на ИКБО | НПН | 300 @ 1А 1В | 220 мВ при 100 мА, 5 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ZX5T949GTA | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 110 МГц | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | /files/diodesincorporated-zx5t949gta-datasheets-1589.pdf | -30В | -5,5 А | ТО-261-4, ТО-261АА | 6,7 мм | 1,65 мм | 3,7 мм | Без свинца | 4 | 15 недель | 7,994566мг | Нет СВХК | 4 | нет | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 3 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ZX5T949 | 4 | Одинокий | 40 | 3 Вт | 1 | 110 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | -5,5 А | 30 В | 30 В | 210 мВ | 30 В | 5,5 А | 110 МГц | 50В | 7В | 20на ИКБО | ПНП | 100 @ 1А 1В | 210 мВ при 500 мА, 5,5 А | |||||||||||||||||||||||||||
| DSC7Q0100L | Электронные компоненты Panasonic | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/panasonicelectroniccomComponents-dsc7q0100l-datasheets-1440.pdf | ТО-243АА | 4,5 мм | 1,5 мм | 2,5 мм | Без свинца | 3 | 10 недель | 3 | EAR99 | неизвестный | НПН | 1 Вт | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | ДСК7Q01 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УСИЛИТЕЛЬ | 1А | 80В | 80В | 1,8 В | 80В | 1А | 100В | 5В | 4000 | 100на ИКБО | NPN – Дарлингтон | 4000 @ 1А 10В | 1,8 В при 1 мА, 1 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУЛ741 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-bul741-datasheets-1632.pdf | ТО-220-3 | Без свинца | 3 | 8 недель | АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | EAR99 | Олово | не_совместимо | е3 | 60 Вт | НЕ УКАЗАН | БУЛ741 | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 60 Вт | ТО-220АБ | 400В | 400В | 2,5 А | 15 В | 48 | 250 мкА | НПН | 25 @ 450 мА 3 В | 1,5 В при 600 мА, 2 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ZXTP2014ZTA | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 120 МГц | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/diodesincorporated-zxtp2014zta-datasheets-1385.pdf | -140 В | -3А | ТО-243АА | 4,6 мм | 1,6 мм | 2,6 мм | Без свинца | 4 | 15 недель | 51,993025мг | 4 | нет | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 2,1 Вт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | ZXTP2014 | 4 | Одинокий | 40 | 2,1 Вт | 1 | 120 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | -3А | 140 В | 140 В | -255мВ | 140 В | 3А | 120 МГц | 180 В | 7В | 20на ИКБО | ПНП | 100 @ 1А 5В | 330 мВ при 300 мА, 3 А | ||||||||||||||||||||||||||||
| ZXTP03200BZTA | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/diodesincorporated-zxtp03200bzta-datasheets-1427.pdf | ТО-243АА | 3 | 15 недель | 130,492855мг | Нет СВХК | 4 | нет | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,1 Вт | ПЛОСКИЙ | 260 | 3 | Одинокий | 40 | 1 | Другие транзисторы | Р-ПССО-Ф3 | 105 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 2А | 200В | 200В | 260 мВ | 200В | 2А | 105 МГц | 220В | 7В | 50на ИКБО | ПНП | 100 @ 1А 5В | 260 мВ при 400 мА, 2 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SD1816T-TL-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/onsemiconductor-2sb1216se-datasheets-7140.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,5 мм | 2,3 мм | 5,5 мм | Без свинца | 2 | 13 недель | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | Нет | 180 МГц | 8541.29.00.75 | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | Без галогенов | ДА | 1 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 2SD1816 | 3 | Одинокий | 1 | Другие транзисторы | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 100В | 100В | 400мВ | 100В | 4А | 180 МГц | 120 В | 6В | 70 | 1 мкА ИКБО | НПН | 200 @ 500 мА 5 В | 180 МГц | 400 мВ при 200 мА, 2 А | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ДСК7Q01R0L | Электронные компоненты Panasonic | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/panasonicelectroniccomComponents-dsc7q0100l-datasheets-1440.pdf | ТО-243АА | 4,5 мм | 1,5 мм | 2,5 мм | 3 | 10 недель | 3 | EAR99 | неизвестный | НПН | 1 Вт | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | ДСК7Q01 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УСИЛИТЕЛЬ | 1 Вт | 80В | 80В | 1,8 В | 80В | 1А | 100В | 5В | 4000 | 100на ИКБО | NPN – Дарлингтон | 8000 @ 1А 10В | 1,8 В при 1 мА, 1 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ZTX1053A | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 140 МГц | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/diodesincorporated-ztx1053a-datasheets-1494.pdf | 74В | 3А | Е-Линия-3 | 4,77 мм | 4,01 мм | 2,41 мм | 3 | 453,59237мг | Нет СВХК | 3 | нет | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 1 Вт | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | 260 | 3 | Одинокий | 40 | 1 Вт | 1 | Другие транзисторы | 140 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 3А | 75В | 75В | 3А | 140 МГц | 150 В | 5В | 10нА | НПН | 300 @ 1А 2В | 250 мВ при 100 мА, 3 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SA2169-TL-E | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 130 МГц | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/onsemiconductor-2sc6017tle-datasheets-1765.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 2 недели | 3 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | не_совместимо | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | 950 МВт | 3 | Одинокий | 950 МВт | 1 | 130 МГц | 50В | 50В | -290мВ | -580мВ | 10А | 50В | 6В | 200 | 10 мкА ИКБО | ПНП | 200 @ 1А 2В | 580 мВ при 250 мА, 5 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BULD742CT4 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-buld742ct4-datasheets-1513.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 2 | 8 недель | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 7 месяцев назад) | EAR99 | Олово | не_совместимо | е3 | 45 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | BULD742 | 3 | Одинокий | 30 | 45 Вт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 400В | 400В | 400В | 4А | 15 В | 250 мкА | НПН | 25 @ 800 мА 3 В | 1,5 В при 1 А, 3,5 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДСК7Q01S0L | Электронные компоненты Panasonic | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/panasonicelectroniccomComponents-dsc7q0100l-datasheets-1440.pdf | ТО-243АА | 4,5 мм | 1,5 мм | 2,5 мм | 3 | 10 недель | 3 | EAR99 | неизвестный | НПН | 1 Вт | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | ДСК7Q01 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УСИЛИТЕЛЬ | 1А | 80В | 80В | 1,8 В | 80В | 1А | 100В | 5В | 4000 | 100на ИКБО | NPN – Дарлингтон | 16000 @ 1А 10В | 1,8 В при 1 мА, 1 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2САР513ПТ100 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/rohmsemiconductor-2sa1774ebtlr-datasheets-4143.pdf | ТО-243АА | Без свинца | 3 | 3 | да | EAR99 | не_совместимо | е2 | ОЛОВО МЕДЬ | 2 Вт | ПЛОСКИЙ | 260 | 3 | Одинокий | 10 | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | 400 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 2 Вт | 50В | 50В | -200мВ | 400мВ | 1А | 400 МГц | -50В | -6В | 180 | 1 мкА ИКБО | ПНП | 180 @ 50 мА 2 В | 400 мВ при 25 мА, 500 мА |
