Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные BJT-транзисторы(15763)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Частота | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Макс. частота | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Справочный стандарт | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Продукт увеличения пропускной способности | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Непрерывный ток коллектора | Мощность - Макс. | Максимальное напряжение проба | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Частота смены | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Выключить Тайм-Макс (toff) | Базовое напряжение коллектора (VCBO) | Базовое напряжение эмиттера (VEBO) | hFE Мин. | Ток-отсечка коллектора (макс.) | Тип транзистора | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Частота – переход | Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ZXTP717МАТА | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | 110 МГц | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/diodesincorporated-zxtp717mata-datasheets-1370.pdf | 3-УДФН Открытая площадка | 2,08 мм | 580 мкм | 2,075 мм | Без свинца | 3 | 17 недель | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 2,45 Вт | ДВОЙНОЙ | 260 | 3 | Одинокий | 40 | 2,45 Вт | 1 | Другие транзисторы | 110 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | -4А | 3 Вт | 12 В | 12 В | -310мВ | 12 В | 4А | 110 МГц | 4,5 А | 20 В | -7,5 В | 100нА | ПНП | 300 @ 100 мА 2 В | 100 МГц | 310 мВ при 150 мА, 4 А | |||||||||||||||||||||||||
| НСС1К201МЗ4Т3Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/onsemiconductor-nsv1c201mz4t1g-datasheets-0935.pdf | ТО-261-4, ТО-261АА | Без свинца | 4 | 42 недели | 4 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | ДА | 2 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НСС1C201 | 4 | Одинокий | 1 | Другие транзисторы | 100 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 800мВт | 100 В | 100 В | 2А | 100 МГц | 2А | 140 В | 7В | 100на ИКБО | НПН | 120 @ 500 мА 2 В | 180 мВ при 200 мА, 2 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СПЗТ2907АТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | 200 МГц | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/onsemiconductor-pzt2907at1g-datasheets-8207.pdf | ТО-261-4, ТО-261АА | Без свинца | 4 | 8 недель | 4 | АКТИВНО (последнее обновление: 12 часов назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | ДА | 1,5 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | PZT2907A | 4 | 1,5 Вт | 1 | Другие транзисторы | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 60В | 60В | 600мА | 200 МГц | 600мА | 60В | 5В | 10на ИКБО | ПНП | 100 @ 150 мА 10 В | 1,6 В при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DXTP07040CFG-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/diodesincorporated-dxtp07040cfg7-datasheets-1439.pdf | 8-PowerVDFN | 15 недель | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 900мВт | 40В | 3А | 20на ИКБО | ПНП | 300 @ 10 мА 2 В | 100 МГц | 500 мВ при 50 мА, 2 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC6135,ЛФ | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | 0,40 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 3-СМД, плоский вывод | 12 недель | 500мВт | 50В | 1А | 100на ИКБО | НПН | 400 @ 100 мА 2 В | 120 мВ при 6 мА, 300 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НСС12500UW3T2G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 100 МГц | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/onsemiconductor-nss12500uw3t2g-datasheets-1442.pdf | 3-WDFN Открытая площадка | Без свинца | 3 | 2 недели | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | 875мВт | ДВОЙНОЙ | НСС12500 | 3 | Одинокий | 1,5 Вт | 1 | 100 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 875мВт | 12 В | 12 В | -200мВ | 12 В | 5А | 100 МГц | 525 нс | 12 В | 7В | 250 | 100на ИКБО | ПНП | 200 @ 2А 2В | 260 мВ при 400 мА, 4 А | |||||||||||||||||||||||||||||||
| MJD44H11J | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 16 недель | 1,75 Вт | 80В | 8А | 1 мкА | НПН | 60 @ 2А 1В | 160 МГц | 1 В при 400 мА, 8 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BSS4130AHZGT116 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/rohmsemiconductor-bss4130ahzgt116-datasheets-1165.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 8 недель | совместимый | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 200мВт | 30В | 1А | 100на ИКБО | НПН | 270 @ 100 мА 2 В | 400 МГц | 340 мВ при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СБФ720Т1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/onsemiconductor-bf720t1g-datasheets-9567.pdf | ТО-261-4, ТО-261АА | Без свинца | 4 | 2 недели | 4 | АКТИВНО (последнее обновление: 22 часа назад) | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | АЭК-Q101 | ДА | 1,5 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | НПН | 1,5 Вт | 300В | 600мВ | 100 мА | 60 МГц | 10на ИКБО | НПН | 50 при 25 мА 20 В | 60 МГц | 600 мВ при 5 мА, 30 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BCX53-16-ТП | Микрокоммерческие компоненты (MCC) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/microcommercialco-bcx53tp-datasheets-1129.pdf | ТО-243АА | 16 недель | 260 | 10 | 500мВт | 80В | 1А | 100на ИКБО | ПНП | 100 @ 150 мА 2 В | 50 МГц | 500 мВ при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SCRC41CHZGT116R | РОМ Полупроводник | 0,43 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/rohmsemiconductor-2scrc41chzgt116s-datasheets-8774.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 200мВт | 120 В | 50 мА | 500нА ИКБО | НПН | 180 @ 2 мА 6 В | 140 МГц | 500 мВ при 1 мА, 10 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC5964-ТД-Х | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 380 МГц | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/onsemiconductor-2sc5964tde-datasheets-6414.pdf | ТО-243АА | Без свинца | 4 недели | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | не_совместимо | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | Без галогенов | ДА | 1,3 Вт | 3 | 1,3 Вт | 1 | Другие транзисторы | Одинокий | НПН | 3,5 Вт | 50В | 50В | 3А | 3А | 100 В | 6В | 200 | 1 мкА ИКБО | НПН | 200 @ 100 мА 2 В | 290 мВ при 100 мА, 2 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SB1590KT146Q | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 200 МГц | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | -15В | -1А | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 3 | 13 недель | 3 | да | EAR99 | Медь, Серебро, Олово | Нет | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 2СБ1590 | 3 | Одинокий | 10 | 200мВт | 1 | Другие транзисторы | 200 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | -1А | 15 В | 15 В | 15 В | 1А | 200 МГц | 15 В | 6В | 120 | 500нА ИКБО | ПНП | 120 @ 500 мА 2 В | 300 мВ при 20 мА, 400 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||
| DXTP5860CFDB-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 15 недель | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SCRC41CHZGT116 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/rohmsemiconductor-2scrc41chzgt116s-datasheets-8774.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 200мВт | 120 В | 50 мА | 500нА ИКБО | НПН | 180 @ 2 мА 6 В | 140 МГц | 500 мВ при 1 мА, 10 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STX13003-AP | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stx13003gap-datasheets-5796.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 3 | 8 недель | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 7 месяцев назад) | EAR99 | Олово | е3 | 1,5 Вт | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | STX13003 | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1,5 Вт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 400В | 400В | 400В | 1А | 4700 нс | 9В | 8 | 1 мА | НПН | 8 @ 500 мА 2 В | 1,5 В при 500 мА, 1,5 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БКП53-16 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 50 МГц | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-bcp5316-datasheets-1378.pdf | ТО-261-4, ТО-261АА | 4 | 8 недель | 4 | АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 1,6 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | BCP53 | 4 | Одинокий | 30 | 1,6 Вт | 1 | 50 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 80В | 80В | -500мВ | 80В | 1А | 50 МГц | 100 В | 5В | 40 | 100на ИКБО | ПНП | 100 @ 150 мА 2 В | 500 мВ при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BSS5130AHZGT116 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/rohmsemiconductor-bss5130ahzgt116-datasheets-1217.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 8 недель | совместимый | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 200мВт | 30В | 1А | 100на ИКБО | ПНП | 270 @ 100 мА 2 В | 320 МГц | 380 мВ при 25 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MJD31CJ | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 16 недель | 1,6 Вт | 100 В | 3А | 1 мкА | НПН | 25 @ 1А 4В | 3 МГц | 1,2 В @ 375 мА, 3 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SA2012-ТД-Е | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/onsemiconductor-2sa2012tde-datasheets-1268.pdf | ТО-243АА | 4,5 мм | 1,5 мм | 2,5 мм | Без свинца | 3 | 9 недель | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | 1 МГц | не_совместимо | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | ДА | 3,5 Вт | ОДИНОКИЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 30В | -260мВ | 30В | 5А | 350 МГц | 30В | 5В | 100на ИКБО | ПНП | 200 @ 500 мА 2 В | 420 МГц | 210 мВ при 30 мА, 1,5 А | |||||||||||||||||||||||||||||||
| НСВМБТ6429LT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 700 МГц | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/onsemiconductor-mmbt6429lt1g-datasheets-0206.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 2 недели | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | ДА | 300мВт | 3 | 300мВт | 1 | Другие транзисторы | Одинокий | НПН | 45В | 45В | 200 мА | 100 МГц | 200 мА | 55В | 6В | 100нА | НПН | 500 @ 100 мкА 5 В | 600 мВ при 5 мА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2САРА41ЧЗГТ116Р | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/rohmsemiconductor-2sa1579u3t106-datasheets-7127.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 13 недель | не_совместимо | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 200мВт | 120 В | 50 мА | 500нА ИКБО | ПНП | 180 @ 2 мА 6 В | 140 МГц | 500 мВ при 1 мА, 10 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC857BR TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-bc857brtrpbfree-datasheets-1116.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 18 недель | ДА | Другие транзисторы | Одинокий | ПНП | 0,35 Вт | 350 мВт | 100 МГц | 45В | 100 мА | 15на ИКБО | ПНП | 220 при 2 мА 5 В | 100 МГц | 650 мВ при 5 мА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BCX56-16-TP | Микрокоммерческие компоненты (MCC) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/microcommercialco-bcx5616tp-datasheets-1119.pdf | ТО-243АА | 3 | 16 недель | да | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ОДИНОКИЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | 3 | 10 | 1 | Не квалифицированный | Р-ПССО-Ф3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | НПН | 500мВт | 130 МГц | 80В | 1А | 100на ИКБО | НПН | 100 @ 150 мА 2 В | 130 МГц | 500 мВ при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2САРА41ЧЗГТ116С | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/rohmsemiconductor-2sa1579u3t106-datasheets-7127.pdf | СК-70, СОТ-323 | 13 недель | не_совместимо | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 200мВт | 45В | 100 мА | 20на ИКБО | ПНП | 420 при 2 мА 5 В | 300 МГц | 600 мВ при 5 мА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НСС12200WT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 100 МГц | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-nss12200wt1g-datasheets-1151.pdf | -12В | -2А | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | Без свинца | 6 | 2 недели | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 6 дней назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | ДА | 450мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | НСС12200 | 6 | Одинокий | 40 | 650мВт | 1 | Другие транзисторы | 100 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 450мВт | 12 В | 12 В | -170мВ | 12 В | 2А | 100 МГц | 12 В | -5В | 100 | 100нА | ПНП | 100 @ 800 мА 1,5 В | 290 мВ при 20 мА, 1 А | |||||||||||||||||||||||||||
| SBCP56T3G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-bcp5616t1g-datasheets-7265.pdf | ТО-261-4, ТО-261АА | 6,7 мм | 1,65 мм | 3,7 мм | Без свинца | 4 | 8 недель | 4 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Нет | 35 МГц | е3 | Олово (Вс) | ДА | 1,5 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | BCP56 | 4 | Одинокий | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 80В | 500мВ | 80В | 1А | 130 МГц | 100 В | 5В | 100на ИКБО | НПН | 40 @ 150 мА 2 В | 130 МГц | 500 мВ при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SARA41CT116S | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/rohmsemiconductor-2sa1579u3t106-datasheets-7127.pdf | СК-70, СОТ-323 | 13 недель | не_совместимо | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 200мВт | 45В | 100 мА | 15на ИКБО | ПНП | 220 при 2 мА 5 В | 200 МГц | 650 мВ при 5 мА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TSC4505CX РФГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | 1,19 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | 23 недели | EAR99 | 8541.21.00.95 | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 30 | 1 | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | НПН | 225 МВт | 20 МГц | 400В | 300 мА | 10 мкА ИКБО | НПН | 100 @ 10 мА 10 В | 20 МГц | 500 мВ при 1 мА, 10 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SARA41CT116R | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/rohmsemiconductor-2sa1579u3t106-datasheets-7127.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 13 недель | не_совместимо | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 200мВт | 120 В | 50 мА | 500нА ИКБО | ПНП | 180 @ 2 мА 6 В | 140 МГц | 500 мВ при 1 мА, 10 мА |
