Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные BJT-транзисторы(15763)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Частота | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Макс. частота | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Справочный стандарт | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Рабочая температура (макс.) | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Продукт увеличения пропускной способности | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Непрерывный ток коллектора | Мощность - Макс. | Максимальное напряжение проба | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Частота смены | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Выключить Тайм-Макс (toff) | Время включения-Макс (тонна) | Базовое напряжение коллектора (VCBO) | Базовое напряжение эмиттера (VEBO) | VCEsat-Макс | hFE Мин. | Ток-отсечка коллектора (макс.) | Тип транзистора | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Частота – переход | Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| НСВМБТ6429LT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 700 МГц | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/onsemiconductor-mmbt6429lt1g-datasheets-0206.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 2 недели | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | ДА | 300мВт | 3 | 300мВт | 1 | Другие транзисторы | Одинокий | НПН | 45В | 45В | 200 мА | 100 МГц | 200 мА | 55В | 6В | 100нА | НПН | 500 @ 100 мкА 5 В | 600 мВ при 5 мА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2САРА41ЧЗГТ116Р | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/rohmsemiconductor-2sa1579u3t106-datasheets-7127.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 13 недель | не_совместимо | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 200мВт | 120 В | 50 мА | 500нА ИКБО | ПНП | 180 @ 2 мА 6 В | 140 МГц | 500 мВ при 1 мА, 10 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC857BR TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-bc857brtrpbfree-datasheets-1116.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 18 недель | ДА | Другие транзисторы | Одинокий | ПНП | 0,35 Вт | 350 мВт | 100 МГц | 45В | 100 мА | 15на ИКБО | ПНП | 220 при 2 мА 5 В | 100 МГц | 650 мВ при 5 мА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BCX56-16-TP | Микрокоммерческие компоненты (MCC) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/microcommercialco-bcx5616tp-datasheets-1119.pdf | ТО-243АА | 3 | 16 недель | да | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ОДИНОКИЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | 3 | 10 | 1 | Не квалифицированный | Р-ПССО-Ф3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | НПН | 500мВт | 130 МГц | 80В | 1А | 100на ИКБО | НПН | 100 @ 150 мА 2 В | 130 МГц | 500 мВ при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2САРА41ЧЗГТ116С | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/rohmsemiconductor-2sa1579u3t106-datasheets-7127.pdf | СК-70, СОТ-323 | 13 недель | не_совместимо | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 200мВт | 45В | 100 мА | 20на ИКБО | ПНП | 420 при 2 мА 5 В | 300 МГц | 600 мВ при 5 мА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCH6103-TL-E | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/onsemiconductor-mch6203tle-datasheets-2538.pdf | 6-SMD, плоские выводы | Без свинца | 4 недели | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Нет | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | 1 Вт | 6 | 1 Вт | 50В | 50В | 1А | 50В | 5В | 200 | 100на ИКБО | ПНП | 200 @ 100 мА 2 В | 420 МГц | 430 мВ при 10 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SD2654TLW | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | СК-75, СОТ-416 | 1,7 мм | 700 мкм | 900 мкм | 3 | 13 недель | 3 | да | EAR99 | Медь, Серебро, Олово | 100 МГц | 8541.21.00.75 | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 150 мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 2SD2654 | 3 | Одинокий | 10 | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | 250 МГц | КРЕМНИЙ | НПН | 50В | 300мВ | 50В | 150 мА | 250 МГц | 150 мА | 60В | 12 В | 300нА ИКБО | НПН | 820 @ 1 мА 5 В | 300 мВ при 5 мА, 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SMMBT6427LT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/onsemiconductor-mmbt6427lt1g-datasheets-0064.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3,04 мм | 1,01 мм | 1,4 мм | Без свинца | 3 | 11 недель | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | НПН | Без галогенов | ДА | 225 МВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | ММБТ6427 | 3 | Одинокий | 1 | Другие транзисторы | 40В | 1,2 В | 40В | 500 мА | 40В | 12 В | 1 мкА | NPN – Дарлингтон | 20000 при 100 мА 5 В | 1,5 В при 500 мкА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FJX992TF | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 100 МГц | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/onsemiconductor-fjx992tf-datasheets-0964.pdf | СК-70, СОТ-323 | 2 мм | 1 мм | 1,25 мм | 6 недель | 30мг | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 235мВт | FJX992 | Одинокий | 235мВт | 1 | Другие транзисторы | 100 МГц | ПНП | 120 В | 120 В | -300мВ | 120 В | 100 мА | -120 В | -5В | 200 | 100на ИКБО | ПНП | 200 @ 2 мА 6 В | 300 мВ при 1 мА, 10 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПЗТА42-ТП | Микрокоммерческие компоненты (MCC) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/microcommercialco-pzta42tp-datasheets-0996.pdf | ТО-261-4, ТО-261АА | 8 недель | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 Вт | 300В | 200 мА | 100на ИКБО | НПН | 40 @ 30 мА 10 В | 50 МГц | 500 мВ при 2 мА, 20 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НСВММБТА05LT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/onsemiconductor-mmbta06lt3g-datasheets-1078.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 4 недели | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | 225 МВт | 225 МВт | 60В | 250 мВ | 500 мА | 100нА | НПН | 100 @ 100 мА 1 В | 100 МГц | 250 мВ при 10 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПЗТА44-ТП | Микрокоммерческие компоненты (MCC) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 125°С, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/microcommercialco-pzta44tp-datasheets-1015.pdf | ТО-261-4, ТО-261АА | 8 недель | 260 | 10 | 1 Вт | 400В | 200 мА | 100на ИКБО | НПН | 50 @ 10 мА 10 В | 20 МГц | 750 мВ при 5 мА, 50 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2СА1514КТ146С | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/rohmsemiconductor-2sa1514kt146s-datasheets-1013.pdf | -120 В | -50 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 3 | 13 недель | 3 | да | EAR99 | Медь, Серебро, Олово | Нет | 8541.21.00.75 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 2SA1514 | 3 | Одинокий | 10 | 1 | Другие транзисторы | 140 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | -50 мА | 200мВт | 120 В | 120 В | -500мВ | 500мВ | 50 мА | 140 МГц | -120 В | -5В | 0,5 В | 180 | 500нА ИКБО | ПНП | 180 @ 2 мА 6 В | 500 мВ при 1 мА, 10 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||
| BCP56-10,135 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 180 МГц | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/nexperiausainc-bcp5610115-datasheets-5728.pdf | ТО-261-4, ТО-261АА | 4 | 4 недели | 4 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 960мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | BCP56 | 4 | Одинокий | 30 | 960мВт | 1 | 180 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 80В | 80В | 1А | 180 МГц | 100 В | 5В | 100на ИКБО | НПН | 63 @ 150 мА 2 В | 500 мВ при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BCP53TF | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/nexperiausainc-bcp5310tf-datasheets-3054.pdf | ТО-261-4, ТО-261АА | 4 недели | 4 | 1,8 Вт | 80В | 1А | 100на ИКБО | ПНП | 63 @ 150 мА 2 В | 100 МГц | 500 мВ при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MJD32CJ | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 16 недель | 1,6 Вт | 100 В | 3А | 1 мкА | ПНП | 25 @ 1А 4В | 3 МГц | 1,2 В @ 375 мА, 3 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BCX56TF | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | ТО-243АА | 4 недели | 500 МВт | 80В | 1А | 100на ИКБО | НПН | 63 @ 150 мА 2 В | 155 МГц | 500 мВ при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НСВБЦП69Т1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/onsemiconductor-bcp69t1g-datasheets-8263.pdf | ТО-261-4, ТО-261АА | Без свинца | 8 недель | 4 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | ДА | 1,5 Вт | 4 | Другие транзисторы | Одинокий | ПНП | 1,5 Вт | 20 В | 500мВ | 1А | 25 В | 10 мкА ИКБО | ПНП | 85 @ 500 мА 1 В | 60 МГц | 500 мВ при 100 мА, 1 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC846BR TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-bc846brtrpbfree-datasheets-0879.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 18 недель | ДА | 150°С | Другие транзисторы | Одинокий | НПН | 0,35 Вт | 100 МГц | 65В | 15на ИКБО | НПН | 200 при 2 мА 5 В | 100 МГц | 250 мВ при 500 мкА, 10 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НСВМБТ3906TT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mmbt3906tt1g-datasheets-2156.pdf | СК-75, СОТ-416 | Без свинца | 3 | 8 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | е3 | Олово (Вс) | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 200мВт | 40В | 400мВ | 200 мА | 250 МГц | 300 нс | 70нс | ПНП | 100 @ 10 мА 1 В | 250 МГц | 400 мВ при 5 мА, 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SMMBT2369ALT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/onsemiconductor-mmbt2369alt1g-datasheets-3103.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 3 | 4 недели | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | АЭК-Q101 | ДА | 225 МВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3 | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 225 МВт | 15 В | 500мВ | 200 мА | 18нс | 12нс | 40В | 400 нА | НПН | 20 @ 100 мА 1 В | 500 мВ при 10 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SBC847CWT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/onsemiconductor-bc847bwt1g-datasheets-1039.pdf | СК-70, СОТ-323 | Без свинца | 12 недель | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | ДА | 150 мВт | 3 | Другие транзисторы | Одинокий | НПН | 150 мВт | 45В | 600мВ | 100 мА | 100 МГц | 50В | 15на ИКБО | НПН | 420 при 2 мА 5 В | 100 МГц | 600 мВ при 5 мА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НСВБЦВ68ГЛТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/onsemiconductor-bcw68glt1g-datasheets-2574.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 4 недели | АКТИВНО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | 225 МВт | 225 МВт | 45В | 700мВ | 800мА | 20нА | ПНП | 120 @ 10 мА 1 В | 100 МГц | 700 мВ при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НСВТ489АМТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/onsemiconductor-nsvt489amt1g-datasheets-0825.pdf | СОТ-23-6 | 3,1 мм | 1 мм | 1,7 мм | Без свинца | 6 | 2 недели | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Нет | 100 МГц | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | ДА | 1,18 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НСТ489АМ | 6 | Одинокий | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 535 МВт | 30В | 200 мВ | 30В | 2А | 300 МГц | 50В | 5В | 100нА | НПН | 300 @ 500 мА 5 В | 300 МГц | 200 мВ при 100 мА, 1 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SA1362-GR,ЛФ | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 12 недель | 200мВт | 15 В | 800мА | 100на ИКБО | ПНП | 200 @ 100 мА 1 В | 120 МГц | 200 мВ при 8 мА, 400 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BCX53-10TF | Нексперия США Инк. | 0,34 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nexperiausainc-bcx5310tf-datasheets-0751.pdf | ТО-243АА | 4 недели | 500 МВт | 80В | 1А | 100на ИКБО | ПНП | 63 @ 150 мА 2 В | 140 МГц | 500 мВ при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FJN3303FTA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 4 МГц | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-fjn3303fbu-datasheets-9272.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 3 | 6 недель | 240мг | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 650мВт | НИЖНИЙ | FJN3303 | 650мВт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 400В | 400В | 400В | 1,5 А | 4 МГц | 4700 нс | 700В | 9В | 14 | 10 мкА ИКБО | НПН | 14 @ 500 мА 2 В | 3 В при 500 мА, 1,5 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC4944-GR(TE85L,Ф | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | 0,35 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 125°С, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2014 год | 5-ЦСОП, СЦ-70-5, СОТ-353 | Без свинца | 12 недель | неизвестный | 200мВт | Двойной | Другие транзисторы | 80 МГц | НПН | 200мВт | 50В | 50В | 250 мВ | 150 мА | 80 МГц | 60В | 5В | 200 | 100на ИКБО | НПН | 200 @ 2 мА 6 В | 250 мВ при 10 мА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BCX53-16TF | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/nexperiausainc-bcx5310tf-datasheets-0751.pdf | ТО-243АА | 3 | 4 недели | АЭК-Q101; МЭК-60134 | ДА | ОДИНОКИЙ | ПЛОСКИЙ | 3 | 1 | Р-ПССО-Ф3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 500 МВт | 140 МГц | 80В | 1А | 100на ИКБО | ПНП | 100 @ 150 мА 2 В | 140 МГц | 500 мВ при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММБТ6521LT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mmbt6521lt1g-datasheets-0836.pdf | 25 В | 100 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 3 | 2 недели | Неизвестный | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 5 дней назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | ДА | 225 МВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3 | Одинокий | 40 | 300мВт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 25 В | 500мВ | 25 В | 100 мА | 40В | 4В | 150 | 500нА ИКБО | НПН | 300 при 2 мА 10 В | 500 мВ при 5 мА, 50 мА |
