Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные IGBT(3888)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Тип входа | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Максимальное двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Напряжение стока к источнику (Vdss) | Непрерывный ток коллектора | Количество выходов | Мощность - Макс. | Зажимное напряжение | Максимальное напряжение проба | Код JEDEC-95 | Обратное время восстановления | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Время включения | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Время нарастания-Макс. | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Время выключения-Nom (toff) | Условия испытаний | Напряжение затвор-эмиттер-Макс. | Затвор-эмиттер Thr Напряжение-Макс. | Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic | Тип БТИЗ | Заряд от ворот | Ток-коллекторный импульсный (Icm) | Td (вкл/выкл) при 25°C | Переключение энергии | Время падения-Макс (тс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ИХВ30Н120Р5ХКСА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчСтоп™ | Сквозное отверстие | -40°С~175°С, ТДж | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/infineontechnologies-ihw30n120r5xksa1-datasheets-1986.pdf | ТО-247-3 | 16 недель | 330 Вт | 1200В | 60А | 600 В, 30 А, 10 Ом, 15 В | 1,85 В @ 15 В, 30 А | Траншейная полевая остановка | 235 НК | 90А | -/330нс | 1,1 мДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IGC07T120T8LX1SA2 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчСтоп™ | Поверхностный монтаж | -40°С~175°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/infineontechnologies-igc07t120t8lx1sa2-datasheets-1987.pdf | Править | Без свинца | 12 недель | да | EAR99 | Без галогенов | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1,2 кВ | 1,2 кВ | 1,2 кВ | 1200В | 2,02 В @ 15 В, 4 А | Траншейная полевая остановка | 12А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRGC4062B | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 175°С, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | Править | 2 | 16 недель | EAR99 | ДА | ВЕРХНИЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 1 | Р-XUUC-N2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | УПРАВЛЕНИЕ ДВИГАТЕЛЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 600В | 24А | 6,5 В | Тренч | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NGTB15N135IHRWG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-ngtb15n135ihrwg-datasheets-1991.pdf | ТО-247-3 | Без свинца | 5 недель | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | Нет | 357 Вт | 3 | Одинокий | 357 Вт | 1,35 кВ | 2,65 В | 30А | 1350В | 600 В, 15 А, 10 Ом, 15 В | 2,65 В при 15 В, 15 А | Траншейная полевая остановка | 156 НК | 60А | -/170нс | 420 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОК50Б65Н1 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Альфа-БТИЗ™ | Сквозное отверстие | -55°С~175°С, ТДж | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | ТО-247-3 | 18 недель | 375 Вт | 261 нс | 650В | 100А | 400 В, 50 А, 6 Ом, 15 В | 2,4 В @ 15 В, 50 А | 76 НК | 150А | 37 нс/141 нс | 1,92 мДж (вкл.), 850 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФГА40Т65ШДФ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/onsemiconductor-fga40t65shdf-datasheets-1998.pdf | ТО-3П-3, СК-65-3 | 6 недель | 6,401 г | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | 8541.29.00.95 | 268 Вт | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 268 Вт | 101 нс | 650В | 1,81 В | 1,81 В | 80А | 400 В, 40 А, 6 Ом, 15 В | 1,81 В при 15 В, 40 А | Траншейная полевая остановка | 68 НК | 120А | 18 нс/64 нс | 1,22 мДж (вкл.), 440 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИГП50Н60ТКСКСА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчСтоп® | Сквозное отверстие | -40°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/infineontechnologies-igp50n60txksa1-datasheets-1954.pdf | ТО-220-3 | 3 | 16 недель | да | EAR99 | БЫСТРОЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | е3 | Олово (Вс) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 333 Вт | ТО-220АБ | 60 нс | 600В | 100А | 396 нс | 400 В, 50 А, 7 Ом, 15 В | 2В @ 15В, 50А | Траншейная полевая остановка | 310 НК | 150А | 26 нс/299 нс | 2,6 мДж | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АИГБ50Н65Ф5АТМА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Стандартный | /files/infineontechnologies-tle9012aquxuma1-datasheets-7439.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 39 недель | 650В | 50А | ДНЯО | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STGW40NC60WD | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerMESH™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stgw40nc60wd-datasheets-1957.pdf | 600В | 40А | ТО-247-3 | 15,75 мм | 20,15 мм | 5,15 мм | Без свинца | 3 | 38.000013г | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 250 Вт | СТГВ40 | 3 | Одинокий | 250 Вт | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | 2,9 нФ | 33 нс | 12нс | 168 нс | 40А | КРЕМНИЙ | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 650В | 40А | ТО-247АС | 45 нс | 600В | 2,1 В | 46 нс | 600В | 70А | 280 нс | 390 В, 30 А, 10 Ом, 15 В | 20 В | 5,75 В | 2,5 В при 15 В, 30 А | 126 НК | 230А | 33 нс/168 нс | 302 мкДж (вкл.), 349 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||
| СТГП15М120Ф3 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°С~175°С, ТДж | Стандартный | /files/stmicroelectronics-stgp15m120f3-datasheets-2005.pdf | ТО-220-3 | 30 недель | совместимый | 259 Вт | 1200В | 30А | 600 В, 15 А, 22 Ом, 15 В | 2,3 В @ 15 В, 15 А | Траншейная полевая остановка | 53нК | 60А | 26 нс/122 нс | 550 мкДж (вкл.), 850 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АИКБ40Н65ДФ5АТМА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Стандартный | /files/infineontechnologies-tle9012aquxuma1-datasheets-7439.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 39 недель | 650В | 40А | ДНЯО | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXGP70N33TBM-A | IXYS / Литтльфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | ТО-220-3 | 2,299997г | 330В | 330В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FGA6540WDF | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/onsemiconductor-fga6540wdf-datasheets-1906.pdf | ТО-3П-3, СК-65-3 | 4 недели | 6,401 г | АКТИВНО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | 8541.29.00.95 | е3 | Олово (Вс) | 238 Вт | НЕ УКАЗАН | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 238 Вт | 101 нс | 650В | 1,8 В | 2,3 В | 80А | 400 В, 40 А, 6 Ом, 15 В | 2,3 В @ 15 В, 40 А | Траншейная полевая остановка | 55,5 нк | 120А | 16,8 нс/54,4 нс | 1,37 мДж (вкл.), 250 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXYP20N65C3D1 | IXYS / Литтльфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | GenX3™, XPT™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/ixys-ixyp20n65c3d1-datasheets-1912.pdf | ТО-220-3 | 24 недели | неизвестный | 200 Вт | 200 Вт | 135 нс | 650В | 2,5 В | 50А | 400 В, 20 А, 20 Ом, 15 В | 2,5 В @ 15 В, 20 А | ПТ | 30 НК | 105А | 19 нс/80 нс | 430 мкДж (вкл.), 350 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АИКБ15Н65ДХ5АТМА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Стандартный | /files/infineontechnologies-tle9012aquxuma1-datasheets-7439.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 39 недель | 650В | 15А | ДНЯО | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОК30Б135Д2 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 18 недель | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FGA4060ADF | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/onsemiconductor-fga4060adf-datasheets-1916.pdf | ТО-3П-3, СК-65-3 | 6 недель | 6,401 г | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | 8541.29.00.95 | е3 | Олово (Вс) | 238 Вт | НЕ УКАЗАН | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 238 Вт | 26 нс | 600В | 2,3 В | 80А | 400 В, 40 А, 6 Ом, 15 В | 2,3 В @ 15 В, 40 А | Траншейная полевая остановка | 55,5 нк | 120А | 16,8 нс/54,4 нс | 1,37 мДж (вкл.), 250 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОК30Б60Д | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Альфа-БТИЗ™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | ТО-247-3 | 18 недель | 3 | 278 Вт | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 278 Вт | 137 нс | 600В | 2,1 В | 60А | 400 В, 30 А, 10 Ом, 15 В | 20 В | 2,1 В при 15 В, 30 А | 47 НК | 128А | 26 нс/71 нс | 1,18 мДж (вкл.), 200 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИГВ30Н60ТФКСА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчСтоп® | Сквозное отверстие | -40°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/infineontechnologies-igw30n60tfksa1-datasheets-1927.pdf | ТО-247-3 | 3 | 18 недель | да | EAR99 | БЫСТРОЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | е3 | Олово (Вс) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | *GW30N60 | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 187 Вт | ТО-247АС | 50 нс | 600В | 60А | 382 нс | 400 В, 30 А, 10,6 Ом, 15 В | 2,05 В при 15 В, 30 А | Траншейная полевая остановка | 167 НК | 90А | 23 нс/254 нс | 1,46 мДж | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FGA25S125P-SN00337 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/onsemiconductor-fga25s125p-datasheets-9555.pdf | ТО-3П-3, СК-65-3 | 3 | 4 недели | 6,401 г | АКТИВНО (последнее обновление: 6 дней назад) | да | 250 Вт | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 250 Вт | 1,25 кВ | 2,35 В | 50А | 1250В | 600 В, 25 А, 10 Ом, 15 В | 2,35 В @ 15 В, 25 А | Траншейная полевая остановка | 204 НК | 75А | 24 нс/502 нс | 1,09 мДж (вкл.), 580 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОК20Б120Д1 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Альфа-БТИЗ™ | Сквозное отверстие | -55°С~175°С, ТДж | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | ТО-247-3 | 18 недель | 340 Вт | 1200В | 40А | 600 В, 20 А, 15 Ом, 15 В | 1,8 В @ 15 В, 20 А | 67,5 нк | 80А | -/152нс | 940 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRG4PH40KPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/infineontechnologies-irg4ph40kpbf-datasheets-1941.pdf | 1,2 кВ | 30А | ТО-247-3 | 15 875 мм | 20,701 мм | 5,3086 мм | Без свинца | 3 | 14 недель | Нет СВХК | 3 | EAR99 | НИЗКИЕ ПОТЕРИ ПРОВОДИМОСТИ | Нет | 160 Вт | Одинокий | 160 Вт | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | 22нс | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ДВИГАТЕЛЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | ТО-247АС | 1,2 кВ | 2,74 В | 53 нс | 3,4 В | 30А | 1200В | 1200 нс | 960 В, 15 А, 10 Ом, 15 В | 20 В | 6В | 3,4 В @ 15 В, 15 А | 94 НК | 60А | 30 нс/200 нс | 730 мкДж (вкл.), 1,66 мДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТГФ15Х60ДФ | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stgf15h60df-datasheets-1887.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | 10,4 мм | 16,4 мм | 4,6 мм | Без свинца | 20 недель | 2,299997г | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 7 месяцев назад) | EAR99 | 30 Вт | НЕ УКАЗАН | СТГФ15 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 30 Вт | 103 нс | 600В | 1,6 В | 600В | 30А | 400 В, 15 А, 10 Ом, 15 В | 2В при 15В, 15А | Траншейная полевая остановка | 81нК | 60А | 24,5 нс/118 нс | 136 мкДж (вкл.), 207 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СГХ20Н60РУФДТУ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-sgh20n60rufdtu-datasheets-1947.pdf | 600В | 20А | ТО-3П-3, СК-65-3 | Без свинца | 3 | 8 недель | 6,401 г | 3 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | НИЗКИЕ ПОТЕРИ ПРОВОДИМОСТИ, ВЫСОКАЯ СКОРОСТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ | Нет | 8541.29.00.95 | е3 | Олово (Вс) | 195 Вт | Одинокий | 195 Вт | 1 | КРЕМНИЙ | УПРАВЛЕНИЕ ДВИГАТЕЛЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 95 нс | 600В | 2,2 В | 81 нс | 600В | 32А | 363 нс | 300 В, 20 А, 10 Ом, 15 В | 2,8 В @ 15 В, 20 А | 55 НК | 60А | 30 нс/48 нс | 524 мкДж (вкл.), 473 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXYP15N65C3D1M | IXYS / Литтльфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | GenX3™, XPT™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/ixys-ixyp15n65c3d1m-datasheets-1891.pdf | ТО-220-3 | 24 недели | 6.000006г | 48 Вт | Одинокий | 48 Вт | 30 нс | 650В | 1,96 В | 2,5 В | 16А | 400 В, 15 А, 20 Ом, 15 В | 2,5 В @ 15 В, 15 А | ПТ | 19 НК | 80А | 15 нс/68 нс | 270 мкДж (вкл.), 230 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXGA42N30C3 | IXYS / Литтльфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ГенХ3™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/ixys-ixgh42n30c3-datasheets-1783.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 2 | 24 недели | да | EAR99 | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | 223 Вт | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 300В | 43 нс | 1,85 В | 42А | 229 нс | 200 В, 21 А, 10 Ом, 15 В | 20 В | 5В | 1,85 В @ 15 В, 42 А | ПТ | 76 НК | 250А | 21 нс/113 нс | 120 мкДж (вкл.), 150 мкДж (выкл.) | 120 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FGB3040CS | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ЭкоСПАРК® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Логика | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/onsemiconductor-fgb3040cs-datasheets-1711.pdf | ТО-263-7, Д2Пак (6 отведений + вкладка), ТО-263СВ | 10,1 мм | 4,7 мм | 9,4 мм | Без свинца | 6 | 7 недель | 1312 г | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 150 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | ФГБ3040 | Одинокий | 150 Вт | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | 600 нс | 4,7 мкс | КРЕМНИЙ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 1 | 400В | 430В | 430В | 2100 нс | 1,85 В | 21А | 7000 нс | 7300 нс | 300 В, 1 кОм, 5 В | 2,2 В | 1,6 В @ 4 В, 6 А | 15 НК | -/4,7 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXGA48N60A3-ТРЛ | IXYS / Литтльфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ГенХ3™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Стандартный | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 30 недель | 300 Вт | 30 нс | 600В | 120А | 480 В, 32 А, 5 Ом, 15 В | 1,35 В @ 15 В, 32 А | ПТ | 110 НК | 300А | 25 нс/334 нс | 950 мкДж (вкл.), 2,9 мДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СГХ10Н60РУФДТУ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-sgh10n60rufdtu-datasheets-1898.pdf | 600В | 10А | ТО-3П-3, СК-65-3 | Без свинца | 3 | 6,401 г | 3 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 2 недели назад) | да | EAR99 | НИЗКИЕ ПОТЕРИ ПРОВОДИМОСТИ, ВЫСОКАЯ СКОРОСТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ | Нет | 8541.29.00.95 | е3 | Олово (Вс) | 75 Вт | СГ*10Н60 | Одинокий | 75 Вт | 1 | КРЕМНИЙ | УПРАВЛЕНИЕ ДВИГАТЕЛЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 60нс | 600В | 2,2 В | 49 нс | 600В | 16А | 284 нс | 300 В, 10 А, 20 Ом, 15 В | 2,8 В при 15 В, 10 А | 30 НК | 30А | 15 нс/36 нс | 141 мкДж (вкл.), 215 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АИКБ30Н65ДХ5АТМА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Стандартный | /files/infineontechnologies-tle9012aquxuma1-datasheets-7439.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 39 недель | 650В | 30А | ДНЯО |
