Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные IGBT(3888)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Тип входа | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Прямое напряжение | Время подъема | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Непрерывный ток коллектора | Мощность - Макс. | Максимальное напряжение проба | Код JEDEC-95 | Обратное время восстановления | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Время включения | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Время выключения-Nom (toff) | Условия испытаний | Максимальное напряжение затвор-эмиттер | Затвор-эмиттер Thr Напряжение-Макс. | Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic | Тип БТИЗ | Заряд от ворот | Ток-коллекторный импульсный (Icm) | Td (вкл/выкл) при 25°C | Переключение энергии | Время падения-Макс (тс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ФГА50С110П | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-fga50s110p-datasheets-1553.pdf | ТО-3П-3, СК-65-3 | 15,8 мм | 20,1 мм | 5 мм | 3 | 15 недель | 6,401 г | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | Нет | 8541.29.00.95 | е3 | Олово (Вс) | 300 Вт | Одинокий | 300 Вт | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | КРЕМНИЙ | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 1,1 кВ | 2,7 В | 370 нс | 1,1 кВ | 50А | 1100В | 492 нс | 25В | 7,5 В | 2,6 В @ 15 В, 50 А | Траншейная полевая остановка | 195 НК | 120А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТГВА30Х60ДФБ | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | полупансион | Сквозное отверстие | -55°С~175°С, ТДж | 1 (без блокировки) | Стандартный | Не соответствует требованиям RoHS | /files/stmicroelectronics-stgwa30h60dfb-datasheets-1560.pdf | ТО-247-3 | 20 недель | АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | НЕ УКАЗАН | СТГВА30 | НЕ УКАЗАН | 260 Вт | 53нс | 600В | 60А | 400 В, 30 А, 10 Ом, 15 В | 2В @ 15В, 30А | Траншейная полевая остановка | 149нК | 120А | 37 нс/146 нс | 383 мкДж (вкл.), 293 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СГБ07Н120АТМА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/infineontechnologies-sgb07n120atma1-datasheets-1561.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 2 | нет | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицированный | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 125 Вт | 56 нс | 1200В | 16,5А | 520 нс | 800 В, 8 А, 47 Ом, 15 В | 3,6 В @ 15 В, 8 А | ДНЯО | 70 НК | 27А | 27 нс/440 нс | 1 мДж | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИКБ03Н120Х2АТМА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/infineontechnologies-ikb03n120h2atma1-datasheets-1568.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 3 | 16 недель | нет | ВЫСОКОСКОРОСТНОЙ | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицированный | Р-ПССО-Г3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 62,5 Вт | ТО-220АБ | 42нс | 16,1 нс | 1200В | 9,6А | 403 нс | 800 В, 3 А, 82 Ом, 15 В | 2,8 В @ 15 В, 3 А | 22 НК | 9,9А | 9,2 нс/281 нс | 290мкДж | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГПА025А120МН-НД | ПолуQ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/semiq-gpa025a120mnnd-datasheets-1572.pdf | ТО-3 | ТО-3ПН | 312 Вт | 480 нс | 1200В | 50А | 600В, 25А, 10Ом, 15В | 2,5 В при 15 В, 25 А | ДНЯО и Траншея | 350 НК | 75А | 57 нс/240 нс | 4,15 мДж (вкл.), 870 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ХГТП3Н60А4 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-hgtp3n60a4-datasheets-1573.pdf | 600В | 17А | ТО-220-3 | 10,28 мм | 9,02 мм | 4,57 мм | Без свинца | 3 | 4 недели | 1,8 г | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | НИЗКИЕ ПОТЕРИ ПРОВОДИМОСТИ | Нет | 8541.29.00.95 | е3 | Олово (Вс) | 70 Вт | Одинокий | 70 Вт | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | 11нс | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | ТО-220АБ | 600В | 2,05 В | 17,5 нс | 600В | 17А | 180 нс | 390 В, 3 А, 50 Ом, 15 В | 20 В | 7В | 2,7 В @ 15 В, 3 А | 21 нС | 40А | 6 нс/73 нс | 37 мкДж (вкл.), 25 мкДж (выкл.) | 100 нс | ||||||||||||||||||||||||||
| НГТД17Т65Ф2СВК | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/onsemiconductor-ngtd17t65f2wp-datasheets-1551.pdf | Править | Без свинца | 4 недели | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | 650В | 2В @ 15В, 40А | Траншейная полевая остановка | 160А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АИГБ30Н65Ф5АТМА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Стандартный | /files/infineontechnologies-tle9012aquxuma1-datasheets-7439.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 39 недель | 650В | 30А | ДНЯО | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXA20I1200PZ-ТРЛ | IXYS / Литтльфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ХПТ™ | Поверхностный монтаж | Стандартный | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 20 недель | 165 Вт | 1200В | 38А | 600 В, 15 А, 56 Ом, 15 В | 2,1 В при 15 В, 15 А | ПТ | 47 НК | 48 нс/230 нс | 1,6 мДж (вкл.), 1,7 мДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НГТД13Т65Ф2СВК | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/onsemiconductor-ngtd13t65f2wp-datasheets-1507.pdf | Править | 4 недели | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | 650В | 2,2 В при 15 В, 30 А | Траншейная полевая остановка | 120А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TIG067SS-TL-2W | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/onsemiconductor-tig067sstl2w-datasheets-1465.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 10 недель | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | 1,2 Вт | НЕ УКАЗАН | 8 | НЕ УКАЗАН | 400В | 400В | 5В | 5 В @ 4 В, 150 А | 150А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXYA20N65C3-ТРЛ | IXYS / Литтльфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | GenX3™, XPT™ | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Стандартный | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 28 недель | 230 Вт | 34 нс | 650В | 50А | 400 В, 20 А, 20 Ом, 15 В | 2,5 В @ 15 В, 20 А | ПТ | 30 НК | 105А | 19 нс/80 нс | 430 мкДж (вкл.), 350 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИГП30Н65Х5ХКСА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчСтоп™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/infineontechnologies-igp30n65h5xksa1-datasheets-1468.pdf | ТО-220-3 | Без свинца | 3 | 16 недель | да | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | 188 Вт | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 188 Вт | ТО-220АБ | 650В | 28 нс | 650В | 55А | 224 нс | 400 В, 15 А, 23 Ом, 15 В | 2,1 В при 15 В, 30 А | Тренч | 70 НК | 90А | 19 нс/177 нс | 280 мкДж (вкл.), 100 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИКП20Н65Ф5ХКСА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчСтоп™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/infineontechnologies-ikp20n65f5xksa1-datasheets-1535.pdf | ТО-220-3 | Без свинца | 3 | 16 недель | 6.000006г | 3 | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | 125 Вт | НЕ УКАЗАН | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | 1,45 В | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 125 Вт | ТО-220АБ | 53 нс | 650В | 1,6 В | 32 нс | 650В | 42А | 211 нс | 400 В, 10 А, 32 Ом, 15 В | 2,1 В @ 15 В, 20 А | Тренч | 48нК | 60А | 20 нс/165 нс | 160 мкДж (вкл.), 60 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| НГТД14Т65Ф2СВК | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/onsemiconductor-ngtd14t65f2swk-datasheets-1480.pdf | Править | Без свинца | 17 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | 650В | 2В @ 15В, 35А | Траншейная полевая остановка | 120А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТГВА30Х65ФБ | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | полупансион | Сквозное отверстие | -55°С~175°С, ТДж | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | /files/stmicroelectronics-stgwa30h65fb-datasheets-1491.pdf | ТО-247-3 | 20 недель | АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | СТГВА30 | 260 Вт | 650В | 60А | 400 В, 30 А, 10 Ом, 15 В | 2В @ 15В, 30А | Траншейная полевая остановка | 149нК | 120А | 37 нс/146 нс | 151 мДж (включено), 293 мДж (выключено) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИКП20Н60Н3ХКСА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчСтоп® | Сквозное отверстие | -40°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/infineontechnologies-ikp20n60h3xksa1-datasheets-1494.pdf | ТО-220-3 | 3 | 26 недель | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицированный | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 170 Вт | ТО-220АБ | 112нс | 31 нс | 600В | 40А | 241 нс | 400 В, 20 А, 14,6 Ом, 15 В | 2,4 В @ 15 В, 20 А | Траншейная полевая остановка | 120 НК | 80А | 16 нс/194 нс | 690мкДж | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГПА020А120МН-ФД | ПолуQ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/semiq-gpa020a120mnfd-datasheets-1498.pdf | ТО-3 | ТО-3ПН | 223 Вт | 425 нс | 1200В | 40А | 600В, 20А, 10Ом, 15В | 2,5 В @ 15 В, 20 А | Траншейная полевая остановка | 210 НК | 60А | 30 нс/150 нс | 2,8 мДж (вкл.), 480 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИКБ20Н60Х3АТМА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчСтоп® | Поверхностный монтаж | -40°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2008 год | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 2 | 16 недель | нет | EAR99 | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицированный | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 170 Вт | 112нс | 31 нс | 600В | 40А | 241 нс | 400 В, 20 А, 14,6 Ом, 15 В | 2,4 В @ 15 В, 20 А | Траншейная полевая остановка | 120 НК | 80А | 16 нс/194 нс | 690мкДж | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТГВА20М65ДФ2 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | М | Сквозное отверстие | -55°С~175°С, ТДж | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stgwa20m65df2-datasheets-1504.pdf | ТО-247-3 | 30 недель | АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | EAR99 | НЕ УКАЗАН | СТГВА20 | НЕ УКАЗАН | 166 Вт | 166 нс | 650В | 40А | 400 В, 20 А, 12 Ом, 15 В | 2 В @ 15 В, 20 А | Траншейная полевая остановка | 63нК | 80А | 26 нс/108 нс | 140 мкДж (вкл.), 560 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STGWT20IH125DF | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stgwt20ih125df-datasheets-1506.pdf | ТО-3П-3, СК-65-3 | 32 недели | 6.756003г | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | EAR99 | 259 Вт | НЕ УКАЗАН | СТГВТ20 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 259 Вт | 1,25 кВ | 2,55 В | 1,25 кВ | 40А | 1250В | 600 В, 15 А, 10 Ом, 15 В | 2,5 В @ 15 В, 15 А | Траншейная полевая остановка | 68 НК | 80А | -/106нс | 410 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NGTD13T65F2WP | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Масса | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/onsemiconductor-ngtd13t65f2wp-datasheets-1507.pdf | Править | 4 недели | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | 650В | 2,2 В при 15 В, 30 А | Траншейная полевая остановка | 120А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NGTD14T65F2WP | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Масса | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/onsemiconductor-ngtd14t65f2swk-datasheets-1480.pdf | Править | 18 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | 650В | 2В @ 15В, 35А | Траншейная полевая остановка | 120А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ХГТП10Н120БН | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-hgtp10n120bn-datasheets-1511.pdf | 1,2 кВ | 35А | ТО-220-3 | 10,67 мм | 9,4 мм | 4,83 мм | Без свинца | 3 | 44 недели | 1,8 г | 3 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | НИЗКИЕ ПОТЕРИ ПРОВОДИМОСТИ | Нет | 8541.29.00.95 | е3 | Олово (Вс) | 49,2 Вт | Одинокий | 298 Вт | 1 | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ МОТОРОМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 35А | 300В | 1,2 кВ | 2,45 В | 32 нс | 1,2 кВ | 35А | 1200В | 330 нс | 960 В, 10 А, 10 Ом, 15 В | 2,7 В @ 15 В, 10 А | ДНЯО | 100 НК | 80А | 23 нс/165 нс | 320 мкДж (вкл.), 800 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||
| ИРГС6Б60КДТРЛП | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/infineontechnologies-irgb6b60kdpbf-datasheets-1319.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | Без свинца | 2 | 13 недель | 260,39037мг | 3 | Нет | е3 | Matte Tin (Sn) – с никелевым (Ni) барьером | 90 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ИРГС6Б60КДПБФ | Одинокий | 30 | 1 | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ МОТОРОМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 90 Вт | 600В | 70 нс | 600В | 45 нс | 2,2 В | 13А | 258 нс | 400 В, 5 А, 100 Ом, 15 В | 2,2 В @ 15 В, 5 А | ДНЯО | 18,2 нК | 26А | 25 нс/215 нс | 110 мкДж (вкл.), 135 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОК40B65H2AL | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Альфа-БТИЗ™ | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | ТО-247-3 | 18 недель | 260 Вт | 315 нс | 650В | 80А | 600 В, 40 А, 7,5 Ом, 15 В | 2,6 В при 15 В, 40 А | 61 НК | 120А | 30 нс/117 нс | 1,17 мДж (вкл.), 540 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АИГБ15Н65Ф5АТМА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Стандартный | /files/infineontechnologies-tle9012aquxuma1-datasheets-7439.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 39 недель | 650В | 15А | ДНЯО | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXYP10N65C3 | IXYS / Литтльфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | GenX3™, XPT™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/ixys-ixyp10n65c3-datasheets-1529.pdf | ТО-220-3 | 14 недель | 160 Вт | 160 Вт | 650В | 2,5 В | 30А | 400 В, 10 А, 50 Ом, 15 В | 2,5 В @ 15 В, 10 А | ПТ | 18нК | 54А | 20 нс/77 нс | 240 мкДж (вкл.), 110 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИГП20Н60Х3ХКСА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчСтоп® | Сквозное отверстие | -40°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/infineontechnologies-igp20n60h3xksa1-datasheets-1399.pdf | ТО-220-3 | 3 | 26 недель | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицированный | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 170 Вт | ТО-220АБ | 31 нс | 600В | 40А | 241 нс | 400 В, 20 А, 14,6 Ом, 15 В | 2,4 В @ 15 В, 20 А | Траншейная полевая остановка | 120 НК | 80А | 16 нс/194 нс | 690мкДж | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ISL9V3040S3ST-F085C | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, EcoSPARK® | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Логика | /files/onsemiconductor-isl9v3040s3stf085c-datasheets-1402.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 5 недель | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | 150 Вт | 2,1 мкс | 400В | 21А | 14 В, 1 Ом | 1,65 В @ 4 В, 6 А | 17 НК | 700 нс/4,8 мкс |
