Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные IGBT(3888)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Тип входа | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Максимальный переход температуры (Tj) | Код JESD-30 | Включить время задержки | Время подъема | Время задержки отключения | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Непрерывный ток коллектора | Мощность - Макс. | Максимальное напряжение проба | Код JEDEC-95 | Обратное время восстановления | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Время включения | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Время выключения-Nom (toff) | Условия испытаний | Напряжение затвор-эмиттер-Макс. | Затвор-эмиттер Thr Напряжение-Макс. | Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic | Тип БТИЗ | Заряд от ворот | Ток-коллекторный импульсный (Icm) | Td (вкл/выкл) при 25°C | Переключение энергии | Время падения-Макс (тс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IXYY8N90C3 | IXYS / Литтльфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | GenX3™, XPT™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/ixys-ixyy8n90c3-datasheets-1778.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 2 | 24 недели | 3,949996 г | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | 125 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 4 | Одинокий | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 125 Вт | ТО-252АА | 900В | 2,5 В | 39 нс | 2,5 В | 20А | 238 нс | 450 В, 8 А, 30 Ом, 15 В | 20 В | 6В | 2,5 В @ 15 В, 8 А | 13,3 нК | 48А | 16 нс/40 нс | 460 мкДж (вкл.), 180 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRG7PK42UD1PBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Непригодный | Соответствует RoHS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXGH42N30C3 | IXYS / Литтльфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ГенХ3™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/ixys-ixgh42n30c3-datasheets-1783.pdf | ТО-247-3 | 16,26 мм | 21,46 мм | 5,3 мм | 3 | 30 недель | 6,500007г | 3 | да | EAR99 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 223 Вт | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 223 Вт | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Не квалифицирован | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | ТО-247АД | 300В | 1,54 В | 43 нс | 300В | 42А | 229 нс | 200 В, 21 А, 10 Ом, 15 В | 20 В | 5В | 1,85 В @ 15 В, 42 А | ПТ | 76 НК | 250А | 21 нс/113 нс | 120 мкДж (вкл.), 150 мкДж (выкл.) | 120 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ИКБ30Н65ЭС5АТМА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчСтоп™ 5 | Поверхностный монтаж | -40°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/infineontechnologies-ikb30n65es5atma1-datasheets-1791.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 16 недель | 188 Вт | 75нс | 650В | 62А | 400 В, 30 А, 13 Ом, 15 В | 1,7 В @ 15 В, 30 А | Траншейная полевая остановка | 70 НК | 120А | 17 нс/124 нс | 560 мкДж (вкл.), 320 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NGTD21T65F2WP | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Масса | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/onsemiconductor-ngtd21t65f2swk-datasheets-1720.pdf | Править | 4 недели | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | 650В | 1,9 В @ 15 В, 45 А | Траншейная полевая остановка | 200А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXYA20N65B3 | IXYS / Литтльфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | XPT™, GenX3™ | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Стандартный | 2015 год | /files/ixys-ixya20n65b3-datasheets-1796.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 24 недели | совместимый | 230 Вт | 25нс | 650В | 58А | 400 В, 20 А, 20 Ом, 15 В | 2,1 В @ 15 В, 20 А | 29 НК | 108А | 12 нс/103 нс | 500 мкДж (вкл.), 700 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXGA7N60B | IXYS / Литтльфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | HiPerFAST™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/ixys-ixgp7n60b-datasheets-4963.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 2 | 8 недель | 1,59999 г | 3 | да | неизвестный | 54 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | IXG*7N60 | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ДВИГАТЕЛЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 54 Вт | 600В | 2В | 25 нс | 600В | 14А | 450 нс | 480 В, 7 А, 22 Ом, 15 В | 20 В | 5,5 В | 2В @ 15В, 7А | ПТ | 25 НК | 30А | 9 нс/100 нс | 70 мкДж (вкл.), 300 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXYP8N90C3 | IXYS / Литтльфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | GenX3™, XPT™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2013 год | ТО-220-3 | 10,66 мм | 16 мм | 4,83 мм | Без свинца | 3 | 24 недели | 3 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | 125 Вт | 3 | Одинокий | 125 Вт | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | ТО-220АБ | 900В | 2,15 В | 39 нс | 900В | 20А | 238 нс | 450 В, 8 А, 30 Ом, 15 В | 20 В | 6В | 2,5 В @ 15 В, 8 А | 13,3 нК | 48А | 16 нс/40 нс | 460 мкДж (вкл.), 180 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФГХ40Т65Ш-Ф155 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-fgh40t65shf155-datasheets-1798.pdf | ТО-247-3 | Без свинца | 6 недель | 6,39 г | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | 268 Вт | Одинокий | 268 Вт | 650В | 2,1 В | 80А | 400 В, 40 А, 6 Ом, 15 В | 2,1 В при 15 В, 40 А | Траншейная полевая остановка | 72,2 нк | 120А | 19,2 нс/65,6 нс | 1,01 мДж (вкл.), 297 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXYP15N65C3D1 | IXYS / Литтльфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | GenX3™, XPT™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/ixys-ixyp15n65c3d1-datasheets-1805.pdf | ТО-220-3 | 24 недели | 200 Вт | 200 Вт | 110 нс | 650В | 2,5 В | 38А | 400 В, 15 А, 20 Ом, 15 В | 2,5 В @ 15 В, 15 А | ПТ | 19 НК | 80А | 15 нс/68 нс | 270 мкДж (вкл.), 230 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXGQ85N33PCD1 | IXYS / Литтльфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Полар™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/ixys-ixgq85n33pcd1-datasheets-1699.pdf | ТО-3П-3, СК-65-3 | 3 | 26 недель | 5,500006г | 3 | да | е3 | Матовый олово (Sn) | 150 Вт | НЕ УКАЗАН | 2 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ОБЩЕЕ НАЗНАЧЕНИЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 150 Вт | 250 нс | 330В | 115 нс | 330В | 85А | 218 нс | 3 В @ 15 В, 100 А | 80 НК | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRG4PC30SPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | /files/infineontechnologies-irg4pc30spbf-datasheets-1753.pdf | 600В | 34А | ТО-247-3 | 15 875 мм | 20,2946 мм | 5,3086 мм | Без свинца | 3 | 14 недель | 38.000013г | Нет СВХК | 3 | EAR99 | Нет | 100 Вт | ОДИНОКИЙ | Двойной | 100 Вт | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | 19нс | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | ТО-247АС | 600В | 1,6 В | 40 нс | 1,6 В | 34А | 1550 нс | 480 В, 18 А, 23 Ом, 15 В | 20 В | 6В | 1,6 В @ 15 В, 18 А | 50 НК | 68А | 22 нс/540 нс | 260 мкДж (включено), 3,45 мДж (выключено) | 590 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТГВФ30НК60С | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerMESH™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stgp30nc60s-datasheets-5626.pdf | ТО-3П-3 Полный пакет | Без свинца | 3 | 8 недель | 3 | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 79 Вт | СТГВФ30 | 2 | Одинокий | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | 21,5 нс | 180 нс | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 79 Вт | 600В | 1,5 В | 30 нс | 600В | 35А | 555 нс | 480 В, 20 А, 10 Ом, 15 В | 20 В | 5,75 В | 1,9 В @ 15 В, 20 А | 96 НК | 150А | 21,5 нс/180 нс | 300 мкДж (вкл.), 1,28 мДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НГТБ10Н60Р2ДТ4Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 175°С, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/onsemiconductor-ngtb10n60r2dt4g-datasheets-1405.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,73 мм | 2,38 мм | 6,22 мм | Без свинца | 4 недели | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | 72 Вт | Одинокий | 72 Вт | 600В | 90 нс | 600В | 1,7 В | 600В | 20А | 300 В, 10 А, 30 Ом, 15 В | 2,1 В @ 15 В, 10 А | 53нК | 40А | 48 нс/120 нс | 412 мкДж (вкл.), 140 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТГВА8М120ДФ3 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | М | Сквозное отверстие | -55°С~175°С, ТДж | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | /files/stmicroelectronics-stgwa8m120df3-datasheets-1703.pdf | ТО-247-3 | 30 недель | АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | СТГВА80 | 167 Вт | 103нс | 1200В | 16А | 600 В, 8 А, 33 Ом, 15 В | 2,3 В @ 15 В, 8 А | Траншейная полевая остановка | 32 НК | 32А | 20 нс/126 нс | 390 мкДж (вкл.), 370 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДГТД65Т40С2ПТ | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | ТО-247-3 | 22 недели | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 230 Вт | 60нс | 650В | 80А | 400 В, 40 А, 10 Ом, 15 В | 2,3 В @ 15 В, 40 А | Полевая остановка | 60 НК | 120А | 6 нс/55 нс | 500 мкДж (вкл.), 400 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXGA48N60C3-ТРЛ | IXYS / Литтльфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ГенХ3™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Стандартный | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 30 недель | 300 Вт | 26нс | 600В | 75А | 400 В, 30 А, 3 Ом, 15 В | 2,5 В при 15 В, 30 А | ПТ | 77нК | 250А | 19 нс/60 нс | 410 мкДж (вкл.), 230 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXYP10N65C3D1M | IXYS / Литтльфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | XPT™, GenX3™ | Сквозное отверстие | -55°С~175°С, ТДж | Трубка | Стандартный | 2014 год | /files/ixys-ixyp10n65c3d1m-datasheets-1705.pdf | ТО-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | 24 недели | совместимый | 53 Вт | 26нс | 650В | 15А | 400 В, 10 А, 50 Ом, 15 В | 2,6 В @ 15 В, 10 А | 18нК | 50А | 20 нс/77 нс | 240 мкДж (вкл.), 170 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОК20Б120Е1 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Альфа-БТИЗ™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | ТО-247-3 | 18 недель | неизвестный | 333 Вт | 333 Вт | 1,2 кВ | 2,1 В | 40А | 1200В | 600 В, 20 А, 15 Ом, 15 В | 2,1 В @ 15 В, 20 А | 60,5 нк | 80А | -/134нс | 830 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IGW08T120FKSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчСтоп® | Сквозное отверстие | -40°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/infineontechnologies-igw08t120fksa1-datasheets-1717.pdf | ТО-247-3 | 3 | 16 недель | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 70 Вт | ТО-247АД | 66 нс | 1200В | 16А | 710 нс | 600 В, 8 А, 81 Ом, 15 В | 2,2 В @ 15 В, 8 А | ДНЯО, Остановка траншейного поля | 53нК | 24А | 40 нс/450 нс | 1,37 мДж | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STGWT28IH125DF | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stgw28ih125df-datasheets-1691.pdf | ТО-3П-3, СК-65-3 | 32 недели | 6.961991г | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 7 месяцев назад) | EAR99 | 375 Вт | STGWT28 | Одинокий | 375 Вт | 1,25 кВ | 2,65 В | 1,25 кВ | 60А | 1250В | 600 В, 25 А, 10 Ом, 15 В | 2,5 В при 15 В, 25 А | Траншейная полевая остановка | 114 НК | 120А | -/128нс | 720 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXYA15N65C3D1 | IXYS / Литтльфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | GenX3™, XPT™ | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Стандартный | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 28 недель | совместимый | 200 Вт | 20нс | 650В | 38А | 400 В, 15 А, 20 Ом, 15 В | 2,5 В @ 15 В, 15 А | ПТ | 19 НК | 80А | 15 нс/68 нс | 270 мкДж (вкл.), 230 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НГТД21Т65Ф2СВК | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/onsemiconductor-ngtd21t65f2swk-datasheets-1720.pdf | Править | Без свинца | 4 недели | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | 650В | 1,9 В @ 15 В, 45 А | Траншейная полевая остановка | 200А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СГФ23Н60УФТУ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-sgf23n60uftu-datasheets-1722.pdf | 600В | 12А | ТО-3П-3 Полный пакет | Без свинца | 3 | 8 недель | 6,962 г | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | НИЗКИЕ ПОТЕРИ ПРОВОДИМОСТИ, ВЫСОКАЯ СКОРОСТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ | Нет | 8541.29.00.95 | е3 | Олово (Вс) | 75 Вт | СГ*23Н60 | Одинокий | 75 Вт | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | УПРАВЛЕНИЕ ДВИГАТЕЛЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 600В | 2,1 В | 55 нс | 600В | 23А | 320 нс | 300 В, 12 А, 23 Ом, 15 В | 20 В | 6,5 В | 2,6 В при 15 В, 12 А | 92А | 17 нс/60 нс | 115 мкДж (вкл.), 135 мкДж (выкл.) | 250 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| НГТД20Т120Ф2СВК | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | Непригодный | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/onsemiconductor-ngtd20t120f2wp-datasheets-1663.pdf | Править | Без свинца | 4 недели | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | 1200В | 2,4 В @ 15 В, 20 А | Траншейная полевая остановка | 100А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRG4BC30KDSTRRP | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/infineontechnologies-irg4bc30kdstrrp-datasheets-1728.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 2 | 13 недель | 3 | НИЗКИЕ ПОТЕРИ ПРОВОДИМОСТИ | Нет | е3 | Matte Tin (Sn) – с никелевым (Ni) барьером | 100 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | IRG4BC30KD-СПБФ | Одинокий | 30 | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ДВИГАТЕЛЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 100 Вт | 42 нс | 600В | 100 нс | 2,7 В | 28А | 370 нс | 480 В, 16 А, 23 Ом, 15 В | 20 В | 6В | 2,7 В @ 15 В, 16 А | 67нК | 56А | 60 нс/160 нс | 600 мкДж (вкл.), 580 мкДж (выкл.) | 120 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОК30Б60Д1 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Альфа-БТИЗ™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | ТО-247-3 | 25,4 мм | 18 недель | 208 Вт | 208 Вт | БИП-транзисторы с изолированным затвором | 150°С | 21 нс | 70 нс | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 60А | 120 нс | 600В | 1,85 В | 600В | 60А | 400 В, 30 А, 10 Ом, 15 В | 20 В | 2,4 В @ 15 В, 26 А | 34 НК | 96А | 20 нс/58 нс | 1,1 мДж (вкл.), 240 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRG4BH20K-СТРЛП | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/infineontechnologies-irg4bh20kstrlp-datasheets-1741.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 2 | 13 недель | 3 | EAR99 | НИЗКИЕ ПОТЕРИ ПРОВОДИМОСТИ | Нет | е3 | Matte Tin (Sn) – с никелевым (Ni) барьером | 60 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | Одинокий | 30 | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ДВИГАТЕЛЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 60 Вт | 1,2 кВ | 51 нс | 4,3 В | 11А | 1200В | 720 нс | 960 В, 5 А, 50 Ом, 15 В | 20 В | 6,5 В | 4,3 В @ 15 В, 5 А | 28нК | 22А | 23 нс/93 нс | 450 мкДж (вкл.), 440 мкДж (выкл.) | 400 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОК20Б135Е1 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Альфа-БТИЗ™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | ТО-247-3 | 18 недель | неизвестный | 250 Вт | 250 Вт | 1,35 кВ | 2,3 В | 40А | 1350В | 600 В, 20 А, 15 Ом, 15 В | 2,3 В @ 15 В, 20 А | 58 НК | 80А | -/134нс | 800 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FGA3060ADF | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-fga3060adf-datasheets-1623.pdf | ТО-3П-3, СК-65-3 | 7 недель | 6,401 г | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | 8541.29.00.95 | е3 | Олово (Вс) | 176 Вт | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 176 Вт | 26 нс | 600В | 2,3 В | 60А | 400 В, 30 А, 6 Ом, 15 В | 2,3 В при 15 В, 30 А | Траншейная полевая остановка | 37,4 нк | 90А | 12 нс/42,4 нс | 960 мкДж (вкл.), 165 мкДж (выкл.) |
