Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные IGBT(3888)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Тип входа | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Включить время задержки | Время подъема | Время задержки отключения | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Мощность - Макс. | Код JEDEC-95 | Обратное время восстановления | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Время включения | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Время выключения-Nom (toff) | Условия испытаний | Максимальное напряжение затвор-эмиттер | Затвор-эмиттер Thr Напряжение-Макс. | Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic | Тип БТИЗ | Заряд от ворот | Ток-коллекторный импульсный (Icm) | Td (вкл/выкл) при 25°C | Переключение энергии | Время падения-Макс (тс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| АОК30Б60Д | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Альфа-БТИЗ™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | ТО-247-3 | 18 недель | 3 | 278 Вт | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 278 Вт | 137 нс | 600В | 2,1 В | 60А | 400 В, 30 А, 10 Ом, 15 В | 20 В | 2,1 В при 15 В, 30 А | 47 НК | 128А | 26 нс/71 нс | 1,18 мДж (вкл.), 200 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXGP30N60C3 | IXYS / Литтльфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ГенХ3™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/ixys-ixgp30n60c3-datasheets-1839.pdf | ТО-220-3 | Без свинца | 3 | 20 недель | 2,299997г | 3 | да | е3 | Матовый олово (Sn) | 220 Вт | НЕ УКАЗАН | ИКГ*30Н60 | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 220 Вт | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Не квалифицированный | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | ТО-220АБ | 600В | 2,6 В | 45 нс | 600В | 60А | 160 нс | 300 В, 20 А, 5 Ом, 15 В | 20 В | 5,5 В | 3 В @ 15 В, 20 А | ПТ | 38нК | 150А | 16 нс/42 нс | 270 мкДж (вкл.), 90 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||
| IXGP12N120A2 | IXYS / Литтльфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/ixys-ixga12n120a2-datasheets-1598.pdf | ТО-220-3 | 3 | 16 недель | 2,299997г | 3 | да | 75 Вт | НЕ УКАЗАН | IXG*12N120 | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицированный | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 75 Вт | ТО-220АБ | 1,2 кВ | 45 нс | 1,2 кВ | 24А | 1200В | 1750 нс | 960 В, 12 А, 100 Ом, 15 В | 3В @ 15В, 12А | ПТ | 24 нС | 48А | 15 нс/680 нс | 5,4 мДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НГБ8206АНТФ4Г | Литтелфуз | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | Логика | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/littelfuseinc-ngb8206ansl3g-datasheets-1317.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 28 недель | EAR99 | неизвестный | НЕ УКАЗАН | НГБ8206 | НЕ УКАЗАН | 150 Вт | 390В | 20А | 300 В, 9 А, 1 кОм, 5 В | 1,9 В @ 4,5 В, 20 А | 50А | -/5 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АИКБ30Н65ДФ5АТМА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/infineontechnologies-aikb30n65df5atma1-datasheets-1877.pdf | 39 недель | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФГА30Т65СХД | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/onsemiconductor-fga30t65shd-datasheets-1843.pdf | ТО-3П-3, СК-65-3 | 5 недель | 6,401 г | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | 8541.29.00.95 | е3 | Олово (Вс) | 238 Вт | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 238 Вт | 31,8 нс | 650В | 2,14 В | 2,1 В | 60А | 400 В, 30 А, 6 Ом, 15 В | 2,1 В при 15 В, 30 А | Траншейная полевая остановка | 54,7 нк | 90А | 14,4 нс/52,8 нс | 598 мкДж (вкл.), 167 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОК10Б60Д | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Альфа-БТИЗ™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | ТО-247-3 | 18 недель | 3 | 163 Вт | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 163 Вт | 105 нс | 600В | 1,8 В | 20А | 400 В, 10 А, 30 Ом, 15 В | 20 В | 1,8 В @ 15 В, 10 А | 17,4 нК | 40А | 10 нс/72 нс | 260 мкДж (вкл.), 70 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МГД623Н | Санкен | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/sanken-mgd623n-datasheets-1849.pdf | ТО-3П-3 Полный пакет | Без свинца | 3 | 12 недель | да | 150 Вт | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 2 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицированный | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 150 Вт | 300 нс | 600В | 175 нс | 2,3 В | 50А | 500 нс | 300 В, 50 А, 39 Ом, 15 В | 2,3 В @ 15 В, 50 А | 100А | 75 нс/300 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXYP15N65C3 | IXYS / Литтльфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | GenX3™, XPT™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/ixys-ixyp15n65c3-datasheets-1886.pdf | ТО-220-3 | 24 недели | 200 Вт | 200 Вт | 650В | 2,5 В | 38А | 400 В, 15 А, 20 Ом, 15 В | 2,5 В @ 15 В, 15 А | ПТ | 19 НК | 80А | 15 нс/68 нс | 270 мкДж (вкл.), 230 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АИКБ15Н65ДФ5АТМА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Стандартный | /files/infineontechnologies-tle9012aquxuma1-datasheets-7439.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 39 недель | 650В | 15А | ДНЯО | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXA20I1200PZ-ВАННА | IXYS / Литтльфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ХПТ™ | Поверхностный монтаж | Стандартный | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 20 недель | 165 Вт | 1200В | 38А | 600 В, 15 А, 56 Ом, 15 В | 2,1 В при 15 В, 15 А | ПТ | 47 НК | 48 нс/230 нс | 1,6 мДж (вкл.), 1,7 мДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FGA40T65UQDF | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/onsemiconductor-fga40t65uqdf-datasheets-1853.pdf | ТО-3П-3, СК-65-3 | 14 недель | 6,401 г | АКТИВНО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | 231 Вт | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 231 Вт | 89 нс | 650В | 1,67 В | 80А | 400 В, 40 А, 6 Ом, 15 В | 1,67 В @ 15 В, 40 А | ДНЯО | 306нК | 120А | 32 нс/271 нс | 989 мкДж (вкл.), 310 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТГП8М120ДФ3 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°С~175°С, ТДж | Стандартный | /files/stmicroelectronics-stgp8m120df3-datasheets-1858.pdf | ТО-220-3 | 30 недель | совместимый | 103нс | 1200В | 16А | 600 В, 8 А, 33 Ом, 15 В | 2,3 В @ 15 В, 8 А | Траншейная полевая остановка | 32 НК | 32А | 20 нс/126 нс | 390 мкДж (вкл.), 370 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТГВТ20Х60ДФ | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stgwt20h60df-datasheets-1859.pdf | ТО-3П-3, СК-65-3 | 15,8 мм | 20,1 мм | 5 мм | 32 недели | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 7 месяцев назад) | EAR99 | Нет | 167 Вт | СТГВТ20 | Одинокий | 167 Вт | 90 нс | 600В | 2В | 600В | 40А | 400 В, 20 А, 10 Ом, 15 В | 2 В @ 15 В, 20 А | Траншейная полевая остановка | 115 НК | 80А | 42,5 нс/177 нс | 209 мкДж (вкл.), 261 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXYA20N65C3 | IXYS / Литтльфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | XPT™, GenX3™ | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Стандартный | 2015 год | /files/ixys-ixya20n65c3-datasheets-1861.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 28 недель | совместимый | 230 Вт | 34 нс | 650В | 20А | 400 В, 20 А, 20 Ом, 15 В | 2,5 В @ 15 В, 20 А | 30 НК | 105А | 19 нс/80 нс | 430 мкДж (вкл.), 650 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXGP2N100 | IXYS / Литтльфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/ixys-ixgp2n100-datasheets-1862.pdf | ТО-220-3 | 3 | 6 недель | 2,299997г | да | 8541.29.00.95 | е3 | Матовый олово (Sn) | 25 Вт | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Не квалифицированный | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 25 Вт | ТО-220АБ | 1кВ | 100 нс | 1кВ | 4А | 1000В | 100 нс | 800 В, 2 А, 150 Ом, 15 В | 20 В | 8В | 2,7 В @ 15 В, 2 А | 7,8 нк | 8А | 15 нс/300 нс | 560 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRG4BC15UD-LPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/infineontechnologies-irg4bc15udstrlp-datasheets-5240.pdf | 600В | 14А | ТО-262-3 Длинные выводы, И2Пак, ТО-262АА | 10 668 мм | 9,652 мм | 4826 мм | Без свинца | 3 | 13 недель | 2.084002г | Нет СВХК | 3 | EAR99 | Нет | е3 | Matte Tin (Sn) – с никелевым (Ni) барьером | 49 Вт | 260 | Одинокий | 30 | 49 Вт | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | 17 нс | 20нс | 160 нс | КРЕМНИЙ | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 28 нс | 600В | 2,02 В | 37 нс | 2,4 В | 14А | 400 нс | 480 В, 7,8 А, 75 Ом, 15 В | 20 В | 6В | 2,4 В @ 15 В, 7,8 А | 23нК | 42А | 17 нс/160 нс | 240 мкДж (вкл.), 260 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||
| IXXP12N65B4D1 | IXYS / Литтльфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | XPT™, GenX4™ | Сквозное отверстие | -55°С~175°С, ТДж | Трубка | Стандартный | 2017 год | /files/ixys-ixxp12n65b4d1-datasheets-1871.pdf | ТО-220-3 | 24 недели | совместимый | 160 Вт | 43нс | 650В | 38А | 400 В, 12 А, 20 Ом, 15 В | 1,95 В @ 15 В, 12 А | 34 НК | 70А | 13 нс/158 нс | 440 мкДж (вкл.), 220 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АИКП20Н60СТАКСА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/infineontechnologies-aikp20n60ctaksa1-datasheets-1872.pdf | ТО-220-3 | 39 недель | EAR99 | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 156 Вт | 600В | 40А | 400 В, 20 А, 12 Ом, 15 В | 2,05 В @ 15 В, 20 А | Траншейная полевая остановка | 120 НК | 60А | 18 нс/199 нс | 310 мкДж (вкл.), 460 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГПА030А135МН-ФДР | ПолуQ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/semiq-gpa030a135mnfdr-datasheets-1874.pdf | ТО-3 | ТО-3ПН | 329 Вт | 450 нс | 1350В | 60А | 600В, 30А, 5Ом, 15В | 2,4 В при 15 В, 30 А | Траншейная полевая остановка | 300 НК | 90А | 30 нс/145 нс | 4,4 мДж (вкл.), 1,18 мДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXGP12N120A3 | IXYS / Литтльфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ГенХ3™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/ixys-ixgp12n120a3-datasheets-1875.pdf | ТО-220-3 | 3 | 30 недель | НИЗКИЕ ПОТЕРИ ПРОВОДИМОСТИ | неизвестный | 100 Вт | ОДИНОКИЙ | 3 | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 100 Вт | ТО-220АБ | 1,2 кВ | 202 нс | 3В | 22А | 1200В | 1545 нс | 20 В | 5В | 3В @ 15В, 12А | ПТ | 20,4 нК | 60А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXYY8N90C3 | IXYS / Литтльфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | GenX3™, XPT™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/ixys-ixyy8n90c3-datasheets-1778.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 2 | 24 недели | 3,949996 г | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | 125 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 4 | Одинокий | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 125 Вт | ТО-252АА | 900В | 2,5 В | 39 нс | 2,5 В | 20А | 238 нс | 450 В, 8 А, 30 Ом, 15 В | 20 В | 6В | 2,5 В @ 15 В, 8 А | 13,3 нК | 48А | 16 нс/40 нс | 460 мкДж (вкл.), 180 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRG7PK42UD1PBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Непригодный | Соответствует RoHS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXGH42N30C3 | IXYS / Литтльфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ГенХ3™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/ixys-ixgh42n30c3-datasheets-1783.pdf | ТО-247-3 | 16,26 мм | 21,46 мм | 5,3 мм | 3 | 30 недель | 6,500007г | 3 | да | EAR99 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 223 Вт | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 223 Вт | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Не квалифицированный | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | ТО-247АД | 300В | 1,54 В | 43 нс | 300В | 42А | 229 нс | 200 В, 21 А, 10 Ом, 15 В | 20 В | 5В | 1,85 В @ 15 В, 42 А | ПТ | 76 НК | 250А | 21 нс/113 нс | 120 мкДж (вкл.), 150 мкДж (выкл.) | 120 нс | |||||||||||||||||||||||||||
| ИКБ30Н65ЭС5АТМА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчСтоп™ 5 | Поверхностный монтаж | -40°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/infineontechnologies-ikb30n65es5atma1-datasheets-1791.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 16 недель | 188 Вт | 75нс | 650В | 62А | 400 В, 30 А, 13 Ом, 15 В | 1,7 В @ 15 В, 30 А | Траншейная полевая остановка | 70 НК | 120А | 17 нс/124 нс | 560 мкДж (вкл.), 320 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NGTD21T65F2WP | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Масса | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/onsemiconductor-ngtd21t65f2swk-datasheets-1720.pdf | Править | 4 недели | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | 650В | 1,9 В @ 15 В, 45 А | Траншейная полевая остановка | 200А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXYA20N65B3 | IXYS / Литтльфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | XPT™, GenX3™ | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Стандартный | 2015 год | /files/ixys-ixya20n65b3-datasheets-1796.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 24 недели | совместимый | 230 Вт | 25нс | 650В | 58А | 400 В, 20 А, 20 Ом, 15 В | 2,1 В @ 15 В, 20 А | 29 НК | 108А | 12 нс/103 нс | 500 мкДж (вкл.), 700 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXGA7N60B | IXYS / Литтльфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | HiPerFAST™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/ixys-ixgp7n60b-datasheets-4963.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 2 | 8 недель | 1,59999 г | 3 | да | неизвестный | 54 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | IXG*7N60 | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Не квалифицированный | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ МОТОРОМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 54 Вт | 600В | 2В | 25 нс | 600В | 14А | 450 нс | 480 В, 7 А, 22 Ом, 15 В | 20 В | 5,5 В | 2В @ 15В, 7А | ПТ | 25 НК | 30А | 9 нс/100 нс | 70 мкДж (вкл.), 300 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||
| IXYP8N90C3 | IXYS / Литтльфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | GenX3™, XPT™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2013 год | ТО-220-3 | 10,66 мм | 16 мм | 4,83 мм | Без свинца | 3 | 24 недели | 3 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | 125 Вт | 3 | Одинокий | 125 Вт | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | ТО-220АБ | 900В | 2,15 В | 39 нс | 900В | 20А | 238 нс | 450 В, 8 А, 30 Ом, 15 В | 20 В | 6В | 2,5 В @ 15 В, 8 А | 13,3 нК | 48А | 16 нс/40 нс | 460 мкДж (вкл.), 180 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФГХ40Т65Ш-Ф155 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-fgh40t65shf155-datasheets-1798.pdf | ТО-247-3 | Без свинца | 6 недель | 6,39 г | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | 268 Вт | Одинокий | 268 Вт | 650В | 2,1 В | 80А | 400 В, 40 А, 6 Ом, 15 В | 2,1 В при 15 В, 40 А | Траншейная полевая остановка | 72,2 нк | 120А | 19,2 нс/65,6 нс | 1,01 мДж (вкл.), 297 мкДж (выкл.) |
