Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные МОП-транзисторы(33658)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Справочный стандарт | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Рабочая температура (мин) | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Максимальный переход температуры (Tj) | Код JESD-30 | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Максимальное двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Технология полевых транзисторов | Рассеиваемая мощность-Макс. | Код JEDEC-95 | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Напряжение — порог | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Номинальный объем | РДС на Максе | Эмкость — вход |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TPC8012-H(TE12L,К) | Тошиба | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2001 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshiba-tpc8012hte12lq-datasheets-1529.pdf | 200В | 1,8 А | СОП | Без свинца | 8 | неизвестный | 1,9 Вт | 23нс | 23 нс | 1,8 А | 30 В | 200В | 200В | 400 мОм | 440пФ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC2032ENGRT | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | 150°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2032engrt-datasheets-1463.pdf | 48А | 100В | 4 мОм | 1,53 нФ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СВД5865НЛТ4Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 2 дня назад) | да | е3 | Олово (Вс) | АЭК-Q101 | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | -55°С | 30 | 1 | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 203А | 13мОм | 36 мДж | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC2032ENGR | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | 150°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2032engr-datasheets-6061.pdf | 48А | 100В | 4 мОм | 1,53 нФ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC2031ENGR | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | 150°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2031engr-datasheets-5924.pdf | 31А | 60В | 2,6 мОм | 1,8 нФ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC2030ENGR | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | 150°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2030engr-datasheets-5853.pdf | 31А | 40В | 2,4 мОм | 1,9 нФ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИРЛМЛ6401ГТРПБФ | Инфинеон | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | ТО-236-3 | 3,0226 мм | 1,1 мм | 1397 мм | Без свинца | 50мОм | 3 | EAR99 | Нет | 1 | Одинокий | 1,3 Вт | Другие транзисторы | 150°С | 11 нс | 32нс | 210 нс | 250 нс | -4,3А | 8В | П-КАНАЛ | -12В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,3 Вт | 50мОм | -550мВ | -12В | 50 мОм | 830пФ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИРЛМЛ6302ГТРПБФ | Инфинеон | 0,12 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | ТО-236-3 | 3,04 мм | 1,02 мм | 1,4 мм | Без свинца | 3 | 600мОм | 3 | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | 8541.21.00.95 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | Одинокий | 540мВт | 1 | Другие транзисторы | 13 нс | 18нс | 22 нс | 22 нс | 780 мА | 12 В | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | П-КАНАЛ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 540мВт | 0,78А | 60мОм | -20В | 600 мОм | 97пФ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИРЛМЛ5203ГТРПБФ | Инфинеон | 0,17 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineon-irlml5203gtrpbf-datasheets-1140.pdf | ТО-236-3 | 3,0226 мм | 1,12 мм | 1397 мм | Без свинца | 3 | 10 недель | 98МОм | 3 | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 1 | Одинокий | 1,25 Вт | 1 | Другие транзисторы | 150°С | 12 нс | 8,2 нс | 16 нс | 88 нс | -3А | 20 В | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | П-КАНАЛ | -30В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,25 Вт | 3А | 24А | 98мОм | -2,5 В | -30В | 98 мОм | 510пФ | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ИРЛМЛ5103ГТРПБФ | Инфинеон | 0,09 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | СОТ-23 | 3,0226 мм | 1,016 мм | 1397 мм | 3 | 3 | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | Одинокий | 540мВт | 1 | Другие транзисторы | 10 нс | 8,2 нс | 16 нс | 23 нс | 760 мА | 20 В | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | П-КАНАЛ | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 540мВт | 0,76А | 600мОм | -30В | 600 мОм | 75пФ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИРЛМЛ2803ГТРПБФ | Инфинеон | 0,02 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | СОТ-23 | 3,0226 мм | 1,016 мм | 1397 мм | Без свинца | 3 | Нет СВХК | 3 | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | 8541.21.00.95 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | Одинокий | 540мВт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 3,9 нс | 4нс | 1,7 нс | 9 нс | 1,2А | 20 В | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 540мВт | 250мОм | 30 В | 1 В | 250 мОм | 85пФ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЕПК2815 | ЭПКОС | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка (TR) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC2012CENGR | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | 150°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2012cengr-datasheets-0538.pdf | 5А | 200В | 100 мОм | 100пФ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИРЛМЛ2402ГТРПБФ | Инфинеон | 0,04 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | ТО-236-3 | 3,0226 мм | 1,016 мм | 1397 мм | Без свинца | 3 | 250МОм | 3 | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | Одинокий | 30 | 540мВт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 2,5 нс | 9,5 нс | 4,8 нс | 9,7 нс | 1,2А | 12 В | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 540мВт | 250мОм | 20 В | 250 мОм | 110пФ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC2029ENGRT | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | 150°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2029engrt-datasheets-0024.pdf | 31А | 80В | 3,2 мОм | 1,4 нФ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC2010CENGR | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | 150°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2010cengr-datasheets-9381.pdf | 22А | 200В | 25 мОм | 380пФ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЕПК2801 | ЭПКОС | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Разрезанная лента (CT) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4435 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Диги-Рил® | 150°С | -55°С | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/alphaomegasemiconductor-ao4435-datasheets-9013.pdf | СОИК | 8 | 16 недель | 8 | EAR99 | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 8 | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | 10,5 А | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | П-КАНАЛ | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 3,1 Вт | 0,014 Ом | 14 мОм | 1,4 нФ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПК313N10N3RX7SA1 | Инфинеон | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | да | ДА | НЕУКАЗАНО | НЕТ ЛИДЕСА | 1 | Р-XXUC-N | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 100В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,1 Ом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПП60Р600Е6 | Инфинеон | 0,26 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Сквозное отверстие | 150°С | -55°С | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | ТО-220 | Без свинца | 3 | да | Без галогенов | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 63 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 10 нс | 8нс | 11 нс | 58 нс | 7,3А | 20 В | 600В | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 600В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,6 Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RJK6035DPP-E0#T2 | Ренесас | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Сквозное отверстие | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | ТО-220-3 | Без свинца | 3 | EAR99 | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | Полномочия общего назначения FET | 12 нс | 4,6 нс | 5,3 нс | 65 нс | 6А | 30 В | Одинокий | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 600В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 29,5 Вт | 6А | 1,37 Ом | 1,37 Ом | 765пФ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПП60Р450Е6 | Инфинеон | $7,70 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Сквозное отверстие | 150°С | -55°С | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | ТО-220 | Без свинца | 3 | да | Без галогенов | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 74 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 11 нс | 9нс | 10 нс | 70 нс | 9,2А | 20 В | 600В | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 600В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 26А | 0,45 Ом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОТФ11С60 | Альфа и Омега полупроводник | 2,05 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С | -55°С | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductor-aotf11s60-datasheets-1535.pdf | ТО-220-3 | 3 | 16 недель | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Полномочия общего назначения FET | Р-ПСФМ-Т3 | 11А | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 600В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 38 Вт | ТО-220АБ | 45А | 0,399 Ом | 120 мДж | 399 мОм | 545пФ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MKE38RK600DFELB-TRR | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | 150°С | -55°С | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | СМД/СМТ | 9 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ, ПРИЗНАНИЕ УЛ | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 9 | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПДСО-Г9 | 50А | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 600В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,045 Ом | 1950 мДж | 45 мОм | 6,8 нФ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПП60Р190Е6 | Инфинеон | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 150°С | -55°С | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/infineon-ipp60r190e6-datasheets-0881.pdf | ТО-220-3 | Без свинца | 3 | 12 недель | Нет СВХК | 3 | да | Олово | Без галогенов | НЕТ | ОДИНОКИЙ | ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 151 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | 12 нс | 10 нс | 8 нс | 90 нс | 20,2А | 20 В | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 600В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 151 Вт | ТО-220АБ | 59А | 170мОм | 418 мДж | 650В | 190 мОм | 1,4 нФ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RJK6006DPP-E0#T2 | Ренесас | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж, сквозное отверстие | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | ТО-220-3 | 3 | EAR99 | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 25 нс | 17нс | 10 нс | 60 нс | 5А | 30 В | 600В | 29 Вт | 1,6 Ом | 600пФ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RJK5035DPP-E0#T2 | Ренесас | 2,47 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Сквозное отверстие | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | ТО-220-3 | 3 | EAR99 | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | Полномочия общего назначения FET | 13,3 нс | 8,6 нс | 7,7 нс | 37,6 нс | 10А | 30 В | Одинокий | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 500В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 29,5 Вт | 850 мОм | 765пФ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТ12067B2FLLG | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Сквозное отверстие | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 1,2 кВ | 18А | ТО-247-3 | Без свинца | 3 | да | Нет | 3 | 565 Вт | 1 | 22 нс | 19нс | 19 нс | 22 нс | 18А | 30 В | 1,2 кВ | 565 Вт | 670 мОм | 4,42 нФ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОТ12Н60ФД | Альфа и Омега полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С | -55°С | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductor-aot12n60fd-datasheets-8357.pdf | ТО-220-3 | 16 недель | Полномочия общего назначения FET | 12А | Одинокий | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 600В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 278 Вт | 650 мОм | 2,01 нФ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC2040ENGRT | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | 150°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2040engrt-datasheets-5821.pdf | 3,4А | 15 В | 28 мОм | 100пФ |
