Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные МОП-транзисторы(33658)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Толщина | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Идентификатор производитель производитель | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Справочный стандарт | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Максимальный переход температуры (Tj) | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Прямой ток | Прямое напряжение | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Максимальное двойное напряжение питания | Двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Пороговое напряжение | Рассеиваемая мощность-Макс. | Код JEDEC-95 | Максимальный сток (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Обратная связь Cap-Max (Crss) | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Номинальный объем | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ФДФС6Н548 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/onsemiconductor-fdfs6n548-datasheets-1892.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,5 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | 18 недель | 187 мг | Нет СВХК | 23МОм | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | Одинокий | 2 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 2мА | 450 мВ | 6 нс | 2нс | 2 нс | 14 нс | 7А | 20 В | 30 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1,6 Вт Та | 7А | 30А | 30 В | N-канал | 700пФ при 15В | 1,8 В | 23 мОм при 7 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 7А Та | 13 НК при 10 В | Диод Шоттки (изолированный) | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМТ6010LSS-13 | Диодс Инкорпорейтед | $5,48 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/diodesincorporated-dmt6010lss13-datasheets-1911.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 23 недели | 8 | да | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 14А | 60В | 1,5 Вт Та | N-канал | 2090пФ при 30 В | 8 м Ом при 20 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 14А Та | 41,3 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПД60Р600П6АТМА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ P6 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/infineontechnologies-ipd60r600p6-datasheets-1513.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,73 мм | 2,41 мм | 6,22 мм | Без свинца | 2 | 18 недель | 3,949996 г | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | не_совместимо | Не содержит галогенов | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 1 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПССО-Г2 | 11 нс | 33 нс | 7,3А | 30 В | 600В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 4В | 63 Вт Тс | 0,6 Ом | N-канал | 557пФ при 100 В | 600 мОм при 2,4 А, 10 В | 4,5 В при 200 мкА | 7,3 А Тс | 12 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIRC18DP-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | 1,04 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | TrenchFET® Gen IV | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sirc18dpt1ge3-datasheets-1933.pdf | ПауэрПАК® СО-8 | 14 недель | EAR99 | неизвестный | 30 В | 54,3 Вт Тс | N-канал | 5060пФ при 15 В | 1,1 мОм при 15 А, 10 В | 2,4 В при 250 мкА | 60А Ц | 111 НК при 10 В | Диод Шоттки (корпус) | 4,5 В 10 В | +20В, -16В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SQD40131EL_GE3 | Вишай Силиконикс | 2,86 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sqd40131elge3-datasheets-1670.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 12 недель | ТО-252АА | 40В | 62 Вт Тс | 9,5 мОм | P-канал | 6600пФ при 25В | 11,5 мОм при 30 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 50А Ц | 115 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПД35Н12С3Л24АТМА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Оптимос™ | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/infineontechnologies-ipd35n12s3l24atma1-datasheets-1968.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 2 | 12 недель | EAR99 | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | АЭК-Q101 | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | 120 В | 120 В | 71 Вт Тс | 35А | 140А | 0,032Ом | 175 мДж | N-канал | 2700пФ при 25В | 24 мОм при 35 А, 10 В | 2,4 В @ 39 мкА | 35А Ц | 39 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7386DP-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysiliconix-si7386dpt1ge3-datasheets-7400.pdf | ПауэрПАК® СО-8 | 4,9 мм | 1,04 мм | 5,89 мм | Без свинца | 5 | 14 недель | 506,605978мг | Нет СВХК | 7мОм | 8 | да | EAR99 | БЫСТРОЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Олово | Нет | е3 | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 8 | 1 | Одинокий | 30 | 1,8 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-XDSO-C5 | 12 нс | 9нс | 10 нс | 35 нс | 19А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 2В | 1,8 Вт Та | 50А | 32 мДж | 30 В | N-канал | 7 мОм при 19 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 12А Та | 18 НК при 4,5 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CSD17581Q5AT | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НексФЕТ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 8-PowerTDFN | 4,9 мм | 6 мм | Содержит свинец | 5 | 6 недель | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 4 дня назад) | да | 1 мм | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | CSD17581 | Одинокий | 1 | 123А | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | 3,1 Вт Та 83 Вт Тс | 24А | 256А | 0,0042Ом | 195 пФ | 76 мДж | N-канал | 3640пФ при 15В | 3,4 мОм при 16 А, 10 В | 1,7 В @ 250 мкА | 24А Та 123А Ц | 54 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК9614-60Э,118 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchMOS™ | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/nexperiausainc-buk961460e118-datasheets-2026.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 2 | 12 недель | 3 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Олово | не_совместимо | е3 | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3 | 1 | Одинокий | 1 | Р-ПССО-Г2 | 16,9 нс | 22,4 нс | 22,9 нс | 35,7 нс | 56А | 15 В | 60В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 96 Вт Тс | 224А | 60В | N-канал | 2651пФ при 25 В | 12,8 мОм при 15 А, 10 В | 2,1 В при 1 мА | 56А Тк | 20,5 НК при 5 В | 5В | ±10 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТК7С10Н1З,ЛК | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | 1,22 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | У-МОСVIII-H | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 175°С, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tk7s10n1zlq-datasheets-2037.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 12 недель | 3,949996 г | 1 | Одинокий | 7А | 10 В | 100 В | 50 Вт Тс | N-канал | 470пФ при 10В | 48 мОм при 3,5 А, 10 В | 4 В при 100 мкА | 7А Та | 7,1 нк при 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDS8813NZ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-fds8813nz-datasheets-1935.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 1,575 мм | 3,9 мм | Без свинца | 8 | 18 недель | 130мг | Нет СВХК | 4,5 МОм | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | ИНН | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | Одинокий | 30 | 2,5 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 13 нс | 8нс | 7 нс | 39 нс | 18,5А | 20 В | 30 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1,8 В | 2,5 Вт Та | 520 пФ | 30 В | N-канал | 4145пФ при 15В | 1,8 В | 4,5 мОм при 18,5 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 18,5А Та | 76 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМТХ6004SK3Q-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/diodesincorporated-dmth6004sk3q13-datasheets-2007.pdf | ТО-252-5, ДПак (4 отведения + вкладка), ТО-252АД | 2 | 23 недели | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПССО-Г2 | 100А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | 60В | 3,9 Вт Та 180 Вт Тс | 150А | 0,0038Ом | 200 мДж | N-канал | 4556пФ при 30 В | 3,8 мОм при 90 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 100А Ц | 95,4 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БСК020Н03LSGATMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Оптимос™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/infineontechnologies-bsc020n03lsgatma1-datasheets-2062.pdf | 8-PowerTDFN | Содержит свинец | 8 | 26 недель | 8 | нет | EAR99 | ЛАВИННЫЙ НОМИНАЛЬНЫЙ, СОВМЕСТИМЫЙ С ЛОГИЧЕСКИМ УРОВНЕМ | Олово | не_совместимо | е3 | Без галогенов | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | 8 | НЕ УКАЗАН | 96 Вт | 1 | Не квалифицирован | 7нс | 28А | 20 В | 30 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 2,5 Вт Та 96 Вт Тс | 400А | 0,0029Ом | N-канал | 7200пФ при 15В | 2 м Ом при 30 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 28А Та 100А Ц | 93 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7308DN-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/vishaysiliconix-si7308dnt1ge3-datasheets-5925.pdf | PowerPAK® 1212-8 | 3,05 мм | 1,04 мм | 3,05 мм | Без свинца | 5 | 14 недель | Неизвестный | 58мОм | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 8 | 1 | Одинокий | 40 | 3,2 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | S-XDSO-C5 | 10 нс | 15нс | 10 нс | 20 нс | 6А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 3В | 3,2 Вт Ta 19,8 Вт Tc | 5,4А | 20А | 60В | N-канал | 665пФ при 15В | 58 мОм при 5,4 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 6А Тк | 20 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НДС8425 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/onsemiconductor-nds8425-datasheets-1709.pdf | 20 В | 7,4А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 1,575 мм | 3,9 мм | Без свинца | 8 | 18 недель | 130мг | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | Одинокий | 2,5 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 9 нс | 13нс | 11 нс | 26 нс | 7,4А | 8В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 2,5 Вт Та | 0,022 Ом | 20 В | N-канал | 1098пФ при 15 В | 22 мОм при 7,4 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 7.4А Та | 18 НК при 4,5 В | 2,7 В 4,5 В | ±8 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPD80R1K4CEATMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/infineontechnologies-ipd80r1k4cebtma1-datasheets-7317.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 18 недель | 3,949996 г | 3 | 1 | Одинокий | 63 Вт | 1 | ПГ-ТО252-3 | 570пФ | 25 нс | 15нс | 12 нс | 72 нс | 3,9А | 20 В | 800В | 800В | 63 Вт Тс | 1,4 Ом | N-канал | 570пФ при 100В | 1,4 Ом @ 2,3 А, 10 В | 3,9 В @ 240 мкА | 3,9 А Тс | 23 НК при 10 В | 1,4 Ом | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФДД390Н15А | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/onsemiconductor-fdd390n15a-datasheets-1341.pdf&product=onsemiconductor-fdd390n15a-10058151 | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,73 мм | 2,39 мм | 6,22 мм | Без свинца | 2 | 8 недель | 260,37 мг | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 4 часа назад) | да | EAR99 | СВЕРХНИЗКОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 63 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 14 нс | 10 нс | 5 нс | 20 нс | 26А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 63 Вт Тс | 0,04 Ом | 78 мДж | 150 В | N-канал | 1285пФ при 75В | 40 мОм при 26 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 26А Тк | 18,6 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| R6004ENDTL | РОМ Полупроводник | 1,17 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2014 год | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 2 | 12 недель | Нет СВХК | 3 | не_совместимо | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПССО-Г2 | 4А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 600В | 600В | 4В | 20 Вт Тс | 4А | 8А | 0,98 Ом | 46 мДж | N-канал | 250пФ при 25В | 980 мОм при 1,5 А, 10 В | 4 В при 1 мА | 4А Тк | 15 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SISA04DN-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/vishaysiliconix-sisa04dnt1ge3-datasheets-1648.pdf | PowerPAK® 1212-8 | 3,1496 мм | 1,0668 мм | 3,1496 мм | Без свинца | 5 | 14 недель | Неизвестный | 2,15 мОм | 8 | EAR99 | Нет | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 1 | Одинокий | 3,7 Вт | 1 | Полномочия общего назначения FET | С-ПДСО-С5 | 24 нс | 20 нс | 30 нс | 40А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1,1 В | 3,7 Вт Та 52 Вт Тс | 20 мДж | 30 В | N-канал | 3595пФ при 15 В | 1,1 В | 2,15 мОм при 15 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 40А Ц | 77 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | +20В, -16В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CSD17522Q5A | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НексФЕТ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 8-PowerTDFN | 4,9 мм | 6 мм | Содержит свинец | 5 | 8 недель | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | 1 мм | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Олово | не_совместимо | е3 | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | CSD17522 | 8 | НЕ УКАЗАН | 3 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | 6,7 нс | 12нс | 3,7 нс | 10,5 нс | 87А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 3 Вт Та | 44 пФ | 54 мДж | 30 В | N-канал | 695пФ при 15 В | 8,1 мОм при 14 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 87А Тц | 4,3 нк @ 4,5 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СИР184ДП-Т1-РЕ3 | Вишай Силиконикс | 1,80 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | TrenchFET® Gen IV | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sir184dpt1re3-datasheets-1800.pdf | ПауэрПАК® СО-8 | 14 недель | ПауэрПАК® СО-8 | 60В | 5 Вт Та 62,5 Вт Тс | 4,7 мОм | N-канал | 1490 пФ при 30 В | 5,8 мОм при 10 А, 10 В | 3,4 В при 250 мкА | 20,7А Та 73А Ц | 32 НК при 10 В | 7,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БСО033N03MSGXUMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Оптимос™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/infineontechnologies-bso033n03msgxuma1-datasheets-1802.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 8 | 18 недель | 8 | EAR99 | Олово | е3 | Без галогенов | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1,56 Вт | 1 | 12,8 нс | 17А | 20 В | 30 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1,56 Вт Та | 0,0033Ом | N-канал | 9600пФ при 15 В | 3,3 мОм при 22 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 17А Та | 124 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СИР186ДП-Т1-РЕ3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | TrenchFET® Gen IV | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2018 год | /files/vishaysiliconix-sir186dpt1re3-datasheets-1807.pdf | ПауэрПАК® СО-8 | 1,17 мм | 14 недель | EAR99 | S17-0173-Одиночный | неизвестный | НЕ УКАЗАН | 1 | НЕ УКАЗАН | 5 Вт | 150°С | 10 нс | 14 нс | 23А | 20 В | 57 Вт Тс | 60В | N-канал | 1710пФ при 30 В | 4,5 мОм при 15 А, 10 В | 3,6 В @ 250 мкА | 60А Ц | 37 НК при 10 В | 6В 10В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFR48ZTRLPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/infineontechnologies-irfr48ztrpbf-datasheets-9197.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 10,3886 мм | 2,3876 мм | 6,73 мм | 2 | 12 недель | 3 | EAR99 | ЛАВИННЫЙ НОМИНАЛ, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ, СВЕРХНИЗКАЯ СОПРОТИВЛЕНИЕ | Нет | е3 | Matte Tin (Sn) – с никелевым (Ni) барьером | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | Одинокий | 30 | 91 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПССО-Г2 | 15 нс | 61нс | 35 нс | 40 нс | 42А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 91 Вт Тс | ТО-252АА | 250А | 74 мДж | 55В | N-канал | 1720пФ при 25В | 11 мОм при 37 А, 10 В | 4 В @ 50 мкА | 42А Тк | 60 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФДД8870 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/onsemiconductor-fdu8870-datasheets-8241.pdf | 30 В | 160А | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,73 мм | 2,517 мм | 6,22 мм | Без свинца | 2 | 10 недель | 260,37 мг | Нет СВХК | 4,4 МОм | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | КРЫЛО ЧАЙКИ | 1 | Одинокий | 160 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 175°С | Р-ПССО-Г2 | 9 нс | 83нс | 42 нс | 83 нс | 160А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 2,5 В | 160 Вт Тс | ТО-252АА | 690 мДж | 30 В | N-канал | 5160пФ при 15В | 3,9 мОм при 35 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 21А Та 160А Ц | 118 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIRA01DP-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | TrenchFET® Gen IV | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sira01dpt1ge3-datasheets-1839.pdf | ПауэрПАК® СО-8 | 14 недель | ПауэрПАК® СО-8 | 30 В | 5 Вт Та 62,5 Вт Тс | 4,1 мОм | P-канал | 3490пФ при 15 В | 4,9 мОм при 15 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 26А Та 60А Ц | 112 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | +16В, -20В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPD25CN10NGATMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Оптимос™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/infineontechnologies-ipd25cn10ngbuma1-datasheets-3459.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Содержит свинец | 2 | 18 недель | 3 | да | EAR99 | Без галогенов | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 71 Вт | 1 | Р-ПССО-Г2 | 10 нс | 4нс | 3 нс | 13 нс | 35А | 20 В | 100 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 71 Вт Тс | 140А | 0,025 Ом | 65 мДж | N-канал | 2070пФ при 50В | 25 мОм при 35 А, 10 В | 4 В @ 39 мкА | 35А Ц | 31 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АУИРФ7640С2ТР | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/infineontechnologies-auirf7640s2tr-datasheets-1624.pdf | DirectFET™ Изометрический SB | Без свинца | 2 | 16 недель | 6 | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | НИЖНИЙ | 30 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-XBCC-N2 | 4 нс | 12нс | 6,2 нс | 6,3 нс | 5,8А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 2,4 Вт Та 30 Вт Тс | 77А | 84А | 57 мДж | 60В | N-канал | 450пФ при 25В | 36 мОм при 13 А, 10 В | 5 В @ 25 мкА | 5,8 А Та 21 А Цс | 11 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РШ065Н06ТБ1 | РОМ Полупроводник | 1,12 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/rohmsemiconductor-rsh065n06tb1-datasheets-1666.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 52 недели | 8 | 2 Вт | 8-СОП | 900пФ | 6,5 А | 60В | 2 Вт Та | 31мОм | 60В | N-канал | 900пФ при 10 В | 37 мОм при 6,5 А, 10 В | 2,5 В при 1 мА | 6,5 А Та | 16 НК при 5 В | 37 мОм | 4В 10В | 20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТК6Р7П06ПЛ,РК | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | У-MOSIX-H | Поверхностный монтаж | 175°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tk6r7p06plrq-datasheets-1472.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 16 недель | 60В | 66 Вт Тс | N-канал | 1990 пФ при 30 В | 6,7 мОм при 23 А, 10 В | 2,5 В при 300 мкА | 46А Тц | 26 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В |
