Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные МОП-транзисторы(33658)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Текущий | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Напряжение | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Максимальный переход температуры (Tj) | Код JESD-30 | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Технология полевых транзисторов | Рассеиваемая мощность-Макс. | Код JEDEC-95 | Максимальный сток (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Обратная связь Cap-Max (Crss) | Напряжение — порог | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Номинальный объем | РДС на Максе | Эмкость — вход |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| EPC2034ENGRT | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | 150°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2034engrt-datasheets-5749.pdf | 31А | 200В | 10 мОм | 940пФ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC2033ENGRT | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | 150°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2033engrt-datasheets-5638.pdf | 31А | 150 В | 7 мОм | 1,14 нФ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC2022ENGRT | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | 150°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2022engrt-datasheets-5504.pdf | 90А | 100В | 3,2 мОм | 1,4 нФ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NDS7002A_D87Z | Фэйрчайлд (ON Semiconductor) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 150°С | -65°С | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/fairchildsemiconductor-nds7002ad87z-datasheets-6862.pdf | СОТ-23 | 3 | 3 | EAR99 | неизвестный | 8541.21.00.95 | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | Одинокий | 300мВт | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Не квалифицирован | 280 мА | 20 В | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 300мВт | 0,28 А | 1,2 Ом | 5 пФ | 60В | 2 Ом | 50пФ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PCFQ8P10W | Фэйрчайлд (ON Semiconductor) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Не соответствует требованиям RoHS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PCFQ5P10W | Фэйрчайлд (ON Semiconductor) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Не соответствует требованиям RoHS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STD110N02RT4G-VF01 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-std110n02rt4gvf01-datasheets-8014.pdf | 22 недели | АКТИВНО (последнее обновление: 22 часа назад) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SSM6J502NU,LF(T | Тошиба | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | Соответствует RoHS | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshiba-ssm6j502nulft-datasheets-6031.pdf | 16 недель | да | неизвестный | 6А | 20 В | 1 Вт | 23,1 мОм | 1,8 нФ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МКЭ38П600ЛБ | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | Масса | Соответствует RoHS | СМД/СМТ | да | 50А | 600В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NDS7002A_NB9GGTXA | Фэйрчайлд (ON Semiconductor) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | 150°С | -65°С | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | СОТ-23-3 | да | неизвестный | Одинокий | 300мВт | Мощность полевого транзистора общего назначения | 280 мА | 20 В | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 300мВт | 0,28 А | 2Ом | 60В | 2 Ом | 50пФ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVD4804NT4G-VF01 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-nvd4804nt4gvf01-datasheets-3961.pdf | 26 недель | ПОЖИЗНЕННО (Последнее обновление: 6 дней назад) | да | е3 | Олово (Вс) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОБ418 | Альфа и Омега полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | Диги-Рил® | 175°С | -55°С | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductor-aob418-datasheets-3951.pdf | ТО-263-3 | 105А | 100В | 2,1 Вт | 9,7 мОм | 5,2 нФ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVD6416ANT4G-VF01 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-nvd6416ant4gvf01-datasheets-2087.pdf | 4 недели | АКТИВНО (Последнее обновление: 4 дня назад) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVD6415ANT4G-VF01 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-nvd6415ant4gvf01-datasheets-1794.pdf | 2 недели | АКТИВНО (Последнее обновление: 4 дня назад) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVD6414ANT4G-VF01 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-nvd6414ant4gvf01-datasheets-1488.pdf | 15 недель | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 4 дня назад) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVD5890NT4G-VF01 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-nvd5890nt4gvf01-datasheets-1233.pdf | 4 недели | ПОЖИЗНЕННО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | е3 | Олово (Вс) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVD5863NLT4G-VF01 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-nvd5863nlt4gvf01-datasheets-0978.pdf | 10 недель | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 4 дня назад) | да | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MKE38RK600DFELB | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | 150°С | -55°С | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | СМД/СМТ | 9 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ, ПРИЗНАНИЕ УЛ | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 9 | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Р-ПДСО-Г9 | 50А | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 600В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,045 Ом | 1950 мДж | 45 мОм | 6,8 нФ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVD5862NT4G-VF01 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-nvd5862nt4gvf01-datasheets-0713.pdf | 4 недели | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | е3 | Олово (Вс) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVD5805NT4G-VF01 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-nvd5805nt4gvf01-datasheets-0275.pdf | 4 недели | ПОЖИЗНЕННО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | е3 | Олово (Вс) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТ6017LLLG | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Сквозное отверстие | 150°С | -55°С | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 600В | 35А | ТО-264-3 | Без свинца | 3 | да | Нет | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | ОДИНОКИЙ | 3 | 500 Вт | 1 | Р-ПСФМ-Т3 | 11 нс | 7нс | 6 нс | 26 нс | 35А | 30 В | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 600В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 500 Вт | ТО-264АА | 170 мОм | 4,5 нФ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СПП08Н80С3 | Инфинеон | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 150°С | -55°С | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/infineon-spp08n80c3-datasheets-9201.pdf | 800В | 8А | ТО-220-3 | 10,36 мм | 15,95 мм | 4,57 мм | Содержит свинец | 3 | 6 недель | Нет СВХК | 3 | да | ЛАВИННЫЙ НОМИНАЛ, ВЫСОКОЕ НАПРЯЖЕНИЕ | е3 | Матовый олово (Sn) | Без галогенов | НЕТ | ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 104 Вт | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Не квалифицирован | 25 нс | 15нс | 7 нс | 65 нс | 8А | 20 В | Н-КАНАЛЬНЫЙ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 104 Вт | ТО-220АБ | 8А | 24А | 650мОм | 800В | 650 мОм | 1,1 нФ | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVD4806NT4G-VF01 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-nvd4806nt4gvf01-datasheets-8110.pdf | 15 недель | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 4 дня назад) | да | е3 | Олово (Вс) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTDV20P06LT4G-VF01 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/onsemiconductor-ntdv20p06lt4gvf01-datasheets-7474.pdf | 9 недель | АКТИВНО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | е3 | Олово (Вс) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTDV20N06T4G-VF01 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-ntdv20n06t4gvf01-datasheets-7038.pdf | 15 недель | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 4 дня назад) | да | е3 | Олово (Вс) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTDV20N06LT4G-VF01 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-ntdv20n06lt4gvf01-datasheets-6615.pdf | 22 недели | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 4 дня назад) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПВ90Р120С3 | Инфинеон | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Сквозное отверстие | 150°С | -55°С | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | /files/infineon-ipw90r120c3-datasheets-3715.pdf | ТО-247-3 | 16,13 мм | 21,1 мм | 5,21 мм | Без свинца | 3 | Нет СВХК | 3 | да | Олово | Нет | НЕТ | 3 | Одинокий | 417 Вт | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | 70 нс | 20 нс | 24 нс | 400 нс | 36А | 20 В | 900В | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 900В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 417 Вт | 96А | 120 мОм | 3В | 900В | 3 В | 120 мОм | 6,8 нФ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NDS7002A | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | Разрезать ленту | 1 | 150°С | -65°С | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-nds7002a-datasheets-4023.pdf | 60В | 280 мА | СОТ-23 | 1,11 мм | 3,05 мм | Без свинца | 3 | Нет СВХК | 2Ом | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | 28А | е3 | 60В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 1 | Одинокий | 300мВт | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | 150°С | 20 нс | 20 нс | 280 мА | 20 В | 60В | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 300мВт | 1,2 Ом | 5 пФ | 2,1 В | 60В | 2,1 В | 2 Ом | 50пФ | ||||||||||||||||||||||||||||||
| SSM6J503NU,LF(T | Тошиба | 1,56 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | Соответствует RoHS | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshiba-ssm6j503nulft-datasheets-2496.pdf | 16 недель | неизвестный | 6А | 20 В | 1 Вт | 32,4 мОм | 840пФ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RQ6E030ATTCR | Ром | 0,03 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/rohm-rq6e030attcr-datasheets-1750.pdf | 6 | EAR99 | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-Г6 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | П-КАНАЛ | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 3А | 12А | 70мОм | 3,3 мДж |
