Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактПромо-конфигурации для FPGA(667)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Рабочий ток питания | Режим работы | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Макс. частота | Достичь соответствия кода | Код HTS | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Подкатегория | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Диапазон температуры окружающей среды: высокий | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Размер | Тип | Выходные характеристики | Время доступа | Тактовая частота | Организация | Ширина памяти | Плотность памяти | Параллельный/последовательный | Максимальный ток в режиме ожидания | Выносливость | Максимальное время записи цикла (tWC) | Время хранения данных-мин | Защита от записей | Время доступа (макс.) | Тип ввода/вывода | Тип памяти микросхем | Программируемый тип |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| XC1701LPD8C | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 0°С~70°С | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 4,5974 мм | Не соответствует требованиям RoHS | /files/rochesterelectronicsllc-xc1765elvog8c-datasheets-1305.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 9,3599 мм | 7,62 мм | 8 | да | ИСПОЛЬЗУЕТСЯ ДЛЯ ХРАНЕНИЯ ПОТОКОВ БИТОВЫХ КОНФИГУРАЦИИ XILINX FPGAS. | неизвестный | 1 | е0 | Оловянный свинец | НЕТ | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 225 | 3,3 В | 2,54 мм | 8 | 3,6 В | 3В | 30 | КОММЕРЧЕСКИЙ | Р-ПДИП-Т8 | 1Мб | 1MX1 | 1 | 1048576 бит | СЕРИАЛ | ПАМЯТЬ КОНФИГУРАЦИИ | ОТП | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AT17F040A-30QC | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Поднос | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | 10 МГц | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | /files/microchiptechnology-at17f080a30cu-datasheets-1274.pdf | 32-TQFP | Содержит свинец | 3,63 В | 2,97 В | 32 | 50 мА | 2,97~3,63 В | AT17F040A | 32-ТКФП (7х7) | 4Мб | ВСПЫШКА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| XC1736ESO8C | Ксилинкс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 1,7272 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | /files/xilinxinc-xc1736esog8c-datasheets-4352.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9276 мм | 3,937 мм | Содержит свинец | 8 | 8 | EAR99 | ИСПОЛЬЗУЕТСЯ ДЛЯ ХРАНЕНИЯ ПОТОКОВ БИТОВЫХ КОНФИГУРАЦИИ XILINX FPGAS. | не_совместимо | 1 | е0 | ДА | 4,75 В~5,25 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 225 | 5В | 1,27 мм | XC1736E | 8 | 5,25 В | 4,75 В | 30 | 5В | 0,01 мА | Не квалифицированный | 36кб | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 10 МГц | 1 | СЕРИАЛ | 0,00005А | ОБЩИЙ | ПАМЯТЬ КОНФИГУРАЦИИ | ОТП | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPCQ64ASI16N | Интел | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ЭПКК-А | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 3 (168 часов) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 2,65 мм | Соответствует RoHS | /files/intel-epcq16asi8n-datasheets-1212.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 10,3 мм | 7,5 мм | 16 | 14 недель | 8542.32.00.71 | 1 | ДА | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3В | 1,27 мм | 3,6 В | 2,7 В | 0,015 мА | Р-ПДСО-G16 | 64Мб | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 100 МГц | 8MX8 | 8 | 67108864 бит | СЕРИАЛ | 0,00005А | 20 | ПАМЯТЬ КОНФИГУРАЦИИ | В системном программировании | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC1064LI20 | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | EPC | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | МОС | СИНХРОННЫЙ | 4,572 мм | Не соответствует требованиям RoHS | /files/rochesterelectronicsllc-epc1064li20-datasheets-1713.pdf | 20-LCC (J-вывод) | 8,9662 мм | 8,9662 мм | 20 | нет | 4-ПРОВОДНОЙ ИНТЕРФЕЙС К УСТРОЙСТВАМ FLEX 8000 | неизвестный | 1 | е0 | Оловянный свинец | ДА | 4,5 В~5,5 В | КВАД | ДЖ БЕНД | 220 | 5В | 1,27 мм | 20 | 5,5 В | 4,5 В | 30 | КОММЕРЧЕСКИЙ | S-PQCC-J20 | 65кб | 4 МГц | 64КХ1 | 1 | 65536 бит | СЕРИАЛ | ПАМЯТЬ КОНФИГУРАЦИИ | ОТП | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| XC18V04PC44C | Ксилинкс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Трубка | 3 (168 часов) | КМОП | 4,572 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 1998 год | /files/xilinxinc-xc18v02pc44c0936-datasheets-4382.pdf | 44-LCC (J-вывод) | 16,5862 мм | 16,5862 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 44 | 10 недель | 44 | 4 Мб | нет | EAR99 | Нет | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | 3В~3,6В | КВАД | ДЖ БЕНД | 225 | 3,3 В | 1,27 мм | ХС18В04 | 44 | 3,6 В | 3В | 30 | Флэш-памяти | 0,025 мА | 20 МГц | 512КХ8 | 8 | ПАРАЛЛЕЛЬНЫЙ/ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНЫЙ | 0,01 А | 20000 циклов записей/стираний | 20 | 20 нс | ПАМЯТЬ КОНФИГУРАЦИИ | В системном программировании | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| XC18V512VQG44C | Ксилинкс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 1999 год | /files/xilinxinc-xc18v02pc44c0936-datasheets-4382.pdf | 44-TQFP | 10 мм | 10 мм | 3,3 В | 44 | 10 недель | 44 | 512 КБ | да | EAR99 | Нет | 8542.32.00.51 | 1 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | 3В~3,6В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 0,8 мм | ХС18В512 | 44 | 3,6 В | 3В | 30 | Флэш-памяти | 0,025 мА | 33 МГц | 64КХ8 | 8 | ПАРАЛЛЕЛЬНЫЙ/ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНЫЙ | 0,01 А | 20000 циклов записей/стираний | 20 | 15 нс | ПАМЯТЬ КОНФИГУРАЦИИ | В системном программировании | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АТ17Ф16А-30Ю | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 2 (1 год) | КМОП | 10 МГц | 50 мА | СИНХРОННЫЙ | 4,572 мм | Соответствует ROHS3 | 1997 год | /files/microchiptechnology-at17f16a30cu-datasheets-1491.pdf | 20-LCC (J-вывод) | 8,9662 мм | 8,9662 мм | 3,3 В | Без свинца | 20 | 16 недель | 722,005655мг | 20 | 2-проводной, последовательный | 16 Мб | да | Олово | 1 | 50 мА | е3 | 2,97~3,63 В | КВАД | ДЖ БЕНД | 245 | 3,3 В | 1,27 мм | АТ17Ф16А | 3,63 В | 2,97 В | 40 | Не квалифицированный | 16MX1 | 1 | 0,03 мс | ПАМЯТЬ КОНФИГУРАЦИИ | ВСПЫШКА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| XC1765ESO8C | Ксилинкс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 1,7272 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2004 г. | /files/xilinxinc-xc1736esog8c-datasheets-4352.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9276 мм | 3,937 мм | Содержит свинец | 8 | 8 | EAR99 | ИСПОЛЬЗУЕТСЯ ДЛЯ ХРАНЕНИЯ ПОТОКОВ БИТОВЫХ КОНФИГУРАЦИИ XILINX FPGAS. | не_совместимо | 1 | е0 | ДА | 4,75 В~5,25 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 225 | 5В | 1,27 мм | XC1765E | 8 | 5,25 В | 4,75 В | 30 | 5В | 0,01 мА | Не квалифицированный | 65кб | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 10 МГц | 64КХ1 | 1 | 65536 бит | СЕРИАЛ | 0,00005А | ОБЩИЙ | ПАМЯТЬ КОНФИГУРАЦИИ | ОТП | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| XC1736EVO8C | Ксилинкс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | /files/xilinxinc-xc1736esog8c-datasheets-4352.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9276 мм | 3,937 мм | Содержит свинец | 8 | 8 | нет | EAR99 | ИСПОЛЬЗУЕТСЯ ДЛЯ ХРАНЕНИЯ ПОТОКОВ БИТОВЫХ КОНФИГУРАЦИИ XILINX FPGAS. | не_совместимо | 1 | е0 | ДА | 4,75 В~5,25 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 225 | 5В | 1,27 мм | XC1736E | 8 | 5,25 В | 4,75 В | 30 | 5В | 0,01 мА | Не квалифицированный | 36кб | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 10 МГц | 1 | СЕРИАЛ | 0,00005А | ОБЩИЙ | ПАМЯТЬ КОНФИГУРАЦИИ | ОТП | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АТ17ЛВ512-10СИ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | 10 мА | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | /files/microchiptechnology-at17lv51210sc-datasheets-1455.pdf | 20-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | Содержит свинец | 5,5 В | 4,5 В | 20 | Серийный | 15 МГц | 3В~3,6В 4,5В~5,5В | АТ17LV512 | 20-СОИК | 512кб | ЭСППЗУ | Серийный EEPROM | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| XC17128EPD8C | Ксилинкс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 0°С~70°С | Трубка | Непригодный | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 4,5974 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | /files/xilinxinc-xc1736esog8c-datasheets-4352.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 9,3599 мм | 7,62 мм | Содержит свинец | 8 | 8 | EAR99 | ИСПОЛЬЗУЕТСЯ ДЛЯ ХРАНЕНИЯ ПОТОКОВ БИТОВЫХ КОНФИГУРАЦИИ XILINX FPGAS. | не_совместимо | 1 | е0 | НЕТ | 4,75 В~5,25 В | ДВОЙНОЙ | 225 | 5В | 2,54 мм | XC17128E | 8 | 5,25 В | 4,75 В | 30 | 5В | 0,01 мА | Не квалифицированный | 128кб | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 15 МГц | 1 | 131072 бит | СЕРИАЛ | 0,00005А | ОБЩИЙ | ПАМЯТЬ КОНФИГУРАЦИИ | ОТП | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| XC18V02PC44C | Ксилинкс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Трубка | 3 (168 часов) | КМОП | 4,572 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 1998 год | /files/xilinxinc-xc18v02pc44c0936-datasheets-4382.pdf | 44-LCC (J-вывод) | 16,5862 мм | 16,5862 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 44 | 10 недель | 44 | 2 Мб | нет | EAR99 | Нет | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | 3В~3,6В | КВАД | ДЖ БЕНД | 225 | 3,3 В | 1,27 мм | ХС18В02 | 44 | 3,6 В | 3В | 30 | Флэш-памяти | 0,025 мА | 20 МГц | 256КХ8 | 8 | ПАРАЛЛЕЛЬНЫЙ/ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНЫЙ | 0,01 А | 20000 циклов записей/стираний | 20 | 20 нс | ПАМЯТЬ КОНФИГУРАЦИИ | В системном программировании | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| XC18V02PCG44C | Ксилинкс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 4,572 мм | Соответствует ROHS3 | 1999 год | /files/xilinxinc-xc18v02pc44c0936-datasheets-4382.pdf | 44-LCC (J-вывод) | 16,5862 мм | 16,5862 мм | 3,3 В | 44 | 10 недель | 44 | 2 Мб | да | EAR99 | Нет | 1 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | 3В~3,6В | КВАД | ДЖ БЕНД | 245 | 3,3 В | 1,27 мм | ХС18В02 | 44 | 3,6 В | 3В | 30 | Флэш-памяти | 0,025 мА | 20 МГц | 256КХ8 | 8 | ПАРАЛЛЕЛЬНЫЙ/ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНЫЙ | 0,01 А | 20000 циклов записей/стираний | 20 | 20 нс | ПАМЯТЬ КОНФИГУРАЦИИ | В системном программировании | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| XCF32PFS48C | Ксилинкс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 1999 год | /files/xilinxinc-xcf16pfsg48c-datasheets-1087.pdf | 48-ТФБГА, КСПБГА | 9 мм | 8 мм | 1,8 В | Содержит свинец | 48 | 13 недель | 48 | нет | EAR99 | ТАКЖЕ МОЖЕТ РАБОТАТЬ ПРИ НОМИНАЛЬНОМ НАПРЯЖЕНИИ 2,5, 3,3 Вольта. | не_совместимо | 8542.32.00.51 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | ДА | 1,65 В~2 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 0,8 мм | XCF*P | 48 | 2В | 1,65 В | НЕ УКАЗАН | Флэш-памяти | 0,04 мА | Не квалифицированный | 32Мб | 32MX1 | 1 | 33554432 бит | СЕРИАЛ | 20000 циклов записей/стираний | 20 | ПАМЯТЬ КОНФИГУРАЦИИ | В системном программировании | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| XC18V04VQG44C | Ксилинкс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | Соответствует ROHS3 | 1999 год | /files/xilinxinc-xc18v02pc44c0936-datasheets-4382.pdf | 44-TQFP | 10 мм | 1 мм | 10 мм | 3,3 В | 44 | 10 недель | 44 | Параллельный, последовательный | 4 Мб | да | EAR99 | 8542.32.00.51 | 1 | е3 | Матовый олово (Sn) | 3В~3,6В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 0,8 мм | ХС18В04 | 44 | 3,6 В | 3В | 30 | Флэш-памяти | 0,025 мА | Не квалифицированный | 10 нс | 20 МГц | 512КХ8 | ПАРАЛЛЕЛЬНЫЙ/ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНЫЙ | 0,01 А | 20000 циклов записей/стираний | 20 | ПАМЯТЬ КОНФИГУРАЦИИ | В системном программировании | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AT17LV002-10TQU | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 15 МГц | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 1997 год | /files/microchiptechnology-at17lv01010cu-datasheets-1135.pdf | 44-TQFP | 10 мм | 10 мм | 44 | 5 недель | 44 | 2-проводной, последовательный | 2 Мб | да | ТАКЖЕ МОЖЕТ РАБОТАТЬ В ДИАПАЗОНЕ НАПРЯЖЕНИЯ ПИТАНИЯ 4,75–5,25 В. | Олово | 1 | 10 мА | е3 | 3В~3,6В 4,5В~5,5В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 0,8 мм | AT17LV002 | 3,6 В | 3В | 40 | 3,3/5 В | Не квалифицированный | ЭСППЗУ | 2MX1 | 1 | 0,00035А | 100000 циклов записи/стирания | 90 | АППАРАТНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | Серийный EEPROM | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| XCF16PFS48C | Ксилинкс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 1,2 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 1999 год | /files/xilinxinc-xcf16pfsg48c-datasheets-1087.pdf | 48-ТФБГА, КСПБГА | 9 мм | 8 мм | 1,8 В | 48 | 13 недель | 48 | нет | EAR99 | Нет | 8542.32.00.51 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | ДА | 1,65 В~2 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 1,8 В | 0,8 мм | XCF16PFS48C | 48 | 2В | 1,65 В | Флэш-памяти | 0,04 мА | 16Мб | 16MX1 | 1 | 16777216 бит | СЕРИАЛ | 20000 циклов записей/стираний | 20 | ПАМЯТЬ КОНФИГУРАЦИИ | В системном программировании | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| XC18V512SO20C | Ксилинкс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | 2,6416 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 1999 год | /files/xilinxinc-xc18v02pc44c0936-datasheets-4382.pdf | 20-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 12 827 мм | 7,5184 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 20 | 10 недель | 20 | 512 КБ | нет | EAR99 | Нет | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 225 | 3,3 В | 1,27 мм | ХС18В512 | 20 | 3,6 В | 3В | 30 | Флэш-памяти | 0,025 мА | 33 МГц | 64КХ8 | 8 | ПАРАЛЛЕЛЬНЫЙ/ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНЫЙ | 0,01 А | 20 | 15 нс | ПАМЯТЬ КОНФИГУРАЦИИ | В системном программировании | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| XC18V02VQ44C | Ксилинкс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 1,2 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 1998 год | /files/xilinxinc-xc18v02pc44c0936-datasheets-4382.pdf | 44-TQFP | 10 мм | 10 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 44 | 10 недель | 44 | 2 Мб | нет | EAR99 | Нет | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | 3В~3,6В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 225 | 3,3 В | 0,8 мм | ХС18В02 | 44 | 3,6 В | 3В | 30 | Флэш-памяти | 0,025 мА | 20 МГц | 256КХ8 | 8 | ПАРАЛЛЕЛЬНЫЙ/ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНЫЙ | 0,01 А | 20000 циклов записей/стираний | 20 | 20 нс | ПАМЯТЬ КОНФИГУРАЦИИ | В системном программировании | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| XC18V01PC20C | Ксилинкс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Трубка | 3 (168 часов) | КМОП | 4,572 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 1998 год | /files/xilinxinc-xc18v02pc44c0936-datasheets-4382.pdf | 20-LCC (J-вывод) | 8,9662 мм | 8,9662 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 20 | 10 недель | 20 | 1 Мб | нет | EAR99 | Нет | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | 3В~3,6В | КВАД | ДЖ БЕНД | 225 | 3,3 В | 1,27 мм | ХС18В01 | 20 | 3,6 В | 3В | 30 | Флэш-памяти | 0,025 мА | 33 МГц | 128КХ8 | 8 | ПАРАЛЛЕЛЬНЫЙ/ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНЫЙ | 0,01 А | 20 | 15 нс | ПАМЯТЬ КОНФИГУРАЦИИ | В системном программировании | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| XC17128ELVO8C | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Трубка | 3 (168 часов) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 1,1938 мм | Не соответствует требованиям RoHS | /files/rochesterelectronicsllc-xc1765elvog8c-datasheets-1305.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9276 мм | 3,937 мм | 8 | нет | ИСПОЛЬЗУЕТСЯ ДЛЯ ХРАНЕНИЯ ПОТОКОВ БИТОВЫХ КОНФИГУРАЦИИ XILINX FPGAS. | неизвестный | 1 | е0 | Оловянный свинец | ДА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 225 | 3,3 В | 1,27 мм | 8 | 3,6 В | 3В | 30 | КОММЕРЧЕСКИЙ | Р-ПДСО-Г8 | 128кб | 128КХ1 | 1 | 131072 бит | СЕРИАЛ | ПАМЯТЬ КОНФИГУРАЦИИ | ОТП | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АТ17Ф080А-30КУ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 3 (168 часов) | КМОП | 10 МГц | СИНХРОННЫЙ | 1,14 мм | Соответствует ROHS3 | 1997 год | /files/microchiptechnology-at17f080a30cu-datasheets-1274.pdf | 8-ТДФН | 5,99 мм | 5,99 мм | 3,3 В | Без свинца | 8 | 17 недель | 8 | 2-проводной, последовательный | 8 Мб | да | Золото | 1 | 50 мА | е4 | 2,97~3,63 В | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 3,3 В | 1,27 мм | AT17F080A | 3,63 В | 2,97 В | 40 | Не квалифицированный | 1 | 0,03 мс | ПАМЯТЬ КОНФИГУРАЦИИ | ВСПЫШКА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| XCF08PFS48C | Ксилинкс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | Не соответствует требованиям RoHS | 1999 год | /files/xilinxinc-xcf16pfsg48c-datasheets-1087.pdf | 48-ТФБГА, КСПБГА | 9 мм | 860 мкм | 8 мм | 1,8 В | 48 | 10 недель | 48 | нет | EAR99 | Нет | 8542.32.00.51 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | 1,65 В~2 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 1,8 В | XCF08PFS48C | 48 | 2В | 1,65 В | Флэш-памяти | 0,04 мА | 8Мб | 33 МГц | 8MX1 | 8388608 бит | СЕРИАЛ | 0,001А | 20000 циклов записей/стираний | 20 | ПАМЯТЬ КОНФИГУРАЦИИ | В системном программировании | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| XCF08PVOG48C | Ксилинкс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 50 МГц | Соответствует ROHS3 | 1999 год | /files/xilinxinc-xcf16pfsg48c-datasheets-1087.pdf | 48-ТФСОП (0,724, ширина 18,40 мм) | 12,1 мм | 1,2 мм | 18,5 мм | 1,8 В | Без свинца | 48 | 10 недель | Неизвестный | 48 | Параллельно | да | EAR99 | Нет | 8542.32.00.51 | 1 | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,65 В~2 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 1,8 В | 0,5 мм | XCF*P | 48 | 2В | 1,65 В | 30 | 0,04 мА | 85°С | 8Мб | ВСПЫШКА | 8MX1 | 8388608 бит | СЕРИАЛ | 0,001А | 20000 циклов записей/стираний | В системном программировании | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| XC18V512PC20C | Ксилинкс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Трубка | 3 (168 часов) | КМОП | 4,572 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 1999 год | /files/xilinxinc-xc18v02pc44c0936-datasheets-4382.pdf | 20-LCC (J-вывод) | 8,9662 мм | 8,9662 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 20 | 10 недель | 20 | 512 КБ | нет | EAR99 | Нет | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | 3В~3,6В | КВАД | ДЖ БЕНД | 225 | 3,3 В | 1,27 мм | ХС18В512 | 20 | 3,6 В | 3В | 30 | Флэш-памяти | 0,025 мА | 33 МГц | 64КХ8 | 8 | ПАРАЛЛЕЛЬНЫЙ/ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНЫЙ | 0,01 А | 20 | 15 нс | ПАМЯТЬ КОНФИГУРАЦИИ | В системном программировании | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АТ17Ф16-30КУ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 3 (168 часов) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 1,14 мм | Соответствует ROHS3 | 1997 год | /files/microchiptechnology-at17f1630ju-datasheets-1319.pdf | 8-ТДФН | 5,99 мм | 5,99 мм | Без свинца | 8 | 17 недель | да | 1 | е4 | Никель/Золото (Ni/Au) | ДА | 2,97~3,63 В | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 3,3 В | 1,27 мм | АТ17Ф16 | 3,63 В | 2,97 В | 40 | 3,3 В | 0,04 мА | Не квалифицированный | S-XDSO-N8 | 16Мб | 33 МГц | 16MX1 | 1 | 16777216 бит | СЕРИАЛ | 0,002А | 10000 циклов записи/стирания | 0,03 мс | ПАМЯТЬ КОНФИГУРАЦИИ | ВСПЫШКА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| XC1765EVO8C | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Трубка | 3 (168 часов) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 1,1938 мм | Не соответствует требованиям RoHS | /files/rochesterelectronicsllc-xc1765elvog8c-datasheets-1305.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9276 мм | 3,937 мм | 8 | нет | ИСПОЛЬЗУЕТСЯ ДЛЯ ХРАНЕНИЯ ПОТОКОВ БИТОВЫХ КОНФИГУРАЦИИ XILINX FPGAS. | неизвестный | 1 | е0 | Оловянный свинец | ДА | 4,75 В~5,25 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 225 | 5В | 1,27 мм | 8 | 5,25 В | 4,75 В | 30 | КОММЕРЧЕСКИЙ | Р-ПДСО-Г8 | 65кб | 64КХ1 | 1 | 65536 бит | СЕРИАЛ | ПАМЯТЬ КОНФИГУРАЦИИ | ОТП | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| XC18V01PCG20C | Ксилинкс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Трубка | 3 (168 часов) | КМОП | 4,572 мм | Соответствует ROHS3 | 1999 год | /files/xilinxinc-xc18v02pc44c0936-datasheets-4382.pdf | 20-LCC (J-вывод) | 8,9662 мм | 8,9662 мм | 3,3 В | Без свинца | 20 | 10 недель | 20 | 1 Мб | да | EAR99 | Нет | 1 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | 3В~3,6В | КВАД | ДЖ БЕНД | 245 | 3,3 В | 1,27 мм | ХС18В01 | 20 | 3,6 В | 3В | 30 | Флэш-памяти | 0,025 мА | 33 МГц | 128КХ8 | 8 | ПАРАЛЛЕЛЬНЫЙ/ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНЫЙ | 0,01 А | 20 | 15 нс | ПАМЯТЬ КОНФИГУРАЦИИ | В системном программировании | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| XC18V512PCG20C | Ксилинкс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 4,572 мм | Соответствует ROHS3 | 1999 год | /files/xilinxinc-xc18v02pc44c0936-datasheets-4382.pdf | 20-LCC (J-вывод) | 8,9662 мм | 8,9662 мм | 3,3 В | 20 | 10 недель | 20 | 512 КБ | да | EAR99 | Нет | 1 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | 3В~3,6В | КВАД | ДЖ БЕНД | 245 | 3,3 В | 1,27 мм | ХС18В512 | 20 | 3,6 В | 3В | 30 | Флэш-памяти | 0,025 мА | 33 МГц | 64КХ8 | 8 | ПАРАЛЛЕЛЬНЫЙ/ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНЫЙ | 0,01 А | 20 | 15 нс | ПАМЯТЬ КОНФИГУРАЦИИ | В системном программировании |
