Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактПамять(55331)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Технология | Режим работы | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Идентификатор производителя производителя | Код HTS | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Напряжение | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Диапазон температуры окружающей среды: высокий | Код JESD-30 | Уровень скрининга | Размер | Тип | Ширина шины данных | Время доступа | Программирование напряжения | Тактовая частота | Ширина адресной | Формат памяти | Интерфейс памяти | Организация | Ширина памяти | Время цикла записи — Word, Page | Плотность памяти | Параллельный/последовательный | Альтернативная ширина памяти | Максимальный ток в режиме ожидания | Размер слова | Тип постоянной поездки | Выносливость | Максимальное время записи цикла (tWC) | Время хранения данных-мин | Защита от записей | Байт управления I2C | Синхронизация/Асинхронность | Размер страницы | Обратная распиновка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MX25L1606EZNI-12G | Макроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | MX25xxx05/06 | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 0,8 мм | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/macronix-mx25l1606ezni12g-datasheets-9664.pdf | 8-WDFN Открытая площадка | 6 мм | 5 мм | 3,6 В | Без свинца | 8 | 16 недель | СПИ, серийный | 16 Мб | EAR99 | 8542.32.00.51 | 1 | е3 | Олово (Вс) | ДА | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3В | 1,27 мм | 8 | 2,7 В | НЕ УКАЗАН | 3/3,3 В | 0,025 мА | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Н8 | 16Мб 2М х 8 | Энергонезависимый | 2,7 В | 86 МГц | ВСПЫШКА | СПИ | 8MX2 | 2 | 50 мкс, 3 мс | 1 | 0,00002А | СПИ | 100000 циклов записи/стирания | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| 24LC256-И/МС | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchiptechnology-24lc256tisn-datasheets-9944.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3 мм | 950 мкм | 3 мм | Без свинца | 8 | 7 недель | Нет СВХК | 8 | 2-проводной, I2C, последовательный | 256 КБ | да | EAR99 | Нет | 1 | 3мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | 2,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 0,65 мм | 24LC256 | 8 | 5,5 В | 2,5 В | 40 | 3/5 В | 256Кб 32К х 8 | Энергонезависимый | 900 нс | 400 кГц | ЭСППЗУ | I2C | 5 мс | 0,000005А | I2C | 1000000 циклов записи/стирания | 5 мс | 200 | АППАРАТНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | 1010DDDR | НЕТ | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| 24LC256-И/СН | Микрочиповая технология | 0,45 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchiptechnology-24lc256tisn-datasheets-9944.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 1,5 мм | 3,9 мм | 2,5 В | Без свинца | 8 | 6 недель | Нет СВХК | 8 | 2-проводной, I2C, последовательный | 256 КБ | да | EAR99 | Нет | 1 | 3мА | е3 | Матовый олово (Sn) | 5В | 2,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 1,27 мм | 24LC256 | 8 | 40 | 256Кб 32К х 8 | Энергонезависимый | 900 нс | 400 кГц | ЭСППЗУ | I2C | 5 мс | 0,000005А | I2C | 1000000 циклов записи/стирания | 5 мс | 200 | АППАРАТНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | 1010DDDR | НЕТ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q32JVSSIQ | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q32jvssiqtr-datasheets-9691.pdf | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 2,16 мм | 3В | Без свинца | 8 | 10 недель | 8 | СПИ | 256 Мб | да | НОМИНАЛЬНОЕ НАПРЯЖЕНИЕ 2,7 В ДОСТУПНО С 104 МГЦ | W25Q32JVSSIQ | 1 | е3 | Матовый олово (Sn) | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3,3 В | 1,27 мм | 3,6 В | 3В | НЕ УКАЗАН | 85°С | 32Мб 4М х 8 | Энергонезависимый | 3В | 133 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 8 | 3 мс | СЕРИАЛ | 1 | 256Б | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 24LC256T-I/SN | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchiptechnology-24lc256tisn-datasheets-9944.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 1,5 мм | 3,9 мм | Без свинца | 8 | 6 недель | Нет СВХК | 8 | 2-проводной, I2C, последовательный | 256 КБ | да | EAR99 | Олово | Нет | 1 | 3мА | е3 | 2,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 1,27 мм | 24LC256 | 8 | 5,5 В | 2,5 В | 40 | 3/5 В | 256Кб 32К х 8 | Энергонезависимый | 900 нс | 400 кГц | ЭСППЗУ | I2C | 5 мс | 0,000005А | I2C | 1000000 циклов записи/стирания | 5 мс | 200 | АППАРАТНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | 1010DDDR | НЕТ | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| АТ24С256С-МАЛ-Т | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 0,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchiptechnology-at24c256cmahlt-datasheets-9764.pdf | 8-УФДФН Открытая площадка | 3 мм | 2 мм | Без свинца | 8 | 8 недель | 8 | 2-проводной, I2C, последовательный | 256 КБ | да | Олово | Нет | 1 | 3мА | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 1,7 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 2,5 В | 0,5 мм | AT24C256C | 5,5 В | 1,7 В | 40 | 2/5 В | 256Кб 32К х 8 | Энергонезависимый | 550 нс | 1 МГц | ЭСППЗУ | I2C | 8 | 5 мс | 0,000001А | I2C | 1000000 циклов записи/стирания | 5 мс | 40 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | 1010DDDR | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q64JVSSIQ ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/winbondelectronics-w25q64jvssiqtr-datasheets-9939.pdf | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 10 недель | 2,7 В~3,6 В | 64Мб 8М х 8 | Энергонезависимый | 133 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 3 мс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MX25L1606EM2I-12G | Макроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | MX25xxx05/06 | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 2,16 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/macronix-mx25l1606em2i12g-datasheets-9775.pdf | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 5,28 мм | 5,23 мм | 3,6 В | Без свинца | 8 | 16 недель | СПИ, серийный | 16 Мб | да | EAR99 | 8542.32.00.51 | 1 | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДА | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3В | 1,27 мм | 8 | 2,7 В | НЕ УКАЗАН | 3/3,3 В | 0,025 мА | Не квалифицированный | Р-ПДСО-G8 | 16Мб 2М х 8 | Энергонезависимый | 2,7 В | 86 МГц | ВСПЫШКА | СПИ | 8MX2 | 2 | 50 мкс, 3 мс | 1 | 0,00002А | СПИ | 100000 циклов записи/стирания | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 24AA256UIDT-I/СТ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchiptechnology-24aa256uidtist-datasheets-0022.pdf | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 4,4 мм | 3 мм | 8 | 6 недель | 8 | 2-проводной, I2C, последовательный | Олово | 1 | е3 | ДА | 1,7 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 2,5 В | 0,65 мм | 24AA256UID | 5,5 В | 1,7 В | 40 | ТС 16949 | 256Кб 32К х 8 | Энергонезависимый | 900 нс | 400 кГц | ЭСППЗУ | I2C | 8 | 5 мс | 262144 бит | I2C | 5 мс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q80ДВСНИГ | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q80dvsnigtr-datasheets-9191.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 1,75 мм | 3,9 мм | 8 | 10 недель | 1 | е3 | Олово (Вс) | ДА | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3В | 1,27 мм | 3,6 В | 2,7 В | НЕ УКАЗАН | 3/3,3 В | 0,025 мА | Не квалифицированный | 85°С | Р-ПДСО-G8 | 8Мб 1М х 8 | Энергонезависимый | 3В | 104 МГц | ВСПЫШКА | СПИ | 8MX1 | 1 | 3 мс | 8388608 бит | СЕРИАЛ | 0,000005А | СПИ | 100000 циклов записи/стирания | 20 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CAT24M01WI-GT3 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-cat24m01wigt3-datasheets-9811.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,75 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | 6 недель | Нет СВХК | 8 | 1 Мб | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | ТАКЖЕ РАБОТАЕТ НА ЧАСТОТЕ 0,4 МГЦ. | Золото | Нет | 1 | 5мА | е4 | Без галогенов | 1,8 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3,3 В | 1,27 мм | КАТ24М01 | 8 | 5,5 В | 40 | 3/5 В | 85°С | 1Мб 128К х 8 | Энергонезависимый | 400 нс | 1 МГц | ЭСППЗУ | I2C | 5 мс | СЕРИАЛ | 0,000002А | СПИ | 1000000 циклов записи/стирания | 5 мс | 100 | АППАРАТНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | 1010ДДМР | ||||||||||||||||||||||||||||||
| SST25PF040CT-40I/СН | Микрочиповая технология | 0,48 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ССТ25 | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 1,75 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchiptechnology-sst25pf040ct40isn-datasheets-9819.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | 8 | 7 недель | 1 | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДА | 2,3 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3,3 В | 1,27 мм | SST25PF040C | 3,6 В | 2,3 В | 40 | 0,015 мА | Р-ПДСО-G8 | 4Мб 512К х 8 | Энергонезависимый | 3,3 В | 40 МГц | ВСПЫШКА | СПИ | 4MX1 | 1 | 5 мс | 4194304 бит | СЕРИАЛ | 0,00001А | СПИ | 100000 циклов записи/стирания | 20 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | НЕТ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AT25DF081A-SSH-T | Адесто Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К ТС | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 1,75 мм | Соответствует ROHS3 | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/adestotechnologies-at25df081assht-datasheets-9966.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4925 мм | 3,3 В | Без свинца | 8 | 8 недель | 8 | СПИ, серийный | 8 Мб | EAR99 | Нет | 1 | 20 мА | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3В | 1,27 мм | 8 | 3,6 В | 2,7 В | 8 МБ, 256 байт x 4096 страниц | Энергонезависимый | 8б | 2,7 В | 100 МГц | 1б | ВСПЫШКА | СПИ | 1 | 7 мкс, 3 мс | 0,00001А | 8б | СПИ | 100000 циклов записи/стирания | 20 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | синхронный | 256Б | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CAT25512VI-GT3 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 1,75 мм | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-cat25512vigt3-datasheets-9718.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | Без свинца | 8 | 5 недель | Нет СВХК | 8 | СПИ, серийный | 512 КБ | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | ХРАНЕНИЕ ДАННЫХ 100 ЛЕТ | Золото | Нет | 1 | 3мА | е4 | Без галогенов | 1,8 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 5В | 1,27 мм | КАТ25512 | 8 | 5,5 В | 40 | 2/5 В | 512Кб 64К х 8 | Энергонезависимый | 20 нс | 20 МГц | ЭСППЗУ | СПИ | 8 | 5 мс | 0,000001А | СПИ | 1000000 циклов записи/стирания | 5 мс | 100 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | |||||||||||||||||||||||||||||||
| MX25R1635FM1IL0 | Макроникс | 0,77 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | MXSMIO™ | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 1,75 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/macronix-mx25r1635fzuih0-datasheets-9658.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | Без свинца | 8 | 10 недель | СПИ, серийный | ТАКЖЕ НАСТРИВАЕТСЯ КАК 16М X 1 | 1 | ДА | 1,65 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 1,27 мм | 3,6 В | 1,65 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-G8 | 16Мб 2М х 8 | Энергонезависимый | 3В | 33 МГц | ВСПЫШКА | СПИ | 4MX4 | 4 | 100 мкс, 10 мс | 16777216 бит | 2 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AT25DF041B-СШН-Т | Адесто Технологии | 1,02 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К ТС | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 1,75 мм | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/adestotechnologies-at25df041bsshnt-datasheets-9800.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4925 мм | 3,9 мм | Без свинца | 8 | 8 недель | 8 | СПИ, серийный | 32 Мб | да | EAR99 | Золото | 1 | е4 | 1,65 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 1,8 В | 1,27 мм | 3,6 В | 1,65 В | НЕ УКАЗАН | 4Мб 512К х 8 | Энергонезависимый | 7,5 нс | 104 МГц | ВСПЫШКА | СПИ | 4MX1 | 1 | 8 мкс, 2,5 мс | 256Б | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q16JVZPIQ | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 0,8 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q16jvssiq-datasheets-9536.pdf | 8-WDFN Открытая площадка | 6 мм | 5 мм | 8 | 10 недель | EAR99 | 8542.32.00.51 | 1 | е3 | Олово (Вс) | ДА | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3В | 1,27 мм | 3,6 В | 2,7 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-Н8 | 16Мб 2М х 8 | Энергонезависимый | 3В | 133 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 2MX8 | 8 | 3 мс | 16777216 бит | СЕРИАЛ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MX25V8035FM1Q | Макроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | MXSMIO™ | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/macronix-mx25v8035fm1q-datasheets-9807.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 20 недель | 2,3 В~3,6 В | 8Мб 1М х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | СПИ | 100 мкс, 4 мс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 25LC640T-I/SN | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchiptechnology-25lc640tisn-datasheets-9851.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 1,5 мм | 3,9 мм | 5,5 В | Без свинца | 8 | 7 недель | Нет СВХК | 8 | СПИ, серийный | 64 КБ | да | EAR99 | 1 000 000 ЦИКЛОВ СТИРАНИЯ/ЗАПИСИ; ХРАНЕНИЕ ДАННЫХ > 200 ЛЕТ | Олово | Нет | 1 | 5мА | е3 | 7В | ДА | 2,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 5В | 1,27 мм | 25LC640 | 8 | 40 | 3/5 В | 64Кб 8К х 8 | Энергонезависимый | 230 нс | 2 МГц | ЭСППЗУ | СПИ | 5 мс | 0,000001А | СПИ | 100000 циклов записи/стирания | 5 мс | 200 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| AT24C256C-SSHL-B | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchiptechnology-at24c256cmahlt-datasheets-9764.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5,05 мм | 1,5 мм | 3,99 мм | 8 | 7 недель | Нет СВХК | 8 | 2-проводной, I2C, последовательный | 256 КБ | да | Олово | Нет | 1 | 3мА | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 5В | 1,7 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 2,5 В | 1,27 мм | AT24C256C | 40 | 256Кб 32К х 8 | Энергонезависимый | 550 нс | 1 МГц | ЭСППЗУ | I2C | 5 мс | 0,000001А | I2C | 1000000 циклов записи/стирания | 5 мс | 40 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | 1010DDDR | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MX25L1606EM1I-12G | Макроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | MX25xxx05/06 | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 1,75 мм | Соответствует ROHS3 | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/macronix-mx25l1606em1i12g-datasheets-9620.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | 3,6 В | Без свинца | 8 | 16 недель | СПИ, серийный | 16 Мб | EAR99 | 8542.32.00.51 | 1 | е3 | Олово (Вс) | ДА | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3В | 1,27 мм | 8 | 2,7 В | 40 | 3/3,3 В | 0,025 мА | Не квалифицированный | Р-ПДСО-G8 | 16Мб 2М х 8 | Энергонезависимый | 2,7 В | 86 МГц | ВСПЫШКА | СПИ | 8MX2 | 2 | 50 мкс, 3 мс | 1 | 0,00002А | СПИ | 100000 циклов записи/стирания | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| 24LC128-И/СН | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchiptechnology-24aa128tisn-datasheets-9540.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 1,25 мм | 3,9 мм | 2,5 В | Без свинца | 8 | 6 недель | Нет СВХК | 8 | 2-проводной, I2C, последовательный | 128 КБ | да | EAR99 | 1000000 циклов СТИРАНИЯ/ЗАПИСИ, АППАРАТНАЯ ЗАЩИТА ЗАПИСИ, СОХРАНЕНИЕ ДАННЫХ > 200 ЛЕТ | Олово | Нет | 1 | 3мА | е3 | 2,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 4,5 В | 1,27 мм | 24LC128 | 8 | 5,5 В | 40 | 3/5 В | 128Кб 16К х 8 | Энергонезависимый | 900 нс | 400 кГц | ЭСППЗУ | I2C | 5 мс | 0,000001А | I2C | 1000000 циклов записи/стирания | 5 мс | 200 | АППАРАТНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | 1010DDDR | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| M95256-DRDW3TP/К | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТА | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | КМОП | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/stmicroelectronics-m95256drdw3tpk-datasheets-9941.pdf | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 4,4 мм | 3 мм | 8 | 14 недель | 8 | СПИ, серийный | 256 КБ | АКТИВНО (Последнее обновление: 7 месяцев назад) | EAR99 | Нет | 1 | 5мА | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 1,8 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 5В | 0,65 мм | M95256 | 8 | 5,5 В | 2/5 В | 256Кб 32К х 8 | Энергонезависимый | 20 нс | 20 МГц | ЭСППЗУ | СПИ | 8 | 4 мс | 0,000001А | СПИ | 4000000 циклов записи/стирания | 4 мс | 40 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MX25R8035FM1IH1 | Макроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | MXSMIO™ | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 1,75 мм | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/macronix-mx25r8035fm1ih1-datasheets-9518.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | Без свинца | 8 | 10 недель | СПИ, серийный | ТАКЖЕ НАСТРАИВАЕТСЯ КАК 8M X 1 | 1 | ДА | 1,65 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 1,27 мм | 3,6 В | 1,65 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-G8 | 8Мб 1М х 8 | Энергонезависимый | 1,8 В | 108 МГц | ВСПЫШКА | СПИ | 2MX4 | 4 | 100 мкс, 4 мс | 8388608 бит | 2 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AT25640B-XHL-T | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchiptechnology-at25640bxhlt-datasheets-9419.pdf | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 4,4 мм | 3 мм | 5В | Без свинца | 8 | 7 недель | Нет СВХК | 8 | СПИ, серийный | 64 КБ | да | Золото | 1 | 10 мА | е4 | 1,8 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 2,5 В | 0,65 мм | АТ25640 | 40 | Не квалифицированный | 64Кб 8К х 8 | Энергонезависимый | 80 нс | 20 МГц | ЭСППЗУ | СПИ | 8 | 5 мс | 0,000006А | СПИ | 1000000 циклов записи/стирания | 5 мс | 100 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MX25L8006EM2I-12G | Макроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | MX25xxx05/06 | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 2,16 мм | Соответствует ROHS3 | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/macronix-mx25l8006em1i12g-datasheets-9454.pdf | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 5,28 мм | 5,23 мм | 3,6 В | Без свинца | 8 | 16 недель | СПИ, серийный | 8 Мб | EAR99 | 8542.32.00.51 | 1 | ДА | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3В | 1,27 мм | 8 | 2,7 В | НЕ УКАЗАН | 3/3,3 В | 0,02 мА | Не квалифицированный | Р-ПДСО-G8 | 8Мб 1М х 8 | Энергонезависимый | 2,7 В | 86 МГц | ВСПЫШКА | СПИ | 4MX2 | 2 | 50 мкс, 3 мс | 1 | 0,00001А | СПИ | 100000 циклов записи/стирания | 20 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q32JVSSIQ ТР | Винбонд Электроникс | 0,16 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 2,16 мм | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q32jvssiqtr-datasheets-9691.pdf | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 5,28 мм | 5,28 мм | 8 | 10 недель | 3A991.B.1.A | 8542.32.00.51 | 1 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3В | 1,27 мм | 3,6 В | 2,7 В | НЕ УКАЗАН | С-ПДСО-G8 | 32Мб 4М х 8 | Энергонезависимый | 3В | 133 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 4MX8 | 8 | 3 мс | 33554432 бит | СЕРИАЛ | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MX25R8035FZUIL0 | Макроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | MXSMIO™ | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Разрезанная лента (CT) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | Соответствует ROHS3 | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/macronix-mx25r8035fm1ih1-datasheets-9518.pdf | 8-УФДФН Открытая площадка | 3 мм | 600 мкм | 2 мм | Без свинца | 8 | 10 недель | ТАКЖЕ НАСТРАИВАЕТСЯ КАК 8M X 1 | 1 | ДА | 1,65 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 0,5 мм | 3,6 В | 1,65 В | НЕ УКАЗАН | 85°С | Р-ПДСО-Н8 | 8Мб 1М х 8 | Энергонезависимый | 12 нс | 1,8 В | 33 МГц | ВСПЫШКА | СПИ | 2MX4 | 4 | 100 мкс, 10 мс | 8388608 бит | СЕРИАЛ | 2 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q16JVSSIQ | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 2,16 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q16jvssiq-datasheets-9536.pdf | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 5,23 мм | 5,23 мм | 8 | 10 недель | 1 | ДА | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3В | 1,27 мм | 3,6 В | 2,7 В | НЕ УКАЗАН | С-ПДСО-G8 | 16Мб 2М х 8 | Энергонезависимый | 3В | 133 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 2MX8 | 8 | 3 мс | 16777216 бит | СЕРИАЛ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MX25V1635FM1I | Макроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | MXSMIO™ | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 1,75 мм | Соответствует ROHS3 | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/macronix-mx25v1635fm1i-datasheets-9551.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | Без свинца | 8 | 10 недель | СПИ, серийный | да | ТАКЖЕ МОЖЕТ БЫТЬ Сконфигурировано КАК 16M X 1 БИТ | 1 | ДА | 2,3 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3В | 1,27 мм | 3,6 В | 2,3 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-G8 | 16Мб 2М х 8 | Энергонезависимый | 3В | 80 МГц | ВСПЫШКА | СПИ | 4MX4 | 4 | 100 мкс, 4 мс | 16777216 бит | 2 |
