| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Технология | Режим работы | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Идентификатор производителя производителя | Код HTS | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Диапазон температуры окружающей среды: высокий | Код JESD-30 | Размер | Тип | Время доступа | Программирование напряжения | Тактовая частота | Ширина адресной | Формат памяти | Интерфейс памяти | Организация | Ширина памяти | Время цикла записи — Word, Page | Плотность памяти | Параллельный/последовательный | Альтернативная ширина памяти | Максимальный ток в режиме ожидания | Размер слова | Тип постоянной поездки | Выносливость | Максимальное время записи цикла (tWC) | Время хранения данных-мин | Защита от записей | Байт управления I2C | Синхронизация/Асинхронность | Размер страницы |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| W25Q16JVSSIQ | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 2,16 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q16jvssiq-datasheets-9536.pdf | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 5,23 мм | 5,23 мм | 8 | 10 недель | 1 | ДА | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3В | 1,27 мм | 3,6 В | 2,7 В | НЕ УКАЗАН | С-ПДСО-G8 | 16Мб 2М х 8 | Энергонезависимый | 3В | 133 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 2MX8 | 8 | 3 мс | 16777216 бит | СЕРИАЛ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MX25V1635FM1I | Макроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | MXSMIO™ | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 1,75 мм | Соответствует ROHS3 | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/macronix-mx25v1635fm1i-datasheets-9551.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | Без свинца | 8 | 10 недель | СПИ, серийный | да | ТАКЖЕ МОЖЕТ БЫТЬ НАСТРОЕН КАК 16M X 1 БИТ. | 1 | ДА | 2,3 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3В | 1,27 мм | 3,6 В | 2,3 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-G8 | 16Мб 2М х 8 | Энергонезависимый | 3В | 80 МГц | ВСПЫШКА | СПИ | 4MX4 | 4 | 100 мкс, 4 мс | 16777216 бит | 2 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 24LC64-И/СН | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchiptechnology-24lc64tiot-datasheets-9055.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 1,25 мм | 3,9 мм | Без свинца | 8 | 6 недель | Нет СВХК | 8 | 2-проводной, I2C, последовательный | 64 КБ | да | EAR99 | ХРАНЕНИЕ ДАННЫХ > 200 ЛЕТ; 1000000 ЦИКЛОВ СТИРАНИЯ/ЗАПИСИ ГАРАНТИРОВАНО | Нет | 1 | 3мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | 2,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 5В | 1,27 мм | 24LC64 | 8 | 5,5 В | 2,5 В | 40 | 3/5 В | 64Кб 8К х 8 | Энергонезависимый | 900 нс | 400 кГц | ЭСППЗУ | I2C | 5 мс | 0,000001А | I2C | 1000000 циклов записи/стирания | 5 мс | 200 | АППАРАТНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | 1010DDDR | |||||||||||||||||||||||||||
| M24512-RDW6TP | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/stmicroelectronics-m24512wdw6tp-datasheets-7919.pdf | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 4,4 мм | 3 мм | 5В | Без свинца | 8 | 13 недель | 8 | 2-проводной, I2C, последовательный | 512 КБ | АКТИВНО (Последнее обновление: 6 месяцев назад) | EAR99 | Нет | 1 | 5мА | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 1,8 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 2,5 В | 0,65 мм | М24512 | 8 | 30 | 512Кб 64К х 8 | Энергонезависимый | 500 нс | 1 МГц | ЭСППЗУ | I2C | 8 | 5 мс | 0,000001А | I2C | 4000000 циклов записи/стирания | 5 мс | 200 | АППАРАТНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | 1010DDDR | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| MX25V4006EM1I-13G | Макроникс | 0,35 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | MX25xxx05/06 | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 1,75 мм | Соответствует ROHS3 | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/macronix-mx25v4006em1i13g-datasheets-9611.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | 3,6 В | Без свинца | 8 | 16 недель | СПИ, серийный | 4 Мб | 3A991.B.1.B.1 | 8542.32.00.51 | 1 | ДА | 2,35 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 2,5 В | 1,27 мм | 8 | 2,35 В | НЕ УКАЗАН | 2,5/3,3 В | 0,02 мА | Не квалифицированный | Р-ПДСО-G8 | 4Мб 512К х 8 | Энергонезависимый | 3В | 75 МГц | ВСПЫШКА | СПИ | 2MX2 | 2 | 50 мкс, 1 мс | 1 | 0,00001А | 3-ПРОВОДНОЙ | 100000 циклов записи/стирания | 20 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | |||||||||||||||||||||||||||||
| 24АА128Т-И/СН | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | КМОП | 1,75 мм | Соответствует ROHS3 | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchiptechnology-24aa128tisn-datasheets-9540.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | Без свинца | 8 | 6 недель | 8 | 2-проводной, I2C, последовательный | 128 КБ | да | EAR99 | 1000000 циклов СТИРАНИЯ/ЗАПИСИ, АППАРАТНАЯ ЗАЩИТА ЗАПИСИ, СОХРАНЕНИЕ ДАННЫХ > 200 ЛЕТ | Золото | Нет | 1 | 3мА | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,7 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 2,5 В | 1,27 мм | 24АА128 | 8 | 5,5 В | 1,7 В | 40 | 2/5 В | 128Кб 16К х 8 | Энергонезависимый | 900 нс | 400 кГц | ЭСППЗУ | I2C | 8 | 5 мс | 0,000001А | I2C | 1000000 циклов записи/стирания | 5 мс | 200 | АППАРАТНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | 1010DDDR | |||||||||||||||||||||||||||
| W25Q16JVSNIQ | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 1,75 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q16jvssiq-datasheets-9536.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,85 мм | 3,9 мм | 8 | 10 недель | ТАКЖЕ ОН РАБОТАЕТ ПРИ НАПРЯЖЕНИИ 2,7 В ДО 3 В С ЧАСТОТОЙ 104 МГЦ. | 8542.32.00.51 | 1 | ДА | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 1,27 мм | 3,6 В | 3В | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-G8 | 16Мб 2М х 8 | Энергонезависимый | 3В | 133 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 2MX8 | 8 | 3 мс | 16777216 бит | СЕРИАЛ | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДС28Е05Р+Т | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 1,12 мм | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/maximintegrated-ds28e05rt-datasheets-9587.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,92 мм | 3 | 6 недель | 3 | 896 б | EAR99 | Нет | 1 | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 3,3 В | 0,95 мм | DS28E05 | 2,75 В | 896б 112 х 8 | Энергонезависимый | 2 мкс | ЭСППЗУ | 1-Wire® | 64X1 | 1 | СЕРИАЛ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MX25R1635FZUIH0 | Макроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | MXSMIO™ | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Разрезанная лента (CT) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 0,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/macronix-mx25r1635fzuih0-datasheets-9658.pdf | 8-УФДФН Открытая площадка | 3 мм | 2 мм | Без свинца | 8 | 16 недель | СПИ, серийный | да | ТАКЖЕ НАСТРАИВАЕТСЯ КАК 16MX1 | 1 | ДА | 1,65 В~3,6 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 0,5 мм | 3,6 В | 1,65 В | НЕ УКАЗАН | Р-PBCC-B8 | 16Мб 2М х 8 | Энергонезависимый | 1,8 В | 80 МГц | ВСПЫШКА | СПИ | 4MX4 | 4 | 100 мкс, 4 мс | 16777216 бит | 2 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 24LC128T-I/SN | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchiptechnology-24aa128tisn-datasheets-9540.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 1,5 мм | 3,9 мм | Без свинца | 8 | 6 недель | Нет СВХК | 8 | 2-проводной, I2C, последовательный | 128 КБ | да | EAR99 | 1000000 циклов СТИРАНИЯ/ЗАПИСИ, АППАРАТНАЯ ЗАЩИТА ЗАПИСИ, СОХРАНЕНИЕ ДАННЫХ > 200 ЛЕТ | Олово | Нет | 1 | 3мА | е3 | 2,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 4,5 В | 1,27 мм | 24LC128 | 8 | 5,5 В | 2,5 В | 40 | 3/5 В | 128Кб 16К х 8 | Энергонезависимый | 900 нс | 400 кГц | ЭСППЗУ | I2C | 5 мс | 0,000001А | I2C | 1000000 циклов записи/стирания | 5 мс | 200 | АППАРАТНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | 1010DDDR | |||||||||||||||||||||||||||
| M95256-WMN6P | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/stmicroelectronics-m95256wmn6p-datasheets-9467.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,75 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | 13 недель | Нет СВХК | 8 | 256 КБ | EAR99 | Золото | Нет | СО8Н-СО-А | 1 | 5мА | е4 | 2,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 5В | 1,27 мм | M95256 | 8 | 5,5 В | 2,5 В | 30 | 3/5 В | 85°С | 256Кб 32К х 8 | Энергонезависимый | 60 нс | 20 МГц | ЭСППЗУ | СПИ | 5 мс | СЕРИАЛ | 0,000005А | СПИ | 1000000 циклов записи/стирания | 5 мс | 40 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 24LC128T-I/МНЙ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchiptechnology-24aa128tisn-datasheets-9540.pdf | 8-WFDFN Открытая площадка | 3 мм | 750 мкм | 2 мм | 8 | 6 недель | Нет СВХК | 8 | I2C, последовательный | 128 КБ | EAR99 | Золото | Нет | 1 | 3мА | е4 | ДА | 2,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 4,5 В | 0,5 мм | 24LC128 | 8 | 5,5 В | 2,5 В | 40 | 3/5 В | 128Кб 16К х 8 | Энергонезависимый | 900 нс | 400 кГц | ЭСППЗУ | I2C | 5 мс | 0,000001А | I2C | 1000000 циклов записи/стирания | 5 мс | 200 | АППАРАТНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | 1010DDDR | |||||||||||||||||||||||||||||||
| MX25V8006EM1I-13G | Макроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | MX25xxx05/06 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/macronix-mx25v8006em1i13g-datasheets-9500.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 1,75 мм | 3,9 мм | 3,6 В | Без свинца | 8 | 16 недель | 8 Мб | 3A991.B.1.B.1 | 8542.32.00.51 | 1 | 12 мА | 2,35 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 2,5 В | 1,27 мм | 8 | 2,35 В | НЕ УКАЗАН | 2,5/3,3 В | Не квалифицированный | 85°С | Р-ПДСО-G8 | 8Мб 1М х 8 | Энергонезависимый | 9 мкс | 3В | 75 МГц | ВСПЫШКА | СПИ | 4MX2 | 2 | 300 мкс, 5 мс | СЕРИАЛ | 1 | 0,00001А | СПИ | 100000 циклов записи/стирания | 20 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | ||||||||||||||||||||||||||||
| MX25L4006EZNI-12G | Макроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | MX25xxx05/06 | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 0,8 мм | Соответствует ROHS3 | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/macronix-mx25l4006em1i12g-datasheets-9448.pdf | 8-WDFN Открытая площадка | 6 мм | 5 мм | 3,6 В | Без свинца | 8 | 10 недель | СПИ, серийный | 4 Мб | EAR99 | 8542.32.00.51 | 1 | ДА | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 1,27 мм | 8 | 2,7 В | НЕ УКАЗАН | 3/3,3 В | 0,02 мА | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Н8 | 4Мб 512К х 8 | Энергонезависимый | 2,7 В | 86 МГц | ВСПЫШКА | СПИ | 2MX2 | 2 | 50 мкс, 3 мс | 1 | 0,00001А | СПИ | 100000 циклов записи/стирания | 20 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | ||||||||||||||||||||||||||||||
| CAT25128VI-GT3 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-cat25128vigt3-datasheets-9120.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,5 мм | 4 мм | 5В | Без свинца | 8 | 5 недель | Нет СВХК | 8 | СПИ, серийный | 128 КБ | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | ХРАНЕНИЕ ДАННЫХ 100 ЛЕТ | Золото | Нет | 1 | 4мА | е4 | Без галогенов | 1,8 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 5В | 1,27 мм | КАТ25128 | 8 | 40 | 128Кб 16К х 8 | Энергонезависимый | 40 нс | 20 МГц | ЭСППЗУ | СПИ | 5 мс | 0,000001А | СПИ | 1000000 циклов записи/стирания | 5 мс | 100 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | |||||||||||||||||||||||||||||
| W25X20CLSNIG | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 3 (168 часов) | КМОП | 1,75 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25x20cluxigtr-datasheets-9031.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 8 | 10 недель | 8 | СПИ, серийный | 2 Мб | EAR99 | Нет | 1 | 14 мА | 2,3 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 3В | 1,27 мм | 8 | 3,6 В | 2,7 В | 2,5/3,3 В | 2Мб 256К х 8 | Энергонезависимый | 8 нс | 3В | 104 МГц | 24б | ВСПЫШКА | СПИ | 2MX1 | 1 | 800 мкс | 0,000005А | СПИ | 100000 циклов записи/стирания | 20 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | синхронный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АТ24С128С-СШМ-Т | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | КМОП | 1,75 мм | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchiptechnology-at24c128csshmt-datasheets-9243.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4925 мм | 3,9 мм | Без свинца | 8 | 7 недель | Нет СВХК | 8 | 2-проводной, I2C, последовательный | 128 КБ | да | Олово | Нет | 1 | 3мА | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 1,7 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 2,5 В | 1,27 мм | AT24C128C | 5,5 В | 1,7 В | 40 | 128Кб 16К х 8 | Энергонезависимый | 550 нс | 1 МГц | ЭСППЗУ | I2C | 8 | 5 мс | 0,000001А | I2C | 1000000 циклов записи/стирания | 5 мс | 40 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | 1010DDDR | ||||||||||||||||||||||||||||||
| W25X40CLSNIG | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 3 (168 часов) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25x40clsnig-datasheets-9270.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 1,75 мм | 8 | 10 недель | 8 | 4 Мб | EAR99 | Нет | 1 | 14 мА | 2,3 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 3В | 1,27 мм | 8 | 3,6 В | 2,7 В | 2,5/3,3 В | 85°С | 4Мб 512К х 8 | Энергонезависимый | 8 нс | 2,7 В | 104 МГц | 1б | ВСПЫШКА | СПИ | 4MX1 | 1 | 800 мкс | СЕРИАЛ | 0,000005А | 8б | СПИ | 100000 циклов записи/стирания | 20 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | синхронный | 256Б | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 24АА64ФТ-И/ОТ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchiptechnology-24aa64ftiot-datasheets-9063.pdf | СК-74А, СОТ-753 | 3,1 мм | 1,3 мм | 1,8 мм | 5В | 5 | 6 недель | Нет СВХК | 5 | I2C, последовательный | 64 КБ | да | EAR99 | Золото | Нет | 1 | 3мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | 1,7 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 5В | 24АА64Ф | 5 | 1,7 В | 40 | 64Кб 8К х 8 | Энергонезависимый | 900 нс | 400 кГц | ЭСППЗУ | I2C | 8КХ8 | 5 мс | 0,000001А | I2C | 1000000 циклов записи/стирания | 200 | АППАРАТНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | 1010DDDR | |||||||||||||||||||||||||||||||
| M24512-RMN6TP | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/stmicroelectronics-m24512wdw6tp-datasheets-7919.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 1,75 мм | 3,9 мм | 5В | Без свинца | 8 | 13 недель | 8 | 512 КБ | АКТИВНО (Последнее обновление: 6 месяцев назад) | EAR99 | Золото | Нет | СО8Н-СО-А | 1 | 5мА | е4 | 1,8 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 2,5 В | 1,27 мм | М24512 | 8 | 30 | 85°С | 512Кб 64К х 8 | Энергонезависимый | 500 нс | 1 МГц | ЭСППЗУ | I2C | 5 мс | СЕРИАЛ | 0,000001А | I2C | 4000000 циклов записи/стирания | 5 мс | 200 | АППАРАТНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | 1010DDDR | |||||||||||||||||||||||||||||||
| AT25SF161-SSHD-T | Адесто Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К ТС | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 1,75 мм | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/adestotechnologies-at25sf161sshdt-datasheets-9344.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4925 мм | 3,9 мм | 3,3 В | 8 | 8 недель | 8 | СПИ, серийный | 128 Мб | да | EAR99 | Золото | 1 | е4 | 2,5 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3В | 1,27 мм | 3,6 В | 2,7 В | НЕ УКАЗАН | 16Мб 2М х 8 | Энергонезависимый | 8 нс | 3В | 104 МГц | ВСПЫШКА | СПИ | 16MX1 | 1 | 5 мкс, 5 мс | 256Б | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CAT25256VI-GT3 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-cat25256vigt3-datasheets-9284.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,75 мм | 4 мм | 5В | Без свинца | 8 | 5 недель | Нет СВХК | 8 | 256 КБ | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | ХРАНЕНИЕ ДАННЫХ 100 ЛЕТ | Золото | Нет | 1 | 4мА | е4 | Без галогенов | 1,8 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 5В | 1,27 мм | КАТ25256 | 8 | 40 | 256Кб 32К х 8 | Энергонезависимый | 75 нс | 20 МГц | ЭСППЗУ | СПИ | 5 мс | СЕРИАЛ | 0,000001А | СПИ | 1000000 циклов записи/стирания | 5 мс | 100 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | |||||||||||||||||||||||||||||
| 25АА02Е48Т-И/СН | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | КМОП | 1,75 мм | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchiptechnology-25aa02e48tisn-datasheets-9377.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | 5В | Без свинца | 8 | 15 недель | Нет СВХК | 8 | СПИ, серийный | 2 КБ | да | EAR99 | Олово | Нет | 1 | 5мА | е3 | 1,8 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 2,5 В | 1,27 мм | 25АА02Е48 | 8 | 40 | 2Кб 256 х 8 | Энергонезависимый | 50 нс | 10 МГц | ЭСППЗУ | СПИ | 8 | 5 мс | 0,000001А | СПИ | 1000000 циклов записи/стирания | 5 мс | 200 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | |||||||||||||||||||||||||||||||
| CAT24C512WI-GT3 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-cat24c512wigt3-datasheets-9213.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,75 мм | 4 мм | 5В | Без свинца | 8 | 4 недели | Нет СВХК | 8 | 2-проводной, I2C | 512 КБ | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | ХРАНЕНИЕ ДАННЫХ 100 ЛЕТ | Золото | Нет | 1 | 2,5 мА | е4 | Без галогенов | 1,8 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 5В | 1,27 мм | КАТ24C512 | 8 | 40 | 512Кб 64К х 8 | Энергонезависимый | 900 нс | 1 МГц | ЭСППЗУ | I2C | 5 мс | СЕРИАЛ | 0,000002А | I2C | 1000000 циклов записи/стирания | 5 мс | 100 | АППАРАТНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | 1010DDDR | |||||||||||||||||||||||||||
| AT25SF081-SSHD-T | Адесто Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К ТС | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/adestotechnologies-at25sf081sshdt-datasheets-9113.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4925 мм | 1,75 мм | 3,9 мм | 3,3 В | Без свинца | 8 | 8 недель | 8 | 64 Мб | да | 1 | 2,5 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3В | 1,27 мм | АТ25SF081 | 3,6 В | 2,5 В | НЕ УКАЗАН | 8Мб 1М х 8 | Энергонезависимый | 8 нс | 3В | 104 МГц | ВСПЫШКА | СПИ | 1 | 5 мкс, 5 мс | СЕРИАЛ | 256Б | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 24LC64T-I/SN | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | КМОП | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchiptechnology-24lc64tiot-datasheets-9055.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 1,75 мм | 3,9 мм | Без свинца | 8 | 6 недель | Нет СВХК | 8 | 2-проводной, I2C | 64 КБ | да | EAR99 | ХРАНЕНИЕ ДАННЫХ > 200 ЛЕТ; 1000000 ЦИКЛОВ СТИРАНИЯ/ЗАПИСИ ГАРАНТИРОВАНО | Олово | Нет | C04-057-СН | 1 | 3мА | е3 | 2,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 5В | 1,27 мм | 24LC64 | 8 | 5,5 В | 2,5 В | 40 | 3/5 В | 85°С | 64Кб 8К х 8 | Энергонезависимый | 900 нс | 400 кГц | ЭСППЗУ | I2C | 5 мс | СЕРИАЛ | 0,000001А | I2C | 1000000 циклов записи/стирания | 5 мс | 200 | АППАРАТНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | 1010DDDR | |||||||||||||||||||||||||
| 25АА040АТ-И/ОТ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchiptechnology-25aa040atiot-datasheets-9126.pdf | СОТ-23-6 | 2,95 мм | 1,1 мм | 1,63 мм | 5В | Без свинца | 6 | 10 недель | Нет СВХК | 6 | СПИ, серийный | 4 КБ | да | EAR99 | ХРАНЕНИЕ ДАННЫХ > 200 ЛЕТ; 1 000 000 ЦИКЛОВ СТИРАНИЯ/ЗАПИСИ | Олово | Нет | 8542.32.00.51 | 1 | 5мА | е3 | 1,8 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 2,5 В | 0,95 мм | 25АА040А | 6 | 1,8 В | 40 | 4Кб 512 х 8 | Энергонезависимый | 160 нс | 10 МГц | ЭСППЗУ | СПИ | 512X8 | 5 мс | 0,000001А | СПИ | 1000000 циклов записи/стирания | 5 мс | 200 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | |||||||||||||||||||||||||||
| CAT25256YI-GT3 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-cat25256vigt3-datasheets-9284.pdf | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 4,5 мм | 1,05 мм | 3,1 мм | 5В | Без свинца | 8 | 8 недель | 8 | СПИ, серийный | 256 КБ | АКТИВНО (последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | ХРАНЕНИЕ ДАННЫХ 100 ЛЕТ | Золото | Нет | 1 | 4мА | е4 | Без галогенов | 1,8 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 5В | 0,65 мм | КАТ25256 | 8 | 40 | 256Кб 32К х 8 | Энергонезависимый | 75 нс | 20 МГц | ЭСППЗУ | СПИ | 5 мс | 0,000001А | СПИ | 1000000 циклов записи/стирания | 5 мс | 100 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 24АА02Е48Т-И/ОТ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchiptechnology-24aa025e48tiot-datasheets-8771.pdf | СК-74А, СОТ-753 | 3,1 мм | 1,3 мм | 1,8 мм | 5В | Без свинца | 5 | 7 недель | Нет СВХК | 5 | I2C, последовательный | 2 КБ | да | EAR99 | Нет | 1 | 3мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | 1,7 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 2,5 В | 24АА02Е48 | 5 | 1,7 В | 40 | 2Кб 256 х 8 | Энергонезависимый | 900 нс | 400 кГц | ЭСППЗУ | I2C | 5 мс | 0,000001А | I2C | 1000000 циклов записи/стирания | 200 | 1010XXXR | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| MX25L4006EM1I-12G | Макроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | MX25xxx05/06 | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/macronix-mx25l4006em1i12g-datasheets-9448.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 1,75 мм | 3,9 мм | 3,6 В | Без свинца | 8 | 16 недель | 4 Мб | да | 3A991.B.1.A | MX25L4006EM1I-12G | 1 | е3 | Олово (Вс) | ДА | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 1,27 мм | 8 | 2,7 В | НЕ УКАЗАН | 3/3,3 В | 0,02 мА | Не квалифицированный | 85°С | Р-ПДСО-G8 | 4Мб 512К х 8 | Энергонезависимый | 2,7 В | 86 МГц | ВСПЫШКА | СПИ | 2MX2 | 2 | 50 мкс, 3 мс | СЕРИАЛ | 1 | 0,00001А | СПИ | 100000 циклов записи/стирания | 20 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.