Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактПамять(55331)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Режим работы | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Количество портов | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Идентификатор производителя производителя | Код HTS | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Напряжение | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Диапазон температуры окружающей среды: высокий | Код JESD-30 | Размер | Тип | Ширина шины данных | Выходные характеристики | Время доступа | Программирование напряжения | Тактовая частота | Ширина адресной | Формат памяти | Интерфейс памяти | Организация | Ширина памяти | Время цикла записи — Word, Page | Плотность памяти | Параллельный/последовательный | Альтернативная ширина памяти | Максимальный ток в режиме ожидания | Размер слова | Тип постоянной поездки | Выносливость | Максимальное время записи цикла (tWC) | Время хранения данных-мин | Защита от записей | Байт управления I2C | Синхронизация/Асинхронность | Опрос данных | Переключить бит | Командный пользовательский интерфейс | Количество секторов/размер | Размер сектора | Размер страницы | Тип ввода/вывода | Обратная распиновка | Напряжение в режиме ожидания-мин. |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IS25LP032D-JBLE-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~105°С ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 2,16 мм | Соответствует ROHS3 | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 5,28 мм | 5,28 мм | 8 | 8 недель | да | 1 | ДА | 2,3 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 3В | 1,27 мм | 3,6 В | 2,3 В | С-ПДСО-G8 | 32Мб 4М х 8 | Энергонезависимый | 3В | 133 МГц | ВСПЫШКА | SPI — ввод четырехвывода, QPI, DTR | 4MX8 | 8 | 800 мкс | 33554432 бит | СЕРИАЛ | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MX25L3206EZNI-12G | Макроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | MX25xxx05/06 | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 0,8 мм | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/macronix-mx25l3206em2i12g-datasheets-0368.pdf | 8-WDFN Открытая площадка | 6 мм | 5 мм | 3,6 В | Без свинца | 8 | 16 недель | СПИ, серийный | 32 Мб | да | 3A991.B.1.A | 8542.32.00.51 | 1 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3,3 В | 1,27 мм | 8 | 2,7 В | 40 | 3/3,3 В | 0,025 мА | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Н8 | 32Мб 4М х 8 | Энергонезависимый | 3,3 В | 86 МГц | ВСПЫШКА | СПИ | 16MX2 | 2 | 50 мкс, 3 мс | 1 | 0,00002А | СПИ | 100000 циклов записи/стирания | 20 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MX25R3235FM1IH0 | Макроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | MXSMIO™ | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 1,75 мм | Соответствует ROHS3 | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/macronix-mx25r3235fm2ih0-datasheets-0362.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | Без свинца | 8 | 10 недель | СПИ, серийный | да | ТАКЖЕ НАСТРАИВАЕТСЯ КАК 32MX1 | 1 | ДА | 1,65 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 1,27 мм | 3,6 В | 1,65 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-G8 | 32Мб 4М х 8 | Энергонезависимый | 1,8 В | 80 МГц | ВСПЫШКА | СПИ | 8MX4 | 4 | 100 мкс, 4 мс | 33554432 бит | 2 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SST39VF010-70-4I-WHE | Микрочиповая технология | $3,24 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ССТ39 МПФ™ | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchiptechnology-sst39vf010704iwhe-datasheets-0567.pdf | 32-ТФСОП (ширина 0,488, 12,40 мм) | 12,4 мм | 3,3 В | Без свинца | 32 | 7 недель | Нет СВХК | 32 | 1 Мб | да | 3A991.B.1.A | Нет | 1 | 20 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДА | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3В | 0,5 мм | SST39VF010 | 32 | 3,6 В | 2,7 В | 40 | 1Мб 128К х 8 | Энергонезависимый | 8б | 70нс | 2,7 В | 17б | ВСПЫШКА | Параллельно | 128КХ8 | 8 | 20 мкс | 0,000015А | 8б | Асинхронный | ДА | ДА | ДА | 32 | 4К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS25LP032D-JNLE-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~105°С ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 1,75 мм | Соответствует ROHS3 | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | 8 | 8 недель | да | 1 | ДА | 2,3 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3В | 1,27 мм | 3,6 В | 2,3 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-G8 | 32Мб 4М х 8 | Энергонезависимый | 3В | 133 МГц | ВСПЫШКА | SPI — ввод четырехвывода, QPI, DTR | 4MX8 | 8 | 800 мкс | 33554432 бит | СЕРИАЛ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q64JVSFIQ ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q64jvssiqtr-datasheets-9939.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 10 недель | 2,7 В~3,6 В | 64Мб 8М х 8 | Энергонезависимый | 133 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 3 мс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| S25FL064LABMFI010 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ФЛ-Л | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | Соответствует ROHS3 | 2007 год | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 5,28 мм | 2,16 мм | 5,28 мм | 8 | 13 недель | СПИ | ТАКЖЕ ИМЕЕТ ШИРИНУ ПАМЯТИ X1 | 8542.32.00.51 | 1 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3В | 1,27 мм | 3,6 В | 2,7 В | НЕ УКАЗАН | 85°С | С-ПДСО-G8 | 64Мб 8М х 8 | Энергонезависимый | 6 нс | 3В | 108 МГц | ВСПЫШКА | SPI — ввод четырехвывода, QPI | 16MX4 | 4 | 67108864 бит | СЕРИАЛ | 2 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 23К256Т-И/СТ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchiptechnology-23k256tist-datasheets-0593.pdf | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 4,4 мм | 3,3 В | Без свинца | 10 мА | 8 | 6 недель | 157,991892мг | 8 | СПИ, серийный | 256 КБ | да | 1 | EAR99 | Нет | 1 | 10 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3В | 0,65 мм | 23К256 | 8 | 3,6 В | 2,7 В | 40 | 256Кб 32К х 8 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 25 нс | 20 МГц | 1б | СРАМ | СПИ | 8 | 0,000004А | 8б | синхронный | ОТДЕЛЬНЫЙ | 2,7 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 23К256-И/СН | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchiptechnology-23k256tist-datasheets-0593.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 1,5 мм | 3,9 мм | 3,3 В | Без свинца | 8 | 6 недель | Нет СВХК | 8 | СПИ, серийный | 256 КБ | да | 1 | EAR99 | Нет | 1 | 10 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3В | 23К256 | 8 | 3,6 В | 2,7 В | 40 | 256Кб 32К х 8 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 25 нс | 20 МГц | 1б | СРАМ | СПИ | 0,000004А | 8б | синхронный | ОТДЕЛЬНЫЙ | 2,7 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AT45DB041E-SHN-T | Адесто Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К ТС | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/adestotechnologies-at45db041eshnt-datasheets-0221.pdf | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 5,29 мм | 2,16 мм | 1,8 В | 15 мА | 8 | 8 недель | 8 | 4 Мб | да | EAR99 | ТАКЖЕ РАБОТАЕТ МИН. 1,65 В ПРИ 70 МГЦ. | Золото | 8С2 | 1 | 15 мА | е4 | 1,65 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3В | 1,27 мм | 8 | 3,6 В | 2,3 В | НЕ УКАЗАН | Не квалифицированный | 4 МБ, 264 байт x 2048 страниц | Энергонезависимый | 8б | 7 нс | 2,7 В | 85 МГц | 19б | ВСПЫШКА | СПИ | 4MX1 | 1 | 8 мкс, 3 мс | СЕРИАЛ | 0,000001А | 8б | СПИ | 100000 циклов записи/стирания | 20 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | синхронный | 264Б | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АТ25512Н-Ш-Т | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 1,75 мм | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchiptechnology-at25512nsht-datasheets-0657.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | 3,3 В | Без свинца | 8 | 10 недель | Нет СВХК | 8 | СПИ, серийный | 512 КБ | да | Нет | 1 | 7мА | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 1,8 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 2,7 В | 1,27 мм | АТ25512 | 3,6 В | 40 | 2/5 В | 512Кб 64К х 8 | Энергонезависимый | 80 нс | 20 МГц | ЭСППЗУ | СПИ | 8 | 5 мс | 0,000003А | СПИ | 1000000 циклов записи/стирания | 5 мс | 40 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| M24512-DRMF3TG/К | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТА | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/stmicroelectronics-m24512drdw3tpk-datasheets-0050.pdf | 8-WFDFN Открытая площадка | 3 мм | 800 мкм | 2 мм | 8 | 14 недель | 8 | АКТИВНО (Последнее обновление: 7 месяцев назад) | EAR99 | 1 | ДА | 1,8 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 2,5 В | 0,5 мм | М24512 | 5,5 В | НЕ УКАЗАН | 125°С | 512Кб 64К х 8 | Энергонезависимый | ТОТЕМНЫЙ ПОЛЮС | 450 нс | 5В | 1 МГц | ЭСППЗУ | I2C | 8 | 4 мс | СЕРИАЛ | IC | 4 мс | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AT45DB081E-СШН-Т | Адесто Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К ТС | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 1,75 мм | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/adestotechnologies-at45db081esshnt-datasheets-0668.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4925 мм | Без свинца | 15 мА | 8 | 8 недель | 540,001716мг | 8 | СПИ, серийный | 8 Мб | Золото | 1 | е4 | 1,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3В | 1,27 мм | 3,6 В | 1,7 В | НЕ УКАЗАН | Не квалифицированный | 8 МБ, 264 байт x 4096 страниц | Энергонезависимый | 8б | 6 нс | 2,7 В | 85 МГц | ВСПЫШКА | СПИ | 1 | 8 мкс, 4 мс | 0,000001А | СПИ | 100000 циклов записи/стирания | 20 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AT45DB021E-СШН-Т | Адесто Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К ТС | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 1,75 мм | Соответствует ROHS3 | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/adestotechnologies-at45db021esshnt-datasheets-0109.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4925 мм | Без свинца | 8 | 14 недель | 8 | СПИ, серийный | 2 Мб | Золото | 1 | 16 мА | е4 | 1,65 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 1,8 В | 1,27 мм | 8 | 3,6 В | 1,65 В | НЕ УКАЗАН | Не квалифицированный | 2 МБ 264 байт x 1024 страницы | Энергонезависимый | 8б | 8 нс | 2,7 В | 70 МГц | 22б | ВСПЫШКА | СПИ | 2MX1 | 1 | 8 мкс, 3 мс | СПИ | 100000 циклов записи/стирания | 20 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | синхронный | 256Б | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MX25L1606EZNI-12G | Макроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | MX25xxx05/06 | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 0,8 мм | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/macronix-mx25l1606ezni12g-datasheets-9664.pdf | 8-WDFN Открытая площадка | 6 мм | 5 мм | 3,6 В | Без свинца | 8 | 16 недель | СПИ, серийный | 16 Мб | EAR99 | 8542.32.00.51 | 1 | е3 | Олово (Вс) | ДА | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3В | 1,27 мм | 8 | 2,7 В | НЕ УКАЗАН | 3/3,3 В | 0,025 мА | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Н8 | 16Мб 2М х 8 | Энергонезависимый | 2,7 В | 86 МГц | ВСПЫШКА | СПИ | 8MX2 | 2 | 50 мкс, 3 мс | 1 | 0,00002А | СПИ | 100000 циклов записи/стирания | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 24LC256-И/МС | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchiptechnology-24lc256tisn-datasheets-9944.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3 мм | 950 мкм | 3 мм | Без свинца | 8 | 7 недель | Нет СВХК | 8 | 2-проводной, I2C, последовательный | 256 КБ | да | EAR99 | Нет | 1 | 3мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | 2,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 0,65 мм | 24LC256 | 8 | 5,5 В | 2,5 В | 40 | 3/5 В | 256Кб 32К х 8 | Энергонезависимый | 900 нс | 400 кГц | ЭСППЗУ | I2C | 5 мс | 0,000005А | I2C | 1000000 циклов записи/стирания | 5 мс | 200 | АППАРАТНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | 1010DDDR | НЕТ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 24LC256-И/СН | Микрочиповая технология | 0,45 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchiptechnology-24lc256tisn-datasheets-9944.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 1,5 мм | 3,9 мм | 2,5 В | Без свинца | 8 | 6 недель | Нет СВХК | 8 | 2-проводной, I2C, последовательный | 256 КБ | да | EAR99 | Нет | 1 | 3мА | е3 | Матовый олово (Sn) | 5В | 2,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 1,27 мм | 24LC256 | 8 | 40 | 256Кб 32К х 8 | Энергонезависимый | 900 нс | 400 кГц | ЭСППЗУ | I2C | 5 мс | 0,000005А | I2C | 1000000 циклов записи/стирания | 5 мс | 200 | АППАРАТНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | 1010DDDR | НЕТ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q32JVZPIQ | Винбонд Электроникс | 0,25 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 0,8 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q32jvssiqtr-datasheets-9691.pdf | 8-WDFN Открытая площадка | 6 мм | 5 мм | 8 | 10 недель | да | EAR99 | НОМИНАЛЬНОЕ НАПРЯЖЕНИЕ 2,7 В ДОСТУПНО С 104 МГЦ | 8542.32.00.51 | 1 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 1,27 мм | 3,6 В | 3В | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-Н8 | 32Мб 4М х 8 | Энергонезависимый | 3В | 133 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 4MX8 | 8 | 3 мс | 33554432 бит | СЕРИАЛ | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AT24C512C-XHM-T | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchiptechnology-at24c512csshmt-datasheets-0076.pdf | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 4,4 мм | 3 мм | Без свинца | 8 | 13 недель | 8 | 2-проводной, I2C, последовательный | 512 КБ | да | Олово | Нет | 1 | 3мА | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 1,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 2,5 В | 0,65 мм | AT24C512C | 3,6 В | 1,7 В | 40 | 512Кб 64К х 8 | Энергонезависимый | 900 нс | 400 кГц | ЭСППЗУ | I2C | 8 | 5 мс | 0,000001А | I2C | 1000000 циклов записи/стирания | 5 мс | 40 | АППАРАТНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | 1010DDDR | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AT25256B-XHL-T | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchiptechnology-at25256bsshlt-datasheets-0179.pdf | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 4,4 мм | 3 мм | Без свинца | 8 | 15 недель | 8 | СПИ, серийный | 256 КБ | Нет | 1 | 10 мА | 1,8 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 2,5 В | 0,65 мм | АТ25256 | 5,5 В | 256Кб 32К х 8 | Энергонезависимый | 80 нс | 20 МГц | ЭСППЗУ | СПИ | 8 | 5 мс | СПИ | 5 мс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AT45DB041E-СШН-Т | Адесто Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К ТС | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 1,75 мм | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/adestotechnologies-at45db041eshnt-datasheets-0221.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4925 мм | 1,8 В | Без свинца | 15 мА | 8 | 8 недель | 8 | СПИ, серийный | 4 Мб | да | 3A991.B.1.A | ТАКЖЕ РАБОТАЕТ НА ЧАСТОТЕ 70 МГЦ ПРИ НАПРЯЖЕНИИ ПИТАНИЯ ОТ 1,65 ДО 3,6 В. | Золото | 1 | 15 мА | е4 | 1,65 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3В | 1,27 мм | 8 | 3,6 В | 2,3 В | НЕ УКАЗАН | Не квалифицированный | 4 МБ, 264 байт x 2048 страниц | Энергонезависимый | 8б | 7 нс | 2,7 В | 85 МГц | 19б | ВСПЫШКА | СПИ | 4MX1 | 1 | 8 мкс, 3 мс | 0,000001А | 8б | СПИ | 100000 циклов записи/стирания | 20 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | синхронный | 264Б | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AT45DB041E-SSHN2B-T | Адесто Технологии | 1,77 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К ТС | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/adestotechnologies-at45db041eshnt-datasheets-0221.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5,05 мм | 1,5 мм | 3,99 мм | 1,8 В | 15 мА | 8 | 8 недель | 8 | СПИ, серийный | 4 Мб | да | EAR99 | ТАКЖЕ РАБОТАЕТ МИН. 1,65 В ПРИ 70 МГЦ. | Золото | 1 | 15 мА | е4 | 1,65 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3В | 1,27 мм | 8 | 3,6 В | 2,3 В | НЕ УКАЗАН | Не квалифицированный | 4 МБ, 256 байт x 2048 страниц | Энергонезависимый | 8б | 7 нс | 2,7 В | 85 МГц | 19б | ВСПЫШКА | СПИ | 4MX1 | 8 мкс, 3 мс | 0,000001А | 8б | СПИ | 100000 циклов записи/стирания | 20 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | синхронный | 256Б | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AT24C512C-MAHM-E | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 0,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchiptechnology-at24c512csshmt-datasheets-0076.pdf | 8-УФДФН Открытая площадка | 3 мм | 2 мм | 8 | 8 недель | EAR99 | 8542.32.00.51 | 1 | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | ДА | 1,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3В | 0,5 мм | AT24C512C | 3,6 В | 1,7 В | 40 | Р-ПДСО-Н8 | 512Кб 64К х 8 | Энергонезависимый | 900 нс | 400 кГц | ЭСППЗУ | I2C | 64КХ8 | 8 | 5 мс | 524288 бит | СЕРИАЛ | I2C | 5 мс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MX25L1606EZUI-12G | Макроникс | 0,91 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | MX25xxx05/06 | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 0,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/macronix-mx25l1606ezui12g-datasheets-9649.pdf | 8-УДФН Открытая площадка | 4 мм | 4 мм | 3,6 В | Без свинца | 8 | 16 недель | СПИ, серийный | 16 Мб | EAR99 | 8542.32.00.51 | 1 | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДА | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3В | 0,8 мм | 8 | 2,7 В | НЕ УКАЗАН | 3/3,3 В | 0,025 мА | Не квалифицированный | С-ПДСО-Н8 | 16Мб 2М х 8 | Энергонезависимый | 2,7 В | 86 МГц | ВСПЫШКА | СПИ | 8MX2 | 2 | 50 мкс, 3 мс | 1 | 0,00002А | СПИ | 100000 циклов записи/стирания | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MX25R3235FM2IH0 | Макроникс | 1,54 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | MXSMIO™ | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 2,16 мм | Соответствует ROHS3 | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/macronix-mx25r3235fm2ih0-datasheets-0362.pdf | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 5,28 мм | 5,23 мм | Без свинца | 8 | 10 недель | СПИ, серийный | да | ТАКЖЕ НАСТРАИВАЕТСЯ КАК 32MX1 | 1 | ДА | 1,65 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 1,27 мм | 3,6 В | 1,65 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-G8 | 32Мб 4М х 8 | Энергонезависимый | 1,8 В | 80 МГц | ВСПЫШКА | СПИ | 8MX4 | 4 | 100 мкс, 4 мс | 33554432 бит | 2 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| M24512-DRDW3TP/К | СТМикроэлектроника | $2,21 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТА | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | КМОП | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/stmicroelectronics-m24512drdw3tpk-datasheets-0050.pdf | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 4,4 мм | 3 мм | 8 | 14 недель | 8 | 2-проводной, I2C, последовательный | 512 КБ | АКТИВНО (Последнее обновление: 7 месяцев назад) | EAR99 | Нет | 1 | 2мА | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 1,8 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 2,5 В | 0,65 мм | М24512 | 5,5 В | 2/5 В | 512Кб 64К х 8 | Энергонезависимый | 450 нс | 5В | 1 МГц | ЭСППЗУ | I2C | 8 | 4 мс | 0,00001А | I2C | 4000000 циклов записи/стирания | 4 мс | 40 | АППАРАТНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | 1010DDDR | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MX25L3206EM2I-12G | Макроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | MX25xxx05/06 | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 2,16 мм | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/macronix-mx25l3206em2i12g-datasheets-0368.pdf | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 5,28 мм | 5,23 мм | 3,6 В | Без свинца | 8 | 16 недель | СПИ, серийный | 32 Мб | да | 3A991.B.1.A | 8542.32.00.51 | 1 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3,3 В | 1,27 мм | 8 | 2,7 В | 40 | 3/3,3 В | 0,025 мА | Не квалифицированный | Р-ПДСО-G8 | 32Мб 4М х 8 | Энергонезависимый | ТОТЕМНЫЙ ПОЛЮС | 3,3 В | 86 МГц | ВСПЫШКА | СПИ | 16MX2 | 2 | 50 мкс, 3 мс | 1 | 0,00004А | 3-ПРОВОДНОЙ | 100000 циклов записи/стирания | 20 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q64JVSSIM ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 2,16 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q64jvssiqtr-datasheets-9939.pdf | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 5,28 мм | 5,28 мм | 8 | 10 недель | 1 | ДА | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 3В | 1,27 мм | 3,6 В | 2,7 В | С-ПДСО-G8 | 64Мб 8М х 8 | Энергонезависимый | 3В | 133 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 8MX8 | 8 | 3 мс | 67108864 бит | СЕРИАЛ | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AT25256B-SSHL-T | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchiptechnology-at25256bsshlt-datasheets-0179.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4925 мм | 1,75 мм | 3,9 мм | Без свинца | 8 | 15 недель | Нет СВХК | 8 | 256 КБ | да | Олово | Нет | 1 | 10 мА | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 1,8 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 5В | 1,27 мм | АТ25256 | 5,5 В | 4,5 В | 40 | 2/5 В | 256Кб 32К х 8 | Энергонезависимый | 80 нс | 20 МГц | ЭСППЗУ | СПИ | 8 | 5 мс | СЕРИАЛ | 0,000003А | СПИ | 1000000 циклов записи/стирания | 5 мс | 100 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AT24C512C-СШМ-Т | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchiptechnology-at24c512csshmt-datasheets-0076.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4925 мм | 1,75 мм | 3,9 мм | Без свинца | 8 | 7 недель | 8 | 2-проводной, I2C | 512 КБ | да | Олово | Нет | 1 | 3мА | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 1,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 2,5 В | 1,27 мм | AT24C512C | 3,6 В | 1,7 В | 40 | 512Кб 64К х 8 | Энергонезависимый | 900 нс | 400 кГц | ЭСППЗУ | I2C | 8 | 5 мс | СЕРИАЛ | 0,000001А | I2C | 1000000 циклов записи/стирания | 5 мс | 40 | АППАРАТНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | 1010DDDR |
