Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактПамять(55331)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Рабочий ток питания | Режим работы | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Количество портов | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Макс. частота | Код HTS | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Напряжение | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Подкатегория | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Диапазон температуры окружающей среды: высокий | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Размер | Тип | Ширина шины данных | Время доступа | Программирование напряжения | Тактовая частота | Ширина адресной | Формат памяти | Интерфейс памяти | Организация | Ширина памяти | Время цикла записи — Word, Page | Плотность памяти | Параллельный/последовательный | Альтернативная ширина памяти | Максимальный ток в режиме ожидания | Размер слова | Тип постоянной поездки | Выносливость | Максимальное время записи цикла (tWC) | Время хранения данных-мин | Защита от записей | Байт управления I2C | Время доступа (макс.) | Синхронизация/Асинхронность | Опрос данных | Переключить бит | Командный пользовательский интерфейс | Количество секторов/размер | Размер сектора | Готов/Занят | Загрузочный блок | Общий интерфейс Flash | Размер страницы | Обратная распиновка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| АТ28ЛВ010-20ТУ-Т | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К ТС | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | КМОП | АСИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchiptechnology-at28lv01020tut-datasheets-8371.pdf | 32-ТФСОП (0,724, ширина 18,40 мм) | 18,4 мм | 8 мм | 3,3 В | 32 | 11 недель | 1 Мб | 1 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,5 мм | 3,465 В | 3,135 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-Г32 | 1Мб 128К х 8 | Энергонезависимый | 200 нс | 3В | ЭСППЗУ | Параллельно | 128КХ8 | 8 | 10 мс | 10 мс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FM24CL64B-G | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | F-RAM™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/cypresssemiconductorcorp-fm24cl64bg-datasheets-8587.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 1727 мм | 3,9 мм | 3,3 В | Без свинца | 8 | 6 недель | 540,001716мг | 8 | 2-проводной, I2C | 64 КБ | EAR99 | Олово | Нет | 1 | 300 мкА | е3 | 2,7 В~3,65 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3,3 В | 1,27 мм | FM24CL64 | 3,65 В | 2,7 В | 30 | СРАМ | 85°С | 64Кб 8К х 8 | Энергонезависимый | 8б | 550 нс | 1 МГц | ФРАМ | I2C | 0,000006А | 8б | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 71В424С12ПХГИ | Ренесас Электроникс Америка Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamericainc-71v424s12phgi-datasheets-8396.pdf | 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 13 недель | 3В~3,6В | ИДТ71В424 | 44-ЦОП II | 4Мб 512К х 8 | Неустойчивый | 12нс | СРАМ | Параллельно | 12нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 24AA01T-I/OT | Микрочиповая технология | 1,78 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchiptechnology-24aa01tiot-datasheets-8611.pdf | СК-74А, СОТ-753 | 3,1 мм | 1,3 мм | 1,8 мм | Без свинца | 5 | 22 недели | Нет СВХК | 5 | 2-проводной, I2C, последовательный | 1 КБ | да | EAR99 | Олово | Нет | 1 | 3мА | е3 | 1,7 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 24АА01 | 5 | 1,7 В | 40 | 1Кб 128х8 | Энергонезависимый | 3500 нс | 400 кГц | ЭСППЗУ | I2C | 128X8 | 5 мс | 0,000001А | I2C | 1000000 циклов записи/стирания | 200 | АППАРАТНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | 1010XXXR | НЕТ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MR4A08BCYS35 | Эверспин Технологии Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | MRAM (магниторезистивное ОЗУ) | 100 мА | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everspintechnologiesinc-mr4a08bcys35-datasheets-8400.pdf | 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 18,41 мм | 3,3 В | Без свинца | 44 | 8 недель | 44 | 16 Мб | да | EAR99 | Нет | 8542.32.00.71 | 1 | 180 мА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 3,3 В | 0,8 мм | 44 | 3,6 В | 3В | 16Мб 2М х 8 | Энергонезависимый | 8б | БАРАН | Параллельно | 2MX8 | 8 | 35 нс | 0,014А | 8б | 35 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CAT24C16YI-GT3 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-cat24c16yigt3-datasheets-8320.pdf | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 4,4 мм | 3 мм | 5В | Без свинца | 8 | 7 недель | Нет СВХК | 8 | 2-проводной, I2C, последовательный | 16 КБ | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | Золото | Нет | 1 | 2мА | е4 | Без галогенов | 1,7 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 5В | 0,65 мм | КАТ24C16 | 8 | 1,7 В | 30 | 16Кб 2К х 8 | Энергонезависимый | 900 нс | 400 кГц | ЭСППЗУ | I2C | 16КХ1 | 1 | 5 мс | I2C | 5 мс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| S25FL064P0XBHI020 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ФЛ-П | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/cypresssemiconductorcorp-s25fl064p0xbhi020-datasheets-8418.pdf | 24-ГАТБ | 8 мм | 24 | 11 недель | Нет СВХК | 24 | СПИ, серийный | 64 Мб | 3A991.B.1.A | Нет | 8542.32.00.51 | 1 | 26 мА | 2,7 В~3,6 В | НИЖНИЙ | 3В | 1,2 мм | 3,6 В | 2,7 В | 3/3,3 В | 64Мб 8М х 8 | Энергонезависимый | 8б | 8 нс | 3В | 104 МГц | 1б | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 64MX1 | 1 | 5 мкс, 3 мс | 0,00001А | 1б | СПИ | 100000 циклов записи/стирания | 20 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | синхронный | 256Б | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MR2A08ACMA35 | Эверспин Технологии Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | MRAM (магниторезистивное ОЗУ) | 50 мА | 1,35 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everspintechnologiesinc-mr2a08acma35-datasheets-8425.pdf | 48-ЛФБГА | 8 мм | 3,3 В | Без свинца | 48 | 16 недель | 48 | 4 Мб | EAR99 | Нет | 8542.32.00.71 | 1 | 135 мА | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | 3,3 В | 0,75 мм | 48 | 3,6 В | 3В | 4Мб 512К х 8 | Энергонезависимый | 8б | БАРАН | Параллельно | 256КХ8 | 8 | 35 нс | 0,02 А | 8б | 35 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CY7C2644KV18-300BZXI | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — синхронный, QDR II+ | 1,4 мм | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/cypresssemiconductorcorp-cy7c2644kv18300bzxi-datasheets-8439.pdf | 165-ЛБГА | 17 мм | 15 мм | 165 | 13 недель | 165 | 3A991.B.2.A | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | 8542.32.00.41 | 1 | ДА | 1,7 В~1,9 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 1 мм | CY7C2644 | 1,9 В | 1,7 В | 144Мб 4М х 36 | Неустойчивый | 300 МГц | СРАМ | Параллельно | 4MX36 | 36 | 150994944 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АТ28К010-12ТУ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 5 МГц | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchiptechnology-at28c01012tu-datasheets-8461.pdf | 32-ТФСОП (0,724, ширина 18,40 мм) | 18,4 мм | 8 мм | 5В | Без свинца | 32 | 10 недель | 32 | Параллельный, СПИ | 1 Мб | да | Нет | 1 | 40 мА | е3 | Матовый олово (Sn) | 4,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 5В | 0,5 мм | AT28C010 | 5В | 1Мб 128К х 8 | Энергонезависимый | 120 нс | 5В | ЭСППЗУ | Параллельно | 128КХ8 | 8 | 10 мс | 0,0002А | 10000 циклов записи/стирания | 10 мс | ДА | ДА | 128 слов | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FM28V100-ТГТР | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | F-RAM™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/cypresssemiconductorcorp-fm28v100tgtr-datasheets-8468.pdf | 32-ТФСОП (ширина 0,465, 11,80 мм) | 11,8 мм | 3,3 В | Без свинца | 32 | 6 недель | 32 | 1 Мб | EAR99 | 1 | 12 мА | е3 | ЧИСТОЕ ОЛОВО | 2В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3В | 0,5 мм | FM28V100 | 32 | 3,6 В | 2,7 В | 40 | СРАМ | Не квалифицированный | 1Мб 128К х 8 | Энергонезависимый | 8б | ФРАМ | Параллельно | 128КХ8 | 8 | 90 нс | 0,00015А | 8б | 105 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CAT24C64WI-GT3 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-cat24c64wigt3-datasheets-8327.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9784 мм | 1,75 мм | 3,9878 мм | 5В | Без свинца | 8 | 5 недель | Нет СВХК | 8 | 64 КБ | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | ХРАНЕНИЕ ДАННЫХ 100 ЛЕТ | Золото | Нет | 1 | 2мА | е4 | Без галогенов | 1,7 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 5В | 1,27 мм | КАТ24C64 | 8 | 1,7 В | 40 | 64Кб 8К х 8 | Энергонезависимый | 400 нс | 1 МГц | ЭСППЗУ | I2C | 5 мс | СЕРИАЛ | 0,000003А | I2C | 1000000 циклов записи/стирания | 5 мс | 100 | АППАРАТНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | 1010DDDR | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| S25FL127SABNFI101 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ФЛ-С | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | ВСПЫШКА – НО | 108 МГц | Соответствует ROHS3 | 2014 год | 8-WDFN Открытая площадка | 13 недель | Нет СВХК | 3,6 В | 2,7 В | 8 | СПИ, серийный | 128 Мб | Нет | 108 МГц | 2,7 В~3,6 В | 8-ВСОН (6х5) | 128Мб 16М х 8 | Энергонезависимый | 8б | 108 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| S25FL256SAGBHV200 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ФЛ-С | Поверхностный монтаж | -40°С~105°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/cypresssemiconductorcorp-s25fl256sagmfir01-datasheets-8055.pdf | 24-ГАТБ | 8 мм | 24 | 13 недель | 24 | СПИ, серийный | 256 Мб | ТАКЖЕ НАСТРИВАЕТСЯ КАК 128M X 1 | Нет | 8542.32.00.51 | 1 | ДА | 2,7 В~3,6 В | НИЖНИЙ | 3В | 1 мм | 3,6 В | 2,7 В | 3/3,3 В | 0,1 мА | 256Мб 32М х 8 | Энергонезависимый | 3В | 133 МГц | 1б | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 64MX4 | 4 | 2 | 0,0003А | СПИ | 100000 циклов записи/стирания | 500 мс | 20 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| S29GL032N90TFI040 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ГЛ-Н | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | 2008 год | 48-ТФСОП (0,724, ширина 18,40 мм) | 18,5 мм | 1,05 мм | 12,1 мм | Без свинца | 48 | 14 недель | Нет СВХК | 48 | 32 Мб | Олово | Нет | 8542.32.00.51 | 1 | 50 мА | е3 | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3В | 0,5 мм | 3,6 В | 2,7 В | 40 | 3/3,3 В | 32Мб 4М х 8 2М х 16 | Энергонезависимый | 16б | 3В | ВСПЫШКА | Параллельно | 2MX16 | 90 нс | 0,000005А | 90 нс | Асинхронный | ДА | ДА | ДА | 863 | 8К64К | ДА | НИЖНИЙ | ДА | 8/16 слов | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МР4А16БМА35 | Эверспин Технологии Инк. | $41,44 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | MRAM (магниторезистивное ОЗУ) | 110 мА | АСИНХРОННЫЙ | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everspintechnologiesinc-mr4a16bma35-datasheets-8258.pdf | 48-ЛФБГА | 10 мм | 1,35 мм | 3,3 В | Без свинца | 48 | 8 недель | 48 | 16 Мб | EAR99 | 8542.32.00.71 | 1 | 180 мА | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,75 мм | 48 | 3,6 В | 3В | НЕ УКАЗАН | Не квалифицированный | 70°С | 16Мб 1М х 16 | Энергонезависимый | 16б | БАРАН | Параллельно | 1MX16 | 16 | 35 нс | 0,014А | 16б | 35 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| S25FL256SAGMFI000 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ФЛ-С | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | 2,65 мм | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/cypresssemiconductorcorp-s25fl256sagmfir01-datasheets-8055.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 10,3 мм | 16 | 13 недель | Нет СВХК | 16 | СПИ, серийный | 256 Мб | 3A991.B.1.A | ТАКЖЕ КОНФИГУРИРУЕТСЯ КАК 256M X 1. | Олово | Нет | 8542.32.00.51 | 1 | 75 мА | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 3В | 1,27 мм | 3,6 В | 2,7 В | 3/3,3 В | 256Мб 32М х 8 | Энергонезависимый | 8б | 8 нс | 3В | 133 МГц | 1б | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 64MX4 | 4 | 2 | 0,0001А | 1б | СПИ | 100000 циклов записи/стирания | 500 мс | 20 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | синхронный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MR2A16ACMA35 | Эверспин Технологии Инк. | $28,32 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | MRAM (магниторезистивное ОЗУ) | 105 мА | 1,35 мм | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everspintechnologiesinc-mr2a16acma35-datasheets-8264.pdf | 48-ЛФБГА | 8 мм | 3,3 В | Без свинца | 48 | 10 недель | 48 | 4 Мб | EAR99 | Нет | 8542.32.00.71 | 1 | 165 мА | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | 3,3 В | 0,75 мм | 48 | 3,6 В | 3В | 4Мб 256К х 16 | Энергонезависимый | 16б | БАРАН | Параллельно | 256КХ16 | 16 | 35 нс | 0,028А | 16б | 35 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| S29AL008J70TFI010 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Эл-Джей | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/cypresssemiconductorcorp-s29al008j70bfi020-datasheets-8036.pdf | 48-ТФСОП (0,724, ширина 18,40 мм) | 18,5 мм | 1,05 мм | 12,1 мм | Без свинца | 48 | 8 недель | Нет СВХК | 48 | 8 Мб | EAR99 | ВЕРХНИЙ ЗАГРУЗОЧНЫЙ БЛОК | Олово | Нет | 8542.32.00.51 | 1 | 12 мА | е3 | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3В | 0,5 мм | 3,6 В | 2,7 В | 40 | 3,3 В | 8Мб 1М х 8 512К х 16 | Энергонезависимый | 8б | 3В | ВСПЫШКА | Параллельно | 512КХ16 | 70нс | 0,000005А | 70 нс | Асинхронный | ДА | ДА | ДА | 12115 | 16К8К32К64К | ДА | ВЕРШИНА | ДА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| S25FL064LABNFI043 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ФЛ-Л | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 0,6 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/cypresssemiconductor-s25fl064labnfi043-datasheets-9301.pdf | 8-УДФН Открытая площадка | 4 мм | 4 мм | 8 | 13 недель | да | ТАКЖЕ НАСТРИВАЕТСЯ КАК 64M X 1. | 8542.32.00.51 | 1 | ДА | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3В | 0,8 мм | 3,6 В | 2,7 В | НЕ УКАЗАН | С-ПДСО-Н8 | 64Мб 8М х 8 | Энергонезависимый | 3В | 108 МГц | ВСПЫШКА | SPI — ввод четырехвывода, QPI | 16MX4 | 4 | 67108864 бит | СЕРИАЛ | 2 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| S25FL064LABMFV013 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ФЛ-Л | Поверхностный монтаж | -40°С~105°С ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 2,16 мм | Соответствует ROHS3 | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 5,28 мм | 5,28 мм | 8 | 13 недель | ТАКЖЕ ИМЕЕТ ШИРИНУ ПАМЯТИ X1 | 8542.32.00.51 | 1 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3В | 1,27 мм | 3,6 В | 2,7 В | НЕ УКАЗАН | С-ПДСО-G8 | 64Мб 8М х 8 | Энергонезависимый | 3В | 108 МГц | ВСПЫШКА | SPI — ввод четырехвывода, QPI | 16MX4 | 4 | 67108864 бит | СЕРИАЛ | 2 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| S29JL032J70TFI420 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | JL-J | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/cypresssemiconductorcorp-s29jl032j70tfi420-datasheets-8124.pdf | 48-ТФСОП (0,724, ширина 18,40 мм) | 18,4 мм | Без свинца | 48 | 8 недель | Нет СВХК | 48 | Параллельный, последовательный | 32 Мб | 3A991.B.1.A | НИЖНИЙ БЛОК ЗАГРУЗКИ | Олово | Нет | 8542.32.00.51 | 1 | 16 мА | е3 | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 3В | 0,5 мм | 3,6 В | 2,7 В | 3/3,3 В | 32Мб 4М х 8 2М х 16 | Энергонезависимый | 8б | 3В | ВСПЫШКА | Параллельно | 2MX16 | 16 | 70нс | 8 | 0,000005А | 70 нс | Асинхронный | ДА | ДА | 863 | 8К64К | ДА | НИЖНИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| S29GL032N90TFI020 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ГЛ-Н | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2008 год | 56-ТФСОП (0,724, ширина 18,40 мм) | 18,4 мм | Без свинца | 56 | 8 недель | Нет СВХК | 56 | 32 Мб | 3A991.B.1.A | Олово | Нет | 8542.32.00.51 | 1 | 50 мА | е3 | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3В | 0,5 мм | 3,6 В | 2,7 В | 40 | 3/3,3 В | 32Мб 4М х 8 2М х 16 | Энергонезависимый | 16б | 3В | ВСПЫШКА | Параллельно | 2MX16 | 16 | 90 нс | 8 | 0,000005А | 90 нс | Асинхронный | ДА | ДА | ДА | 64 | 64К | ДА | НИЗ/ВЕРХ | ДА | 8/16 слов | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| S29AL016J70TFI020 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Эл-Джей | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/cypresssemiconductorcorp-s29al016j70tfi010-datasheets-7996.pdf | 48-ТФСОП (0,724, ширина 18,40 мм) | 18,5 мм | 1,2 мм | 12,1 мм | Без свинца | 48 | 12 недель | Нет СВХК | 48 | 16 Мб | НИЖНИЙ БЛОК ЗАГРУЗКИ | Олово | Нет | 8542.32.00.51 | 1 | 12 мА | е3 | 3В | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3В | 0,5 мм | 40 | 85°С | 16Мб 2М х 8 1М х 16 | Энергонезависимый | 8б | ВСПЫШКА | Параллельно | 1MX16 | 70нс | 0,000005А | 70 нс | Асинхронный | ДА | ДА | ДА | 12131 | 16К8К32К64К | ДА | НИЖНИЙ | ДА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DS2430A+ | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°С~85°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | МОС | АСИНХРОННЫЙ | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/maximintegrated-ds2430a-datasheets-8158.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | Без свинца | 3 | 6 недель | 3 | да | EAR99 | СОВМЕСТИМОСТЬ С МИКРОЛАНОМ | 1 | е3 | Олово (Вс) | НЕТ | НИЖНИЙ | 260 | 5В | 1,27 мм | DS2430A | 3 | 6В | 2,8 В | 30 | Не квалифицированный | 256б 32 х 8 | Энергонезависимый | 15 мкс | ЭСППЗУ | 1-Wire® | 256X1 | 1 | 256 бит | СЕРИАЛ | 100000 циклов записи/стирания | 10 мс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| S25FL512SDPMFIG11 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ФЛ-С | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 2,65 мм | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/cypresssemiconductorcorp-s25fl512sdpmfig11-datasheets-8168.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 10,3 мм | 3В | 16 | 13 недель | 16 | СПИ, серийный | 512 Мб | ТАКЖЕ ЕСТЬ ШИРИНА ПАМЯТИ X1 | Олово | 8542.32.00.51 | 1 | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3В | 1,27 мм | 3,6 В | 2,7 В | НЕ УКАЗАН | 0,075 мА | Не квалифицированный | 512Мб 64М х 8 | Энергонезависимый | 8 нс | 3В | 66 МГц | 32б | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 64MX8 | 8 | 1 | 0,0003А | СПИ | 100000 циклов записи/стирания | 20 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | 512Б | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MX25L51245GXDI-10G | Макроникс | $3,99 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | MXSMIO™ | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/macronix-mx25l51245gxdi10g-datasheets-8184.pdf | 24-ТБГА, ЦСПБГА | 8 мм | 6 мм | 24 | 24 | СПИ, серийный | МОЖЕТ БЫТЬ ОРГАНИЗОВАННО КАК 512 МБИТ X 1 | 1 | ДА | 2,7 В~3,6 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3В | 1 мм | 24 | 3,6 В | 2,7 В | НЕ УКАЗАН | 512Мб 64М х 8 | Энергонезависимый | 2,7 В | 166 МГц | ВСПЫШКА | СПИ | 128MX4 | 4 | 60 мкс, 750 мкс | 536870912 бит | 2 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| S29GL128P90TFIR20 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ГЛ-П | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2012 год | 56-ТФСОП (0,724, ширина 18,40 мм) | 18,4 мм | Без свинца | 56 | 12 недель | Нет СВХК | 56 | 128 Мб | Олово | Нет | 8542.32.00.51 | 1 | 110 мА | е3 | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3,3 В | 0,5 мм | 3,6 В | 3В | 40 | 3,3 В | 128Мб 16М х 8 | Энергонезависимый | 8б | 3В | ВСПЫШКА | Параллельно | 128MX1 | 1 | 90 нс | 8 | 0,000005А | 90 нс | Асинхронный | ДА | ДА | ДА | 128 | 128 тыс. | ДА | ДА | 8/16 слов | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| S70FL01GSAGMFI013 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ФЛ-С | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/cypresssemiconductor-s70fl01gsagmfi013-datasheets-9286.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 10,3 мм | 2,65 мм | 3В | 16 | 13 недель | 16 | СПИ | 1 ГБ | Олово | Нет | 8542.32.00.51 | 1 | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 3В | 1,27 мм | 3,6 В | 2,7 В | 0,1 мА | 1Гб 128М х 8 | Энергонезависимый | 8 нс | 3В | 133 МГц | 32б | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 1GX1 | 1 | СЕРИАЛ | 0,0002А | СПИ | 1000000 циклов записи/стирания | 100 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | 512Б | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS7C34098A-10ТИН | Альянс Память, Инк. | $5,64 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as7c34098a10tin-datasheets-8225.pdf | 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 3,3 В | Без свинца | 10 недель | 3,6 В | 3В | 44 | Параллельно | 4 Мб | 1 | Нет | 3В~3,6В | 44-ЦОП2 | 4Мб 256К х 16 | Неустойчивый | 10 нс | 18б | СРАМ | Параллельно | 10 нс |
