Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактЦентральная полупроводниковая корпорация (8720)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Код Pbfree | ECCN-код | Достичь кода соответствия | Код HTS | Толерантность | Код JESD-609 | Терминал отделки | Полярность | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Рабочая температура (макс.) | Рабочая температура (мин) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Среднеквадратичный ток (Irms) | Максимальный ток во включенном состоянии | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Напряжение стока к источнику (Vdss) | Технология полевых транзисторов | Ток утечки (макс.) | Мощность - Макс. | Материал диодного элемента | Рассеиваемая мощность-Макс. | Удерживать ток | Код JEDEC-95 | Опорное напряжение | Напряжение Тол-Макс | Рабочий тестовый ток | Тип диода | Динамический импеданс-макс. | Неповторяющийся ПК в состоянии Cur | Удержание максимального тока | Повторяющееся пиковое обратное напряжение | Тип триггерного устройства | Напряжение – выключенное состояние | Макс. ток триггера затвора постоянного тока | Повторяющееся пиковое напряжение в выключенном состоянии | Текущее состояние включения (It (RMS)) (Макс.) | Ток — удержание (Ih) (Макс.) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Импеданс-Макс. | Напряжение — триггер затвора (Vgt) (макс.) | Ток - нереп. Скачок 50, 60 Гц (Itsm) | Ток — триггер ворот (Igt) (макс.) | Тип СКР | Напряжение во включенном состоянии (Втм) (макс.) | Текущее состояние – выключено (макс.) | Критическая скорость нарастания напряжения в выключенном состоянии-мин. | Максимальный среднеквадратичный ток во включенном состоянии | Макс. напряжение триггера затвора постоянного тока | Тип триака | Критическая скорость нарастания коммутационного напряжения-мин. | Тип полевого транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Напряжение — отсечка (VGS выключена) @ Id | Напряжение – пробоя (В(BR)GSS) | Текущее потребление (Id) — Макс. | Ток-Сток (Idss) @ Vds (Vgs=0) | Сопротивление - RDS(Вкл.) | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Напряжение - Стабилитрон (Ном) (Вз) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2N5061 PBБЕСПЛАТНО | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -40°К~125°К | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-2n5060pbfree-datasheets-5162.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 20 недель | е3 | Matte Tin (Sn) – с никелевым (Ni) барьером | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | СКР | 60В | 800 мА | 5мА | 800мВ | 200 мкА | Чувствительные ворота | 1,7 В | 1 мкА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CPS041-CS92D-CT | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°C~125°C ТДж | Поднос | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-cps041cs18bwn-datasheets-3270.pdf | умереть | 400В | 800 мА | 5мА | 800мВ | 10 А при 50 Гц | 200 мкА | Стандартное восстановление | 1,7 В | 1 мкА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CEN1284 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CS218I-30М | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~125°К | Масса | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | 2017 год | /files/centralsemiconductorcorp-cs218i30b-datasheets-3293.pdf | ТО-218-3 | нет | не_совместимо | 8541.30.00.80 | 30А | 75 мА | 600В | 30А | 1,5 В | 400 А при 100 Гц | 50 мА | Стандартное восстановление | 2,1 В | 20 мкА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CS218I-50М | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~125°К | Масса | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | /files/centralsemiconductorcorp-cs218i50b-datasheets-3325.pdf | ТО-218-3 | нет | не_совместимо | 8541.30.00.80 | 50А | 80 мА | 600В | 50А | 1,5 В | 500 А при 100 Гц | Стандартное восстановление | 1,9 В | 20 мкА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н692 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Шасси, Шпилька | Шасси, Крепление на шпильке | -65°К~125°К | Масса | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | /files/centralsemiconductorcorp-2n682a-datasheets-3315.pdf | ТО-208АА, ТО-48-3, Шпилька | нет | не_совместимо | 8541.30.00.80 | 2 | 25А | 100 мА | 800В | 25А | 2В | 200 А при 60 Гц | 40 мА | Стандартное восстановление | 4мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CS220-10N | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~125°К | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/centralsemiconductorcorp-cs22010d-datasheets-3528.pdf | ТО-220-3 | 3 | нет | 8541.30.00.80 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Кремниевые управляемые выпрямители | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 10А | 10000А | ОДИНОКИЙ | АНОД | 30 мА | ТО-220АБ | 100 А | 800В | СКР | 800В | 800В | 10А | 1,5 В | 15 мА | Стандартное восстановление | 1,6 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CS202-4М | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~125°К | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/centralsemiconductorcorp-cs2024d-datasheets-3487.pdf | TO-202 Длинная вкладка | 3 | нет | 8541.30.00.80 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Кремниевые управляемые выпрямители | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 4А | 4000А | ОДИНОКИЙ | АНОД | 2мА | ТО-202АБ | 30 А | 5мА | 600В | СКР | 600В | 600В | 4А | 800мВ | 200 мкА | Стандартное восстановление | 1,8 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CP210-2N4416A-WN | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°C~150°C ТДж | умереть | совместимый | N-канал | 4пФ @ 15В | 2,5 В @ 10 кГц | 35В | 15 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CP216-2N4856-CT | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°C~175°C ТДж | Поднос | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-cp2162n4856cm-datasheets-2553.pdf | умереть | умереть | 40В | N-канал | 18пФ @ 10В | 4 В @ 50 В | 40В | 50 мА | 25 Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CQ218I-25B | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°C~125°C ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | ТО-218-3 | 3 | нет | EAR99 | не_совместимо | 8541.30.00.80 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Симисторы | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 25А | Одинокий | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 80 мА | 4-КВАДРАНТНЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ СИМИСТОР | 200В | 200В | 25А | 1,5 В | 250 А при 100 Гц | 50 мА | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CQ202-4М | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°C~125°C ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/centralsemiconductorcorp-cq2024d-datasheets-2668.pdf | TO-202 Длинная вкладка | 3 | нет | 8541.30.00.80 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Симисторы | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 4А | Одинокий | ГЛАВНЫЙ ТЕРМИНАЛ 2 | 25 мА | 4-КВАДРАНТНЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ СИМИСТОР | 600В | 600В | 4А | 2,5 В | 50 мА | Внутренний запуск | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CQ220-16D | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°C~125°C ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/centralsemiconductorcorp-cq22016b-datasheets-2763.pdf | ТО-220-3 | нет | 8541.30.00.80 | 3 | 16А | Одинокий | 25 мА | 400В | 16А | 2,5 В | 75 мА | Внутренний запуск | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CQ220-8B с постоянным током SL | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | 2016 год | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CQ220I-12D | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°C~110°C ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/centralsemiconductorcorp-cq220i12b-datasheets-2836.pdf | ТО-220-3 | нет | 8541.30.00.80 | 12А | Одинокий | 25 мА | 400В | 12А | 1,5 В | 50 мА | Внутренний запуск | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CQ220I-6NS | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°C~110°C ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/centralsemiconductorcorp-cq220i6bs-datasheets-2897.pdf | ТО-220-3 | нет | 8541.30.00.80 | 3 | 6А | Одинокий | 15 мА | 800В | 6А | 1,5 В | 10 мА | Внутренний запуск | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CQ220I-16N | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°C~125°C ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/centralsemiconductorcorp-cq220i16m-datasheets-2884.pdf | ТО-220-3 | 3 | нет | 8541.30.00.80 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Симисторы | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 16А | Одинокий | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 3мА | 50 мА | ТО-220АБ | 4-КВАДРАНТНЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ СИМИСТОР | 800В | 800В | 16А | 1,5 В | 100 мА | 500 В/мкс | Внутренний запуск | 5 В/мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CQ3P-25N | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поставщик не определен | Не соответствует требованиям RoHS | /files/centralsemiconductorcorp-cq3p25m-datasheets-3323.pdf | 3 | нет | не_совместимо | 8541.30.00.80 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕТ | ВЕРХНИЙ | НАКОНЕЧНИК ДЛЯ ПАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 2 | 125°С | -40°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Симисторы | Не квалифицирован | О-МУФМ-Д3 | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 3мА | 50 мА | 4-КВАДРАНТНЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ СИМИСТОР | 50 мА | 800В | 500 В/мкс | 30А | 2,5 В | 5 В/мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| J112 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~150°C ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | /files/centralsemiconductorcorp-j112-datasheets-4438.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | ТО-92 | 350 мВт | N-канал | 5 пФ при 10 В ВГС | 5 В @ 1 мкА | 35В | 5 мА при 15 В | 50 Ом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| J175 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~150°C ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | РЕЖИМ Истощения | Не соответствует требованиям RoHS | /files/centralsemiconductorcorp-j175-datasheets-4836.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные выводы) | 3 | нет | не_совместимо | 8541.21.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕТ | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Малый сигнал общего назначения на полевом транзисторе | Не квалифицирован | O-PBCY-W3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 0,35 Вт | СОЕДИНЕНИЕ | 350 мВт | 125 Ом | P-канал | 5,5 пФ при 10 В ВГС | 3 В при 10 нА | 30 В | 7 мА при 15 В | 125 Ом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMSZDA9V1 TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-cmszda5v1trpbfree-datasheets-4510.pdf | СК-70, СОТ-323 | 20 недель | ±5% | ДА | Диоды опорного напряжения | 1 пара общего анода | 275 МВт | 0,275 Вт | 9,1 В | 6,6% | 5мА | стабилитрон | 15Ом | 15Ом | 500 нА при 6 В | 900 мВ при 10 мА | 9,1 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMKZ5231B БК | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°C~150°C ТДж | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-cmkz5232bbk-datasheets-1559.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | ±5% | ДА | 1 | Диоды опорного напряжения | 3 независимых | 200мВт | 0,2 Вт | 5,1 В | 5% | 20 мА | стабилитрон | 17Ом | 17Ом | 5 мкА при 2 В | 900 мВ при 10 мА | 5,1 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMKZ5228B БК | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°C~150°C ТДж | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-cmkz5232bbk-datasheets-1559.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | ±5% | ДА | 1 | Диоды опорного напряжения | 3 независимых | 200мВт | 0,2 Вт | 3,9 В | 5% | 20 мА | стабилитрон | 23Ом | 23Ом | 10 мкА при 1 В | 900 мВ при 10 мА | 3,9 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMKZ5237B БК | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°C~150°C ТДж | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-cmkz5232bbk-datasheets-1559.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | ±5% | ДА | 1 | Диоды опорного напряжения | 3 независимых | 200мВт | 0,2 Вт | 8,2 В | 5% | 20 мА | стабилитрон | 8Ом | 8Ом | 3 мкА при 6,5 В | 900 мВ при 10 мА | 8,2 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMKZ5227B БК | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°C~150°C ТДж | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-cmkz5232bbk-datasheets-1559.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | ±5% | ДА | 1 | Диоды опорного напряжения | 3 независимых | 200мВт | 0,2 Вт | 3,6 В | 5% | 20 мА | стабилитрон | 24Ом | 24Ом | 15 мкА при 1 В | 900 мВ при 10 мА | 3,6 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMKZ5245B ТР | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-cmkz5232bbk-datasheets-1559.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | ±5% | ДА | 1 | Диоды опорного напряжения | 3 независимых | 200мВт | 0,2 Вт | 15 В | 5% | 8,5 мА | стабилитрон | 16Ом | 16Ом | 100 нА при 11 В | 900 мВ при 10 мА | 15 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N751A TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°К~200°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n759atrpbfree-datasheets-6975.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 70 недель | ±5% | 500мВт | 17Ом | 1 мкА при 1 В | 1,5 В @ 200 мА | 5,1 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMOZ1L8 TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-cmoz1l8trpbfree-datasheets-0037.pdf | СК-79, СОД-523 | 20 недель | ±5% | ДА | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 250мВт | 0,25 Вт | 1,8 В | 5% | 0,25 мА | стабилитрон | 1400Ом | 1,4 кОм | 25 мкА при 1 В | 900 мВ при 10 мА | 1,8 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CLL4750A TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°К~200°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cll4746atrpbfree-datasheets-8483.pdf | ДО-213АБ, МЭЛФ | 2 | 70 недель | ±5% | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | ДА | КОНЕЦ | ЗАВЕРШИТЬ ВОКРУГ | 1 | Диоды опорного напряжения | О-LELF-R2 | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 1 Вт | КРЕМНИЙ | 1 Вт | 27В | 5% | 9,5 мА | стабилитрон | 35Ом | 35Ом | 5 мкА при 20,6 В | 1,2 В при 200 мА | 27В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMPZ5234B TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-cmpz5242btrpbfree-datasheets-6986.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 22 недели | ±5% | ДА | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 350 мВт | 0,35 Вт | 6,2 В | 5% | 20 мА | стабилитрон | 7Ом | 7Ом | 5 мкА при 4 В | 900 мВ при 10 мА | 6,2 В |
