Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактЦентральная полупроводниковая корпорация (8720)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Достичь кода соответствия | Код HTS | Код JESD-609 | Терминал отделки | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Рабочая температура (макс.) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Мощность - Макс. | Код JEDEC-95 | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) | Макс. ток коллектора | Частота перехода | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Выключить Time-Max (toff) | Время включения-Макс (тонна) | Ток-отсечка коллектора (макс.) | Тип транзистора | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Частота – переход | Насыщение Vce (Макс.) @ Ib, Ic |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2Н3806 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | 2017 год | /files/centralsemiconductorcorp-2n2453-datasheets-4539.pdf | ТО-78-6 Металлическая банка | 6 | нет | EAR99 | НИЗКИЙ ШУМ | не_совместимо | 8541.21.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕТ | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | 175°С | НЕ УКАЗАН | 2 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | О-MBCY-W6 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2 ЭЛЕМЕНТА | ПНП | 0,5 Вт | 600мВт | 100 МГц | 60В | 50 мА | 2 ПНП (двойной) | 150 @ 1 мА 5 В | 100 МГц | |||||||||||||||||||||
| 2Н3810А | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~200°C ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | 2013 год | /files/centralsemiconductorcorp-2n3810-datasheets-4617.pdf | ТО-78-6 Металлическая банка | 6 | нет | EAR99 | НИЗКИЙ ШУМ | не_совместимо | 8541.21.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕТ | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | 6 | НЕ УКАЗАН | 2 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | О-MBCY-W6 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2 ЭЛЕМЕНТА | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 600мВт | 100 МГц | 60В | 50 мА | 10нА ИКБО | 2 ПНП (двойной) | 150 @ 1 мА 5 В | 100 МГц | 250 мВ при 1 мА, 100 мкА | ||||||||||||||||||
| CMLT5087EM TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-cmlt5087emtrpbfree-datasheets-5364.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | 24 недели | ДА | Другие транзисторы | ПНП | 0,35 Вт | 350 мВт | 100 МГц | 50В | 100 мА | 50нА ИКБО | 2 ПНП (двойной) | 300 @ 100 мкА 5 В | 100 МГц | 400 мВ при 10 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMLT5087E TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°C~150°C ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-cmlt5088etrpbfree-datasheets-2285.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | 44 недели | ДА | Другие транзисторы | ПНП | 0,35 Вт | 350 мВт | 100 МГц | 50В | 100 мА | 50нА ИКБО | 2 ПНП (двойной) | 300 @ 100 мкА 5 В | 100 МГц | 400 мВ при 10 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N2222A PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~200°C ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-2n2222apbfree-datasheets-8839.pdf | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | 3 | 20 недель | е3 | Matte Tin (Sn) – с никелевым (Ni) барьером | НЕТ | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | 260 | 30 | 1 | Другие транзисторы | О-MBCY-W3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 0,5 Вт | 500мВт | 300 МГц | 40В | 800 мА | 285 нс | 35 нс | 10нА ИКБО | НПН | 100 @ 150 мА 10 В | 300 МГц | 1 В при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||
| CMPTA96 TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°C~150°C ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-cmpta96trpbfree-datasheets-5657.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 22 недели | ДА | Другие транзисторы | Одинокий | ПНП | 0,35 Вт | 350 мВт | 20 МГц | 450В | 500 мА | 100нА ИКБО | ПНП | 50 @ 10 мА 10 В | 20 МГц | 500 мВ при 5 мА, 50 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MPSA56 PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~150°C ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-mpsa56pbfree-datasheets-6739.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 20 недель | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | Другие транзисторы | Одинокий | ПНП | 0,625 Вт | 625 МВт | 50 МГц | 80В | 500 мА | 100нА ИКБО | ПНП | 100 @ 100 мА 1 В | 50 МГц | 250 мВ при 10 мА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N3392 PBБЕСПЛАТНО | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~150°C ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-2n3904pbfree-datasheets-2217.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 20 недель | е3 | МАТОВЫЙ ТИН ПОВЕРХ НИКЕЛЯ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 25 В | 100нА ИКБО | НПН | 150 @ 2 мА 4,5 В | 120 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N2369A PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~200°C ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-2n2369apbfree-datasheets-7857.pdf | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | 20 недель | е3 | МАТОВЫЙ ТИН ПОВЕРХ НИКЕЛЯ | НЕТ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | Другие транзисторы | Одинокий | НПН | 0,36 Вт | 360мВт | 500 МГц | 15 В | 200 мА | 400нА ИКБО | НПН | 40 @ 10 мА 350 мВ | 500 МГц | 500 мВ при 10 мА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N6052 PBБЕСПЛАТНО | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~200°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-2n6052pbfree-datasheets-9783.pdf | ТО-204АА, ТО-3 | 22 недели | е3 | МАТОВЫЙ ТИН ПОВЕРХ НИКЕЛЯ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 150 Вт | 100 В | 12А | 1 мА | ПНП | 750 @ 6А 3В | 4 МГц | 3 В @ 120 мА, 12 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMPTA27 TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°C~150°C ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-cmpta27trpbfree-datasheets-7802.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 22 недели | ДА | Другие транзисторы | НПН | 0,35 Вт | 350 мВт | 125 МГц | 60В | 500 мА | 500нА | NPN – Дарлингтон | 10000 @ 100мА 5В | 125 МГц | 1,5 В @ 100 мкА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMPT2369 TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°C~150°C ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-cmpt2369trpbfree-datasheets-3982.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 29 недель | ДА | Другие транзисторы | Одинокий | НПН | 0,35 Вт | 350 мВт | 500 МГц | 15 В | 500 мА | 400нА ИКБО | НПН | 40 @ 10 мА 1 В | 500 МГц | 250 мВ при 1 мА, 10 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CZTA92 TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°C~150°C ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-czta92trpbfree-datasheets-1799.pdf | ТО-261-4, ТО-261АА | 20 недель | ДА | Другие транзисторы | Одинокий | ПНП | 2 Вт | 2 Вт | 50 МГц | 300В | 500 мА | 250 нА ИКБО | ПНП | 25 @ 30 мА 10 В | 50 МГц | 500 мВ при 2 мА, 20 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N4123 PBБЕСПЛАТНО | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~150°C ТДж | Масса | Непригодный | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-2n4123pbfree-datasheets-4899.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 20 недель | е3 | МАТОВЫЙ ТИН ПОВЕРХ НИКЕЛЯ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1,5 Вт | 30 В | 200 мА | 50нА ИКБО | НПН | 50 при 2 мА 10 В | 250 МГц | 300 мВ при 5 мА, 50 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMST2907A TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°C~150°C ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-cmst2907abkpbfree-datasheets-4787.pdf | СК-70, СОТ-323 | 20 недель | ДА | Другие транзисторы | Одинокий | ПНП | 0,275 Вт | 275 МВт | 200 МГц | 60В | 600 мА | 10нА ИКБО | ПНП | 100 @ 150 мА 10 В | 200 МГц | 1,6 В при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CP710V-MPSA92-CT20 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°C~150°C ТДж | Поднос | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/centralsemiconductorcorp-cp710vmpsa92ct20-datasheets-1836.pdf | умереть | 10 недель | умереть | 300В | 500мВ | 500 мА | 300В | 500 мА | 250 нА ИКБО | ПНП | 25 @ 30 мА 10 В | 50 МГц | 500 мВ при 2 мА, 20 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N4237 PBБЕСПЛАТНО | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~200°C ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-2n4237pbfree-datasheets-3792.pdf | ТО-205АД, ТО-39-3 Металлическая банка | 16 недель | е3 | МАТОВЫЙ ТИН ПОВЕРХ НИКЕЛЯ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 6 Вт | 40В | 3А | 700 мкА | НПН | 30 @ 250 мА 1 В | 2 МГц | 600 мВ при 100 мА, 1 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BCY79-X PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~200°C ТДж | Масса | Непригодный | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-bcy79xpbfree-datasheets-4594.pdf | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | 6 недель | е3 | МАТОВЫЙ ТИН ПОВЕРХ НИКЕЛЯ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 Вт | 45В | 100 мА | 15нА ИКБО | ПНП | 380 при 2 мА 5 В | 100 МГц | 800 мВ при 2,5 мА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N6488 PBБЕСПЛАТНО | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~150°C ТДж | Масса | Непригодный | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-2n6488pbfree-datasheets-4665.pdf | ТО-220-3 | 3 | 24 недели | е3 | Matte Tin (Sn) – с никелевым (Ni) барьером | НЕТ | ОДИНОКИЙ | 1 | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 75 Вт | ТО-220АБ | 5 МГц | 80В | 15А | НПН | 25 @ 1А 4В | 5 МГц | 3,5 В при 5 А, 15 А | ||||||||||||||||||||||||||||
| 2N5416 PBБЕСПЛАТНО | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~200°C ТДж | Масса | Непригодный | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-2n5416pbfree-datasheets-4755.pdf | ТО-205АД, ТО-39-3 Металлическая банка | 3 | 20 недель | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | 1 | Другие транзисторы | О-MBCY-W3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПНП | 1 Вт | 1 Вт | 15 МГц | 300В | 1А | 50 мкА ИКБО | ПНП | 120 @ 50 мА 10 В | 15 МГц | 2 В @ 5 мА, 50 мА | |||||||||||||||||||||||||||
| 2N3700 PBБЕСПЛАТНО | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~200°C ТДж | Масса | Непригодный | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-2n3700pbfree-datasheets-4978.pdf | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | 20 недель | е3 | МАТОВЫЙ ТИН ПОВЕРХ НИКЕЛЯ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1,8 Вт | 80В | 1А | 10нА ИКБО | НПН | 100 @ 150 мА 10 В | 100 МГц | 500 мВ при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N6041 PBБЕСПЛАТНО | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~150°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-2n6041pbfree-datasheets-9208.pdf | ТО-220-3 | 3 | 22 недели | НЕТ | ОДИНОКИЙ | 1 | Другие транзисторы | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 75 Вт | 75 Вт | ТО-220АБ | 4 МГц | 80В | 8А | 20 мкА | PNP - Дарлингтон | 1000 @ 4А 4В | 4 МГц | 2 В при 16 мА, 4 А | |||||||||||||||||||||||||||||
| BC546A PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~150°C ТДж | Масса | Непригодный | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-bc546apbfree-datasheets-3957.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 20 недель | е3 | МАТОВЫЙ ТИН ПОВЕРХ НИКЕЛЯ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 500мВт | 80В | 100 мА | 15нА ИКБО | НПН | 110 при 2 мА 5 В | 300 МГц | 600 мВ при 5 мА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N3415 PBБЕСПЛАТНО | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~150°C ТДж | Масса | Непригодный | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-2n3417apmpbfree-datasheets-4585.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 20 недель | е3 | МАТОВЫЙ ТИН ПОВЕРХ НИКЕЛЯ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1,5 Вт | 25 В | 500 мА | 100нА ИКБО | НПН | 180 @ 2 мА 4,5 В | 300 мВ при 3 мА, 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TIP31A PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~150°C ТДж | Масса | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-tip31pbfree-datasheets-5048.pdf | ТО-220-3 | 24 недели | е3 | МАТОВЫЙ ТИН ПОВЕРХ НИКЕЛЯ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 40 Вт | 60В | 3А | 300 мкА | НПН | 25 @ 1А 4В | 3 МГц | 1,2 В при 375 мА, 3 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TIP42B PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~150°C ТДж | Масса | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-tip42cpbfree-datasheets-5099.pdf | ТО-220-3 | 24 недели | е3 | МАТОВЫЙ ТИН ПОВЕРХ НИКЕЛЯ | НЕТ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | Другие транзисторы | Одинокий | ПНП | 65 Вт | 65 Вт | 3 МГц | 80В | 6А | 400 мкА | ПНП | 30 @ 300 мА 4 В | 3 МГц | 1,5 В при 600 мА, 6 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| CP336V-2N5551-CT | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°C~150°C ТДж | Поднос | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-cp336v2n5551ct-datasheets-0562.pdf | умереть | 8 недель | умереть | 160 В | 200 мВ | 600 мА | 160 В | 600 мА | 50нА ИКБО | НПН | 80 @ 10 мА 5 В | 300 МГц | 200 мВ при 5 мА, 50 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СОВЕТ35А | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°C~150°C ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | /files/centralsemiconductorcorp-tip35a-datasheets-0680.pdf | ТО-218-3 | 3 | нет | EAR99 | 8541.29.00.75 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 125 Вт | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 2 | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 60В | 25А | 300 МГц | 25А | НПН | 10 @ 15А 4В | 3 МГц | ||||||||||||||||||||||
| СОВЕТ36B | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°C~150°C ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-tip35a-datasheets-0680.pdf | ТО-218-3 | 3 | нет | EAR99 | не_совместимо | 8541.29.00.75 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 125 Вт | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 2 | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 80В | 25А | 300 МГц | 25А | ПНП | 10 @ 15А 4В | 3 МГц | |||||||||||||||||||||
| СОВЕТ100 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°C~150°C ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/centralsemiconductorcorp-tip102pbfree-datasheets-4835.pdf | ТО-220-3 | 3 | нет | EAR99 | 8541.29.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 80 Вт | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 80 Вт | ТО-220АБ | 60В | 2,5 В | 8А | 4 МГц | 50 мкА | NPN – Дарлингтон | 1000 @ 3А 4В | 4 МГц | 2,5 В @ 80 мА, 8 А |
