| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Радиационная закалка | Достичь кода соответствия | Код HTS | Толерантность | Код JESD-609 | Терминал отделки | Приложения | Полярность | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Рабочая температура (макс.) | Рабочая температура (мин) | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Среднеквадратичный ток (Irms) | Максимальный ток во включенном состоянии | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Технология полевых транзисторов | Ток утечки (макс.) | Напряжение пробоя | Мощность - Макс. | Рассеиваемая мощность-Макс. | Rep Pk Обратное напряжение-Макс. | Удерживать ток | Защита линии электропередачи | Напряжение - пробой (мин) | Ток — пиковый импульс (10/1000 мкс) | Напряжение – ограничение (макс.) при Ipp | Напряжение – обратное зазор (тип.) | Однонаправленные каналы | Мощность — пиковый импульс | Двунаправленные каналы | Зажимное напряжение-Макс. | Код JEDEC-95 | Опорное напряжение | Напряжение Тол-Макс | Рабочий тестовый ток | Тип диода | Динамический импеданс-Макс. | Неповторяющийся Pk в рабочем состоянии | Удержание максимального тока | Повторяющееся пиковое обратное напряжение | Тип триггерного устройства | Напряжение – выключенное состояние | Макс. ток триггера затвора постоянного тока | Максимальное напряжение во включенном состоянии | Повторяющееся пиковое напряжение в выключенном состоянии | Текущее состояние включения (It (RMS)) (Макс.) | Ток — удержание (Ih) (Макс.) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Обратная связь Cap-Max (Crss) | Импеданс-Макс. | Напряжение — триггер ворот (Vgt) (макс.) | Ток — нереп. Скачок 50, 60 Гц (Itsm) | Ток — триггер ворот (Igt) (макс.) | Текущее — состояние включения (It (AV)) (Макс.) | Тип СКР | Напряжение во включенном состоянии (Втм) (макс.) | Текущее состояние – выключено (макс.) | Критическая скорость нарастания напряжения в выключенном состоянии-мин. | Максимальный среднеквадратичный ток во включенном состоянии | Макс. напряжение триггера затвора постоянного тока | Тип триака | Критическая скорость нарастания коммутационного напряжения-мин. | Тип полевого транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Напряжение — отсечка (VGS выключена) @ Id | Напряжение – пробоя (В(BR)GSS) | Текущее потребление (Id) — Макс. | Ток-Сток (Idss) @ Vds (Vgs=0) | Сопротивление - RDS(Вкл.) | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Напряжение - Стабилитрон (Ном) (Вз) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 3SMC28CA БК PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Зенер | Поверхностный монтаж | -65°C~150°C ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-3smc16catr13pbfree-datasheets-5385.pdf | ДО-214АБ, СМК | 12 недель | совместимый | Общего назначения | ДВУНАПРАВЛЕННЫЙ | ДА | Подавители переходных процессов | 33,45 В | 28В | Нет | 31,1 В | 66А | 45,4 В | 28В | 3000Вт 3кВт | 1 | 45,4 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| P6KE33A TR ОЛОВО/СВИНЕЦ | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Зенер | Сквозное отверстие | -65°C~175°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-p6ke200atrpbfree-datasheets-2502.pdf | ДО-204АС, ДО-15, осевой | Общего назначения | Нет | 31,4 В | 13.2А | 45,7 В | 28,2 В | 1 | 600 Вт | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| P4SMA8.0CA TR13 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Зенер | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-p4sma85catr13-datasheets-4578.pdf | ДО-214АС, СМА | Общего назначения | Нет | 8,89 В | 29,4А | 13,6 В | 8В | 400 Вт | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| P4SMA120CA TR13 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Зенер | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-p4sma85catr13-datasheets-4578.pdf | ДО-214АС, СМА | Общего назначения | Нет | 133В | 2А | 193В | 120 В | 400 Вт | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| P4SMA78CA БК | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Зенер | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без ограничений) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-p4sma85catr13-datasheets-4578.pdf | ДО-214АС, СМА | Общего назначения | Нет | 86,7 В | 2.2А | 126В | 78В | 400 Вт | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| P4SMA8.0A БК | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Зенер | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-p4sma85catr13-datasheets-4578.pdf | ДО-214АС, СМА | совместимый | Общего назначения | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | ДА | Подавители переходных процессов | 9,6 В | 8В | Нет | 8,89 В | 29,4А | 13,6 В | 8В | 1 | 400 Вт | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| P4SMA64A ТР13 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Зенер | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-p4sma85catr13-datasheets-4578.pdf | ДО-214АС, СМА | EAR99 | совместимый | Общего назначения | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | ДА | Подавители переходных процессов | 76,45 В | 64В | Нет | 71,1 В | 3,9 А | 103В | 64В | 1 | 400 Вт | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| P4SMA200A ТР13 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Зенер | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-p4sma85catr13-datasheets-4578.pdf | ДО-214АС, СМА | совместимый | Общего назначения | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | ДА | Подавители переходных процессов | 238В | 200В | Нет | 220В | 1,2А | 324В | 200В | 1 | 400 Вт | 324В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CPS053-2N5064-WN | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/centralsemiconductorcorp-cps0532n5064wn-datasheets-3208.pdf | умереть | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CS223-2М ТР | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -50°C~125°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/centralsemiconductorcorp-cs2232mtr-datasheets-3334.pdf | ТО-261-4, ТО-261АА | 4 | да | совместимый | 8541.30.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 4 | 10 | 1 | Кремниевые управляемые выпрямители | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г4 | ОДИНОКИЙ | АНОД | 0,1 мА | 10 А | 2мА | 600В | СКР | 600В | 600В | 2А | 2мА | 800мВ | 10 А при 50 Гц | 200 мкА | Стандартное восстановление | 1,7 В | 10 мкА | 10 В/мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КСДД-12Н БК | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~125°C ТДж | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | /files/centralsemiconductorcorp-csdd12ntr13-datasheets-3397.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | совместимый | ДА | Кремниевые управляемые выпрямители | 3мА | 110 А | 20 мА | СКР | 800В | 1,6 В | 800В | 12А | 20 мА | 1,5 В | 110 А при 60 Гц | 15 мА | 24А | Чувствительные ворота | 1,6 В | 10 мкА | 200 В/мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н682А | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Шасси, Шпилька | Шасси, Крепление на шпильке | -65°К~125°К | Масса | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | /files/centralsemiconductorcorp-2n682a-datasheets-3315.pdf | ТО-208АА, ТО-48-3, Шпилька | нет | EAR99 | не_совместимо | 8541.30.00.80 | 2 | 25А | 50 мА | 50В | 25А | 2В | 200 А при 60 Гц | 40 мА | Стандартное восстановление | 13 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н684А | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Шасси, Шпилька | Шасси, Крепление на шпильке | -65°К~125°К | Масса | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | /files/centralsemiconductorcorp-2n682a-datasheets-3315.pdf | ТО-208АА, ТО-48-3, Шпилька | нет | EAR99 | не_совместимо | 8541.30.00.80 | 2 | 25А | 50 мА | 150 В | 25А | 2В | 200 А при 60 Гц | 40 мА | Стандартное восстановление | 13 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CS218-35B | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~125°К | Масса | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | /files/centralsemiconductorcorp-cs21835d-datasheets-3277.pdf | ТО-218-3 | 3 | нет | EAR99 | не_совместимо | 8541.30.00.80 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Кремниевые управляемые выпрямители | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 35А | ОДИНОКИЙ | АНОД | 75 мА | 400 А | 200В | СКР | 200В | 200В | 35А | 1,5 В | 400 А при 100 Гц | 50 мА | Стандартное восстановление | 2,2 В | 20 мкА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CS220-12B | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~125°К | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/centralsemiconductorcorp-cs22012d-datasheets-3534.pdf | ТО-220-3 | 3 | нет | EAR99 | 8541.30.00.80 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Кремниевые управляемые выпрямители | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 12А | 12000А | ОДИНОКИЙ | АНОД | 20 мА | ТО-220АБ | 120 А | 30 мА | 200В | СКР | 200В | 200В | 12А | 1,5 В | 15 мА | Стандартное восстановление | 1,6 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CS220-25B | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~125°К | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/centralsemiconductorcorp-cs22025m-datasheets-3558.pdf | ТО-220-3 | 3 | нет | EAR99 | 8541.30.00.80 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Кремниевые управляемые выпрямители | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 25А | 25000А | ОДИНОКИЙ | АНОД | 50 мА | ТО-220АБ | 250 А | 200В | СКР | 200В | 200В | 25А | 1,5 В | 30 мА | Стандартное восстановление | 1,8 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CP232V-2N5486-CT | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CP232V-2N4416A-CT20 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°C~150°C ТДж | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 350 мВт | N-канал | 4,5 пФ при 15 В | 2,5 В @ 10 кГц | 35В | 5мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CQ202-4D | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°C~125°C ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/centralsemiconductorcorp-cq2024d-datasheets-2668.pdf | TO-202 Длинная вкладка | 3 | нет | 8541.30.00.80 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Симисторы | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 4А | Одинокий | ГЛАВНЫЙ ТЕРМИНАЛ 2 | 25 мА | 4-КВАДРАНТНЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ СИМИСТОР | 400В | 400В | 4А | 2,5 В | 50 мА | Внутренний запуск | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CQ202-4B-2 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°C~125°C ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/centralsemiconductorcorp-cq2024d2-datasheets-2648.pdf | TO-202 Длинная вкладка | 3 | нет | EAR99 | 8541.30.00.80 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Симисторы | Не квалифицирован | Р-ПСИП-Т3 | 4А | Одинокий | ГЛАВНЫЙ ТЕРМИНАЛ 2 | 25 мА | ТРИАК | 200В | 200В | 4А | 2,5 В | 50 мА | Внутренний запуск | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CQ220-40N | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2016 год | ТО-220-3 | ТО-220-3 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CQ220-8B | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°C~125°C ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/centralsemiconductorcorp-cq2208b-datasheets-2831.pdf | ТО-220-3 | 3 | нет | EAR99 | 8541.30.00.80 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Симисторы | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 8А | Одинокий | ГЛАВНЫЙ ТЕРМИНАЛ 2 | 1,5 мА | 25 мА | ТО-220АБ | 4-КВАДРАНТНЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ СИМИСТОР | 200В | 200В | 8А | 2,5 В | 50 мА | 200 В/мкс | Внутренний запуск | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CQ220I-8D | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°C~110°C ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/centralsemiconductorcorp-cq220i8d-datasheets-2875.pdf | ТО-220-3 | 3 | нет | 8541.30.00.80 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Симисторы | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 8А | Одинокий | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 2мА | 25 мА | ТО-220АБ | 50 мА | 4-КВАДРАНТНЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ СИМИСТОР | 400В | 400В | 8А | 1,5 В | 50 мА | 200 В/мкс | Внутренний запуск | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CQ220I-6DS | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°C~110°C ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/centralsemiconductorcorp-cq220i6bs-datasheets-2897.pdf | ТО-220-3 | нет | 8541.30.00.80 | 3 | 6А | Одинокий | 15 мА | 400В | 6А | 1,5 В | 10 мА | Внутренний запуск | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CQ3P-40D | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поставщик не определен | Не соответствует требованиям RoHS | /files/centralsemiconductorcorp-cq3p40d-datasheets-3280.pdf | 3 | нет | не_совместимо | 8541.30.00.80 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕТ | ВЕРХНИЙ | НАКОНЕЧНИК ДЛЯ ПАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 2 | 125°С | -40°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Симисторы | Не квалифицирован | О-МУФМ-Д3 | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 3мА | 50 мА | ТРИАК | 50 мА | 400В | 500 В/мкс | 40А | 2,5 В | 5 В/мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CQ3P-25D | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поставщик не определен | Не соответствует требованиям RoHS | /files/centralsemiconductorcorp-cq3p25m-datasheets-3323.pdf | 3 | нет | не_совместимо | 8541.30.00.80 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕТ | ВЕРХНИЙ | НАКОНЕЧНИК ДЛЯ ПАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 2 | 125°С | -40°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Симисторы | Не квалифицирован | О-МУФМ-Д3 | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 3мА | 50 мА | 4-КВАДРАНТНЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ СИМИСТОР | 50 мА | 400В | 500 В/мкс | 30А | 2,5 В | 5 В/мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PN4393 ТРА | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~150°C ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | РЕЖИМ Истощения | Соответствует ROHS3 | 2017 год | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 3 | 6 недель | нет | е0 | Оловянный свинец | НЕТ | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | О-PBCY-T3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | СОЕДИНЕНИЕ | 625 МВт | 100Ом | 3,5 пФ | N-канал | 14пФ при 20В | 500 мВ при 1 нА | 40В | 5 мА при 20 В | 100Ом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н5116 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°C~200°C ТДж | Коробка | 1 (без ограничений) | РЕЖИМ Истощения | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/centralsemiconductorcorp-2n5116-datasheets-9823.pdf | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | 3 | 8 недель | 3 | нет | Нет | 8541.21.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 500мВт | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | Одинокий | 1 | Малый сигнал общего назначения на полевом транзисторе | 30В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | СОЕДИНЕНИЕ | 500мВт | 150Ом | 7 пФ | P-канал | 25пФ при 15В | 1 В при 1 нА | 5 мА при 15 В | 150Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMPZDA15V TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°К~175°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-cmpzda15vtrpbfree-datasheets-5503.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 18 недель | ДА | Диоды опорного напряжения | 1 пара общего анода | 350 мВт | 0,35 Вт | 15 В | 6,1% | 5мА | стабилитрон | 30Ом | 30Ом | 50 нА при 10,5 В | 900 мВ при 10 мА | 14,7 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMKZ5225B БК | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°C~150°C ТДж | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-cmkz5232bbk-datasheets-1559.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | EAR99 | 8541.10.00.50 | ±5% | ДА | 1 | Диоды опорного напряжения | 3 независимых | 200мВт | 0,2 Вт | 3В | 5% | 20 мА | стабилитрон | 29Ом | 29Ом | 50 мкА при 1 В | 900 мВ при 10 мА | 3В |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.