Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактЦентральная полупроводниковая корпорация (8720)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Достичь кода соответствия | Код HTS | Код JESD-609 | Терминал отделки | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Рабочая температура (макс.) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Подкатегория | Прирост | Статус квалификации | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Макс. ток коллектора (IC) | Макс. напряжение коллектор-эмиттер | Скорость | Мощность - Макс. | Материал диодного элемента | Рассеиваемая мощность-Макс. | Rep Pk Обратное напряжение-Макс. | Обратный ток-Макс. | Обратное испытательное напряжение | Обратное время восстановления | Тип диода | Макс. обратное напряжение (постоянный ток) | Средний выпрямленный ток | Неповторяющийся Pk Прямой ток-макс. | Количество фаз | Выходной ток-Макс. | Частота перехода | Минимальное усиление постоянного тока (hFE) | Емкость @ Вр, Ф | Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Выключить Time-Max (toff) | Время включения-Макс (тонна) | Рассеяние мощности при окружающей среде, макс. | VCEsat-Макс | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Ток – средний выпрямленный (Io) | Рабочая температура - соединение | Ток-отсечка коллектора (макс.) | Тип транзистора | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Макс. емкость коллектора-базы | Коэффициент шума (дБ, тип @ f) | Частота – переход | Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1Н4001Г БК | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без ограничений) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n4003gbk-datasheets-6450.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CLLRH-02 ТР | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cllrh06bk-datasheets-6460.pdf | ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 | 2 | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | совместимый | 8541.10.00.70 | е0 | Оловянный свинец | ДА | КОНЕЦ | ЗАВЕРШИТЬ ВОКРУГ | 2 | 175°С | 1 | Выпрямительные диоды | Не квалифицирован | О-LELF-R2 | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 200В | Стандартный | 10А | 0,5 А | 10 пФ @ 4 В 1 МГц | 200В | 200 нА при 200 В | 1,1 В при 500 мА | 500 мА | -65°К~175°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CR3F-020 БК | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cr3f020bk-datasheets-6658.pdf | ДО-201АД, Осевой | 2 | да | EAR99 | не_совместимо | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | ПРОВОЛОКА | 260 | 10 | 1 | Не квалифицирован | О-PALF-W2 | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 200В | 150 нс | Стандартный | 100А | 1 | 3А | 65пФ @ 4В 1МГц | 200В | 5 мкА при 200 В | 1,2 В при 3 А | 3А | -55°К~125°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CN649 ТР | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cn645tr-datasheets-0477.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 2 | 10 недель | EAR99 | 8541.10.00.70 | е0 | Оловянный свинец | НЕТ | ПРОВОЛОКА | 2 | 150°С | 1 | Не квалифицирован | O-XALF-W2 | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 0,6 Вт | Стандартный | 0,4 А | 11пФ @ 12В 1МГц | 600В | 200 нА при 600 В | 1 В @ 400 мА | 400 мА | -65°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N4004 ТР | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n4007tr-datasheets-9053.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 2 | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | не_совместимо | 8541.10.00.80 | е0 | Оловянный свинец | НЕТ | ПРОВОЛОКА | 2 | 175°С | 1 | Не квалифицирован | O-XALF-W2 | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 400В | Стандартный | 1А | 400В | 5 мкА при 400 В | 1,1 В @ 1 А | 1А | -65°К~175°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CPD16-CMR1U-06M-CT | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Поднос | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cpd16cmr1u06mct-datasheets-9100.pdf | умереть | 8 недель | EAR99 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 75 нс | Стандартный | 600В | 1А | 600В | 5 мкА при 600 В | 1,4 В при 1 А | -65°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТЛШ1-50М832ДС БК | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 1 (без ограничений) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-ctlsh150m832dsbk-datasheets-2436.pdf | 8-TDFN Открытая площадка | EAR99 | совместимый | ДА | 150°С | Другие диоды | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 1,65 Вт | 50В | 50000мкА | 50В | Шоттки | 50пФ @ 4В 1МГц | 50В | 500 мкА при 50 В | 550 мВ при 1 А | 1А постоянного тока | -65°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CR3-060ГПП ТР | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cr3020gppbk-datasheets-2616.pdf | ДО-201АД, Осевой | да | EAR99 | не_совместимо | 8541.10.00.80 | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | Стандартный | 30пФ @ 4В 1МГц | 600В | 5 мкА при 600 В | 1,2 В при 3 А | 3А | -65°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТЛШ1-40М322С БК | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 1 (без ограничений) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-ctlsh140m322sbk-datasheets-2907.pdf | 3-TDFN Открытая площадка | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 15нс | Шоттки | 50пФ @ 4В 1МГц | 40В | 200 мкА при 40 В | 1А постоянного тока | -65°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CPD93V-1N4150-CT | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Масса | 1 (без ограничений) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cpd93v1n4150wn-datasheets-4400.pdf | умереть | Малый сигнал =< 200 мА (Io), любая скорость | 6нс | Стандартный | 2,5 пФ @ 0 В 1 МГц | 50В | 100 нА при 50 В | 1 В @ 200 мА | 200 мА | -65°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N5770 PBБЕСПЛАТНО | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~150°C ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-2n5770pbfree-datasheets-4306.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 20 недель | е3 | МАТОВЫЙ ТИН ПОВЕРХ НИКЕЛЯ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 625 МВт | 15 В | 50 мА | НПН | 50 при 8 мА 1 В | 6 дБ @ 60 МГц | 900 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CP302-MPSH10-CT | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°C~150°C ТДж | Поднос | 1 (без ограничений) | /files/centralsemiconductorcorp-cp302mpsh10ct20-datasheets-7228.pdf | умереть | 350 мВт | 25 В | НПН | 60 @ 4 мА 10 В | 650 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CP618-2N5583-WN | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CP229-2N5109-WN | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°C~200°C ТДж | умереть | 11 дБ | умереть | 20 В | 400 мА | НПН | 40 @ 50 мА 15 В | 3 дБ @ 200 МГц | 1,2 ГГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMKT3904 TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°C~150°C ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-cmkt3904trpbfree-datasheets-8370.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 20 недель | ДА | Другие транзисторы | НПН | 0,35 Вт | 350 мВт | 300 МГц | 40В | 200 мА | 2 NPN (двойной) | 100 @ 10 мА 1 В | 300 МГц | 300 мВ при 5 мА, 50 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МД918 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~200°C ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | 2017 год | /files/centralsemiconductorcorp-md918-datasheets-8749.pdf | ТО-78-6 Металлическая банка | 6 | нет | EAR99 | не_совместимо | 8541.21.00.75 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕТ | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | 8 | НЕ УКАЗАН | 2 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | О-MBCY-W6 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2 ЭЛЕМЕНТА | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 0,6 Вт | 2 Вт | 600 МГц | 15 В | 50 мА | 10нА ИКБО | 2 NPN (двойной) | 50 при 3 мА 5 В | 600 МГц | 900 мВ при 1 мА, 10 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMXT3906 TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°C~150°C ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-cmxt3906trpbfree-datasheets-1988.pdf | СОТ-23-6 | 20 недель | ДА | Другие транзисторы | ПНП | 0,35 Вт | 350 мВт | 250 МГц | 40В | 200 мА | 2 ПНП (двойной) | 100 @ 10 мА 1 В | 250 МГц | 400 мВ при 5 мА, 50 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MPQ6100A ОСТРОВО/СВИНЦОВЫЙ | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | /files/centralsemiconductorcorp-mpq6100atinlead-datasheets-4422.pdf | 14-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 3 Вт | 45В | 10нА ИКБО | 2 НПН, 2 ПНП | 50 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н2223А | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~200°C ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | 2017 год | /files/centralsemiconductorcorp-2n2223a-datasheets-4558.pdf | ТО-78-6 Металлическая банка | 6 | нет | EAR99 | не_совместимо | 8541.21.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕТ | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | О-MBCY-W6 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2 ЭЛЕМЕНТА | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 0,6 Вт | 600мВт | 50 МГц | 60В | 500 мА | 10нА ИКБО | 2 NPN (двойной) | 50 @ 10 мА 5 В | 50 МГц | 1,2 В @ 5 мА, 50 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н2917 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | 2017 год | /files/centralsemiconductorcorp-2n2917-datasheets-4594.pdf | ТО-78-6 Металлическая банка | 6 | нет | EAR99 | НИЗКИЙ ШУМ | не_совместимо | 8541.21.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕТ | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | 6 | 175°С | НЕ УКАЗАН | 2 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | О-MBCY-W6 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2 ЭЛЕМЕНТА | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 0,3 Вт | 600мВт | 60 МГц | 45В | 30 мА | 2 NPN (двойной) | 60 @ 10 мкА 5 В | 60 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н6502 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | 2017 год | /files/centralsemiconductorcorp-md2905-datasheets-8618.pdf | ТО-78-6 Металлическая банка | 6 | нет | е0 | Оловянный свинец | НЕТ | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | Не квалифицирован | О-MBCY-W6 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2 ЭЛЕМЕНТА | НПН И ПНП | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N5793 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | 2017 год | /files/centralsemiconductorcorp-2n5794-datasheets-4654.pdf | ТО-78-6 Металлическая банка | 8 | нет | EAR99 | не_совместимо | 8541.21.00.75 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕТ | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | 8 | 200°С | НЕ УКАЗАН | 2 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | О-MBCY-W8 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2 ЭЛЕМЕНТА | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 2 Вт | 0,6А | 40В | 250 МГц | 25 | 40 нс | 300 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMLT2222AG TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°C~150°C ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-cmlt2222agbkpbfree-datasheets-5305.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | 24 недели | ДА | Другие транзисторы | НПН | 0,35 Вт | 150 мВт | 300 МГц | 40В | 600 мА | 10нА ИКБО | 2 NPN (двойной) | 100 @ 150 мА 10 В | 300 МГц | 1 В при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N2907A PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~200°C ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-2n2907apbfree-datasheets-6720.pdf | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | 3 | 20 недель | е3 | МАТОВЫЙ ТИН ПОВЕРХ НИКЕЛЯ | НЕТ | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | О-MBCY-W3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 0,4 Вт | 400мВт | 200 МГц | 60В | 600 мА | 100 нс | 45нс | 10нА ИКБО | ПНП | 100 @ 150 мА 10 В | 200 МГц | 1,6 В при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N3904 PBБЕСПЛАТНО | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~150°C ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-2n3904pbfree-datasheets-2217.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 20 недель | е3 | МАТОВЫЙ ТИН ПОВЕРХ НИКЕЛЯ | НЕТ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | Другие транзисторы | Одинокий | НПН | 0,625 Вт | 300 МГц | 40В | 50нА ИКБО | НПН | 100 @ 10 мА 1 В | 300 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BCV47 TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°C~150°C ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-bcv47trpbfree-datasheets-8167.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 22 недели | 350 мВт | 60В | 500 мА | 100нА ИКБО | NPN – Дарлингтон | 10000 @ 100мА 5В | 220 МГц | 1 В при 100 мкА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MPSA63 PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~150°C ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-mpsa64pbfree-datasheets-6748.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 20 недель | е3 | МАТОВЫЙ ТИН ПОВЕРХ НИКЕЛЯ | НЕТ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | Другие транзисторы | ПНП | 1,5 Вт | 625 МВт | 125 МГц | 20 В | 500 мА | 100нА ИКБО | PNP - Дарлингтон | 10000 @ 100мА 5В | 125 МГц | 1,5 В @ 100 мкА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N3053 PBБЕСПЛАТНО | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~200°C ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-2n3053pbfree-datasheets-7777.pdf | ТО-205АД, ТО-39-3 Металлическая банка | 6 недель | е3 | МАТОВЫЙ ТИН ПОВЕРХ НИКЕЛЯ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 5 Вт | 40В | 700 мА | НПН | 50 @ 150 мА 10 В | 100 МГц | 1,4 В @ 15 мА, 150 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CXT5551 TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°C~150°C ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-cxt5551trpbfree-datasheets-9347.pdf | ТО-243АА | 20 недель | 1,2 Вт | 160 В | 600 мА | 50нА ИКБО | НПН | 80 @ 10 мА 5 В | 300 МГц | 200 мВ при 5 мА, 50 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CJD112 TR13 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°C~150°C ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/centralsemiconductorcorp-cjd112tr13-datasheets-1037.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 2 | 13 недель | да | EAR99 | 8541.29.00.95 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 10 | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 20 Вт | 1,75 Вт | 25 МГц | 100 В | 2А | 20 Вт | 3 В | 20 мкА | NPN – Дарлингтон | 1000 @ 2А 3В | 100пФ | 25 МГц | 3 В при 40 мА, 4 А |
