| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Статус RoHS | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Достичь кода соответствия | Код HTS | Толерантность | Код JESD-609 | Терминал отделки | Полярность | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Конфигурация | Мощность - Макс. | Материал диодного элемента | Рассеиваемая мощность-Макс. | Обратный ток-Макс. | Опорное напряжение | Напряжение Тол-Макс | Рабочий тестовый ток | Тип диода | Динамический импеданс-макс. | Импеданс-Макс. | Напряжение Температурный Коэфф-Макс | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Напряжение - Стабилитрон (Ном) (Вз) | Импеданс колена-Макс. |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CLL5258B TR TIN/СВИНЦОВЫЙ | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°К~200°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cll5248btrpbfree-datasheets-1628.pdf | ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 | 13 недель | EAR99 | не_совместимо | 8541.10.00.50 | ±5% | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДА | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 500мВт | 0,5 Вт | 36В | 5% | 3,4 мА | стабилитрон | 70Ом | 70Ом | 100 нА при 27 В | 1,25 В @ 200 мА | 36В | ||||||||||||||||||||
| CMHZ4099 TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cmhz4099trpbfree-datasheets-7535.pdf | СОД-123 | 98 недель | ±5% | ДА | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 500мВт | 0,5 Вт | 6,8 В | 5% | 0,25 мА | стабилитрон | 200Ом | 200Ом | 10 мкА при 5,2 В | 1,5 В при 100 А | 6,8 В | |||||||||||||||||||||||||
| 1N5226B TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°К~200°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n5234btrpbfree-datasheets-5353.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | ±5% | 500мВт | 28Ом | 25 мкА при 1 В | 1,1 В при 200 мА | 3,3 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX84C22 ТР | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-bzx84c18trpbfree-datasheets-9400.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | 18 недель | да | EAR99 | ПРОЭЛЕКТРОННАЯ СПЕЦИФИКАЦИЯ | 8541.10.00.50 | ±5% | е3 | Матовый олово (Sn) | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 10 | 1 | Диоды опорного напряжения | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г3 | ОДИНОКИЙ | 350мВт | КРЕМНИЙ | 0,35 Вт | 0,05 мкА | 22В | 5% | 5мА | стабилитрон | 55Ом | 55Ом | 19,8 мВ/°С | 50 нА при 15,4 В | 900 мВ при 10 мА | 22В | 250Ом | ||||||
| CLL4749A TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | 0,39 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°К~200°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cll4746atrpbfree-datasheets-8483.pdf | ДО-213АБ, МЭЛФ | 70 недель | ±5% | ДА | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 1 Вт | 1 Вт | 24В | 5% | 10,5 мА | стабилитрон | 25 Ом | 25 Ом | 5 мкА при 18,2 В | 1,2 В @ 200 мА | 24В | ||||||||||||||||||||||||
| 1N5221B TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°К~200°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n5234btrpbfree-datasheets-5353.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 70 недель | ±5% | 500мВт | 30Ом | 100 мкА при 1 В | 1,1 В при 200 мА | 2,4 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX84C7V5 TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-bzx84c18trpbfree-datasheets-9400.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 22 недели | ±5% | ДА | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 350мВт | 0,3 Вт | 7,5 В | 5% | 5мА | стабилитрон | 15Ом | 15Ом | 1 мкА при 5 В | 900 мВ при 10 мА | 7,5 В | |||||||||||||||||||||||||
| CMOZ6V2 TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cmoz5v6trpbfree-datasheets-0252.pdf | СК-79, СОД-523 | 20 недель | ±5% | ДА | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 300мВт | 0,35 Вт | 6,2 В | 5% | 5мА | стабилитрон | 10Ом | 10Ом | 3 мкА при 4 В | 900 мВ при 10 мА | 6,2 В | |||||||||||||||||||||||||
| CMOZ3L9 TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cmoz1l8trpbfree-datasheets-0037.pdf | СК-79, СОД-523 | 20 недель | ±5% | ДА | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 250 мВт | 0,25 Вт | 3,9 В | 5% | 0,25 мА | стабилитрон | 1600Ом | 1,6 кОм | 5 мкА при 1 В | 900 мВ при 10 мА | 3,9 В | |||||||||||||||||||||||||
| 1N4624 TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°К~200°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n4625trpbfree-datasheets-0661.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | ±5% | 250 мВт | 1,55 кОм | 10 мкА при 3 В | 1 В @ 200 мА | 4,7 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMDZ16L TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cmdz1l8trpbfree-datasheets-8082.pdf | СК-76, СОД-323 | 20 недель | ±5% | ДА | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 250 мВт | 0,25 Вт | 16В | 5% | 500 мА | стабилитрон | 80Ом | 80Ом | 1 мкА при 14 В | 900 мВ при 10 мА | 16В | |||||||||||||||||||||||||
| CMHZ5252B TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cmhz5232btrpbfree-datasheets-7086.pdf | СОД-123 | 20 недель | ±5% | ДА | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 500мВт | 0,5 Вт | 24В | 5% | 5,2 мА | стабилитрон | 33Ом | 33Ом | 100 нА при 18 В | 900 мВ при 10 мА | 24В | |||||||||||||||||||||||||
| CLL5247B БК PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°К~200°К | Масса | 1 (без ограничений) | /files/centralsemiconductorcorp-cll5248btrpbfree-datasheets-1628.pdf | ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 | 13 недель | совместимый | ±5% | ДА | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 500мВт | 0,5 Вт | 17В | 5% | 7,4 мА | стабилитрон | 19Ом | 19Ом | 100 нА при 13 В | 1,25 В @ 200 мА | 17В | |||||||||||||||||||||||||
| 1N757A TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°К~200°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n759atrpbfree-datasheets-6975.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 13 недель | совместимый | ±5% | 500мВт | 10Ом | 100 нА при 1 В | 1,5 В при 200 мА | 9,1 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N973B БК PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~200°C ТДж | Масса | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n957bbkpbfree-datasheets-2964.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 13 недель | ±5% | 500мВт | 58Ом | 5 мкА при 25,1 В | 1,5 В при 200 мА | 33В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N970B TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~200°C ТДж | Лента и катушка (TR) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n957bbkpbfree-datasheets-2964.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 13 недель | ±5% | 500мВт | 33Ом | 5 мкА при 18,2 В | 1,5 В при 200 мА | 24В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMSZ5258B БК PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Масса | 1 (без ограничений) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cmsz5258btrpbfree-datasheets-5010.pdf | СК-70, СОТ-323 | 26 недель | совместимый | ±5% | ДА | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 275 МВт | 0,275 Вт | 36В | 5% | 3,4 мА | стабилитрон | 70Ом | 70Ом | 100 нА при 27 В | 900 мВ при 10 мА | 36В | |||||||||||||||||||||||||
| CZ5353B БК PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°К~150°К | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cz5342btrpbfree-datasheets-2325.pdf | ДО-201АА, ДО-27, Осевой | 12 недель | ±5% | НЕТ | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 5 Вт | 5 Вт | 16В | 5% | 75 мА | стабилитрон | 2,5 Ом | 2,5 Ом | 1 мкА при 12,2 В | 1,2 В при 1 А | 16В | |||||||||||||||||||||||||
| CZ5361B БК PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°К~150°К | Масса | 1 (без ограничений) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cz5342btrpbfree-datasheets-2325.pdf | ДО-201АА, ДО-27, Осевой | 12 недель | совместимый | ±5% | НЕТ | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 5 Вт | 5 Вт | 27В | 5% | 50 мА | стабилитрон | 5Ом | 5Ом | 500 нА при 20,6 В | 1,2 В при 1 А | 27В | |||||||||||||||||||||||||
| 1N4619 БК PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~200°C ТДж | Масса | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n4625trpbfree-datasheets-0661.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 13 недель | ±5% | 250 мВт | 1,6 кОм | 800 нА при 1 В | 1 В @ 200 мА | 3В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N4710 БК PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~200°C ТДж | Масса | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n4689bkpbfree-datasheets-6886.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 13 недель | ±5% | 500мВт | 10 нА при 19 В | 1,5 В при 100 мА | 25 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5945B TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~200°C ТДж | Лента и катушка (TR) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n5922btrpbfree-datasheets-7396.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 12 недель | ±5% | НЕТ | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 1,5 Вт | 1,5 Вт | 68В | 5% | 5,5 мА | стабилитрон | 120Ом | 120Ом | 1 мкА при 51,2 В | 1,5 В при 200 мА | 68В | ||||||||||||||||||||||||||
| 1N5926B TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~200°C ТДж | Лента и катушка (TR) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n5922btrpbfree-datasheets-7396.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 12 недель | ±5% | НЕТ | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 1,5 Вт | 1,5 Вт | 11В | 5% | 34,1 мА | стабилитрон | 6Ом | 6Ом | 1 мкА при 8,4 В | 1,5 В при 200 мА | 11В | ||||||||||||||||||||||||||
| 1N5923B TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~200°C ТДж | Лента и катушка (TR) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n5922btrpbfree-datasheets-7396.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 21 неделя | ±5% | НЕТ | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 1,5 Вт | 1,5 Вт | 8,2 В | 5% | 45,7 мА | стабилитрон | 4Ом | 4Ом | 5 мкА при 6,5 В | 1,5 В при 200 мА | 8,2 В | ||||||||||||||||||||||||||
| CMPZ5247B БК PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Масса | 1 (без ограничений) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cmpz5242btrpbfree-datasheets-6986.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 18 недель | совместимый | ±5% | ДА | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 350мВт | 0,35 Вт | 17В | 5% | 7,4 мА | стабилитрон | 19Ом | 19Ом | 100 нА при 13 В | 900 мВ при 10 мА | 17В | |||||||||||||||||||||||||
| 1N6006B TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~200°C ТДж | Лента и катушка (TR) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-1n5985bbkpbfree-datasheets-4572.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 50 недель | ±5% | 500мВт | 42Ом | 100 нА при 14 В | 1,5 В при 100 мА | 18В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMPZ5232B БК PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Масса | 1 (без ограничений) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cmpz5242btrpbfree-datasheets-6986.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 18 недель | совместимый | ±5% | ДА | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 350мВт | 0,35 Вт | 5,6 В | 5% | 20 мА | стабилитрон | 11Ом | 11Ом | 5 мкА при 3 В | 900 мВ при 10 мА | 5,6 В | |||||||||||||||||||||||||
| 1N5221B БК PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°К~200°К | Масса | 1 (без ограничений) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n5234btrpbfree-datasheets-5353.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 13 недель | совместимый | ±5% | 500мВт | 30Ом | 100 мкА при 1 В | 1,1 В при 200 мА | 2,4 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5252B БК PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~200°C ТДж | Масса | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n5234btrpbfree-datasheets-5353.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 13 недель | ±5% | 500мВт | 33Ом | 100 нА при 18 В | 1,1 В при 200 мА | 24В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5989B БК PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~200°C ТДж | Масса | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-1n5985bbkpbfree-datasheets-4572.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 13 недель | ±5% | 500мВт | 90Ом | 15 мкА при 1 В | 1,5 В при 100 мА | 3,6 В |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.