Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактЦентральная полупроводниковая корпорация (8720)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Код Pbfree | ECCN-код | Достичь кода соответствия | Код HTS | Толерантность | Код JESD-609 | Терминал отделки | Полярность | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Рабочая температура (макс.) | Рабочая температура (мин) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | DS Напряжение пробоя-мин. | Технология полевых транзисторов | Ток утечки (макс.) | Мощность - Макс. | Материал диодного элемента | Рассеиваемая мощность-Макс. | Обратный ток-Макс. | Опорное напряжение | Напряжение Тол-Макс | Рабочий тестовый ток | Обратное испытательное напряжение | Тип диода | Динамический импеданс-Макс. | Удержание максимального тока | Тип триггерного устройства | Макс. ток триггера затвора постоянного тока | Повторяющееся пиковое напряжение в выключенном состоянии | Источник стока при максимальном сопротивлении | Обратная связь Cap-Max (Crss) | Импеданс-Макс. | Критическая скорость нарастания напряжения в выключенном состоянии-мин. | Среднеквадратичное значение тока во включенном состоянии, максимальный ток | Макс. напряжение триггера затвора постоянного тока | Критическая скорость нарастания коммутационного напряжения-мин. | Тип полевого транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Напряжение — отсечка (VGS выключена) @ Id | Напряжение – пробоя (В(BR)GSS) | Текущее потребление (Id) — Макс. | Ток-Сток (Idss) @ Vds (Vgs=0) | Сопротивление - RDS(Вкл.) | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Напряжение - Стабилитрон (Ном) (Вз) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CQ3P-25B | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поставщик не определен | Не соответствует требованиям RoHS | /files/centralsemiconductorcorp-cq3p25m-datasheets-3323.pdf | 3 | нет | EAR99 | не_совместимо | 8541.30.00.80 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕТ | ВЕРХНИЙ | НАКОНЕЧНИК ДЛЯ ПАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 2 | 125°С | -40°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Симисторы | Не квалифицирован | О-МУФМ-Д3 | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 3мА | 50 мА | 4-КВАДРАНТНЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ СИМИСТОР | 50 мА | 200В | 500 В/мкс | 30А | 2,5 В | 5 В/мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N4859A | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~200°C ТДж | Масса | РЕЖИМ Истощения | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/centralsemiconductorcorp-2n4859a-datasheets-4458.pdf | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | 3 | 8 недель | нет | EAR99 | не_совместимо | 8541.21.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕТ | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | О-MBCY-W3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 0,36 Вт | 30В | СОЕДИНЕНИЕ | 360мВт | 25 Ом | 4 пФ | N-канал | 10 пФ при 10 В ВГС | 10 В при 500 пА | 30В | 250пА | 50 мА при 15 В | 25 Ом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N4393 PBБЕСПЛАТНО | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~175°C ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-2n4391pbfree-datasheets-4417.pdf | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | е3 | МАТОВЫЙ ТИН ПО НИКЕЛЮ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1,8 Вт | N-канал | 14пФ при 20В | 500 мВ при 1 нА | 40В | 5 мА при 20 В | 100Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMXZ39VTO ТР | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | /files/centralsemiconductorcorp-cmxz39vtotr-datasheets-1321.pdf | СОТ-23-6 | ±5% | ДА | Другие диоды | 3 независимых | 350 мВт | 0,35 Вт | 0,05 мкА | 27,3 В | 130Ом | 50 нА при 27,3 В | 900 мВ при 10 мА | 39В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMKZ5249B БК | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°C~150°C ТДж | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-cmkz5232bbk-datasheets-1559.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | EAR99 | 8541.10.00.50 | ±5% | ДА | 1 | Диоды опорного напряжения | 3 независимых | 200мВт | 0,2 Вт | 19В | 5% | 6,6 мА | стабилитрон | 23Ом | 23Ом | 100 нА при 14 В | 900 мВ при 10 мА | 19В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMKZ5236B ТР | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-cmkz5232bbk-datasheets-1559.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | ±5% | ДА | 1 | Диоды опорного напряжения | 3 независимых | 200мВт | 0,2 Вт | 7,5 В | 5% | 20 мА | стабилитрон | 6Ом | 6Ом | 3 мкА при 6 В | 900 мВ при 10 мА | 7,5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMKZ5259B БК | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°C~150°C ТДж | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-cmkz5232bbk-datasheets-1559.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | EAR99 | 8541.10.00.50 | ±5% | ДА | 1 | Диоды опорного напряжения | 3 независимых | 200мВт | 0,2 Вт | 39В | 5% | 3,2 мА | стабилитрон | 80Ом | 80Ом | 100 нА при 30 В | 900 мВ при 10 мА | 39В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMKZ5242B ТР | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-cmkz5232bbk-datasheets-1559.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | ±5% | ДА | 1 | Диоды опорного напряжения | 3 независимых | 200мВт | 0,2 Вт | 12 В | 5% | 20 мА | стабилитрон | 30Ом | 30Ом | 1 мкА при 9,1 В | 900 мВ при 10 мА | 12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMKZ5233B ТР | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-cmkz5232bbk-datasheets-1559.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 11 недель | ±5% | ДА | 1 | Диоды опорного напряжения | 3 независимых | 200мВт | 0,2 Вт | 6В | 5% | 20 мА | стабилитрон | 7Ом | 7Ом | 5 мкА при 3,5 В | 900 мВ при 10 мА | 6В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMDZ5222B TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-cmdz5222btrpbfree-datasheets-8099.pdf | СК-76, СОД-323 | 20 недель | ±5% | ДА | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 250 мВт | 0,25 Вт | 2,5 В | 5% | 20 мА | стабилитрон | 30Ом | 30Ом | 100 мкА при 1 В | 900 мВ при 10 мА | 2,5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMPZ5241B TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cmpz5242btrpbfree-datasheets-6986.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 18 недель | ±5% | ДА | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 350 мВт | 0,35 Вт | 11В | 5% | 20 мА | стабилитрон | 22Ом | 22Ом | 2 мкА при 8,4 В | 900 мВ при 10 мА | 11В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX84C10 TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-bzx84c18trpbfree-datasheets-9400.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 22 недели | ±5% | ДА | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 350 мВт | 0,3 Вт | 10 В | 5% | 5мА | стабилитрон | 20Ом | 20Ом | 200 нА при 7 В | 900 мВ при 10 мА | 10 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMHZ4625 TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | 0,48 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cmhz4625trpbfree-datasheets-1745.pdf | СОД-123 | 70 недель | ±5% | ДА | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 500мВт | 0,5 Вт | 5,1 В | 5% | 0,25 мА | стабилитрон | 1500Ом | 1,5 кОм | 10 мкА при 3 В | 1,5 В при 100 мА | 5,1 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CZ5339B TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°К~200°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cz5339btrpbfree-datasheets-2317.pdf | ДО-201АА, ДО-27, Осевой | 20 недель | не_совместимо | ±5% | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 5 Вт | 5 Вт | 5,6 В | 5% | 220 мА | стабилитрон | 1Ом | 1Ом | 10 мкА при 2 В | 1,2 В при 1 А | 5,6 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMPZ5232B TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cmpz5242btrpbfree-datasheets-6986.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 22 недели | ±5% | ДА | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 350 мВт | 0,35 Вт | 5,6 В | 5% | 20 мА | стабилитрон | 11Ом | 11Ом | 5 мкА при 3 В | 900 мВ при 10 мА | 5,6 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMDZ10V TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°К~175°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cmdz47vtrpbfree-datasheets-4798.pdf | СК-76, СОД-323 | 16 недель | ±5% | ДА | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 250 мВт | 0,25 Вт | 10 В | 5% | 5мА | стабилитрон | 20Ом | 20Ом | 200 нА при 7 В | 900 мВ при 10 мА | 10 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMPZ5225B TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cmpz5242btrpbfree-datasheets-6986.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 22 недели | ±5% | ДА | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 350 мВт | 0,35 Вт | 3В | 5% | 20 мА | стабилитрон | 29Ом | 29Ом | 50 мкА при 1 В | 900 мВ при 10 мА | 3В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMHZ5242B TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cmhz5232btrpbfree-datasheets-7086.pdf | СОД-123 | 20 недель | ±5% | ДА | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 500мВт | 0,5 Вт | 12 В | 5% | 20 мА | стабилитрон | 30Ом | 30Ом | 1 мкА при 9,1 В | 900 мВ при 10 мА | 12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMPZ5227B TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cmpz5242btrpbfree-datasheets-6986.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 22 недели | ±5% | ДА | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 350 мВт | 0,35 Вт | 3,6 В | 5% | 20 мА | стабилитрон | 24Ом | 24Ом | 15 мкА при 1 В | 900 мВ при 10 мА | 3,6 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMHZ5227BG TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cmhz5232btrpbfree-datasheets-7086.pdf | СОД-123 | 20 недель | ±5% | 500мВт | 24Ом | 15 мкА при 1 В | 900 мВ при 10 мА | 3,6 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5231B TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°К~200°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n5234btrpbfree-datasheets-5353.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 70 недель | ±5% | 500мВт | 17Ом | 5 мкА при 2 В | 1,1 В @ 200 мА | 5,1 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMDZ5236B TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cmdz5222btrpbfree-datasheets-8099.pdf | СК-76, СОД-323 | 20 недель | ±5% | ДА | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 250 мВт | 0,25 Вт | 7,5 В | 5% | 20 мА | стабилитрон | 6Ом | 6Ом | 3 мкА при 6 В | 900 мВ при 10 мА | 7,5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5225B TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°К~200°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n5234btrpbfree-datasheets-5353.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 70 недель | ±5% | 500мВт | 29Ом | 50 мкА при 1 В | 1,1 В @ 200 мА | 3В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N4754A TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°К~200°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n4743atrpbfree-datasheets-4829.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 98 недель | ±5% | НЕТ | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 1 Вт | 1 Вт | 39В | 5% | 6,5 мА | стабилитрон | 60Ом | 60Ом | 5 мкА при 29,7 В | 1,2 В при 200 мА | 39В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5246B TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°К~200°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n5234btrpbfree-datasheets-5353.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 70 недель | ±5% | 500мВт | 17Ом | 100 нА при 12 В | 1,1 В @ 200 мА | 16В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N750A TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°К~200°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n759atrpbfree-datasheets-6975.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 70 недель | ±5% | 500мВт | 19Ом | 2 мкА при 1 В | 1,5 В при 200 мА | 4,7 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMOZ20V TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cmoz5v6trpbfree-datasheets-0252.pdf | СК-79, СОД-523 | 20 недель | ±5% | ДА | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 300мВт | 0,35 Вт | 20 В | 5% | 5мА | стабилитрон | 55Ом | 55Ом | 50 нА при 14 В | 900 мВ при 10 мА | 20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMHZ5230B TR13 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | ЗЕНЕР | Не соответствует требованиям RoHS | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cmhz5232btrpbfree-datasheets-7086.pdf | СОД-123 | 2 | 7 недель | EAR99 | 8541.10.00.50 | ±5% | е3 | Матовый олово (Sn) | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-Г2 | ОДИНОКИЙ | 500мВт | КРЕМНИЙ | 0,5 Вт | 4,7 В | 5% | 20 мА | стабилитрон | 19Ом | 5 мкА при 2 В | 900 мВ при 10 мА | 4,7 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMZ5920B TR13 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cmz5945btr13pbfree-datasheets-9444.pdf | ДО-214АС, СМА | 12 недель | EAR99 | 8541.10.00.50 | ±5% | е3 | МАТОВЫЙ ТИН ПО НИКЕЛЮ | ДА | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 500мВт | 1,5 Вт | 6,2 В | 5% | 60,5 мА | стабилитрон | 2Ом | 2Ом | 5 мкА при 4 В | 1,5 В при 200 мА | 6,2 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CZ5352B TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°К~200°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cz5342btrpbfree-datasheets-2325.pdf | ДО-201АА, ДО-27, Осевой | 50 недель | ±5% | НЕТ | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 5 Вт | 5 Вт | 15 В | 5% | 75 мА | стабилитрон | 2,5 Ом | 2,5 Ом | 1 мкА при 11,5 В | 1,2 В при 1 А | 15 В |
