| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус RoHS | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Время выполнения заказа на заводе | ECCN-код | Достичь кода соответствия | Код HTS | Толерантность | Код JESD-609 | Терминал отделки | Поверхностный монтаж | Пиковая температура оплавления (Цел) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Подкатегория | Конфигурация | Мощность - Макс. | Рассеиваемая мощность-Макс. | Опорное напряжение | Напряжение Тол-Макс | Рабочий тестовый ток | Тип диода | Динамический импеданс-Макс. | Импеданс-Макс. | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Напряжение - Стабилитрон (Ном) (Вз) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1N749A БК PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | 0,39 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°К~200°К | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n759atrpbfree-datasheets-6975.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 13 недель | ±5% | 500мВт | 22Ом | 2 мкА при 1 В | 1,5 В при 200 мА | 4,3 В | |||||||||||||||||||||
| 1N4740A TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°К~200°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n4743atrpbfree-datasheets-4829.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 98 недель | ±5% | НЕТ | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 1 Вт | 1 Вт | 10 В | 5% | 25 мА | стабилитрон | 7Ом | 7Ом | 10 мкА при 7,6 В | 1,2 В при 200 мА | 10 В | ||||||||||||
| 1N5239B TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°К~200°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n5234btrpbfree-datasheets-5353.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 70 недель | ±5% | 500мВт | 10Ом | 3 мкА при 7 В | 1,1 В @ 200 мА | 9,1 В | ||||||||||||||||||||||
| 1N5235B TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°К~200°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n5234btrpbfree-datasheets-5353.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 70 недель | ±5% | 500мВт | 5Ом | 3 мкА при 5 В | 1,1 В @ 200 мА | 6,8 В | ||||||||||||||||||||||
| CMOZ3V6 TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | 0,54 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cmoz5v6trpbfree-datasheets-0252.pdf | СК-79, СОД-523 | 20 недель | ±5% | ДА | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 300мВт | 0,35 Вт | 3,6 В | 5% | 5мА | стабилитрон | 90Ом | 90Ом | 2 мкА при 1 В | 900 мВ при 10 мА | 3,6 В | |||||||||||
| CMOZ36L TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°К~155°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cmoz1l8trpbfree-datasheets-0037.pdf | СК-79, СОД-523 | 98 недель | ±5% | ДА | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 250 мВт | 0,25 Вт | 36В | 5% | 0,25 мА | стабилитрон | 200Ом | 200Ом | 1 мкА при 33 В | 900 мВ при 10 мА | 36В | ||||||||||||
| CMPZ5248B TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-cmpz5242btrpbfree-datasheets-6986.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 22 недели | ±5% | ДА | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 350 мВт | 0,35 Вт | 18В | 5% | 7мА | стабилитрон | 21 Ом | 21 Ом | 100 нА при 14 В | 900 мВ при 10 мА | 18В | ||||||||||||
| CZ5354B TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°К~200°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cz5342btrpbfree-datasheets-2325.pdf | ДО-201АА, ДО-27, Осевой | 12 недель | ±5% | НЕТ | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 5 Вт | 5 Вт | 17В | 5% | 70 мА | стабилитрон | 2,5 Ом | 2,5 Ом | 500 нА при 12,9 В | 1,2 В при 1 А | 17В | ||||||||||||
| CMZ5938B TR13 PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-cmz5945btr13pbfree-datasheets-9444.pdf | ДО-214АС, СМА | 14 недель | EAR99 | 8541.10.00.50 | ±5% | е3 | МАТОВЫЙ ТИН ПО НИКЕЛЮ | ДА | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 500мВт | 1,5 Вт | 36В | 5% | 10,4 мА | стабилитрон | 38Ом | 38Ом | 1 мкА при 27,4 В | 1,5 В при 200 мА | 36В | ||||||
| CMPZ5246B TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-cmpz5242btrpbfree-datasheets-6986.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 22 недели | ±5% | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 350 мВт | 0,35 Вт | 16 В | 5% | 7,8 мА | стабилитрон | 17Ом | 17Ом | 100 нА при 12 В | 900 мВ при 10 мА | 16 В | ||||||||||
| CLL5239B БК PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°К~200°К | Масса | 1 (без ограничений) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cll5248btrpbfree-datasheets-1628.pdf | ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 | 13 недель | совместимый | ±5% | ДА | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 500мВт | 0,5 Вт | 9,1 В | 5% | 20 мА | стабилитрон | 10Ом | 10Ом | 3 мкА при 7 В | 1,25 В @ 200 мА | 9,1 В | ||||||||||||
| 1N957B БК PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~200°C ТДж | Масса | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n957bbkpbfree-datasheets-2964.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 13 недель | ±5% | 500мВт | 4,5 Ом | 150 мкА при 5,2 В | 1,5 В при 200 мА | 6,8 В | |||||||||||||||||||||||
| 1N964B БК PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~200°C ТДж | Масса | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n957bbkpbfree-datasheets-2964.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 13 недель | ±5% | 500мВт | 13Ом | 5 мкА при 9,9 В | 1,5 В при 200 мА | 13В | |||||||||||||||||||||||
| 1N969B БК PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~200°C ТДж | Масса | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n957bbkpbfree-datasheets-2964.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 13 недель | ±5% | 500мВт | 29Ом | 5 мкА при 16,7 В | 1,5 В при 200 мА | 22В | |||||||||||||||||||||||
| CMSZ5250B БК PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Масса | 1 (без ограничений) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cmsz5258btrpbfree-datasheets-5010.pdf | СК-70, СОТ-323 | 26 недель | совместимый | ±5% | ДА | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 275 МВт | 0,275 Вт | 20 В | 5% | 6,2 мА | стабилитрон | 25 Ом | 25 Ом | 100 нА при 15 В | 900 мВ при 10 мА | 20 В | ||||||||||||
| CZ5355B БК PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°К~150°К | Масса | 1 (без ограничений) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cz5342btrpbfree-datasheets-2325.pdf | ДО-201АА, ДО-27, Осевой | 12 недель | совместимый | ±5% | НЕТ | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 5 Вт | 5 Вт | 18В | 5% | 65 мА | стабилитрон | 2,5 Ом | 2,5 Ом | 500 нА при 13,7 В | 1,2 В при 1 А | 18В | ||||||||||||
| CZ5361B TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cz5342btrpbfree-datasheets-2325.pdf | ДО-201АА, ДО-27, Осевой | 12 недель | совместимый | ±5% | НЕТ | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 5 Вт | 5 Вт | 27В | 5% | 50 мА | стабилитрон | 5Ом | 5Ом | 500 нА при 20,6 В | 1,2 В при 1 А | 27В | ||||||||||||
| 1N4684 БК PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~200°C ТДж | Масса | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n4689bkpbfree-datasheets-6886.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 13 недель | ±5% | 500мВт | 7,5 мкА при 1,5 В | 1,5 В при 100 мА | 3,3 В | ||||||||||||||||||||||||
| 1N4715 БК PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~200°C ТДж | Масса | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n4689bkpbfree-datasheets-6886.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 13 недель | ±5% | 500мВт | 10 нА при 27,3 В | 1,5 В при 100 мА | 36В | ||||||||||||||||||||||||
| 1N5925B TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~200°C ТДж | Лента и катушка (TR) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n5922btrpbfree-datasheets-7396.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 12 недель | ±5% | НЕТ | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 1,5 Вт | 1,5 Вт | 10 В | 5% | 37,5 мА | стабилитрон | 5Ом | 5Ом | 5 мкА при 8 В | 1,5 В при 200 мА | 10 В | |||||||||||||
| 1N5928B TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~200°C ТДж | Лента и катушка (TR) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n5922btrpbfree-datasheets-7396.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 12 недель | ±5% | НЕТ | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 1,5 Вт | 1,5 Вт | 13В | 5% | 28,8 мА | стабилитрон | 7Ом | 7Ом | 1 мкА при 9,9 В | 1,5 В при 200 мА | 13В | |||||||||||||
| 1N5951B БК | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~200°C ТДж | Масса | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n5922btrpbfree-datasheets-7396.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 26 недель | ±5% | НЕТ | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 1,5 Вт | 1,5 Вт | 120 В | 5% | 3,1 мА | стабилитрон | 380Ом | 380Ом | 1 мкА при 91,2 В | 1,5 В при 200 мА | 120 В | |||||||||||||
| CMPZ5240B БК PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Масса | 1 (без ограничений) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cmpz5242btrpbfree-datasheets-6986.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 18 недель | совместимый | ±5% | ДА | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 350 мВт | 0,35 Вт | 10 В | 5% | 20 мА | стабилитрон | 17Ом | 17Ом | 3 мкА при 8 В | 900 мВ при 10 мА | 10 В | ||||||||||||
| 1N5996B TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~200°C ТДж | Лента и катушка (TR) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n5985bbkpbfree-datasheets-4572.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 50 недель | ±5% | 500мВт | 8Ом | 1 мкА при 5,2 В | 1,5 В при 100 мА | 6,8 В | |||||||||||||||||||||||
| CMPZ5238B TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cmpz5242btrpbfree-datasheets-6986.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 18 недель | ±5% | ДА | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 350 мВт | 0,35 Вт | 8,7 В | 5% | 20 мА | стабилитрон | 8Ом | 8Ом | 3 мкА при 6,5 В | 900 мВ при 10 мА | 8,7 В | ||||||||||||
| 1N5245B БК PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°К~200°К | Масса | 1 (без ограничений) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n5234btrpbfree-datasheets-5353.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 13 недель | совместимый | ±5% | 500мВт | 16Ом | 100 нА при 11 В | 1,1 В @ 200 мА | 15 В | ||||||||||||||||||||||
| 1N5249B БК PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~200°C ТДж | Масса | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n5234btrpbfree-datasheets-5353.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 13 недель | ±5% | 500мВт | 23Ом | 100 нА при 14 В | 1,1 В @ 200 мА | 19В | |||||||||||||||||||||||
| 1N5990B БК PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~200°C ТДж | Масса | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n5985bbkpbfree-datasheets-4572.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 13 недель | ±5% | 500мВт | 90Ом | 10 мкА при 1 В | 1,5 В при 100 мА | 3,9 В | |||||||||||||||||||||||
| 1N5996B БК PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~200°C ТДж | Масса | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n5985bbkpbfree-datasheets-4572.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 13 недель | ±5% | 500мВт | 8Ом | 1 мкА при 5,2 В | 1,5 В при 100 мА | 6,8 В | |||||||||||||||||||||||
| 1N4099 TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~200°C ТДж | Лента и катушка (TR) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n4104trpbfree-datasheets-1787.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 13 недель | ±5% | 250 мВт | 200Ом | 10 мкА при 5,2 В | 1,1 В @ 200 мА | 6,8 В |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.