Продукция
Производитель
RFQ
NWES
КонтактCentral Semiconductor Corp (8720)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цены (доллар) | Количество | Вес (кг) | Размер (LXWXH) | Статус частично | Тип | Устанавливать | Монтажный тип | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности влаги (MSL) | Технология | Операционный режим | Статус ROHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет / корпус | Количество терминаций | Время выполнения завода | PBFREE CODE | Код ECCN | Достичь кода соответствия | HTS -код | Код JESD-609 | Терминальная отделка | Приложения | Полярность | Поверхностное крепление | Терминальная позиция | Терминальная форма | Пиковая температура отвоз (CEL) | Подсчет штифтов | Рабочая температура (макс) | Рабочая температура (мин) | Время@Пиковой температуру (я) | Количество элементов | Подкатегория | Квалификационный статус | Код JESD-30 | RMS Current (IRMS) | В штате ток-макс | Материал транзистора | Конфигурация | Случайный соединение | Приложение транзистора | Power Dissipation-Max (ABS) | DS Breakdown Trastage-Min | Технология FET | Ток утечки (макс) | Поломное напряжение | Сила - Макс | Диодный элемент материал | Rep PK обратное напряжение-макс | Незащитный пик rev Power Dis-Max | Держать ток | Защита линии электропередачи | Напряжение - срыв (мин) | Ток - пиковой импульс (10/1000 мкл) | Напряжение - зажим (макс) @ ipp | Напряжение - обратное противостояние (тип) | Однонаправленные каналы | Мощность - пик пульс | Двунаправленные каналы | Зажимной напряжение-макс | Jedec-95 код | Независимый PK в штате Cur | Удерживая ток-макс | Повторное пиковое обратное напряжение | Запустить тип устройства | Напряжение - Off State | DC GATE TUCCE-MAX | Повторное пиковое напряжение вне штата | Current - On State (It (RMS)) (макс) | Current - Hold (ih) (макс) | Дренажный источник на сопротивлении-макс | Обратная связь Cap-Max (CRSS) | Напряжение - затворный триггер (VGT) (макс) | Current - Non Rep. Surge 50, 60 Гц (ITSM) | Ток - затворный триггер (IGT) (макс) | Current - On State (It (av)) (макс) | Тип SCR | Напряжение - на состоянии (VTM) (макс) | Ток - вне штата (макс) | Критическая скорость роста вне государственного напряжения-мин | RMS в государственном тока-макс | DC GATE TRIGGE TRIGGE-MAX | Тип триака | Критическая скорость роста торговли напряжения | Тип FET | Входная емкость (ciss) (max) @ vds | Напряжение - отсечение (VGS OFF) @ ID | Напряжение - разбивка (v (br) gss) | Ток дренаж (ID) - макс. | Ток - дренаж (idss) @ vds (vgs = 0) | Сопротивление - RDS (ON) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1.5ce300ca bk pbfree | Central Semiconductor Corp | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Zener | Через дыру | -65 ° C ~ 175 ° C TJ | Масса | ROHS3 соответствует | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-15ce56atrpbfree-datasheets-5153.pdf | Do-201aa, do-27, осевой | 12 недель | Общее назначение | Нет | 285V | 5A | 414V | 256 В | 1500 Вт 1,5 кВт | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1.5ce51ca bk pbfree | Central Semiconductor Corp | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Zener | Через дыру | -65 ° C ~ 175 ° C TJ | Масса | ROHS3 соответствует | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-15ce56atrpbfree-datasheets-5153.pdf | Do-201aa, do-27, осевой | 12 недель | Общее назначение | Нет | 48,5 В. | 21.4a | 70.1V | 43,6 В. | 1500 Вт 1,5 кВт | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 3SMC43CA BK PBFREE | Central Semiconductor Corp | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Zener | Поверхностное крепление | -65 ° C ~ 150 ° C TJ | Масса | 1 (неограниченный) | ROHS3 соответствует | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemyonductorcorp-3smc16catr13pbfree-datasheets-5385.pdf | DO-214AB, SMC | 12 недель | Общее назначение | Двунаправленный | ДА | Переходные супрессоры | 51.35V | 43В | Нет | 47,8 В. | 43,2а | 69,4 В. | 43В | 3000 Вт 3 кВт | 1 | 69,4 В. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 3SMC90A BK PBFREE | Central Semiconductor Corp | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Zener | Поверхностное крепление | -65 ° C ~ 150 ° C TJ | Масса | 1 (неограниченный) | ROHS3 соответствует | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-3smc18atr13pbfree-datasheets-5489.pdf | DO-214AB, SMC | 18 недель | Общее назначение | Однонаправленный | ДА | Переходные супрессоры | 10,75 В. | 9 В | Нет | 100 В | 20.6a | 146V | 90В | 1 | 3000 Вт 3 кВт | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| P6SMB6.8CA BK | Central Semiconductor Corp | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Zener | Поверхностное крепление | -65 ° C ~ 150 ° C TJ | Масса | 1 (неограниченный) | Лавина | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemyonductorcorp-p6smb150atr13pbfree-datasheets-6260.pdf | DO-214AA, SMB | 2 | да | Ear99 | соответствие | E3 | Общее назначение | Двунаправленный | ДА | Двойной | C Bend | 260 | 10 | 1 | Переходные супрессоры | R-PDSO-C2 | ОДИНОКИЙ | 68 В | Кремний | 600 Вт | Нет | 6,45 В. | 57а | 10,5 В. | 5,8 В. | 600 Вт | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| P4SMA64CA TR13 | Central Semiconductor Corp | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Zener | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-p4sma85catr13-datasheets-4578.pdf | DO-214AC, SMA | Общее назначение | Нет | 71.1V | 3.9a | 103 В. | 64 В | 400 Вт | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| P4SMA190CA TR13 | Central Semiconductor Corp | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Zener | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-p4sma85catr13-datasheets-4578.pdf | DO-214AC, SMA | Общее назначение | Нет | 209 В. | 1.3a | 308В | 190В | 400 Вт | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| P4SMA130A BK | Central Semiconductor Corp | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Zener | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | 1 (неограниченный) | ROHS COMPARINT | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-p4sma85catr13-datasheets-4578.pdf | DO-214AC, SMA | Ear99 | соответствие | E3 | Матовая олова (SN) | Общее назначение | Однонаправленный | ДА | Переходные супрессоры | 154,8 В. | Нет | 144V | 1.9а | 209 В. | 130В | 1 | 400 Вт | 209 В. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| P4SMA9.0CA BK | Central Semiconductor Corp | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Zener | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | 1 (неограниченный) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-p4sma85catr13-datasheets-4578.pdf | DO-214AC, SMA | Общее назначение | Нет | 10 В | 26а | 15,4 В. | 9 В | 400 Вт | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| P4SMA5.0A TR13 | Central Semiconductor Corp | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Zener | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | ROHS COMPARINT | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-p4sma85catr13-datasheets-4578.pdf | DO-214AC, SMA | соответствие | Общее назначение | Однонаправленный | ДА | Переходные супрессоры | 6,8 В. | 5 В | Нет | 6,4 В. | 43,5А | 9.2V | 5 В | 1 | 400 Вт | 9.2V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| P4SMA100CA BK | Central Semiconductor Corp | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Zener | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | 1 (неограниченный) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-p4sma85catr13-datasheets-4578.pdf | DO-214AC, SMA | Общее назначение | Нет | 111V | 2.5A | 162V | 100 В | 400 Вт | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CPS053-2N5060-CT | Central Semiconductor Corp | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поднос | 1 (неограниченный) | ROHS3 соответствует | 2017 | /files/centralsemiconductorcorp-cps0532n5064wn-datasheets-3208.pdf | Умирать | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CPS041-CS92D-CT20 | Central Semiconductor Corp | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -65 ° C ~ 125 ° C TJ | Поднос | ROHS3 соответствует | /files/centralsemiconductorcorp-cps041cs18bwn-datasheets-3270.pdf | Умирать | 400 В. | 800 мА | 5 мА | 800 мВ | 10a @ 50 Гц | 200 мкА | Стандартное восстановление | 1,7 В. | 1 млекс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Brx44 Pbfree | Central Semiconductor Corp | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | -40 ° C ~ 125 ° C TJ | Масса | ROHS3 соответствует | /files/centralsemiconductorcorp-brx46pbfree-datasheets-3280.pdf | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | E3 | Матовая олова (SN) - с никелем (Ni) барьером | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | Скрипт | 30 В | 800 мА | 5 мА | 800 мВ | 200 мкА | 500 мА | Стандартное восстановление | 1,7 В. | 1 млекс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N3896 | Central Semiconductor Corp | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | 1 (неограниченный) | Не совместимый с ROHS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2n685a | Central Semiconductor Corp | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Шасси, Стад | Шасси, Сталочное крепление | -65 ° C ~ 125 ° C. | Масса | 1 (неограниченный) | Не совместимый с ROHS | /files/centralsemiconductorcorp-2n682a-datasheets-3315.pdf | TO-208AA, TO-48-3, Стад | нет | Ear99 | not_compliant | 8541.30.00.80 | 2 | 25а | 50 мА | 200 В | 25а | 2 В | 200a @ 60 Гц | 40 мА | Стандартное восстановление | 12ma | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CS202-4D | Central Semiconductor Corp | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | -40 ° C ~ 125 ° C. | Масса | 1 (неограниченный) | ROHS COMPARINT | 2014 | /files/centralsemiconductorcorp-cs2024d-datasheets-3487.pdf | TO-202 Long Tab | 3 | нет | 8541.30.00.80 | E0 | Олово/свинец (SN/PB) | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Кремниевые управляемые выпрямители | Не квалифицирован | R-PSFM-T3 | 4а | 4000а | ОДИНОКИЙ | Анод | 2MA | TO-202AB | 30 а | 5 мА | 400 В. | Скрипт | 400 В. | 400 В. | 4а | 800 мВ | 200 мкА | Стандартное восстановление | 1,8 В. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CS220-10M | Central Semiconductor Corp | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | -40 ° C ~ 125 ° C. | Масса | 1 (неограниченный) | ROHS COMPARINT | 2016 | /files/centralsemiconductorcorp-cs22010d-datasheets-3528.pdf | До 220-3 | 3 | нет | 8541.30.00.80 | E0 | Олово/свинец (SN/PB) | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Кремниевые управляемые выпрямители | Не квалифицирован | R-PSFM-T3 | 10а | 10000а | ОДИНОКИЙ | Анод | 30 мА | До-220AB | 100 а | 600 В. | Скрипт | 600 В. | 600 В. | 10а | 1,5 В. | 15 мА | Стандартное восстановление | 1,6 В. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CS220-35M | Central Semiconductor Corp | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | -40 ° C ~ 125 ° C. | Масса | 1 (неограниченный) | ROHS COMPARINT | 2006 | /files/centralsemiconductorcorp-cs22035m-datasheets-3601.pdf | До 220-3 | нет | 8541.30.00.80 | 3 | 35а | 40 мА | 600 В. | 35а | 1V | 30 мА | Стандартное восстановление | 2,2 В. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CP210-CEN1308-CT | Central Semiconductor Corp | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CP206-2N4856-CT | Central Semiconductor Corp | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | 1 (неограниченный) | ROHS3 соответствует | /files/centralsemiconductorcorp-cp2062n4856cm-datasheets-2545.pdf | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CQ218I-25N | Central Semiconductor Corp | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | -40 ° C ~ 125 ° C TJ | Масса | 1 (неограниченный) | Не совместимый с ROHS | До 218-3 | 3 | нет | not_compliant | 8541.30.00.80 | E0 | Олово/свинец (SN/PB) | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Триакс | Не квалифицирован | R-PSFM-T3 | 25а | Одинокий | Изолирован | 80 мА | 4 квадрантного логического уровня Triac | 800 В. | 800 В. | 25а | 1,5 В. | 250a @ 100 Гц | 50 мА | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CQ92D APM | Central Semiconductor Corp | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | -40 ° C ~ 125 ° C TJ | Масса | 1 (неограниченный) | Не совместимый с ROHS | 2016 | /files/centralsemiconductorcorp-cq92dapm-datasheets-2746.pdf | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 3 | да | 8541.30.00.80 | E3 | Матовая олова (315) | НЕТ | НИЖНИЙ | 260 | 10 | 1 | Не квалифицирован | O-PBCY-T3 | Одинокий | Триак | 400 В. | 400 В. | 1A | 2 В | 5 мА | Внутренне вызвано | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CQ220-10B | Central Semiconductor Corp | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | -40 ° C ~ 110 ° C TJ | Масса | 1 (неограниченный) | ROHS COMPARINT | 2016 | /files/centralsemiconductorcorp-cq22010n-datasheets-2781.pdf | До 220-3 | 3 | нет | Ear99 | 8541.30.00.80 | E0 | Олово/свинец (SN/PB) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Триакс | Не квалифицирован | R-PSFM-T3 | 10а | Одинокий | Основной терминал 2 | 25 мА | До-220AB | 4 квадрантного логического уровня Triac | 200 В | 200 В | 10а | 1,5 В. | 50 мА | Внутренне вызвано | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CQ220i-100 | Central Semiconductor Corp | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | 1 (неограниченный) | ROHS COMPARINT | 2016 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CQ220-25MFP | Central Semiconductor Corp | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | -40 ° C ~ 125 ° C TJ | Масса | 1 (неограниченный) | ROHS COMPARINT | 2016 | /files/centralsemiconductorcorp-cq22025mfpp-datasheets-2878.pdf | До 220-3 полная упаковка | нет | 8541.30.00.80 | 3 | 25а | Одинокий | 50 мА | 600 В. | 25а | 2,5 В. | 60 мА | Внутренне вызвано | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CQ220-6D | Central Semiconductor Corp | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | 1 (неограниченный) | ROHS COMPARINT | 2016 | 3 | нет | 8541.30.00.80 | E0 | Олово/свинец (SN/PB) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | Сквозь дыру | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Триакс | Не квалифицирован | R-PSFM-T3 | ОДИНОКИЙ | Основной терминал 2 | До-220AB | 15 мА | 4 квадрантного логического уровня Triac | 5 мА | 400 В. | 6A | 1,5 В. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CS3P-40N | Central Semiconductor Corp | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Продавец неопределен | Не совместимый с ROHS | /files/centralsemiconductorcorp-cs3p40pb-datasheets-3383.pdf | 3 | нет | not_compliant | 8541.30.00.80 | E0 | Олово/свинец (SN/PB) | НЕТ | Верхний | Припоя | НЕ УКАЗАН | 2 | 125 ° C. | -40 ° C. | НЕ УКАЗАН | 1 | Кремниевые управляемые выпрямители | Не квалифицирован | O-Mufm-D3 | 40000а | ОДИНОКИЙ | Изолирован | 500 а | 150 мА | 800 В. | Скрипт | 80 мА | 800 В. | 40a | 1,5 В. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CQ3P-25B | Central Semiconductor Corp | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Продавец неопределен | Не совместимый с ROHS | /files/centralsemiconductorcorp-cq3p25m-datasheets-3323.pdf | 3 | нет | Ear99 | not_compliant | 8541.30.00.80 | E0 | Олово/свинец (SN/PB) | НЕТ | Верхний | Припоя | НЕ УКАЗАН | 2 | 125 ° C. | -40 ° C. | НЕ УКАЗАН | 1 | Триакс | Не квалифицирован | O-Mufm-D3 | ОДИНОКИЙ | Изолирован | 3MA | 50 мА | 4 квадрантного логического уровня Triac | 50 мА | 200 В | 500 В/США | 30A | 2,5 В. | 5 В/США | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2n4859a | Central Semiconductor Corp | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | -65 ° C ~ 200 ° C TJ | Масса | Режим истощения | ROHS3 соответствует | 2017 | /files/centralsemiconductorcorp-2n4859a-datasheets-4458.pdf | До 206aa, до 18-3 металла банка | 3 | 8 недель | нет | Ear99 | not_compliant | 8541.21.00.95 | E0 | Олово/свинец (SN/PB) | НЕТ | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | O-MBCY-W3 | Кремний | ОДИНОКИЙ | Переключение | 0,36 Вт | 30 В | Перекресток | 360 МВт | 25om | 4 пф | N-канал | 10pf @ 10v Vgs | 10 В @ 500pa | 30 В | 250pa | 50 мА @ 15 В. | 25om |
