Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактЦентральная полупроводниковая корпорация (8720)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Достичь кода соответствия | Код HTS | Толерантность | Код JESD-609 | Терминал отделки | Полярность | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Конфигурация | Соединение корпуса | Мощность - Макс. | Материал диодного элемента | Рассеиваемая мощность-Макс. | Обратный ток-Макс. | Опорное напряжение | Напряжение Тол-Макс | Рабочий тестовый ток | Тип диода | Динамический импеданс-Макс. | Импеданс-Макс. | Напряжение Температурный Коэфф-Макс | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Напряжение - Стабилитрон (Ном) (Вз) | Сопротивление колена-Макс. |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1N6000B БК PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~200°C ТДж | Масса | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n5985bbkpbfree-datasheets-4572.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 13 недель | ±5% | 500мВт | 15Ом | 100 нА при 8 В | 1,5 В при 100 мА | 10 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMOZ5V1 БК PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Масса | 1 (без ограничений) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cmoz5v6trpbfree-datasheets-0252.pdf | СК-79, СОД-523 | 18 недель | совместимый | ±5% | ДА | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 300мВт | 0,35 Вт | 5,1 В | 5% | 5мА | стабилитрон | 60Ом | 60Ом | 2 мкА при 2 В | 900 мВ при 10 мА | 5,1 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| 1N4752A БК PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~200°C ТДж | Масса | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n4743atrpbfree-datasheets-4829.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 12 недель | ±5% | НЕТ | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 1 Вт | 1 Вт | 33В | 5% | 7,5 мА | стабилитрон | 45Ом | 45Ом | 5 мкА при 25,1 В | 1,2 В при 200 мА | 33В | |||||||||||||||||||||||||||||
| CMSZ5245B TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cmsz5258btrpbfree-datasheets-5010.pdf | СК-70, СОТ-323 | ±5% | ДА | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 275 МВт | 0,275 Вт | 15 В | 5% | 8,5 мА | стабилитрон | 16Ом | 16Ом | 100 нА при 11 В | 900 мВ при 10 мА | 15 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| CLL4751A БК PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°К~200°К | Масса | 1 (без ограничений) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cll4746atrpbfree-datasheets-8483.pdf | ДО-213АБ, МЭЛФ | 15 недель | совместимый | ±5% | ДА | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 1 Вт | 1 Вт | 30В | 5% | 8,5 мА | стабилитрон | 40Ом | 40Ом | 5 мкА при 22,8 В | 1,2 В при 200 мА | 30В | ||||||||||||||||||||||||||||
| CMZ5929B БК PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Масса | 1 (без ограничений) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cmz5945btr13pbfree-datasheets-9444.pdf | ДО-214АС, СМА | 26 недель | совместимый | ±5% | ДА | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 500мВт | 1,5 Вт | 15 В | 5% | 25 мА | стабилитрон | 9Ом | 9Ом | 1 мкА при 11,4 В | 1,5 В при 200 мА | 15 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| 1N4616 TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~200°C ТДж | Лента и катушка (TR) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n4625trpbfree-datasheets-0661.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 13 недель | ±5% | 250 мВт | 1,3 кОм | 4 мкА при 1 В | 1 В при 200 мА | 2,2 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N4689 TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~200°C ТДж | Лента и катушка (TR) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n4689bkpbfree-datasheets-6886.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 13 недель | ±5% | 500мВт | 10 мкА при 3 В | 1,5 В при 100 мА | 5,1 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N4710 TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~200°C ТДж | Лента и катушка (TR) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n4689bkpbfree-datasheets-6886.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 13 недель | ±5% | 500мВт | 10 нА при 19 В | 1,5 В при 100 мА | 25 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N4619 TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~200°C ТДж | Лента и катушка (TR) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n4625trpbfree-datasheets-0661.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 13 недель | ±5% | 250 мВт | 1,6 кОм | 800 нА при 1 В | 1 В при 200 мА | 3В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5947B ТР | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~200°C ТДж | Лента и катушка (TR) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n5922btrpbfree-datasheets-7396.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 2 | 21 неделя | да | EAR99 | ОТРАСЛЕВОЙ СТАНДАРТ | 8541.10.00.50 | ±5% | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | НЕТ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Диоды опорного напряжения | Не квалифицирован | О-PALF-W2 | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 1,5 Вт | КРЕМНИЙ | 1,5 Вт | 82В | 5% | 4,6 мА | стабилитрон | 160Ом | 160Ом | 1 мкА при 62,2 В | 1,5 В при 200 мА | 82В | |||||||||||||
| CMDZ5226B БК PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Масса | 1 (без ограничений) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cmdz5222btrpbfree-datasheets-8099.pdf | СК-76, СОД-323 | 6 недель | совместимый | ±5% | ДА | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 250 мВт | 0,25 Вт | 3,3 В | 5% | 20 мА | стабилитрон | 1600Ом | 28Ом | 25 мкА при 1 В | 900 мВ при 10 мА | 3,3 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| CMDZ5239B БК PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Масса | 1 (без ограничений) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cmdz5222btrpbfree-datasheets-8099.pdf | СК-76, СОД-323 | 6 недель | совместимый | ±5% | ДА | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 250 мВт | 0,25 Вт | 9,1 В | 5% | 20 мА | стабилитрон | 10Ом | 10Ом | 3 мкА при 7 В | 900 мВ при 10 мА | 9,1 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5921B БК PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~200°C ТДж | Масса | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n5922btrpbfree-datasheets-7396.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 12 недель | ±5% | НЕТ | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 1,5 Вт | 1,5 Вт | 6,8 В | 5% | 55,1 мА | стабилитрон | 3Ом | 3Ом | 5 мкА при 5,2 В | 1,5 В при 200 мА | 6,8 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5937B БК PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~200°C ТДж | Масса | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n5922btrpbfree-datasheets-7396.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 12 недель | ±5% | НЕТ | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 1,5 Вт | 1,5 Вт | 33В | 5% | 11,4 мА | стабилитрон | 33Ом | 33Ом | 1 мкА при 25,1 В | 1,5 В при 200 мА | 33В | |||||||||||||||||||||||||||||
| 1N4470 TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~200°C ТДж | Лента и катушка (TR) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n4462trpbfree-datasheets-9569.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 26 недель | ±5% | 1,5 Вт | 10Ом | 50 нА при 12,8 В | 16 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N4462 БК PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~200°C ТДж | Масса | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n4462trpbfree-datasheets-9569.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 12 недель | ±5% | 1,5 Вт | 2,5 Ом | 1 мкА при 4,5 В | 7,5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N4621 БК PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~200°C ТДж | Масса | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n4625trpbfree-datasheets-0661.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 13 недель | ±5% | 250 мВт | 1,7 кОм | 7,5 мкА при 2 В | 1 В при 200 мА | 3,6 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX84C24 ТР | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-bzx84c18trpbfree-datasheets-9400.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | да | EAR99 | ПРОЭЛЕКТРОННАЯ СПЕЦИФИКАЦИЯ | 8541.10.00.50 | ±5% | е3 | Матовый олово (Sn) | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 10 | 1 | Диоды опорного напряжения | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г3 | ОДИНОКИЙ | 350 мВт | КРЕМНИЙ | 0,35 Вт | 0,05 мкА | 24В | 5% | 5мА | стабилитрон | 70Ом | 70Ом | 21,6 мВ/°С | 50 нА при 16,8 В | 900 мВ при 10 мА | 24В | 250Ом | ||||||||||
| CLL4731A ТР | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°К~200°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | ЗЕНЕР | Соответствует RoHS | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cll4746atrpbfree-datasheets-8483.pdf | ДО-213АБ, МЭЛФ | 2 | 10 недель | да | EAR99 | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | совместимый | 8541.10.00.50 | ±5% | е3 | Матовый олово (Sn) | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | ДА | КОНЕЦ | ЗАВЕРШИТЬ ВОКРУГ | 260 | 10 | 1 | Не квалифицирован | О-LELF-R2 | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 1 Вт | КРЕМНИЙ | 1 Вт | 10 мкА | 4,3 В | 5% | 58мА | стабилитрон | 9Ом | 10 мкА при 1 В | 1,2 В при 200 мА | 4,3 В | 400Ом | |||||||||
| CMZ5946B ТР13 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cmz5945btr13pbfree-datasheets-9444.pdf | ДО-214АС, СМА | 14 недель | EAR99 | 8541.10.00.50 | ±5% | е3 | МАТОВЫЙ ТИН ПО НИКЕЛЮ | ДА | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 500мВт | 1,5 Вт | 75В | 5% | 5мА | стабилитрон | 140Ом | 140Ом | 1 мкА при 56 В | 1,5 В при 200 мА | 75В | |||||||||||||||||||||
| 1N4748A БК ОЛОВО/СВИНЦОВЫЙ | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°К~200°К | Масса | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n4743atrpbfree-datasheets-4829.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | EAR99 | 8541.10.00.50 | ±5% | НЕТ | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 1 Вт | 1 Вт | 22В | 5% | 11,5 мА | стабилитрон | 23Ом | 23Ом | 5 мкА при 16,7 В | 1,2 В при 200 мА | 22В | |||||||||||||||||||||||||||
| CLL5263B ТР | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°К~200°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cll5248btrpbfree-datasheets-1628.pdf | ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 | 8 недель | EAR99 | 8541.10.00.50 | ±5% | ДА | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 500мВт | 0,5 Вт | 56В | 5% | 2,2 мА | стабилитрон | 150Ом | 150Ом | 100 нА при 43 В | 1,25 В @ 200 мА | 56В | ||||||||||||||||||||||||||
| CMSZ5243B ТР | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | ЗЕНЕР | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cmsz5258btrpbfree-datasheets-5010.pdf | СК-70, СОТ-323 | 3 | 10 недель | да | EAR99 | 8541.10.00.50 | ±5% | е3 | Матовый олово (Sn) | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3 | 10 | 1 | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г3 | ОДИНОКИЙ | 275 МВт | КРЕМНИЙ | 0,25 Вт | 13В | 5% | 9,5 мА | стабилитрон | 13Ом | 500 нА при 9,9 В | 900 мВ при 10 мА | 13В | ||||||||||||||
| CMSZ5241B БК | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Масса | 1 (без ограничений) | ЗЕНЕР | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cmsz5258btrpbfree-datasheets-5010.pdf | СК-70, СОТ-323 | 3 | 10 недель | да | EAR99 | 8541.10.00.50 | ±5% | е3 | Матовый олово (Sn) | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3 | 10 | 1 | Диоды опорного напряжения | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г3 | ОДИНОКИЙ | 275 МВт | КРЕМНИЙ | 0,25 Вт | 11В | 5% | 20 мА | стабилитрон | 22Ом | 22Ом | 2 мкА при 8,4 В | 900 мВ при 10 мА | 11В | ||||||||||||
| CMSZ5256B БК | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Масса | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cmsz5258btrpbfree-datasheets-5010.pdf | СК-70, СОТ-323 | 10 недель | ±5% | ДА | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 275 МВт | 0,275 Вт | 30В | 5% | 4,2 мА | стабилитрон | 49Ом | 49Ом | 100 нА при 23 В | 900 мВ при 10 мА | 30В | ||||||||||||||||||||||||||||
| CZ5369B TR ОЛОВО/СВИНЦОВЫЙ | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cz5342btrpbfree-datasheets-2325.pdf | ДО-201АА, ДО-27, Осевой | EAR99 | 8541.10.00.50 | ±5% | НЕТ | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 5 Вт | 5 Вт | 51В | 5% | 25 мА | стабилитрон | 27Ом | 27Ом | 500 нА при 38,8 В | 1,2 В при 1 А | 51В | |||||||||||||||||||||||||||
| CMSZ5257B ТР | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cmsz5258btrpbfree-datasheets-5010.pdf | СК-70, СОТ-323 | 10 недель | ±5% | ДА | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 275 МВт | 0,275 Вт | 33В | 5% | 3,8 мА | стабилитрон | 58Ом | 58Ом | 100 нА при 25 В | 900 мВ при 10 мА | 33В | ||||||||||||||||||||||||||||
| 1N990B БК | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°К~200°К | Масса | 1 (без ограничений) | ЗЕНЕР | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n957bbkpbfree-datasheets-2964.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 2 | нет | EAR99 | ОТРАСЛЕВОЙ СТАНДАРТ | не_совместимо | 8541.10.00.50 | ±5% | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | НЕТ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | О-PALF-W2 | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 500мВт | КРЕМНИЙ | 0,5 Вт | 160 В | стабилитрон | 1,7 кОм | 5 мкА при 121,6 В | 1,5 В при 200 мА | 160 В | ||||||||||||||||
| 1N987B БК | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°К~200°К | Масса | 1 (без ограничений) | ЗЕНЕР | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n957bbkpbfree-datasheets-2964.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 2 | нет | EAR99 | ОТРАСЛЕВОЙ СТАНДАРТ | не_совместимо | 8541.10.00.50 | ±5% | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | НЕТ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | О-PALF-W2 | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 500мВт | КРЕМНИЙ | 0,5 Вт | 120 В | стабилитрон | 900Ом | 5 мкА при 91,2 В | 1,5 В при 200 мА | 120 В |
