Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактЦентральная полупроводниковая корпорация (8720)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Код Pbfree | ECCN-код | Достичь кода соответствия | Код HTS | Код JESD-609 | Терминал отделки | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Рабочая температура (макс.) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Мощность - Макс. | Код JEDEC-95 | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) | Макс. ток коллектора | Частота перехода | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Рассеяние мощности при температуре окружающей среды, макс. | VCEsat-Макс | Ток-отсечка коллектора (макс.) | Тип транзистора | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Частота – переход | Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CMST5089 TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°C~150°C ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-cmst5089trpbfree-datasheets-7370.pdf | СК-70, СОТ-323 | 20 недель | ДА | Другие транзисторы | Одинокий | НПН | 0,275 Вт | 275мВт | 50 МГц | 25В | 50 мА | 50нА | НПН | 400 @ 100 мкА 5 В | 50 МГц | 500 мВ при 1 мА, 10 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N3583 PBБЕСПЛАТНО | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~200°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-2n3584pbfree-datasheets-7995.pdf | ТО-213АА, ТО-66-2 | 22 недели | е3 | МАТОВЫЙ ТИН ПО НИКЕЛЮ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 35 Вт | 175В | 1А | 10 мА | НПН | 40 @ 500 мА 10 В | 10 МГц | 5 В при 125 мА, 1 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CJD31C TR13 PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°C~150°C ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-cjd31ctr13pbfree-datasheets-1750.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 22 недели | ДА | Другие транзисторы | Одинокий | НПН | 15 Вт | 1,56 Вт | 3 МГц | 100В | 3А | 50 мкА | НПН | 10 @ 3А 4В | 3 МГц | 1,2 В при 375 мА, 3 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMNT3904E TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°C~150°C ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cmnt3906etrpbfree-datasheets-8699.pdf | СОТ-953 | ДА | Другие транзисторы | Одинокий | НПН | 0,25 Вт | 250 мВт | 300 МГц | 40В | 200 мА | НПН | 100 @ 10 мА 1 В | 300 МГц | 200 мВ при 5 мА, 50 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N5375 PBБЕСПЛАТНО | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~150°C ТДж | Масса | Непригодный | Соответствует ROHS3 | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 6 недель | 360мВт | 30 В | 500 мА | 50нА ИКБО | ПНП | 40 @ 150 мА 10 В | 150 МГц | 1,3 В @ 15 мА, 150 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CP310-MPSA42-CT20 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°C~150°C ТДж | Поднос | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/centralsemiconductorcorp-cp310mpsa42ct20-datasheets-1821.pdf | умереть | 10 недель | умереть | 300В | 500мВ | 500 мА | 300В | 500 мА | 100нА ИКБО | НПН | 40 @ 30 мА 10 В | 500 мВ при 2 мА, 20 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CJD32C TR13 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°C~150°C ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/centralsemiconductorcorp-cjd31ctr13pbfree-datasheets-1750.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 2 | 14 недель | да | EAR99 | 8541.29.00.95 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 10 | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 15 Вт | 1,56 Вт | 3 МГц | 100В | 3А | 15 Вт | 1,2 В | 50 мкА | ПНП | 10 @ 3А 4В | 3 МГц | 1,2 В при 375 мА, 3 А | |||||||||||||||
| BU406 PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~150°C ТДж | Масса | Непригодный | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-bu406pbfree-datasheets-4567.pdf | ТО-220-3 | 27 недель | е3 | МАТОВЫЙ ТИН ПО НИКЕЛЮ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 60 Вт | 200В | 7А | 100нА | НПН | 10 МГц | 1 В при 500 мА, 5 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N6388 PBБЕСПЛАТНО | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-2n6388pbfree-datasheets-4652.pdf | ТО-220-3 | 22 недели | 65 Вт | 80В | 10А | NPN – Дарлингтон | 20 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N6491 PBБЕСПЛАТНО | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~150°C ТДж | Масса | Непригодный | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-2n6488pbfree-datasheets-4665.pdf | ТО-220-3 | 3 | 24 недели | е3 | Matte Tin (Sn) – с никелевым (Ni) барьером | НЕТ | ОДИНОКИЙ | 1 | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 75 Вт | ТО-220АБ | 5 МГц | 80В | 15А | ПНП | 25 @ 1А 4В | 5 МГц | 3,5 В при 5 А, 15 А | |||||||||||||||||||||||||||
| 2N5885 PBБЕСПЛАТНО | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~200°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-2n5884pbfree-datasheets-7412.pdf | ТО-204АА, ТО-3 | 16 недель | е3 | МАТОВЫЙ ТИН ПО НИКЕЛЮ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 200 Вт | 60В | 25А | 2мА | НПН | 20 @ 10 А 4 В | 4 МГц | 4 В @ 6,25 А, 25 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N3773 PBБЕСПЛАТНО | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~200°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-2n6609pbfree-datasheets-8237.pdf | ТО-204АА, ТО-3 | 22 недели | е3 | МАТОВЫЙ ТИН ПО НИКЕЛЮ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 150 Вт | 140 В | 16А | 10 мА | НПН | 15 @ 8А 4В | 4 МГц | 4 В @ 3,2 А, 16 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC182 PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | Непригодный | Соответствует ROHS3 | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 20 недель | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CZT2222A БК PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°C~150°C ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-czt2222atrpbfree-datasheets-3630.pdf | ТО-261-4, ТО-261АА | 6 недель | совместимый | ДА | Другие транзисторы | Одинокий | НПН | 2 Вт | 2 Вт | 300 МГц | 40В | 600мА | 10нА ИКБО | НПН | 100 @ 150 мА 10 В | 300 МГц | 1 В @ 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TIP30A PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~150°C ТДж | Масса | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-tip30cpbfree-datasheets-5061.pdf | ТО-220-3 | 24 недели | е3 | МАТОВЫЙ ТИН ПО НИКЕЛЮ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 30 Вт | 60В | 1А | 300 мкА | ПНП | 40 @ 200 мА 4 В | 3 МГц | 700 мВ при 125 мА, 1 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TIP42A PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~150°C ТДж | Масса | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-tip42cpbfree-datasheets-5099.pdf | ТО-220-3 | 24 недели | е3 | МАТОВЫЙ ТИН ПО НИКЕЛЮ | НЕТ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | Другие транзисторы | Одинокий | ПНП | 65 Вт | 65 Вт | 3 МГц | 60В | 6А | 400 мкА | ПНП | 30 @ 300 мА 4 В | 3 МГц | 1,5 В при 600 мА, 6 А | |||||||||||||||||||||||||||||||
| CP127-2N6301-CT | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°C~200°C ТДж | Поднос | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/centralsemiconductorcorp-cp1272n6301ct5-datasheets-1802.pdf | умереть | 8 недель | умереть | 80В | 3В | 8А | 80В | 8А | 500 мкА | NPN – Дарлингтон | 750 @ 4А 3В | 4 МГц | 3 В @ 80 мА, 8 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BDW83B | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-bdv64a-datasheets-0632.pdf | ТО-218-3 | 3 | нет | EAR99 | не_совместимо | 8541.29.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 130 Вт | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 150°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ДАРЛИНГТОН | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 80В | 15А | 15А | НПН | 750 @ 6А 3В | |||||||||||||||||||||||
| СОВЕТ33C | Центральная полупроводниковая корпорация | 0,26 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°C~150°C ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-bdv64a-datasheets-0632.pdf | ТО-218-3 | 3 | нет | EAR99 | не_совместимо | 8541.29.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 80 Вт | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 100В | 10А | 3 МГц | 10А | НПН | 100 @ 3А 4В | 3 МГц | ||||||||||||||||||||
| БДВ83А | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-bdv64a-datasheets-0632.pdf | ТО-218-3 | 3 | нет | EAR99 | не_совместимо | 8541.29.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 130 Вт | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 150°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ДАРЛИНГТОН | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 60В | 15А | 15А | НПН | 750 @ 6А 3В | |||||||||||||||||||||||
| СОВЕТ106 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°C~150°C ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/centralsemiconductorcorp-tip102pbfree-datasheets-4835.pdf | ТО-220-3 | 3 | нет | EAR99 | 8541.29.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 80 Вт | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 80 Вт | ТО-220АБ | 80В | 2,5 В | 8А | 4 МГц | 50 мкА | PNP - Дарлингтон | 1000 @ 3А 4В | 4 МГц | 2,5 В @ 80 мА, 8 А | |||||||||||||||||
| CMPT5551E БК | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°C~150°C ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | /files/centralsemiconductorcorp-cmpt5551etr-datasheets-0730.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | EAR99 | совместимый | 8541.21.00.95 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3 | 10 | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 0,35 Вт | 350мВт | 100 МГц | 220В | 600мА | 50нА | НПН | 120 @ 10 мА 5 В | 300 МГц | 100 мВ при 5 мА, 50 мА | |||||||||||||||||||
| SE9402 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°C~150°C ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-se9401-datasheets-0854.pdf | ТО-220-3 | 3 | нет | EAR99 | не_совместимо | 8541.29.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 70 Вт | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 70 Вт | ТО-220АБ | 100В | 2,5 В | 10А | 1 МГц | 200 мкА ИКБО | PNP - Дарлингтон | 100 @ 7,5 А 3 В | 2,5 В при 150 мА, 7,5 А | |||||||||||||||||
| CP647-2N6287-WN | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°C~150°C ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cp6472n6287cm-datasheets-0886.pdf | умереть | 100В | 20А | 1 мА | PNP - Дарлингтон | 4 МГц | 3 В при 200 мА, 20 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CP647-PMD19K100-WS | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°C~150°C ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cp647pmd19k100ct-datasheets-0891.pdf | умереть | 100В | 30А | PNP - Дарлингтон | 800 @ 15А 3В | 4 МГц | 2,8 В при 60 мА, 15 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CP788X-2N5087-CT20 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°C~150°C ТДж | Поднос | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/centralsemiconductorcorp-cp788x2n5087ct20-datasheets-4905.pdf | умереть | 8 недель | умереть | 50В | 300мВ | 50 мА | 50В | 50 мА | 50нА ИКБО | ПНП | 250 @ 100 мкА 5 В | 40 МГц | 300 мВ при 1 мА, 10 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н4250А | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | ТО-106-3 Купольный | 3 | нет | не_совместимо | 8541.21.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕТ | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | О-PBCY-T3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 0,2 Вт | 200мВт | 100 МГц | 60В | 10нА ИКБО | ПНП | 250 @ 100 мкА 5 В | 250 мВ при 500 мкА, 10 мА | ||||||||||||||||||||||||
| CP304X-MPSA06-CT | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°C~150°C ТДж | Поднос | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cp304xmpsa06ct-datasheets-7267.pdf | умереть | 80В | 500 мА | 100нА | НПН | 100 @ 100 мА 1 В | 100 МГц | 250 мВ при 10 мА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CEN1372 БК | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CP147-MJ11016-WN | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°C~200°C ТДж | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cp147mj11016wn-datasheets-3922.pdf | умереть | 200 Вт | 120 В | 30А | 1 мА | NPN – Дарлингтон | 1000 @ 20А 5В | 4 МГц | 4 В при 300 мА, 30 А |
