Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактИКСИ(5222)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/кейс | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь кода соответствия | Код JESD-609 | Терминал отделки | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Рабочая температура (макс.) | Количество каналов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние мощности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки выключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение пробоя-мин. | Пороговое напряжение | Рассеиваемая мощность-Макс. | Код JEDEC-95 | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение пробоя стока к источнику | Тип полевого транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Номинальный объем | Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность полевого транзистора | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IXFX78N50P3 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™, Polar3™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfk78n50p3-datasheets-2126.pdf | ТО-247-3 | 16,13 мм | 21,34 мм | 5,21 мм | 3 | 30 недель | 247 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | неизвестный | 3 | Одинокий | 1,13 кВт | 1 | Питание общего назначения на полевых транзисторах | Не квалифицирован | Р-ПСИП-Т3 | 30 нс | 10 нс | 7 нс | 60 нс | 78А | 30В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1130 Вт Тс | 200А | 0,068Ом | 1500 мДж | 500В | N-канал | 9900пФ при 25 В | 68 мОм при 500 мА, 10 В | 5 В при 4 мА | 78А Тк | 147 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFR24N80P | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™, PolarHT™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfr24n80p-datasheets-4275.pdf | ISOPLUS247™ | Без свинца | 3 | 30 недель | 3 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 208 Вт | 1 | Не квалифицирован | 27нс | 24 нс | 75 нс | 13А | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 208 Вт Тк | 55А | 0,42 Ом | 1500 мДж | 800В | N-канал | 7200пФ при 25В | 420 мОм при 12 А, 10 В | 5 В при 4 мА | 13А Тк | 105 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИКСТА02Н250ХВ | ИКСИС | $13,44 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixta02n250hv-datasheets-4299.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | Без свинца | 2 | 17 недель | 1,770002г | Нет | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3 | 1 | Одинокий | 83 Вт | 1 | Р-ПССО-Г2 | 19 нс | 19нс | 33 нс | 32 нс | 200 мА | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 2500В | 83 Вт Тс | 0,2 А | 0,6А | 2,5 кВ | N-канал | 116пФ при 25В | 450 Ом при 50 мА, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 200 мА Тс | 7,4 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTQ30N50L2 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Линейный L2™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtt30n50l2-datasheets-3664.pdf | ТО-3П-3, СК-65-3 | 3 | 24 недели | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | е3 | ЧИСТОЕ ОЛОВО | ОДИНОКИЙ | 3 | 400 Вт | 1 | Питание общего назначения на полевых транзисторах | 30А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ И РЕЗИСТОРОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500В | 500В | 2,5 В | 400 Вт Тс | 60А | 0,2 Ом | N-канал | 8100пФ при 25 В | 2,5 В | 200 мОм при 15 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 30А Тс | 240 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFH170N15X3 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-247-3 | 19 недель | совместимый | 150 В | 520 Вт Тс | N-канал | 7620пФ при 25 В | 6,7 мОм при 85 А, 10 В | 4,5 В при 4 мА | 170А Тс | 122 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTT30N50L | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixth30n50l-datasheets-4278.pdf | ТО-268-3, Д3Пак (2 отведения + вкладка), ТО-268АА | 2 | 24 недели | да | неизвестный | е3 | ЧИСТОЕ ОЛОВО | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 30А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ И РЕЗИСТОРОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500В | 500В | 400 Вт Тс | 60А | 0,2 Ом | 1500 мДж | N-канал | 10200пФ при 25В | 200 мОм при 15 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 30А Тс | 240 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFK88N20Q | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfk88n20q-datasheets-4443.pdf | ТО-264-3, ТО-264АА | 3 | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 500 Вт | 1 | Не квалифицирован | 20нс | 15 нс | 61 нс | 88А | 30В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | 500 Вт Тс | 2500 мДж | 200В | N-канал | 4150пФ при 25В | 30 мОм при 44 А, 10 В | 4 В @ 4 мА | 88А Тк | 146 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИКСТН5Н250 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtn5n250-datasheets-4487.pdf | СОТ-227-4, миниБЛОК | 4 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ, ПРИЗНАННЫЙ UL | неизвестный | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 4 | Одинокий | 700 Вт | 1 | Питание общего назначения на полевых транзисторах | Не квалифицирован | Р-ПУФМ-X4 | 20нс | 44 нс | 90 нс | 5А | 30В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 2500В | 700 Вт Тс | 5А | 20А | 2500 мДж | 2,5 кВ | N-канал | 8560пФ при 25В | 8,8 Ом при 2,5 А, 10 В | 5 В @ 1 мА | 5А Тс | 200 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFN90N170SK | ИКСИС | $263,73 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | -40°C~150°C ТДж | SiCFET (карбид кремния) | СОТ-227-4, миниБЛОК | 28 недель | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1700В | N-канал | 7340пФ при 1000В | 35 мОм при 100 А, 20 В | 4 В при 36 мА | 90А Тс | 376 нК при 20 В | 20 В | +20В, -5В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFH35N30 | ИКСИС | 2,92 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | Непригодный | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh35n30-datasheets-7656.pdf | 300В | 35А | ТО-247-3 | 3 | 3 | да | EAR99 | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 300 Вт | 1 | Питание общего назначения на полевых транзисторах | Не квалифицирован | 60нс | 45 нс | 75 нс | 35А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 300 Вт Тс | ТО-247АД | 140А | 0,1 Ом | 300В | N-канал | 4800пФ при 25В | 100 мОм при 500 мА, 10 В | 4 В @ 4 мА | 35А Тс | 200 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTP110N055P | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | PolarHT™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtp110n055p-datasheets-9421.pdf | ТО-220-3 | 10,66 мм | 9,15 мм | 4,83 мм | 3 | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 390 Вт | 1 | Не квалифицирован | 27 нс | 53нс | 45 нс | 66 нс | 110А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 390 Вт Тс | ТО-220АБ | 250А | 1000 мДж | 55В | N-канал | 2210пФ при 25 В | 13,5 мОм при 500 мА, 10 В | 5,5 В @ 250 мкА | 110А Тс | 76 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| ИКСТА2N80 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixta2n80-datasheets-9546.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 2 | 3 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 54 Вт | 1 | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 18нс | 15 нс | 30 нс | 2А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 54 Вт Тс | 2А | 8А | 200 мДж | 800В | N-канал | 440пФ при 25В | 6,2 Ом при 500 мА, 10 В | 5,5 В @ 250 мкА | 2А Тк | 22 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTP72N20T | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | ТО-220-3 | 53 недели | 72А | 200В | N-канал | 72А Тк | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИКСТА160Н10Т7 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчМВ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixta160n10t7-datasheets-9919.pdf | ТО-263-7, Д2Пак (6 отведений + вкладка), ТО-263CB | 6 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 430 Вт | 1 | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Г6 | 61нс | 42 нс | 49 нс | 160А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 430 Вт Тс | 430А | 0,007Ом | 500 мДж | 100 В | N-канал | 6600пФ при 25В | 7 мОм при 25 А, 10 В | 4,5 В при 1 мА | 160А Тс | 132 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ИКСТА60Н20Т | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Тренч™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixta60n20t-datasheets-0055.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 2 | 30 недель | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3 | 175°С | 1 | Питание общего назначения на полевых транзисторах | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 60А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 200В | 200В | 500 Вт Тс | ТО-263АА | 150А | 0,04 Ом | 700 мДж | N-канал | 4530пФ при 25В | 40 мОм при 30 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 60А Тс | 73 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTQ14N60P | ИКСИС | 0,90 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ПоларХВ™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixta14n60p-datasheets-9417.pdf | 600В | 14А | ТО-3П-3, СК-65-3 | Без свинца | 3 | 24 недели | 3 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 300 Вт | 1 | Питание общего назначения на полевых транзисторах | Не квалифицирован | 27нс | 26 нс | 70 нс | 14А | 30В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | P-КАНАЛ | 300 Вт Тс | 42А | 0,55 Ом | 900 мДж | 600В | N-канал | 2500пФ при 25В | 550 мОм при 7 А, 10 В | 5,5 В @ 250 мкА | 14А Тс | 36 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||
| IXFA110N15T2 | ИКСИС | $5,23 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2007 год | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 2 | 30 недель | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е3 | Матовый олово (Sn) | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 1 | Питание общего назначения на полевых транзисторах | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 110А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 150 В | 150 В | 480 Вт Тс | 800 мДж | N-канал | 8600пФ при 25В | 13 мОм при 55 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 110А Тс | 150 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTQ54N30T | ИКСИС | $18,77 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | ТО-3П-3, СК-65-3 | ТО-3П | 54А | 300В | N-канал | 54А Тк | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFQ14N80P | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™, PolarHT™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixft14n80p-datasheets-3875.pdf | ТО-3П-3, СК-65-3 | 3 | 24 недели | 3 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 400 Вт | 1 | Не квалифицирован | 62 нс | 14А | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 400 Вт Тс | 0,72 Ом | 500 мДж | 800В | N-канал | 3900пФ при 25В | 720 м Ом при 500 мА, 10 В | 5,5 В @ 4 мА | 14А Тс | 61 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTP32N65XM | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtp32n65xm-datasheets-0454.pdf | ТО-220-3 | 15 недель | 14А | 650В | 78 Вт Тс | N-канал | 2206пФ при 25 В | 135 мОм при 16 А, 10 В | 5,5 В @ 250 мкА | 14А Тс | 54 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTH120N15T | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | ТО-247-3 | 120А | 150 В | N-канал | 120А Тс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTH130N15T | ИКСИС | 2,11 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчHV™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtq130n15t-datasheets-0505.pdf | ТО-247-3 | 3 | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | 130А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 150 В | 150 В | 750 Вт Тс | ТО-247АД | 0,012 Ом | 1200 мДж | N-канал | 9800пФ при 25В | 12 мОм при 65 А, 10 В | 4,5 В при 1 мА | 130А Тс | 113 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTQ60N30T | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | ТО-3П-3, СК-65-3 | 60А | 300В | N-канал | 60А Тс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTH12N90 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МегаМОС™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixth12n90-datasheets-0640.pdf | ТО-247-3 | Без свинца | 3 | 3 | да | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 300 Вт | 1 | Питание общего назначения на полевых транзисторах | Не квалифицирован | 33нс | 32 нс | 63 нс | 12А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 300 Вт Тс | ТО-247АД | 48А | 0,9 Ом | 900В | N-канал | 4500пФ при 25В | 900 мОм при 6 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 12А Тс | 170 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXKT70N60C5-ТРЛ | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | ТО-268 | Без свинца | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFH36N55Q2 | ИКСИС | $7,11 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh36n55q2-datasheets-0721.pdf | ТО-247-3 | 3 | 3 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 560 Вт | 1 | Не квалифицирован | 13нс | 8 нс | 42 нс | 36А | 30В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 560 Вт Тс | ТО-247АД | 144А | 0,16 Ом | 2500 мДж | 550В | N-канал | 4100пФ при 25 В | 180 мОм при 500 мА, 10 В | 5 В при 4 мА | 36А Тк | 110 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXKR47N60C5 | ИКСИС | $20,88 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | CoolMOS™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixkr47n60c5-datasheets-0758.pdf | ISOPLUS247™ | Без свинца | 3 | 28 недель | 3 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ, ПРИЗНАННЫЙ UL | Нет | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | ОДИНОКИЙ | 3 | 1 | Питание общего назначения на полевых транзисторах | 47А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 600В | 600В | 0,045 Ом | N-канал | 6800пФ при 100В | 45 мОм при 44 А, 10 В | 3,5 В при 3 мА | 47А ТЦ | 190 нК при 10 В | Супер Джанкшн | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFX170N20P | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™, PolarP2™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfk170n20p-datasheets-0736.pdf | ТО-247-3 | Без свинца | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | неизвестный | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Питание общего назначения на полевых транзисторах | Не квалифицирован | Р-ПСИП-Т3 | 170А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 200В | 200В | 1250 Вт Тс | 400А | 0,014 Ом | 4000 мДж | N-канал | 11400пФ при 25В | 14 мОм при 500 мА, 10 В | 5 В @ 1 мА | 170А Тс | 185 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTK90N15 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МегаМОС™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtk90n15-datasheets-0836.pdf | ТО-264-3, ТО-264АА | 3 | 3 | да | EAR99 | НЕ УКАЗАН | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 390 Вт | 1 | Питание общего назначения на полевых транзисторах | Не квалифицирован | 30 нс | 17 нс | 115 нс | 90А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 390 Вт Тс | 0,016Ом | 1500 мДж | 150 В | N-канал | 6400пФ при 25В | 16 мОм при 45 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 90А Тс | 240 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFK80N65X2 | ИКСИС | $18,17 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh80n65x2-datasheets-1959.pdf | ТО-264-3, ТО-264АА | 19 недель | неизвестный | 80А | 650В | 890 Вт Тс | N-канал | 8245пФ при 25 В | 40 мОм при 40 А, 10 В | 5,5 В @ 4 мА | 80А Тс | 143 нК при 10 В | 10 В | ±30 В |
