Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактИКСИ(5222)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/кейс | Без свинца | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь кода соответствия | Код JESD-609 | Терминал отделки | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Рабочая температура (макс.) | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние мощности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Напряжение изоляции | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки выключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение пробоя-мин. | Технология полевых транзисторов | Пороговое напряжение | Рассеиваемая мощность-Макс. | Код JEDEC-95 | Обратное время восстановления | Время восстановления | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение пробоя стока к источнику | Тип полевого транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Номинальный объем | Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IXFC36N50P | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™, PolarHT™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfr36n50p-datasheets-3707.pdf | 500В | 36А | ISOPLUS220™ | Без свинца | 3 | 3 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ, ПРИЗНАННЫЙ UL | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 156 Вт | 1 | Не квалифицирован | 23нс | 23 нс | 82 нс | 19А | 30В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 156 Вт Тс | 500В | N-канал | 5500пФ при 25В | 190 мОм при 18 А, 10 В | 5 В при 4 мА | 19А Тк | 93 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFC16N50P | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™, PolarHT™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfc16n50p-datasheets-5928.pdf | 500В | 16А | ISOPLUS220™ | Без свинца | 3 | 3 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ, ПРИЗНАННЫЙ UL | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 125 Вт | 1 | Питание общего назначения на полевых транзисторах | Не квалифицирован | 25нс | 22 нс | 70 нс | 10А | 30В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 125 Вт Тс | 0,45 Ом | 750 мДж | 500В | N-канал | 2250пФ при 25В | 450 мОм при 8 А, 10 В | 5,5 В @ 2,5 мА | 10А Тс | 43 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFR26N50Q | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2001 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfr26n50q-datasheets-7365.pdf | ISOPLUS247™ | 3 | 3 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 250 Вт | 1 | Питание общего назначения на полевых транзисторах | Не квалифицирован | 30 нс | 16 нс | 55 нс | 24А | 20 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 250 Вт Тс | 104А | 0,2 Ом | 1500 мДж | 500В | N-канал | 3900пФ при 25В | 200 мОм при 13 А, 10 В | 4,5 В при 4 мА | 24А Тк | 95 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFT21N50Q | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixft21n50q-datasheets-7416.pdf | ТО-268-3, Д3Пак (2 отведения + вкладка), ТО-268АА | 2 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е3 | Матовый олово (Sn) | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 280 Вт | 1 | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 28нс | 12 нс | 51 нс | 21А | 30В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 280 Вт Тс | 84А | 0,25 Ом | 1500 мДж | 500В | N-канал | 3000пФ при 25В | 250 мОм при 10,5 А, 10 В | 4,5 В при 4 мА | 21А Тц | 84 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИКСТА160N085T | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixta160n085t-datasheets-7462.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 2 | да | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 360 Вт | 1 | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 61нс | 36 нс | 65 нс | 160А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 360 Вт Тс | 350А | 0,006Ом | 1000 мДж | 85В | N-канал | 6400пФ при 25В | 6 м Ом при 50 А, 10 В | 4 В при 1 мА | 160А Тс | 164 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИКТС200Н10Т | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчМВ™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtc200n10t-datasheets-7509.pdf | ISOPLUS220™ | 3 | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ, ПРИЗНАННЫЙ UL | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 160 Вт | 1 | Питание общего назначения на полевых транзисторах | Не квалифицирован | 45 нс | 101А | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 160 Вт Тс | 500А | 1500 мДж | 100 В | N-канал | 9400пФ при 25 В | 6,3 мОм при 50 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 101А Тс | 152 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTC160N085T | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2012 год | ISOPLUS220™ | 6мОм | 110А | 85В | N-канал | 110А Тс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTP2N80P | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ПоларХВ™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixta2n80p-datasheets-7550.pdf | ТО-220-3 | 3 | 8 недель | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 70 Вт | 1 | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 35 нс | 28 нс | 53 нс | 2А | 30В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 70 Вт Тс | ТО-220АБ | 2А | 4А | 6Ом | 100 мДж | 800В | N-канал | 440пФ при 25В | 6 Ом при 1 А, 10 В | 5,5 В @ 50 мкА | 2А Тк | 10,6 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTP152N085T | ИКСИС | 0,80 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчМВ™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixta152n085t-datasheets-7446.pdf | ТО-220-3 | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 360 Вт | 1 | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 50 нс | 45 нс | 50 нс | 152А | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 360 Вт Тс | ТО-220АБ | 410А | 0,007Ом | 750 мДж | 85В | N-канал | 5500пФ при 25В | 7 мОм при 25 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 152А Тс | 114 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTC250N075T | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtc250n075t-datasheets-7648.pdf | ISOPLUS220™ | 3 | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ, ПРИЗНАННЫЙ UL | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 160 Вт | 1 | Не квалифицирован | 55 нс | 128А | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 160 Вт Тс | 600А | 0,0044Ом | 1000 мДж | 75В | N-канал | 9900пФ при 25 В | 4,4 мОм при 25 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 128А Тс | 200 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTY2N80P | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ПоларХВ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixta2n80p-datasheets-7550.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 2 | 8 недель | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е3 | Матовый олово (Sn) | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 70 Вт | 1 | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 35 нс | 28 нс | 53 нс | 2А | 30В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 70 Вт Тс | ТО-252АА | 2А | 4А | 6Ом | 100 мДж | 800В | N-канал | 440пФ при 25В | 6 Ом при 1 А, 10 В | 5,5 В @ 50 мкА | 2А Тк | 10,6 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTP182N055T | ИКСИС | 1,50 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчМВ™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixta182n055t-datasheets-7499.pdf | ТО-220-3 | 3 | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 360 Вт | 1 | Не квалифицирован | 35 нс | 38 нс | 53 нс | 182А | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 360 Вт Тс | ТО-220АБ | 490А | 0,005 Ом | 1000 мДж | 55В | N-канал | 4850пФ при 25В | 5 м Ом при 25 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 182А Тс | 114 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFR12N100 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 1кВ | 12А | ISOPLUS247™ | Без свинца | 3 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 250 Вт | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | 150°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Питание общего назначения на полевых транзисторах | Не квалифицирован | Р-ПСИП-Т3 | 10А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1000В | 1000В | 48А | N-канал | 2900пФ при 25В | 1,1 Ом при 6 А, 10 В | 5,5 В @ 4 мА | 10А Тс | 90 нК при 10 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFE24N100 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2002 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfe23n100-datasheets-1164.pdf | СОТ-227-4, миниБЛОК | 4 | 4 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 500 Вт | 1 | Питание общего назначения на полевых транзисторах | Не квалифицирован | 35 нс | 21 нс | 75 нс | 22А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1000В | 500 Вт Тс | 96А | 0,39 Ом | 3000 мДж | 1кВ | N-канал | 7000пФ при 25В | 390 мОм при 12 А, 10 В | 5 В @ 8 мА | 22А Тк | 250 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFE44N60 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2002 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfe44n60-datasheets-8502.pdf | СОТ-227-4, миниБЛОК | 4 | 4 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 500 Вт | 1 | Питание общего назначения на полевых транзисторах | Не квалифицирован | 55нс | 45 нс | 110 нс | 41А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500 Вт Тс | 176А | 0,13 Ом | 3000 мДж | 600В | N-канал | 8900пФ при 25 В | 130 мОм при 22 А, 10 В | 4,5 В @ 8 мА | 41А Тц | 330 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFK33N50 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfk33n50-datasheets-8544.pdf | ТО-264-3, ТО-264АА | Без свинца | 3 | 150 мОм | 3 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | 3 | Одинокий | 416 Вт | 1 | Питание общего назначения на полевых транзисторах | 42нс | 23 нс | 110 нс | 33А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 416 Вт Тс | 2500 мДж | 500В | N-канал | 5700пФ при 25В | 160 мОм при 16,5 А, 10 В | 4 В @ 4 мА | 33А Тц | 227 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFR180N07 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfr180n07-datasheets-8644.pdf | ISOPLUS247™ | Без свинца | 3 | 8 недель | 6МОм | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 400 Вт | 1 | Питание общего назначения на полевых транзисторах | Не квалифицирован | 90 нс | 55 нс | 140 нс | 180А | 20 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 417 Вт Тс | 720А | 70В | N-канал | 9400пФ при 25 В | 6 м Ом при 500 мА, 10 В | 4 В @ 8 мА | 180А Тс | 420 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFX14N100 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfx15n100-datasheets-8076.pdf | ТО-247-3 | 3 | 3 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 360 Вт | 1 | Питание общего назначения на полевых транзисторах | Не квалифицирован | 30 нс | 30 нс | 120 нс | 14А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1000В | 360 Вт Тс | 56А | 0,75 Ом | 1кВ | N-канал | 4500пФ при 25В | 750 м Ом при 500 мА, 10 В | 4,5 В при 4 мА | 14А Тс | 220 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFR25N90 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | ISOPLUS247™ | 25А | 900В | N-канал | 25А Тс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXUC100N055 | ИКСИС | 18,91 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | Сквозное отверстие | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixuc100n055-datasheets-8776.pdf | ISOPLUS220™ | 3 | Нет СВХК | 220 | да | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | 260 | 3 | Одинокий | 35 | 150 Вт | 1 | Не квалифицирован | Р-ПСИП-Т3 | 2,5 кВ | 115 нс | 155 нс | 230 нс | 100А | 20 В | 55В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 4В | 150 Вт Тс | ТО-273АА | 80 нс | 0,0077Ом | 500 мДж | 55В | N-канал | 4 В | 7,7 мОм при 80 А, 10 В | 4 В при 1 мА | 100А Тс | 100 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTU2N80P | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ПоларХВ™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixta2n80p-datasheets-7550.pdf | TO-251-3 Короткие выводы, IPak, TO-251AA | 3 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 70 Вт | 1 | Не квалифицирован | Р-ПСИП-Т3 | 35 нс | 28 нс | 53 нс | 2А | 30В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 70 Вт Тс | 2А | 4А | 6Ом | 100 мДж | 800В | N-канал | 440пФ при 25В | 6 Ом при 1 А, 10 В | 5,5 В @ 50 мкА | 2А Тк | 10,6 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИКСТН320Н10Т | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtn320n10t-datasheets-4250.pdf | СОТ-227-4, миниБЛОК | Без свинца | 4 | 4 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ, ПРИЗНАННЫЙ UL | Никель (Ni) | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | НЕ УКАЗАН | 4 | 175°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Питание общего назначения на полевых транзисторах | Не квалифицирован | 320А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 В | 100 В | 680 Вт Тс | 700А | 0,0032Ом | 2300 мДж | N-канал | 4,5 В при 1 мА | 320А Тк | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFH66N20Q | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh66n20q-datasheets-4327.pdf | ТО-247-3 | Без свинца | 3 | 3 | да | EAR99 | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 400 Вт | 1 | Не квалифицирован | 18нс | 14 нс | 50 нс | 66А | 30В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 400 Вт Тс | ТО-247АД | 264А | 0,04 Ом | 1500 мДж | 200В | N-канал | 3700пФ при 25В | 40 мОм при 33 А, 10 В | 4 В @ 4 мА | 66А Тк | 105 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFN55N50 | ИКСИС | $36,98 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Крепление на шасси, винт | Крепление на шасси | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | Винт | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | СОТ-227-4, миниБЛОК | Без свинца | 4 | 6 недель | 46 г | Нет СВХК | 80мОм | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | Никель (Ni) | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 4 | Одинокий | 600 Вт | 1 | Питание общего назначения на полевых транзисторах | Р-ПУФМ-X4 | 2,5 кВ | 60нс | 45 нс | 120 нс | 55А | 20 В | 500В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 4,5 В | 625 Вт Тс | 250 нс | 220А | 500В | N-канал | 9400пФ при 25 В | 4,5 В | 90 мОм при 27,5 А, 10 В | 4,5 В @ 8 мА | 55А Тс | 330 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||
| IXFN52N90P | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Полар™ | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfn52n90p-datasheets-4549.pdf | СОТ-227-4, миниБЛОК | 4 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ, ПРИЗНАННЫЙ UL | Никель (Ni) | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 1 | Питание общего назначения на полевых транзисторах | Не квалифицирован | Р-ПУФМ-X4 | 43А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 900В | 900В | 890 Вт Тс | 104А | 0,16 Ом | 2000 мДж | N-канал | 19000пФ при 25В | 160 мОм при 26 А, 10 В | 6,5 В при 1 мА | 43А Тц | 308 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTY12N06TTRL | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчМВ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixty12n06ttrl-datasheets-8314.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 2 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ, СВЕРХНИЗКОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ | неизвестный | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 1 | Р-ПССО-Г2 | 12А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | 60В | 33 Вт Тк | ТО-252АА | 30А | 0,085 Ом | 20 мДж | N-канал | 256пФ при 25В | 85 мОм при 6 А, 10 В | 4 В @ 25 мкА | 12А Тс | 3,4 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFJ32N50 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 3 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | совместимый | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ | НЕ УКАЗАН | 4 | 150°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Питание общего назначения на полевых транзисторах | Не квалифицирован | Р-ПСИП-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | N-КАНАЛЬНЫЙ | 360 Вт | 500В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | ТО-268АА | 32А | 128А | 0,15 Ом | 1500 мДж | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFT52N30Q ТРЛ | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixft52n30qtrl-datasheets-3306.pdf | ТО-268-3, Д3Пак (2 отведения + вкладка), ТО-268АА | 300В | 360 Вт Тс | N-канал | 5300пФ при 25В | 60 мОм при 26 А, 10 В | 4 В @ 4 мА | 52А Тк | 150 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFH1799 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTM11N80 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ГигаМОС™ | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | ТО-204АА, ТО-3 | 2 | да | НЕТ | НИЖНИЙ | ПИН/ПЭГ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Питание общего назначения на полевых транзисторах | Не квалифицирован | О-МБФМ-П2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 800В | 800В | 300 Вт Тс | 11А | 44А | 0,95 Ом | N-канал | 4500пФ при 25В | 950 мОм при 5,5 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 11А Тк | 170 нК при 10 В | 10 В | ±20 В |
