Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактИКСИ(5222)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/кейс | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Сопротивление | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь кода соответствия | Код JESD-609 | Терминал отделки | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние мощности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки выключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение пробоя-мин. | Рассеиваемая мощность-Макс. | Код JEDEC-95 | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение пробоя стока к источнику | Тип полевого транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность полевого транзистора | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IXFT100N30X3HV | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh100n30x3-datasheets-5802.pdf | ТО-268-3, Д3Пак (2 отведения + вкладка), ТО-268АА | 19 недель | 300В | 480 Вт Тс | N-канал | 7,66 нФ при 25 В | 13,5 мОм при 50 А, 10 В | 4,5 В при 4 мА | 100А Тс | 122 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИКСТА8N65X2 | ИКСИС | 2,76 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixta8n65x2-datasheets-2725.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 15 недель | EAR99 | не_совместимо | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 8А | 650В | 150 Вт Тс | N-канал | 800пФ при 25В | 500 мОм при 4 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 8А Тк | 12 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTY02N50D-ТРЛ | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Лента и катушка (TR) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixty02n50dtrl-datasheets-8387.pdf | 24 недели | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTY15N20T | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | ТО-252, (Д-Пак) | 15А | 200В | N-канал | 15А Тс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFY4N85X | ИКСИС | $3,87 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfa4n85x-datasheets-2710.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 19 недель | да | 850В | 150 Вт Тс | N-канал | 247пФ при 25В | 2,5 Ом при 2 А, 10 В | 5,5 В @ 250 мкА | 3,5 А Тс | 7 нК @ 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFP60N25X3M | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfp60n25x3m-datasheets-3602.pdf | ТО-220-3 | 19 недель | да | 250 В | 36 Вт Тк | N-канал | 3610пФ при 25 В | 23 мОм при 30 А, 10 В | 4,5 В @ 1,5 мА | 60А Тс | 50 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFX48N60Q3 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfx48n60q3-datasheets-3687.pdf | ТО-247-3 | 16,13 мм | 21,34 мм | 5,21 мм | Без свинца | 3 | 30 недель | 247 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | неизвестный | 3 | Одинокий | 1кВт | 1 | Мощность FET общего назначения | Р-ПСИП-Т3 | 37 нс | 300 нс | 40 нс | 48А | 30 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1000 Вт Тс | 120А | 0,14 Ом | 2000 мДж | 600В | N-канал | 7020пФ при 25В | 140 мОм при 24 А, 10 В | 6,5 В @ 4 мА | 48А ТЦ | 140 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| IXFN210N30P3 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™, Polar3™ | Крепление на шасси, панель | Крепление на шасси | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfn210n30p3-datasheets-3752.pdf | СОТ-227-4, миниБЛОК | 38,23 мм | 9,6 мм | 25,07 мм | 30 недель | 4 | Одинокий | 1,5 кВт | Мощность FET общего назначения | 46 нс | 25нс | 13 нс | 94 нс | 192А | 20 В | 1500 Вт Тс | 300В | N-канал | 16200пФ при 25В | 14,5 мОм при 105 А, 10 В | 5 В @ 8 мА | 192А Тс | 268 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXKH24N60C5 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | CoolMOS™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixkh24n60c5-datasheets-3813.pdf | ТО-3П-3 Полный пакет | Без свинца | 3 | 32 недели | 165МОм | да | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 250 Вт | 1 | Мощность FET общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 24А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ТО-247АД | 522 мДж | 600В | N-канал | 2000пФ при 100В | 165 мОм при 12 А, 10 В | 3,5 В @ 790 мкА | 24А Тк | 52 нК при 10 В | Супер Джанкшн | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTV98N20T | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | ТО-220-3, короткая вкладка | 98А | 200В | N-канал | 98А Тц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFA18N60X | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfp18n60x-datasheets-3822.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 19 недель | 18А | 600В | 320 Вт Тс | N-канал | 1440пФ при 25В | 230 мОм при 9 А, 10 В | 4,5 В @ 1,5 мА | 18А Тк | 35 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFP34N65X2M | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | TO-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | 19 недель | совместимый | 650В | 40 Вт Тс | N-канал | 3230пФ при 25В | 100 мОм при 17 А, 10 В | 5 В при 1,5 мА | 34А Тк | 56 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFT4N100Q | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixft4n100q-datasheets-3940.pdf | ТО-268-3, Д3Пак (2 отведения + вкладка), ТО-268АА | Без свинца | 2 | 3 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 150 Вт | 1 | Мощность FET общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 15 нс | 18 нс | 32 нс | 4А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1000В | 150 Вт Тс | 4А | 16А | 3Ом | 700 мДж | 1кВ | N-канал | 1050пФ при 25В | 3 Ом при 2 А, 10 В | 5 В при 1,5 мА | 4А Тк | 39 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||
| IXTQ88N15 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | ТО-3П-3, СК-65-3 | 88А | 150 В | N-канал | 88А Тк | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTA15N50L2-ТРЛ | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 28 недель | 500В | 300 Вт Тс | N-канал | 4080пФ при 25В | 480 мОм при 7,5 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 15А Тс | 123 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFH26N65X2 | ИКСИС | $9,86 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 23 недели | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFT50N60X | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfq50n60x-datasheets-4003.pdf | ТО-268-3, Д3Пак (2 отведения + вкладка), ТО-268АА | 19 недель | 50А | 600В | 660 Вт Тс | N-канал | 4660пФ при 25В | 73 мОм при 25 А, 10 В | 4,5 В при 4 мА | 50А Тс | 116 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFQ26N50 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | ТО-3П-3, СК-65-3 | 26А | 500В | N-канал | 26А Тк | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFK120N20P | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™, PolarP2™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh120n20p-datasheets-4160.pdf | ТО-264-3, ТО-264АА | 3 | 30 недель | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 714 Вт | 1 | Мощность FET общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 35 нс | 31 нс | 100 нс | 120А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 714 Вт Тс | 300А | 0,022 Ом | 2000 мДж | 200В | N-канал | 6000пФ при 25В | 22 мОм при 500 мА, 10 В | 5 В при 4 мА | 120А Тс | 152 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||
| IXFH120N25T | ИКСИС | $65,13 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™, TrenchT2™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh120n25t-datasheets-4267.pdf | ТО-247-3 | 3 | 30 недель | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | неизвестный | ОДИНОКИЙ | 3 | 1 | Мощность FET общего назначения | Р-ПСФМ-Т3 | 120А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 250 В | 250 В | 890 Вт Тс | ТО-247АД | 300А | 0,023Ом | 500 мДж | N-канал | 11300пФ при 25В | 23 мОм при 60 А, 10 В | 5 В при 4 мА | 120А Тс | 180 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTH72N20 | ИКСИС | $2,06 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixth72n20-datasheets-4294.pdf | ТО-247-3 | 3 | 3 | да | EAR99 | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 400 Вт | 1 | Не квалифицирован | 30 нс | 20 нс | 80 нс | 72А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 400 Вт Тс | ТО-247АД | 288А | 1500 мДж | 200В | N-канал | 4400пФ при 25В | 33 мОм при 500 мА, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 72А Тк | 170 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFH11N80 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh13n80-datasheets-2163.pdf | 800В | 11А | ТО-247-3 | Без свинца | 3 | 950мОм | 3 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | 3 | Одинокий | 300 Вт | 1 | Мощность FET общего назначения | 33нс | 32 нс | 63 нс | 11А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 300 Вт Тс | 44А | 800В | N-канал | 4200пФ при 25В | 950 мОм при 500 мА, 10 В | 4,5 В при 4 мА | 11А Тс | 155 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTH10N100D | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixth10n100d-datasheets-4365.pdf | ТО-247-3 | 3 | да | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 400 Вт | 1 | Мощность FET общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 85нс | 75 нс | 110 нс | 10А | 30 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1000В | 400 Вт Тс | 20А | 1кВ | N-канал | 2500пФ при 25В | 1,4 Ом при 10 А, 10 В | 3,5 В @ 250 мкА | 10А Тс | 130 нК при 10 В | Режим истощения | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFQ23N60Q | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Масса | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2017 год | ТО-268-3, Д3Пак (2 отведения + вкладка), ТО-268АА | 23А | 600В | N-канал | 23А Тк | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXUV170N075S | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Масса | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | ПЛЮС-220СМД | 220 | 300 Вт | Одинокий | 300 Вт | 175А | 5,3 мОм | 75В | N-канал | 175А Тс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFT16N120P-ТРЛ | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-268-3, Д3Пак (2 отведения + вкладка), ТО-268АА | 26 недель | 1200В | 660 Вт Тс | N-канал | 6900пФ при 25 В | 950 мОм при 8 А, 10 В | 6,5 В @ 1 мА | 16А Тс | 120 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFR80N60P3 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™, Polar3™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfr80n60p3-datasheets-4547.pdf | ТО-247-3 | 16,13 мм | 21,34 мм | 5,21 мм | 30 недель | 247 | Одинокий | Мощность FET общего назначения | 48 нс | 87 нс | 48А | 30 В | 600В | 540 Вт Тс | N-канал | 13100пФ при 25 В | 76 мОм при 40 А, 10 В | 5 В @ 8 мА | 48А ТЦ | 190 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFK44N50 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | Непригодный | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfk44n50-datasheets-7596.pdf | 500В | 44А | ТО-264-3, ТО-264АА | 3 | 3 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 500 Вт | 1 | Мощность FET общего назначения | Не квалифицирован | 60нс | 30 нс | 100 нс | 44А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500 Вт Тс | 176А | 0,12 Ом | 500В | N-канал | 8400пФ при 25В | 120 мОм при 22 А, 10 В | 4 В @ 8 мА | 44А Тк | 270 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| ИКСТА102N15T | ИКСИС | $4,19 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixta102n15t-datasheets-9411.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 2 | 30 недель | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | неизвестный | е3 | ЧИСТОЕ ОЛОВО | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 455 Вт | 1 | Мощность FET общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 14 нс | 22 нс | 25 нс | 102А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 455 Вт Тс | 300А | 0,018Ом | 750 мДж | 150 В | N-канал | 5220пФ при 25В | 18 мОм при 500 мА, 10 В | 5 В при 1 мА | 102А Тс | 87 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||
| IXTH74N15T | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | ТО-247-3 | 74А | 150 В | N-канал | 74А Тк |
